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1、課前導(dǎo)讀 內(nèi)存概述 如何選購內(nèi)存 安裝內(nèi)存 內(nèi)存的使用與維護(hù) 課后練習(xí),第四課 內(nèi)存,內(nèi)存概述,內(nèi)存的作用 內(nèi)存的種類 內(nèi)存的性能指標(biāo),內(nèi)存的作用,內(nèi)存(Memory)也稱內(nèi)存儲(chǔ)器或主存,就像人體大腦的記憶系統(tǒng),用于存放電腦的運(yùn)行程序和處理的數(shù)據(jù)。只要打開電源啟動(dòng)電腦,內(nèi)存中就會(huì)有各種各樣的數(shù)據(jù)信息存在,可以說它永遠(yuǎn)也不會(huì)空閑著。當(dāng)運(yùn)行電腦程序時(shí),程序?qū)⑹紫缺蛔x入內(nèi)存中,然后在特定的內(nèi)存中開始執(zhí)行,并且處理的結(jié)果也將保存在該內(nèi)存中,也就是說內(nèi)存會(huì)和CPU之間頻繁地交換數(shù)據(jù),沒有內(nèi)存,CPU的工作將難以開展,電腦也無法啟動(dòng)。,內(nèi)存是用來臨時(shí)存放數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,它泛指電腦中用來存放數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)單
2、元。它的容量和性能將直接影響電腦的運(yùn)行速度。其實(shí)它就好像一個(gè)車站,越大吞吐量就越大,進(jìn)進(jìn)出出的汽車也就越快,按照內(nèi)存的性能分,FPM RAM(Fast Page Mode RAM) EDO RAM(Extended Data Out RAM) SDRAM(Synchronous Dynamic RAM) DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM) RDRAM(Rambus DRAM) DDR 2 DDR 3,FPM RAM,FPM(快頁模式)是較早的個(gè)人電腦普遍使用的內(nèi)存,它每隔3個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)?,F(xiàn)在已很難看到使用這種內(nèi)存的電腦系統(tǒng)了。,EDO RAM,EDO(
3、擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔,每隔2個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù),大大地縮短了存取時(shí)間,使存取速度提高30,達(dá)到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條,以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯卡。,這種內(nèi)存流行在486以及早期的奔騰電腦系統(tǒng)中,它有72線和168線之分,采用5V電壓,位寬32 bit,可用于Intel FX/VX芯片組主板上,所以某些使用奔騰100/133的電腦系統(tǒng)目前還在使用它。不過要注意的是,由于它采用5V電壓,跟下面將要介紹的SDRAM不同(SDRAM為3.3V),兩者混合使用很容易會(huì)被燒毀,因此在使用前最好了解一下該主板使用的是3.3V
4、還是5V電壓。,SDRAM,SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起,使RAM和CPU能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期,以相同的速度同步工作,與EDO內(nèi)存相比,速度能提高50。SDRAM內(nèi)存如圖4-1所示。,圖4-1,SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu),內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列,當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問數(shù)據(jù)時(shí),另一個(gè)就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備,通過這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM的速度早已超過了100MHz,存儲(chǔ)時(shí)間已達(dá)到58ns。 SDRAM內(nèi)存的命名規(guī)則是基于工作頻率的,規(guī)格有PC100和PC133(PC150、PC166其實(shí)是PC133
5、的延伸)兩種。 SDRAM不僅可用作主存,在顯卡上的內(nèi)存方面也有廣泛應(yīng)用。,DDR SDRAM,DDR SDRAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,是目前最流行的內(nèi)存。它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能成倍提高SDRAM的速度,并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬。DDR SDRAM內(nèi)存如圖4-2所示。,圖4-2,DDR SDRAM內(nèi)存是基于傳輸速率命名的,主要分為PC1600、PC2100、PC2700、PC4200,也稱為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400,分別對應(yīng)工作于100MHz(實(shí)際相當(dāng)于200MHz)、133MHz(實(shí)際相當(dāng)
6、于266MHz)、166MHz(實(shí)際相當(dāng)于333MHz)、200MHz(實(shí)際相當(dāng)于400MHz)的頻率下。,RDRAM,RDRAM(存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的新型DRAM,它能在很高的頻率范圍下通過一個(gè)簡單的總線傳輸數(shù)據(jù),同時(shí)使用低電壓信號,在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。RDRAM內(nèi)存如圖4-3所示。,圖4-3,RDRAM需要RIMM插槽及芯片組配合,而且RDRAM要求RIMM插槽必須全部插滿,空余的RIMM插槽要用專用的RDRAM終結(jié)器插滿。 RDRAM具有相當(dāng)高的數(shù)據(jù)傳輸率,就一個(gè)通道而言,800MHz的RDRAM帶寬為80
7、0MHz16位=1.6GB/s,若是兩個(gè)通道,則可提升為3.2GB/s,若是4個(gè)通道,將達(dá)到6.4GB/s。 RDRAM是基于傳輸速率命名的,主要分為PC600、PC800、PC1066,分別對應(yīng)于工作在75MHz(實(shí)際相當(dāng)于300MHz)、100MHz(實(shí)際相當(dāng)于400MHz)、133MHz(實(shí)際相當(dāng)于533MHz)頻率下。,DDR2是現(xiàn)在主流使用的內(nèi)存,有DDR533,667,800三種 從去年剛出來DDR3代的內(nèi)存條,有1800/1600/1333/1066 ,現(xiàn)在正在普及,了解內(nèi)存品牌及識別內(nèi)存,金士頓 金泰克 威剛 Samsung Hyundai (現(xiàn)代),目前市場上內(nèi)存品牌較多,不
8、過真正生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商只有幾家,其他很多內(nèi)存制造商都是采用別人的內(nèi)存顆粒,如Kingmax生產(chǎn)的內(nèi)存就是采用好幾家內(nèi)存芯片廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒。全球的內(nèi)存芯片廠商有Samsung、Hyundai、KingSton等幾家。,選購內(nèi)存應(yīng)注意的問題,符合主板上的內(nèi)存插槽要求 速度要匹配 注意內(nèi)存的做工 注意內(nèi)存的品牌,符合主板上的內(nèi)存插槽要求,不同的主板提供有不同線數(shù)的內(nèi)存插槽,它們分別要求使用相應(yīng)線數(shù)的內(nèi)存條。目前的主板大多數(shù)是DDR2,DDR3內(nèi)存插槽,配置時(shí)應(yīng)仔細(xì)閱讀主板說明書,看是否符合要求。,注意內(nèi)存的做工,內(nèi)存的做工影響著內(nèi)存的性能,一般來說,要使內(nèi)存能穩(wěn)定的工作,要求使用的PCB板層數(shù)應(yīng)在6層以上,否則內(nèi)存在工作時(shí)容易出現(xiàn)不穩(wěn)定
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