《無機封裝基板》ppt課件

1、無無 機機 封封 裝裝 基基 板板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板一、陶瓷基板概論一、陶瓷基板概論 陶瓷基板同由樹脂資料構(gòu)成的PWB相比： 耐熱性好， 熱導(dǎo)率高 熱膨脹系數(shù)小 微細化布線較容易 尺寸穩(wěn)定性高點它作為LSI封裝及混合電路IC用基板得到廣泛運用。多層布線陶瓷基板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板1 、 作為陶瓷基板應(yīng)具有的條件作為陶瓷基板應(yīng)具有的條件 n電路布線的構(gòu)成 n基板主要作用是搭載電子元件或部件，實現(xiàn)相互之間電器銜接，因此導(dǎo)體電路布線很重要。n陶瓷基板電路布線方法：n薄膜光刻法n厚膜多次印制法n同時燒成法根本外表平滑化學(xué)性能穩(wěn)定微細圖形與基板之間良好的附著 無無 機機

2、 封封 裝裝 基基 板板2電學(xué)性質(zhì)電學(xué)性質(zhì) 對基板電學(xué)性質(zhì)的要求：絕緣電阻高；介電常數(shù)要低信號傳輸速度高；介電損耗要??；上述性質(zhì)不隨溫度和濕度的變化而變化。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板3熱學(xué)性質(zhì)熱學(xué)性質(zhì) 耐熱性高導(dǎo)熱率低熱膨脹系數(shù)：基板與硅的熱膨脹系數(shù)后者大約為310-6/盡量接近 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板陶瓷基板的運用分兩大類：一類主要要求適用于高速器件，采用介電系數(shù)低、易于多層化的基板如Al2O3基板，玻璃陶瓷共燒基板等，另一類主要適用于高散熱的要求，采用高熱導(dǎo)率的基板如AlN基板、 BeO基板等。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板2

3、、 陶瓷基板的制造方法陶瓷基板的制造方法 陶瓷燒成前典型的成形方法有下述四種:粉末壓制成形模壓成形、等靜壓成形擠壓成形流延成形：容易實現(xiàn)多層化且消費效率較高 射出成形 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板圖1 流延法制造生片green sheet而后制成各類基板的流程圖 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板圖2 流延機構(gòu)造表示圖 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板陶瓷多層基板的制造方法：陶瓷多層基板的制造方法：濕法：在燒成前的生片上，經(jīng)過絲網(wǎng)印刷構(gòu)成濕法：在燒成前的生片上，經(jīng)過絲網(wǎng)印刷構(gòu)成導(dǎo)體圖形，由陶瓷與導(dǎo)體共燒而成；導(dǎo)體圖形，由陶瓷與導(dǎo)體共燒而成； 干法：在燒成的陶瓷基板上，經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、干法

4、：在燒成的陶瓷基板上，經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、交互印刷、燒成導(dǎo)體層和絕緣層，或在燒成的交互印刷、燒成導(dǎo)體層和絕緣層，或在燒成的陶瓷基板上，采用厚膜、薄膜混成法構(gòu)成多層陶瓷基板上，采用厚膜、薄膜混成法構(gòu)成多層電路圖形，再一次燒結(jié)制成多層基板。電路圖形，再一次燒結(jié)制成多層基板。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板3、陶瓷基板的金屬化、陶瓷基板的金屬化 1 厚膜法厚膜法厚膜金屬化法：在陶瓷基板上經(jīng)過絲網(wǎng)印刷構(gòu)厚膜金屬化法：在陶瓷基板上經(jīng)過絲網(wǎng)印刷構(gòu)成導(dǎo)體電路布線及電阻等，經(jīng)燒結(jié)構(gòu)成電成導(dǎo)體電路布線及電阻等，經(jīng)燒結(jié)構(gòu)成電路及引線接點等。路及引線接點等。厚膜導(dǎo)體漿料普通由粒度厚膜導(dǎo)體漿料普通由粒度15m的金屬粉末

5、，的金屬粉末，添加百分之幾的玻璃粘結(jié)劑，再加有機載體，添加百分之幾的玻璃粘結(jié)劑，再加有機載體，包括有機溶劑、增稠劑和外表活性劑等，經(jīng)球包括有機溶劑、增稠劑和外表活性劑等，經(jīng)球磨混煉而成。燒成后的導(dǎo)體在其與基板的界面磨混煉而成。燒成后的導(dǎo)體在其與基板的界面經(jīng)過不同的結(jié)合機制，與基板結(jié)合在一同。經(jīng)過不同的結(jié)合機制，與基板結(jié)合在一同。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板圖圖3 厚膜導(dǎo)體的斷面構(gòu)造厚膜導(dǎo)體的斷面構(gòu)造 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板對于玻璃系來說，其軟化點要選擇在粉末金屬的燒結(jié)溫度附近。在氧化物系中，普通用與陶瓷發(fā)生反響構(gòu)成固溶體的氧化物。例如，對于Al2O3基板來說，采用CuO及B

6、i2O3等。普通說來，氧化物系比玻璃系更容易獲得較高的結(jié)合力。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板2 薄膜法薄膜法 用真空蒸鍍、離子鍍、濺射鍍膜等真空鍍膜法進展金屬化。 由于為氣相堆積法，原那么上講無論任何金屬都可以成膜，無論對任何基板都可以金屬化。但是，金屬膜層與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)應(yīng)盡量一致，而且應(yīng)設(shè)法提高金屬化層的附著力。 在多層構(gòu)造中，與陶瓷基板相接觸的膜金屬，普通選器具有充分的反響性，結(jié)合力強的IVB族金屬Ti、Zr、及VIB族金屬Cr、Mo、W等。上層金屬多項選擇用Cu、Au、Ag等電導(dǎo)率高，不易氧化，而且由熱膨脹系數(shù)不匹配呵斥的熱應(yīng)力容易被緩解的延展性金屬。 無無 機機 封封 裝

7、裝 基基 板板3共燒法共燒法 燒成前的陶瓷生片上，絲網(wǎng)印刷Mo、W等難熔金屬的厚膜漿料，一同脫脂燒成，使陶瓷與導(dǎo)體金屬燒成為一體構(gòu)造。LSI封裝及混合電路IC用基板，特別是多層電路基板，主要是由共燒法來制造，有以下特征： a可以構(gòu)成微細的電路布線，容易實現(xiàn)多層化，從而能實現(xiàn)高密度布線。b由于絕緣體與導(dǎo)體做成一體化構(gòu)造，可以實現(xiàn)氣密封裝。c經(jīng)過成分、成形壓力、燒結(jié)溫度的選擇可以控制燒結(jié)收縮率。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板二、各類陶瓷基板1、氧化鋁基板、氧化鋁基板 -氧化鋁氧化鋁Al2O3價錢較低，價錢較低，從機械強度、絕緣性、導(dǎo)熱性、耐熱性、耐從機械強度、絕緣性、導(dǎo)熱性、耐熱性、耐熱沖擊

8、性、化學(xué)穩(wěn)定性等方面思索，其綜合熱沖擊性、化學(xué)穩(wěn)定性等方面思索，其綜合性能好，作為基板資料，運用最多，其加工性能好，作為基板資料，運用最多，其加工技術(shù)與其他資料相比也是最先進的。技術(shù)與其他資料相比也是最先進的。1 Al2O3原料的典型制造方法：原料的典型制造方法：Buyer法法金屬鋁液重熔法金屬鋁液重熔法 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板2-Al2O3 的晶體構(gòu)造鋁離子與氧離子之間為強固的離子鍵，每個鋁原子位于由6個氧原子構(gòu)成的八面體的中心。因此，-Al2O3構(gòu)造的充填極為密實，鋁與氧靠離子間的庫侖力相結(jié)合，因此，Al2O3的物理性能，化學(xué)性能穩(wěn)定，具有密度高、機械強度大等特性。 無無 機機

9、 封封 裝裝 基基 板板3Al2O3陶瓷基板制造方法陶瓷基板制造方法 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板難熔金屬法，作為Al2O3基板外表的金屬化方法，是在1938年由德國的得利風(fēng)根公司和西門子公司分別獨立開發(fā)的。按難熔金屬種類，分Mo法，Mo-Mn法和Mo-Ti法等。Mo-Mn法是以耐熱金屬鉬Mo的粉末為主成分，副成分采用易構(gòu)成氧化物的錳Mn粉末，是二者均勻混合制成漿料，涂布在預(yù)先經(jīng)外表研磨及外表處置的Al2O3基板外表，在加濕氫氣氣氛中經(jīng)高溫?zé)山饘倩瘜?。在本方法中，Mn及氣氛中的水起著重要的作用，Mn被水分氧化成MnO，MnO與Al2O3反響生成MnOAl2O3MnAl2O4，作為中間層

10、添加了金屬化層與Al2O3基板的結(jié)合力，化學(xué)反響式為 Mn +H2OMnO+H2 MnO+Al2O3 MnOAl2O3但是，這樣獲得的導(dǎo)體膜直接焊接比較困難，普通要在其外表電鍍Ni, Au, Ag等。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板4運用運用混合集成電路用基板混合集成電路用基板LSI封裝用基板封裝用基板多層電路基板多層電路基板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板a、混合集成電路用基板、混合集成電路用基板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板厚膜混合厚膜混合IC用基板：用基板：粗糙度大的價錢較低，而且與布線導(dǎo)體間的結(jié)合力強等，因此多粗糙度大的價錢較低，而且與布線導(dǎo)體間的結(jié)合力強等，因此多采用純

11、度質(zhì)量分?jǐn)?shù)為采用純度質(zhì)量分?jǐn)?shù)為96的的Al2O3基板?；?。采用絲網(wǎng)印刷法在基板上構(gòu)成貴金屬漿料圖形，在燒成過程中，采用絲網(wǎng)印刷法在基板上構(gòu)成貴金屬漿料圖形，在燒成過程中，漿料中的玻璃粘結(jié)劑會與基板中的玻璃相起作用。因此漿料中的玻璃粘結(jié)劑會與基板中的玻璃相起作用。因此Al2O3中的玻璃相及較粗糙的外表會明顯的提高厚膜導(dǎo)體的結(jié)合力。中的玻璃相及較粗糙的外表會明顯的提高厚膜導(dǎo)體的結(jié)合力。薄膜混合薄膜混合IC用基板：用基板：薄膜厚度普通在數(shù)千埃以下，薄膜的物理性能、電氣性能等受基薄膜厚度普通在數(shù)千埃以下，薄膜的物理性能、電氣性能等受基板外表粗糙度的影響很大，特別是對像電容器等采用多層構(gòu)造板外表粗糙度

12、的影響很大，特別是對像電容器等采用多層構(gòu)造的薄膜元件，影響更大。為了保證外表平滑，可以在厚膜用的薄膜元件，影響更大。為了保證外表平滑，可以在厚膜用Al2O3基板外表被覆一層熱膨脹系數(shù)與基板外表被覆一層熱膨脹系數(shù)與Al2O3基板一樣、厚度基板一樣、厚度為數(shù)十微米的玻璃釉。為數(shù)十微米的玻璃釉。雖然被釉基板外表變得平滑，但其導(dǎo)熱性、耐熱性等都低于雖然被釉基板外表變得平滑，但其導(dǎo)熱性、耐熱性等都低于Al2O3 。因此，通常采用部分被釉基板。因此，通常采用部分被釉基板。近年來，在薄膜混合近年來，在薄膜混合IC中越來越多的采用外表粗糙度小、純度中越來越多的采用外表粗糙度小、純度99以上的以上的Al2O3基

13、板。高純度基板。高純度Al2O3基板燒成形狀外表就非常基板燒成形狀外表就非常平滑，由此可構(gòu)成缺陷較少的高質(zhì)量薄膜。平滑，由此可構(gòu)成缺陷較少的高質(zhì)量薄膜。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板在陶瓷LSI封裝中，前幾年幾乎都采用Al2O3。利用同時燒成技術(shù)制造的LSI封裝，氣密性好，可靠性高。在電子封裝從DIP-LCC-PGA-BGA-CSP-裸芯片實裝的整個開展歷程中， Al2O3不斷起著非常關(guān)鍵的作用。特別是基于其機械強度高及熱導(dǎo)率高兩大優(yōu)勢，近年來在多端子、細引腳節(jié)距、高散熱性等高密度封裝中， Al2O3正發(fā)揚著不可替代的作用。b、LSI封裝用基板封裝用基板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板

14、板C、多層電路基板、多層電路基板NEC開發(fā)的100mm100mm的Al2O3多層電路基板 IBM308X系列的TCMthermal conduction module的Al2O3多層電路基板由Al2O3陶瓷多層電路基板與聚酰亞胺多層薄膜布線板構(gòu)成的復(fù)合基板。信號線采用聚酰亞胺絕緣層薄膜多層布線，由于聚酰亞胺的介電常數(shù)低，可提高信號傳輸速度。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板2、莫來石基板、莫來石基板莫來石3Al2O3.2SiO2是Al2O3-SiO2二元系中最穩(wěn)定的晶相之一，與Al2O3相比雖然機械強度和熱導(dǎo)率要低些，但其介電常數(shù)低，因此可望能進一步提高信號傳輸速度。其熱膨脹系數(shù)也低，可減小

15、搭載LSI的熱應(yīng)力，而且與導(dǎo)體資料Mo、W的熱膨脹系數(shù)的差也小，從而共燒時與導(dǎo)體間出現(xiàn)的應(yīng)力低。基于上述理由，作為Al2O3的替代資料進展過廣泛的開發(fā)。莫來石基板的制造及金屬化方法根本上與Al2O3所采用的方法一樣。為了在降低莫來石介電系數(shù)的同時，減小其熱膨脹系數(shù)，可以添加MgO。由于莫來石的熱膨脹系數(shù)較低，再經(jīng)過添加少量的MgO。確實能減小基板的彎曲變形及應(yīng)力。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板日立公司開發(fā)的莫來石多層電路基板已用于大型計算機，這種基板由W做導(dǎo)體層，共44層，在這種基板上還搭載了以莫來石為基板資料、由7層W導(dǎo)體層構(gòu)成的芯片載體。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板3、氮化鋁

16、、氮化鋁AlN基板基板 氮化鋁的熱導(dǎo)率是Al2O3的十倍以上，CTE與硅片相匹配，這對于大功率半導(dǎo)體芯片的封裝及高密度封裝無疑是至關(guān)重要的，特別是作為MCM封裝的基板具有良好的運用前景。 AlN非天然存在而是人造礦物的一種，于1862年由Genther等人最早合成。AlN具有纖鋅礦型晶體構(gòu)造金剛石構(gòu)造中兩個陣點上的碳原子分別由Al和N置換，為強共價鍵化合物，具有輕密度3.26g/cm3、高強度、高耐熱性大約在3060、耐腐蝕等優(yōu)點。 由于AlN為強共價鍵，其傳熱機制為晶格振動聲子，且Al和N的原子序數(shù)均小，從本性上決議了AlN的高熱導(dǎo)性，熱導(dǎo)率的實際值為320W/mK。 無無 機機 封封 裝裝

17、 基基 板板過去雖然在AlN單晶中到達較高的熱導(dǎo)率大約為250 W/mK，但對于陶瓷資料來說僅到達4060 W/mK，是相當(dāng)?shù)偷摹Ｆ渚売墒窃现械碾s質(zhì)在燒結(jié)時因溶于AlN顆粒中產(chǎn)生各種缺陷，或發(fā)生反響生成低熱導(dǎo)率化合物，對聲子呵斥散射，致使熱導(dǎo)率下降。為了提高AlN的熱導(dǎo)率，必需對陶瓷的微構(gòu)造進展控制，諸如點陣畸變、位錯、層錯、非平衡點缺陷等晶體缺陷，盡量保證晶體構(gòu)造的完好性，同時減少氣孔、第二相析出等。影響影響AlN陶瓷熱導(dǎo)率的各種要素陶瓷熱導(dǎo)率的各種要素 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板AlN粉末制造方法粉末制造方法1、復(fù)原氮化法、復(fù)原氮化法以以Al2O3為原料，經(jīng)過高純碳復(fù)原，再與為原

18、料，經(jīng)過高純碳復(fù)原，再與N2反響構(gòu)成反響構(gòu)成AlN,其反響為其反響為 Al2O33CN22AlN3CO該反響為吸熱反響，為維持反響進展要繼續(xù)加熱。普通所該反響為吸熱反響，為維持反響進展要繼續(xù)加熱。普通所采用的采用的Al2O3原料粉末粒徑小、粒度分布整齊，因此由復(fù)原料粉末粒徑小、粒度分布整齊，因此由復(fù)原氮化法比較容易獲得粒徑小、粒度分布一致性好的原氮化法比較容易獲得粒徑小、粒度分布一致性好的AlN粉末。粉末。2、直接氮化法、直接氮化法使使Al粉末與粉末與N2反響進展直接氮化，而后將生成物粉碎成反響進展直接氮化，而后將生成物粉碎成所需求的所需求的AlN粉末，其反響為粉末，其反響為 2AlN22Al

19、N該氮化反響為放熱反響，一旦反響開場，就不用再提供能該氮化反響為放熱反響，一旦反響開場，就不用再提供能量，反響可自發(fā)進展。量，反響可自發(fā)進展。這兩種方法直到目前仍處于不斷完善中。這兩種方法直到目前仍處于不斷完善中。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板AlN陶瓷基板制造方法陶瓷基板制造方法Al2O3基板制造的各種方法都可以用于AlN基板的制造。其中用的最多的是生片疊層法，即將AlN原料粉末、有機粘結(jié)劑及溶劑、外表活性劑混合制成陶瓷漿料，經(jīng)流延、疊層、熱壓、脫脂、燒成制得。但應(yīng)特別指出的是，由于金屬雜質(zhì)及氧、碳等雜質(zhì)的含量及存在形狀對AlN基板的熱導(dǎo)率有很大影響，必需從原料粉末的選擇和處置、燒結(jié)助

20、劑、燒成條件等方面采取措施，嚴(yán)厲控制這些雜質(zhì)。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板AlN基板金屬化基板金屬化金屬化膜的構(gòu)成，各種方法都可以適用。但有兩點需留意： 一點是AlN的燒成溫度很高，必需采用高熔點金屬后膜共燒漿料； 另一點是，普通說來AlN與金屬化層的結(jié)合力不如Al2O3，必需采用特殊玻璃粘結(jié)劑的厚膜漿料。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板AlN基板的特性基板的特性 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板AlN基板熱導(dǎo)率受殘留氧雜質(zhì)的影響AlN資料相對于Al2O3來說，絕緣電阻、絕緣耐壓更高些，介電常數(shù)更低些，特別是AlN的熱導(dǎo)是Al2O3的10倍左右，熱膨脹系數(shù)與Si相匹配，這些特點對

21、于封裝基板來說非常難得。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板AlN基板的運用基板的運用VHF(超高頻)頻帶功率放大器模塊采用AlN構(gòu)造的表示圖。在AlN基板上用激光加工通孔，用絲網(wǎng)印刷在通孔中填入Pd-Ag漿料并構(gòu)成電路圖形，同圖 (a)所示采用Al2O3與BeO相組合的復(fù)合基板相比，構(gòu)造簡單，其熱阻為7.4/W，同圖 (b)的熱阻7.1/W相比，不相上下，頻率及輸入、輸出特性也根本一樣。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板3、碳化硅、碳化硅SiC基板基板碳化硅是非天然出產(chǎn)而是由人工制造的礦物。由硅石(SiO2)、焦碳及少量食鹽以及粉末狀混合，用石墨爐將其加

22、熱到2000以上發(fā)生反響，生成- SiC，再經(jīng)過升華析出，可得到暗綠色塊狀的多晶集合體。由于加熱和升華過程中，金屬性雜質(zhì)及鹵化物等由于揮發(fā)會自動排除，因此很容易獲得高純度制品。SiC是強共價鍵化合物，硬度僅次于金剛石、立方氮化硼(c-BN)，而且具有優(yōu)良的耐磨性、耐藥品性。高純度單晶體的熱導(dǎo)率僅次于金剛石。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板碳化硅碳化硅SiC基板制造方法基板制造方法采用普通方法燒成難以到達致密化，需求添加燒結(jié)助劑并采用特殊方法燒成。將暗綠色SiC塊狀多晶體經(jīng)研磨精制成粉末原料，添加作為燒結(jié)助劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.1%3.5%的BeO以及粘結(jié)劑、溶劑等，利用噴霧枯燥機造粒。將造粒粉在

23、室溫及100MPa壓力下加壓成板狀，然后放入石墨模具中加壓的同時(熱壓)，在大約2100下燒成。利用這種工藝，可以獲得平均粒徑大約6m，相對密度達98%以上的的密的黑灰色SiC基板。由于SiC基板的燒成溫度為2100，能接受這么高溫度的導(dǎo)體資料很難找到，本質(zhì)上說，SiC資料不適宜制造多層電路基板，但可以利用基板的外表，構(gòu)成薄膜多層電路基板。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板碳化硅碳化硅SiC基板特性基板特性優(yōu)點：熱分散系數(shù)突出熱導(dǎo)率高熱膨脹系數(shù)與Si相近缺陷：與Al2O3等基板相比，介電常數(shù)高不適用于通訊機等高頻電路基板 絕緣耐壓差 電場強度到達數(shù)百伏每厘米以上時，會迅速喪失絕緣性，很容易擊

24、穿 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板各種基板與Si的熱膨脹系數(shù)的對比 SiC基板的熱導(dǎo)率與溫度關(guān)系 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板碳化硅碳化硅SiC基板運用基板運用 -低電壓電路及低電壓電路及VLSI高散熱封裝的基板高散熱封裝的基板 由于SiC與Si的熱膨脹系數(shù)向匹配，不用采用Mo等的應(yīng)力緩沖資料，且SiC的熱分散系數(shù)比Cu還高，因此，LSI產(chǎn)生的熱量會迅速在SiC基板上散開，再經(jīng)過由硅膠粘結(jié)的Al散熱片高效率的分散。在此例中，二者的熱阻根本一樣，大致都為9/W，而采用SiC基板的一方要略低些 SiC基板用于高速高集成度邏輯基板用于高速高集成度邏輯LSI帶散熱構(gòu)造封裝的實例帶散熱構(gòu)造封裝

25、的實例 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板采用SiC基板的MCM封裝的情況，從芯片到散熱片外界的總熱阻，采用Al2O3基板時，為4.9/W，后者降低50%。換句話說，同樣尺寸的封裝，采用后者，可以滿足防熱量大1倍的芯片的要求。除此之外，SiC基板在超大型計算機，光通訊譽二極管的基板運用等方面還有不少實例。 多芯片模塊多芯片模塊MCM中采用中采用Al2O3基板和基板和SiC基板時熱阻的對比基板時熱阻的對比 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板5、氧化鈹、氧化鈹BeO基板基板氧化鈹基板的熱導(dǎo)率是Al2O3基板的十幾倍，適用于大功率電路，而且其介電常數(shù)又低，又可用于高頻電路。BeO基板，根本上采用干壓

26、法制造。成型后先經(jīng)300600預(yù)燒，再經(jīng)15001600燒成。這種方法燒成收減少，因此尺寸精度好。但在燒成后的基板上打孔時，孔徑及孔距較難控制。此外，也可在BeO中添加微量的MgO及Al2O3等，利用生片法制造BeO基板。BeO基板燒成后的粒徑很難控制，普通說來，其粒徑也比Al2O3的大。因此，采用薄膜金屬化時，外表必需研磨。其金屬化的另一個特征是，Cu與之的結(jié)合力要優(yōu)于Mo或W等。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板由于BeO粉塵的毒性，存在環(huán)境問題。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板6、低溫共燒陶瓷、低溫共燒陶瓷LTCC多層基板多層基板 Al2O3、莫來石及AlN基板燒結(jié)溫度在15001

27、900，假設(shè)采用同時燒成法，導(dǎo)體資料只能選擇難熔金屬Mo和W等，這樣勢必呵斥下述一系列不太益處理的問題：1、共燒需求在復(fù)原性氣氛中進展，添加工藝難度，燒結(jié)溫度過高，需求采用特殊燒結(jié)爐。2、由于Mo和W本身的電阻率較高，布線電阻大，信號傳輸容易呵斥失真，增大損耗，布線微細化遭到限制。3、介質(zhì)資料的介電常數(shù)都偏大，因此會增大信號傳輸延遲時間，特別是不適用于超高頻電路。4、Al2O3的熱膨脹系數(shù)710-6/與Si的熱膨脹系數(shù)3.010-6/相差太大，假設(shè)用于裸芯片實裝，那么熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力不益處理。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板LTCC基板應(yīng)具有的性能基板應(yīng)具有的性能低溫共燒陶瓷基板：

28、兼顧其它性能的根底上，能做到低溫?zé)??；宓臒Y(jié)溫度必需能控制在850950。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板LTCC基板的要求主要有：燒成溫度必需能控制在950以下；介電常數(shù)要低；熱膨脹系數(shù)要與搭載的芯片接近；有足夠的高的機械強度。 無無 機機 封封 裝裝 基基 板板1 硼硅酸鉛玻璃硼硅酸鉛玻璃-Al2O3 ：硼硅酸鉛晶化玻璃質(zhì)量分?jǐn)?shù)：硼硅酸鉛晶化玻璃質(zhì)量分?jǐn)?shù)45+ Al2O3質(zhì)量分?jǐn)?shù)質(zhì)量分?jǐn)?shù)55%組成組成 ，最大彎曲強度達，最大彎曲強度達350MPa2 硼硅酸鹽玻璃硼硅酸鹽玻璃-石英玻璃石英玻璃-堇青石系堇青石系 ：石英玻璃：石英玻璃15%，堇青，堇青石石20%，硼硅酸玻璃為，硼硅酸玻璃為65%，在該組成下，燒成體的介電常數(shù)為，在該組成下，燒成體的介電常數(shù)為4.4，是比較低的，是比較低的 3 硼硅酸玻璃硼硅酸玻璃- Al2O3-鎂橄欖石系鎂橄欖石系 ：組成為：組成為Al2O335%，鎂，鎂橄欖石橄欖石25%，硼硅酸玻璃，硼硅酸玻