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文檔簡介

1、1,金屬凝固理論,實際液態(tài)金屬的微觀特點,“能量起伏” 液態(tài)金屬中各微觀區(qū)域的能量處于此起彼伏,變化不定的狀態(tài)。這種微區(qū)內(nèi)的能量短暫偏離其平均能量的現(xiàn)象,叫做“能量起伏”。 “結(jié)構(gòu)起伏”液體中大量不?!坝蝿印敝木钟蛴行蛟訄F簇時聚時散、此起彼伏,稱為“結(jié)構(gòu)起伏”或“相起伏”。 “濃度起伏” 同種元素及不同元素之間的原子間結(jié)合力存在差別,結(jié)合力較強的原子容易聚集在一起,把別的原于排擠到別處,表現(xiàn)為游動原子團簇之間存在著成分差異 。,2,金屬凝固理論,凝固是物質(zhì)由液相轉(zhuǎn)變?yōu)楣滔嗟倪^程,是液態(tài)成形技術(shù)的核心問題,也是材料研究和新材料開發(fā)領(lǐng)域共同關(guān)注的問題。 嚴格地說,凝固包括: (1)由液體向晶態(tài)

2、固體轉(zhuǎn)變(結(jié)晶) (2)由液體向非晶態(tài)固體轉(zhuǎn)變(玻璃化轉(zhuǎn)變) 常用工業(yè)合金或金屬的凝固過程一般只涉及前者,本章主要討論純金屬結(jié)晶過程的形核及晶體生長熱力學(xué)與動力學(xué)。,3,金屬凝固理論,凝固熱力學(xué)與動力學(xué),凝固熱力學(xué)是研究金屬形核過程中各種相變的熱力學(xué)條件;平衡條件或非平衡條件下的固、液兩相或固液界面的溶質(zhì)成分;溶質(zhì)平衡分配系數(shù)以及壓力、晶體曲率的影響等。 凝固動力學(xué)是研究形核、界面結(jié)構(gòu)及晶體長大。,金屬凝固理論,4,第4章 金屬凝固熱力學(xué)與動力學(xué),Chapter 4 Thermodynamics and kinetics of solidification,4.1 凝固熱力學(xué) 4.2 凝固動力

3、學(xué) 4.3 純金屬的晶體長大,主要內(nèi)容,4.1 凝固熱力學(xué),4.1.1 液-固相變驅(qū)動力 4.1.2 溶質(zhì)平衡分配系數(shù)(K0),4.1.1 液-固相變驅(qū)動力,熱力學(xué)條件: LS, G0, 過程自發(fā)進行,T=Tm時,,故GV只與T有關(guān)。因此液態(tài)金屬(合金)凝固的驅(qū)動力是由過冷度提供的,或者說過冷度T就是凝固的驅(qū)動力。,圖1 液-固兩相自由能與溫度的關(guān)系,GA高能態(tài)區(qū)即為固態(tài)晶粒與 液態(tài)相間的界面,界面具有界面 能,它使體系的自由能增加,它 由金屬原子穿越界面過程所引起 在相變驅(qū)動力的驅(qū)使下,借助 于起伏作用來克服能量障礙,圖2 金屬原子在結(jié)晶過程中的自由能變化,4.1.2 溶質(zhì)平衡分配系數(shù)(K0

4、),K0定義為恒溫T*下溶質(zhì)在固液兩相的物質(zhì)分數(shù)C*s與C*L 達到平衡時的比值。 K0 的物理意義: 對于K01, K0越小,固相線、液相線張開程度越大,固相成分開始結(jié)晶時與終了結(jié)晶時差別越大,最終凝固組織的成分偏析越嚴重。因此,常將1- K0稱為“偏析系數(shù)”。,4.2 凝固動力學(xué),4.2.1 均質(zhì)形核 4.2.2 非均質(zhì)形核,4.2.1 均質(zhì)形核,均勻形核 :形核前液相金屬或合金中無外來固相質(zhì)點而從液相自身發(fā)生形核的過程,所以也稱“自發(fā)形核” (實際生產(chǎn)中均質(zhì)形核是不太可能的,即使是在區(qū)域精煉的條件下,每1cm3的液相中也有約106個邊長為103個原子的立方體的微小雜質(zhì)顆粒)。 非均勻形核

5、:依靠外來質(zhì)點或型壁界面提供的襯底進行生核過程,亦稱“異質(zhì)形核”或“非自發(fā)形核”。,一、形核功及臨界半徑 二、形核率,一、形核功及臨界半徑,晶核形成時,系統(tǒng)自由能變化由兩部分組成,即作為相變驅(qū)動力的液-固體積自由能之差(負)和阻礙相變的液-固界面能(正): r r*時,rG r = r*時,G達到最大值G* r r*時,rG,液相中形成球形晶胚時自由能變化,得臨界晶核半徑 r*: 得臨界形核功G*:,即:臨界形核功G*的大小為臨界晶核表面能的三分之一, 它是均質(zhì)形核所必須克服的能量障礙。形核功由熔體中的“能量起伏”提供。因此,過冷熔體中形成的晶核是“結(jié)構(gòu)起伏”及“能量起伏”的共同產(chǎn)物。,經(jīng)推導(dǎo)

6、得:,二、形核率,式中,GA為擴散激活能 。 對于一般金屬,溫度降到某一程度,達到臨界過冷度(T*),形核率迅速上升。 計算及實驗均表明: T*0.2Tm,均質(zhì)形核的形核率 與過冷度的關(guān)系,形核率:是單位體積中、單位時間內(nèi)形成的晶核數(shù)目。,4.2.2 非均質(zhì)形核,非均勻(質(zhì))形核,晶核依附于夾雜物的界面或型壁上形成。合金液體中存在的大量高熔點微小雜質(zhì),可作為非均質(zhì)形核的基底。這不需要形成類似于球體的晶核,只需在界面上形成一定體積的球缺便可成核。非均質(zhì)形核過冷度T比均質(zhì)形核臨界過冷度T*小得多時就大量成核。 一、非均質(zhì)形核形核功 二、非均質(zhì)形核形核條件,一、 非均質(zhì)形核形核功,非均質(zhì)形核臨界晶核

7、半徑: 與均質(zhì)形核完全相同。 非均質(zhì)形核功,當0 時,Ghe = 0,此時在無過冷情況下即可形核,當180 時, Ghe = Gho,一般遠小于180, Ghe 遠小于Gho。 如圖所示。,非均質(zhì)形核、均質(zhì)形核過冷度與形核率,非均質(zhì)形核與均質(zhì)形核時臨界曲率半徑大小相同,但球缺的體積比均質(zhì)形核時體積小得多。因此非均質(zhì)形核在較小的過冷度下就可以得到較高的形核率。,二、非均質(zhì)形核形核條件,結(jié)晶相的晶格與雜質(zhì)基底晶格的錯配度的影響 晶格結(jié)構(gòu)越相似,它們之間的界面能越小 ,越易形核。 雜質(zhì)表面的粗糙度對非均質(zhì)形核的影響 凹面雜質(zhì)形核效率最高,平面次之,凸面最差 。,4.3 純金屬的晶體長大,一、 液-固

8、界面自由能及界面結(jié)構(gòu) 二、 晶體長大機制 三、 晶體宏觀生長方式,一、 液-固界面自由能及界面結(jié)構(gòu),粗糙界面與光滑界面 界面結(jié)構(gòu)類型的判據(jù) 界面結(jié)構(gòu)與冷卻速度(動力學(xué)因素),1、粗糙界面與光界滑面,粗糙界面:界面固相一側(cè)的點陣位置只有約50%被固相原子所占據(jù),形成坑坑洼洼、凹凸不平的界面結(jié)構(gòu)。 粗糙界面也稱“非小晶面”或“非小平面”。 光滑界面:界面固相一側(cè)的點陣位置幾乎全部為固相原子所占滿,只留下少數(shù)空位或臺階,從而形成整體上平整光滑的界面結(jié)構(gòu),也稱“小晶面”或“小平面”。,粗糙界面與光滑界面是在原子尺度上的界面差別,注意要與凝固過程中固液界面形態(tài)差別相區(qū)別,后者尺度在m 數(shù)量級。,2、界面

9、結(jié)構(gòu)類型的判據(jù),如何判斷凝固界面的微觀結(jié)構(gòu)? 設(shè)晶體內(nèi)部原子配位數(shù)為,界面上(某一晶面)的配位數(shù)為,晶體表面上N個原子位置有NA個原子( ),則在熔點Tm時,單個原子由液相向固-液界面的固相上沉積的相對自由能變化為:, 被稱為Jackson因子, Sf為單個原子的熔融熵。 2的物質(zhì),凝固時固-液界面為粗糙面,因為FS=0.5(晶體表面有一半空缺位置)時有一個極小值,即自由能最低。大部分金屬屬此類;,凡屬 5的物質(zhì)凝固時界面為光滑面, 非常大時,F(xiàn)S的兩個最小值出現(xiàn)在x0或1處(晶體表面位置已被占滿)。有機物及無機物屬此類; =25的物質(zhì),常為多種方式的混合,Bi、Si、Sb等屬于此類。,3、界

10、面結(jié)構(gòu)與冷卻速度,過冷度大時,生長速度快,界面的原子層數(shù)較多,容易形成粗糙界面結(jié)構(gòu)。過冷度對不同物質(zhì)存在不同的臨界值, 越大的物質(zhì),變?yōu)榇植?面的臨界過冷度也就越大。 如:白磷在低長大速度時(小過冷度T)為小晶面界面,在長大速度增大到一定時,卻轉(zhuǎn)變?yōu)榉切【妗?二、晶體長大機制,上述固-液界面的性質(zhì)(粗糙面還是光滑面),決定了晶體長大方式的差異。 連續(xù)長大 臺階方式長大(側(cè)面長大),1、連續(xù)長大,粗糙面的界面結(jié)構(gòu),許多位置均可為原子著落,液相擴散來的原子很容易被接納與晶體連接起來。由于前面討論的熱力學(xué)因素,生長過程中仍可維持粗糙面的界面結(jié)構(gòu)。只要原子沉積供應(yīng)不成問題,可以不斷地進行“連續(xù)長大”

11、。 其生長方向為界面的法線方向,即垂直于界面生長。,2、臺階方式長大(側(cè)面長大),光滑界面在原子尺度界面是光滑的,單個原子與晶面的結(jié)合較弱,容易脫離。只有依靠在界面上出現(xiàn)臺階,然后從液相擴散來的原子沉積在臺階邊緣,依靠臺階向側(cè)面長大。故又稱“側(cè)面長大”。,“側(cè)面長大” 方式的三種機制,(1)二維晶核機制:臺階在界面鋪滿后即消失,要進一步長大仍須 再產(chǎn)生二維晶核;(2)螺旋位錯機制:這種螺旋位錯臺階在生長過程中不會消失;(3)孿晶面機制:長大過程中溝槽可保持下去,長大不斷地進行。,3、晶體長大速度,1、連續(xù)長大 2、二維晶核臺階長大 3、螺旋位錯臺階長大,33,金屬凝固理論,三、晶體宏觀生長方式,1. 正溫度梯度下生長的晶體形態(tài),34,金屬凝固理論,2. 負溫度梯度下生長的晶體形態(tài),K0對合金凝固組織成分偏析的影響(自左向右定向凝固), 與的關(guān)系圖形,本章小結(jié),1.均質(zhì)形核、非均質(zhì)形核; 2.固-液界面結(jié)構(gòu); 3.晶體長大機制; 4.形核(凝固)的熱力學(xué)和動力學(xué)條件; 5.平衡分配系數(shù)的物理意義及其計算。,38,金屬凝固理論,作業(yè),1. 液態(tài)金屬的形核方式有哪幾種,試分析

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