北京郵電期末考試試卷 08~09第一學(xué)期電子電路期末試卷.pdf

北京郵電大學(xué)北京郵電大學(xué) 2008 2009 學(xué)年第學(xué)年第 1 學(xué)期學(xué)期 電子電路基礎(chǔ) 電子電路基礎(chǔ) 期末考試試題 B 考 試 注 意 事 項(xiàng) 一 學(xué)生參加考試須帶學(xué)生證或?qū)W院證明 未帶者不準(zhǔn)進(jìn)入考場 學(xué)生必須 按照監(jiān)考教師指定座位就坐 二 書本 參考資料 書包等物品一律放到考場指定位置 三 學(xué)生不得另行攜帶 使用稿紙 要遵守 北京郵電大學(xué)考場規(guī)則 有 考場違紀(jì)或作弊行為者 按相應(yīng)規(guī)定嚴(yán)肅處理 四 學(xué)生必須將答題內(nèi)容做在試題答卷上 做在草稿紙上一律無效 五 學(xué)生的姓名 班級(jí) 學(xué)號(hào) 班內(nèi)序號(hào)等信息由教材中心統(tǒng)一印制 題號(hào) 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 總分 滿分 得分 閱卷 教師 一 一 選擇題選擇題 1 設(shè)某單管共射放大電路各零 極點(diǎn)的頻率間隔差十倍以上 當(dāng)輸入信號(hào)頻率為放大 電路的下截止頻率fL時(shí) 電路的增益為中頻增益的 輸入電壓與輸入電壓 之間的相移為 反之 當(dāng)信號(hào)頻率等于上限截止頻率fH時(shí) 電路增益為中 頻增益的 輸出電壓與輸入電壓之間的相移為 2 欲通過實(shí)驗(yàn)電路來觀察頻率響應(yīng) 以下測(cè)試方法中正確的為 A 保持輸入電壓頻率不變 改變幅度 B 保持輸入電壓幅度不變 改變頻率 C 同時(shí)改變輸入電壓的幅度與頻率 3 影響放大電路頻率 高 特性的因素有 影響其低頻特性的因素是 A 耦合電容和旁路電容的存在 B 放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適 C 晶體管極間電容和分布電容的存在 D 晶體管的非線性特性 4 已知場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性分別為圖一中 I II 所示 且其中漏極電路iD的方向 是它的實(shí)際方向 則 I 為 溝道 型 II 為 溝道 型 A N B P C 增強(qiáng) D 耗盡 圖一 I 圖一 II 圖二 5 在三極管負(fù)反饋放大電路中 若保持負(fù)載不變 欲從信號(hào)源獲取較小的電流 并能 夠在更換放大管時(shí)穩(wěn)定輸出電流 可在放大電流中引入 A 電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B 電壓并聯(lián)負(fù)反饋 C 電流串聯(lián)負(fù)反饋 D 電流并聯(lián)負(fù)反饋 6 請(qǐng)說出圖二所示電路的名稱 A 反相積分電路 B 反相輸入放大電路 C 反相輸入滯回比較器 D 方波發(fā)生器 7 以下各管中 無需外給偏壓只需用自給偏置 自生偏壓 方式就可工作的場效應(yīng)管 是 A N溝道效應(yīng)管都行 B N溝道增強(qiáng)型MOS管 C P溝道耗盡型MOS管 D P溝道增強(qiáng)型MOS管 8 欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成三角波電壓 應(yīng)選用 A 對(duì)數(shù)運(yùn)算電路 B 積分運(yùn)算電路 C 微分運(yùn)算電路 D 加減運(yùn)算電路 圖三 9 設(shè)由運(yùn)放構(gòu)成的電路如圖三 I 所示 且其輸入電壓如圖三 II 所示 則輸出電 壓波形為 A B C D 圖六 二 填空題二 填空題 1 已知電路如圖四所示 設(shè)圖中運(yùn)算放大器均工作在深負(fù)反饋條件下 其運(yùn)放輸出電 壓的最大幅值為 12V 輸入電壓Vi為0 1V 試求下列各問題 1 A1引入的交流負(fù)反饋的組態(tài)為 A2引入的交流負(fù)反饋的組態(tài)為 2 Av1 Vo1 Vi Av2 Vo2 Vi Av Vo Vi 寫出數(shù)值 即可 3 正常工作時(shí) Vo V 4 若電阻R1開路 則Vo V 5 若電阻R2開路 則Vo V 6 若電路R4開路 則Vo V 2 在單管共射 共集 共基三種基本組態(tài)中 電壓偏置最大且截止頻率最高的為 組態(tài) 在阻容耦合 直接耦合 變壓器耦合三種耦合方式中 下截止頻率 最低的是 耦合 3 以運(yùn)算放大器為基本放大單元構(gòu)成的小信號(hào)運(yùn)算電路 可利用 虛短 和 虛斷 的概念求解運(yùn)算關(guān)系 其前提是電路中引入的反饋是 4 三種場效應(yīng)管電路如圖五中 a b c 所示 其中 圖中的場效應(yīng)管肯定 無法實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的線性放大 原因是 三 三 電路如圖六所示 設(shè) MOS 管參數(shù)為 IDSS 3mA VGS Off 3V 且 RG 200k 當(dāng) RD的值分別為 3 9k 和 10k 時(shí) 判斷場 效應(yīng)管是處在飽和區(qū) 不變電阻區(qū)還是截止區(qū) 若管子處于 飽和區(qū) 試求相應(yīng)的工作點(diǎn)電流 IDQ 圖七 四 共源型放大電路如圖七所示 設(shè) JFET 的厄爾利電壓為無窮 大且工作在飽和狀態(tài)下 其跨導(dǎo)為 gm 0 5ms 等效電容為 Cgs 3pF Cgd 5pF 電路中其余參數(shù)為 Rs 1k RG1 300k RG2 100k RG3 1M RD RL R1 20k 若電容 C1 C2 C3 可被認(rèn)為交流短路 試 1 畫出電路的高頻微變等效電路 2 求中頻時(shí)的源電壓增益 Avs Vo Vs 輸入電阻 Ri 輸出電 阻 Ro 3 計(jì)算該電路源電壓增益的上截止頻率 fH 五 設(shè)多級(jí)放大電路的電壓增益函數(shù)為 Av j 10 12 j 105 j 106 j 107 試 1 求該放大器的中頻電壓增益 Avo 2 該電路有幾個(gè)極點(diǎn) 各極點(diǎn)的頻率值為多少 該電路的 上截止頻率 fH 為多少 3 畫波特圖 4 若為該電路加有 負(fù)反饋系數(shù) F 為 1 的負(fù)反饋 是否會(huì) 產(chǎn)生自激 并說明原因 5 該電路臨界自激時(shí)的反饋系數(shù) F 為多少 圖九 六 設(shè)電路如圖九所示 其中運(yùn)放的供電電壓為 20V 1 試分別說明運(yùn)放 A1 A2所構(gòu)成的電路的功能 以及全電 路的功能 2 設(shè) R1 R2 R4 20k Vz 15V C 20 F 且電容兩端的 初始電壓為 0 求 Vo1處波形的占空比級(jí)重復(fù)頻率 3 在圖十中畫出 Vo1 Vo點(diǎn)的波形 并標(biāo)出關(guān)鍵點(diǎn)的時(shí)間 及電壓 七 圖十一所示電路中各元件的參數(shù)為 Rs 1k RB1 68k RB2 5 1k RE1 500 RC1 5 1k Rf 10k RC3 20k RC4 2k RE2 1k C 10 F 設(shè)電路級(jí)間引入的為深負(fù)反 饋 試 1 說明電路級(jí)間負(fù)反饋的類型 包括取樣方式 相加方式 2 計(jì)算該電路的輸入電阻 Ri 3 計(jì)算該電路的源電壓增益 Avsf vo vs 圖十二 八 設(shè)多級(jí)放大電路如圖十二所示 設(shè) C1 C2可被認(rèn)為交流短路 試說明為了分別滿足以下要求 應(yīng)該將反饋電阻的兩端分別 與圖中 a b c d 中的哪些點(diǎn)相連 說明加入該 負(fù)反饋之后的反饋類型 取樣 相加