浙大版_普通化學(xué)第六版知識點歸納

1、 化學(xué)反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)能否發(fā)生（反應(yīng)方向）能否發(fā)生（反應(yīng)方向）能量轉(zhuǎn)換（熱效應(yīng)）能量轉(zhuǎn)換（熱效應(yīng)）反應(yīng)限度（化學(xué)平衡）反應(yīng)限度（化學(xué)平衡）反應(yīng)速率反應(yīng)速率反應(yīng)機理反應(yīng)機理化化學(xué)學(xué)熱熱力力學(xué)學(xué)化化學(xué)學(xué)動動力力學(xué)學(xué)反反應(yīng)應(yīng)的的可可能能性性反反應(yīng)應(yīng)的的現(xiàn)現(xiàn)實實性性體系體系境境敞開體系敞開體系封閉體系封閉體系孤立體系孤立體系物質(zhì)交換物質(zhì)交換能量交換能量交換性質(zhì)性質(zhì)深度深度. .廣度廣度環(huán)環(huán)狀態(tài)狀態(tài)物理物理. .化學(xué)化學(xué) U = Q W 封閉體系：封閉體系：G 0, 自發(fā)過程自發(fā)過程 T=0 K, 純物質(zhì)完整晶態(tài)，純物質(zhì)完整晶態(tài)， 混亂度最小，混亂度最小，S= 0-GT,PT,P=(=(W有用有用) ) 最

2、大最大概念：概念：計算：計算： rHm (T) vBfHm(B，T) G(T)H(T)TS (T) 3. rG m(298.15K) v B f G m (B， ，298.15K)4. rS m (298.15K) v B S m (B， ，298.15K)lnK2K1rHm R T2 T1 T2 T1 （2）c(HAc)/ Ka 400c(NH3H2O)/ Kb 400c(弱酸弱酸) c(弱酸鹽弱酸鹽)pH pKa lg c(弱堿弱堿) c(弱堿鹽弱堿鹽)pH 14pKb lg a O + z e - = b R (R=8.315 J K -1 mol-1 ；F = 96,485 C mol

3、-1 ;T298.15K）E(電極電極) = E (電極電極) lg c(R)/c b0.0592Vc(O)/c az（1）pH影響：氧化物（影響：氧化物（MnO2、PbO2）、含氧酸及其鹽）、含氧酸及其鹽(KMnO4、 KClO3)pH減小減小(酸度增大酸度增大)，電極電勢增加，氧化能力增強。，電極電勢增加，氧化能力增強。（2）生成沉淀（配離子）影響：氧化型形成沉淀）生成沉淀（配離子）影響：氧化型形成沉淀 ，E ；還原型形成沉淀；還原型形成沉淀 ，E ； 氧化型和還原型都形成沉淀，看二者氧化型和還原型都形成沉淀，看二者Ks 的相對大小。的相對大小。- -D DrG =Welec,maxD D

4、rGm= -zFE 或或 D DrGm = -zFE E（ （O/R) O氧化能力氧化能力 R還還原能力原能力電動勢電動勢E 0, D DrGm Cu2+ Cu+ Cu0.159 0.520 0.340E /VA結(jié)論結(jié)論: : (右右) (左左), Cu+易發(fā)生歧化反應(yīng)易發(fā)生歧化反應(yīng) EE解釋元素的氧化還原特性解釋元素的氧化還原特性應(yīng)用應(yīng)用 ：34Fe2+ + O2 + 4H+ 4Fe3+ + 2H2O Fe2+在空氣中不穩(wěn)定在空氣中不穩(wěn)定, ,。E /VA Fe3+ Fe2+ Fe0.771 -0.44 如如 E (O2/H2O)=1.229V E (Fe3+/Fe2+) 解釋元素的氧化還原

5、特性解釋元素的氧化還原特性應(yīng)用應(yīng)用 ：3故故Fe2+不會發(fā)生歧化反應(yīng)不會發(fā)生歧化反應(yīng) Fe + 2Fe3+ 3Fe2+ 如如E /VA Fe3+ Fe2+ Fe0.771 -0.44 y y：y y2 2y y角量子數(shù)角量子數(shù) l 可表示原子軌道或電子云的形狀?？杀硎驹榆壍阑螂娮釉频男螤睢?l= 0, 1, 2, 3, , (n-1) m = 0，1，2，l。l=0，m=0，亞層只有一個球形的，亞層只有一個球形的s軌道，無方向性。軌道，無方向性。l=1，m=01，p亞層有三個不同伸展方向的亞層有三個不同伸展方向的p軌道，常用軌道，常用pz，px，py表示這三個不同伸展方向。表示這三個不同伸展

6、方向。l=2，m=012，d亞層有亞層有5個不同伸展方向的個不同伸展方向的d軌道。軌道。當(dāng)當(dāng)都確定，就決定了是哪一個都確定，就決定了是哪一個主層主層、什么形狀的、什么形狀的亞層亞層、某個伸展方向的某個伸展方向的軌道軌道。msElectron spin visualized 想象中的電子自旋想象中的電子自旋 l兩種可能的自旋方向兩種可能的自旋方向: : 正向正向(+1/2)(+1/2)和反向和反向(-1/2)(-1/2)l自旋運動使電子具有類似于微磁體的行為，自旋運動使電子具有類似于微磁體的行為， 產(chǎn)生方向相反的磁場產(chǎn)生方向相反的磁場l自旋相反的一對電子自旋相反的一對電子, , 磁場相互抵消磁場

7、相互抵消. . Magnetic fieldscreenSmall clearance spaceSilver atomic raykiln最外層電子最外層電子 ns np次外層電子次外層電子 （n-1）d （n-2）f分分 區(qū)區(qū) 末電子填入軌道末電子填入軌道 位位 置置 外層電子構(gòu)型外層電子構(gòu)型 s區(qū)區(qū) s軌道軌道 A A ns1-2 p區(qū)區(qū) p軌道軌道 A-零族零族 ns2np1-6 d區(qū)區(qū) d軌道軌道 B- (n-1)d1-9ns1-2 ds區(qū)區(qū) d軌道軌道 d10 B B (n-1)d10ns1-2 f區(qū)區(qū) f軌道軌道 鑭系鑭系 錒系錒系(n-2)f1-14(n-1)d0-2ns2共價鍵類型雜化類型雜化類型spsp2sp3雜化軌道構(gòu)雜化軌道構(gòu)型型直線形直線形 三角形三角形四面體形四面體形雜化軌道中雜化軌道中孤電子對數(shù)孤電子對數(shù)分子幾何構(gòu)分子幾何構(gòu)型型直線形直線形 三角形三角形四面體四面體三角錐三角錐V形形實例實例BeCl2 ,HgCl2C2H2,CO2BF3SO3C2H4CH4、CCl4SiH4 、 NH4+NH3H2O鍵角鍵角180120109 28107 18 104 45分子極性分子極性無無無無無無有有有有2）溫度）溫度形形變變曲曲線線玻璃態(tài)：玻璃態(tài)： 整個高分子鏈和鏈段均被凍結(jié)。整個高分子鏈和鏈段均被凍結(jié)。 形變很小形變很小普彈形變。普彈形變。高彈態(tài)：高彈