(完整)模電知識(shí)總結(jié)推薦文檔.doc

1、第一章半導(dǎo)體二極管一 .半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.半導(dǎo)體 - 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅 Si、鍺 Ge)。2.特性 - 光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體 - 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4. 兩種載流子 - 帶有正、 負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體- 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P 型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素 （多子是空穴，少子是電子） 。*N型半導(dǎo)體 :在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性* 載流子的濃度 -多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有

2、關(guān)。* 體電阻 - 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。* 轉(zhuǎn)型 - 通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. PN 結(jié)* PN 結(jié)的接觸電位差 - 硅材料約為 0.60.8V ，鍺材料約為 0.20.3V。* PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?-正偏導(dǎo)通，反偏截止。8. PN 結(jié)的伏安特性二 . 半導(dǎo)體二極管* 單向?qū)щ娦?- 正向?qū)ǎ聪蚪刂埂? 二極管伏安特性 - 同結(jié)。* 正向?qū)▔航?- 硅管 0.60.7V ，鍺管 0.20.3V 。* 死區(qū)電壓 - 硅管 0.5V ，鍺管 0.1V 。3.分析方法 - 將二極管斷開(kāi)， 分析二極管兩端電位的高低:若 V 陽(yáng) V 陰

3、 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 ); 若 V 陽(yáng) V 陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 ); 若 V 陽(yáng) V 陰 ( 反偏 )，二極管截止 (開(kāi)路 )。* 三種模型? 微變等效電路法三 . 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路* 穩(wěn)壓二極管的特性 - 正常工作時(shí)處在 PN 結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章三極管及其基本放大電路一 .三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)1.類型 - 分為 NPN 和 PNP 兩種。2.特點(diǎn) - 基區(qū)很薄， 且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二 .三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態(tài)2. 三

4、極管內(nèi)各極電流的分配* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。3. 共射電路的特性曲線* 輸入特性曲線 -同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用U CES 表示放大區(qū) -發(fā)射結(jié)正偏， 集電結(jié)反截止區(qū) -發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。偏。4. 溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高I CBO、I CEO、 I C以及均 增加。三 .低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hie- 輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；hfe- 輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用表示；四 . 基本放大電路組成及其原則1. VT 、 V CC 、 Rb 、 Rc 、C1、C2的作用。2

5、.組成原則 - 能放大、不失真、能傳輸。五 . 放大電路的圖解分析法1. 直流通路與靜態(tài)分析* 概念 - 直流電流通的回路。* 畫法 - 電容視為開(kāi)路。* 作用 - 確定靜態(tài)工作點(diǎn)* 直流負(fù)載線 - 由 V CC=I CRC+U CE 確定的直線。* 電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變 Rb ： Q 點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。2）改變 Rc ：Q 點(diǎn)在 I BQ 所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變 VCC ：直流負(fù)載線平移，Q 點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析* 概念 -交流電流流通的回路* 畫法 -電容視為短路 ,理想直流電壓源視為短路。* 作用 -分析信號(hào)被放大的過(guò)程。* 交流負(fù)載

6、線 - 連接 Q 點(diǎn)和 V CC 點(diǎn) V CC= UCEQ +I CQR L 的直線。3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真（ 1）截止失真* 產(chǎn)生原因 - Q 點(diǎn)設(shè)置過(guò)低* 失真現(xiàn)象 -NPN 管削頂， PNP 管削底。* 消除方法 - 減小 Rb，提高 Q。（ 2） 飽和失真* 產(chǎn)生原因 - Q 點(diǎn)設(shè)置過(guò)高* 失真現(xiàn)象 -NPN 管削底， PNP 管削頂。* 消除方法 - 增大 Rb 、減小 Rc、增大 VCC 。4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍（ 1） Uopp- 是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（ 2）范圍* 當(dāng)（ UCEQ UCES）（ VCC UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制， U OPP=2U

7、OMAX =2I CQRL 。* 當(dāng)（ U CEQ UCES ）（ VCC UCEQ ）時(shí)，受飽和失真限制， UOPP=2U OMAX =2 （ UCEQ U CES）。* 當(dāng)（ UCEQU CES）（ V CC U CEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六 . 放大電路的等效電路法1. 靜態(tài)分析（ 1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（ 2） Q 點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使 Q 點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB Rc 。2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析* 放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射放大電路的等效電路法1靜態(tài)分析2動(dòng)態(tài)分析* 電壓放大倍數(shù)在 Re 兩端并一電解電容Ce 后輸入電阻在 Re

8、兩端并一電解電容Ce 后* 輸出電阻八 . 共集電極基本放大電路1靜態(tài)分析2動(dòng)態(tài)分析*電 壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻3. 電路特點(diǎn)* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于 1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路一 .結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、區(qū)、擊穿區(qū)）截止轉(zhuǎn)移特性曲線U P - 截止電壓二 . 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET ）分為增強(qiáng)型（ EMOS ）和耗盡型（ DMOS ）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2. 特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中， I DO

9、是 U GS=2UT 時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD 值。* N-DMOS 的輸出特性曲線注意： uGS 可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD =0 處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。三 . 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1.漏極飽和電流I DSS2.夾斷電壓 Up3.開(kāi)啟電壓 UT4.直流輸入電阻RGS5.低頻跨導(dǎo) gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)四 . 場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型E-MOS的跨導(dǎo)gm-五 . 共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路* 靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有 Cs，則2.分壓式偏置放大電路* 靜態(tài)分析* 動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則六 .共漏極基本放大電路* 靜態(tài)分析或* 動(dòng)態(tài)分析

10、題目： 69 頁(yè) 1.3 、1.4 、 1.5 、 1.6 、 1.91.10、 1.1193 頁(yè)例 2.3.1 、 141 頁(yè) 2.2 、 2.6 、 2.7 、2.9 、 2.10 、2.11 、2.13 、 1.14 、 2.15 、 1.16 、2.17 、 2.18第三章3.1了解什么是直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合，光電耦合3.2掌握習(xí)題 3.23.33.43.53.63.73.83.11第四章4.2 掌握各種電流源電路4.3了解什么是雙極型，單極型集成運(yùn)放習(xí)題4.34.44.54.74.114.12第五章沒(méi)有復(fù)雜的計(jì)算題重點(diǎn)是基礎(chǔ)概念把自測(cè)題和作業(yè)題的前七題看看，還有十，十二題高

11、通電路：因?yàn)橛信月泛婉詈想娙萦邢孪藿刂诡l率相位大于零 P222低通電路：極間電容有上限截止頻率相位小于零P223讀波特圖：上下限截止頻率拐點(diǎn)個(gè)數(shù)斜率中品放大倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻率越低帶寬越窄益越大帶寬越窄增第六章1. 反饋的概念，使凈輸入量增大的為正反饋，減小的為負(fù)反饋，對(duì)于分立元件則是看電壓差是增大還是減小直流交流反饋的作用（主要研究交流反饋）習(xí)題6.1 （ 5）P2922. 判斷有無(wú)反饋 何種反饋（瞬時(shí)極性法）反饋量?jī)H取決于輸出量與輸入量無(wú)關(guān)要能找出反饋網(wǎng)絡(luò)3. 四種反饋：負(fù)反饋只有電壓串和電流并穩(wěn)定電壓是電壓反饋穩(wěn)定電流是電流反饋反饋與輸入在同一段

12、是并聯(lián)反之串聯(lián)串聯(lián)反饋增大輸入電阻并聯(lián)減小輸入電阻電壓反饋減小輸出電阻電流增大輸出電阻將輸出電壓接地如果反饋還在是電流反饋不在是電壓反饋反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋以電流的方式疊加是并聯(lián)反饋負(fù)反饋使得頻帶變寬放大倍數(shù)減小放大倍數(shù)穩(wěn)定4. 基本概念： 放大倍數(shù)反饋系數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù)等概念P271閉環(huán)放大倍數(shù)的一般表達(dá)式P273自激振蕩的條件（絕大多數(shù)尤其是集成運(yùn)放都滿足1+AF 1此時(shí)閉環(huán)放大倍數(shù)等于反饋系數(shù)的倒數(shù)）判斷電路能否產(chǎn)生自激振蕩1+AF1 是深度負(fù)反饋的條件深度負(fù)反饋的四種電路放大倍數(shù)（感覺(jué)出的可能性應(yīng)該不大）5. 虛短虛斷的概念虛短只在線性區(qū)存在，虛斷在任何時(shí)刻都存在有可能會(huì)出閉

13、環(huán)放大倍數(shù)和開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)的題，有可能就是老師說(shuō)的實(shí)驗(yàn)的那道題（猜的）這章概念性的東西比較多應(yīng)該多看看自測(cè)題和習(xí)題的前十道， P296 的判斷方法P292 的例題 P278 279 283 的幾道例題第七章1. 比例運(yùn)算電路，加減運(yùn)算電路，積分微分運(yùn)算電路，對(duì)數(shù)指數(shù)運(yùn)算電路，這些都是要掌握的，不用死記，最好理解。模擬乘法器重點(diǎn)是懂得怎樣應(yīng)用P353 到 P3562. 低通濾波器是重點(diǎn)，要理解推導(dǎo)過(guò)程，結(jié)論盡量記住。了解其他濾波器，最好記住電路圖，了解高通，帶通，帶阻老師畫的作業(yè)題都盡量再做一遍吧第八章1. 正弦波震蕩電路：判斷是否能產(chǎn)生自激振蕩，不對(duì)的怎樣改正電感，電容反饋式震蕩電路2. 電壓比較器： 3 種類型識(shí)別，判斷傳輸特性，電壓比較器的設(shè)計(jì)3 矩形波，三角波發(fā)生電路4. 電壓，頻率轉(zhuǎn)換電路習(xí)題 4, ， 9,10,14,17,18,23.第九章知道概念：晶體管的甲類，乙類和甲乙類工作狀態(tài)，最大輸出功率，轉(zhuǎn)換效率9,2