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文檔簡介

1、電子元器件標準精選 電子元器件標準精選收集了以下類別的標準: 1.電子元器件綜合標準2.半導體器件標準3.集成電路標準4.集成電路卡標準5.電容器與電感器標準6.電阻器與電位器標準7.液晶與電真空器件標準8.壓電陶瓷與石英晶體器件標準9.印制電路板與電連接器標準代號                 標準名稱        

2、60;      郵價1.電子元器件綜合標準G4210GB/T4210-2001電工術語:電子設備用機電元件 G5597GB/T5597-99固體電介質微波復介電常數的測試方法G16523GB/T16523-96圓形石英玻璃光掩?;逡?guī)范 G16524GB/T16524-96光掩對準標記規(guī)范 G16525GB/T16525-96塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范 G16526GB/T16526-96封裝引線間電容和引線負載電容測試方法G16527GB/T16527-96硬面感光板中光致抗蝕劑和電

3、子束抗蝕劑規(guī)范 G16595GB/T16595-96晶片通用網格規(guī)范G16596GB/T16596-96確定晶片坐標系規(guī)范G16879GB/T16879-97掩模嚗光系統精密度和準確度的表示準則G16880GB/T16880-97光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則G17564.1GB/T17564.1-98電氣元器件的標準數據元素:定義-原則和方法G17564.2GB/T17564.2-2000電氣元器件的標準數據元素:EXPRESS字典模式G17564.3GB/T17564.3-99電氣元器件的標準數據元素:維護和確認的程序G17564.4GB/T17564.3-99電氣元器件的標準數

4、據元素:IEC標準數據元素GJ360AGJB360A-96電子及電子器件試驗方法GJ546AGJB546A-96電子元器件質量保證大綱GJ548GJB548-96微電字器件試驗方法和程序GJ2823GJB2823-97電子元器件產品出廠平均質量水平評定方法GJ3404GJB3404-98電子元器件選用管理要求GJ4027GJB4027-2000軍用電子元器件破壞性物理分析方法SJ11126SJ/T11126-97電子元器件用酚醛系包封材料SJ11153SJ/T1115399磁性氧化物制成的磁芯尺寸系列SJ11165SJ/T1116598用于光纖系統的PIN-FIT模塊空白詳細規(guī)范:SJ1121

5、5SJ/T11215-1999電子元件自動編帶機通用規(guī)范2.半導體器件標準 G1553GB/T1553-97硅和鍺體內少數載流子壽命測定G1555GB/T1555-97半導體單晶晶向測定方法G1558GB/T1558-97硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法G4023GB/T4023-97半導體分立器件:整流二極管G6217GB/T6217-98高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管:空白詳細規(guī)范G6218GB/T6218-98開關用雙極型晶體管:空白詳細規(guī)范G6219GB/T6219-981GHz、5W以下的單柵場效應晶體管:空白詳細規(guī)范:G6351GB/T6351-98100以下環(huán)境或管

6、殼額定整流二極管:空白詳細規(guī)范:G6352GB/T6352-98100以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管:空白詳細規(guī)范:G6495.1GB/T6495.1-96光伏器件:光伏電流電壓特性的測量G6495.2GB/T6495.2-96光伏器件:標準太陽電池的要求G6495.3GB/T6495.3-96光伏器件:地面用光伏器件的測量原理G6495.4GB/T6495.4-96晶體硅光伏器件的I-V實測特性的修正方法G6495.5GB/T6495.5-97光伏器件:用開路電壓法確定光伏器件的等效電池溫度G6588 G6589GB/T6589-2002半導體器件:調整二極管和電壓基準二

7、極管空白詳細規(guī)范G6590 G8646GB/T8646-98半導體鍵合鋁合金%硅細絲 G8750GB/T8750-97半導體器件鍵合金絲G7149GB71497150-87開關用雙極型晶體管G7153GB/T7153-2002直熱式階躍型正溫度系數熱敏電阻器:總規(guī)范G7576GB/T7576-98高頻放大管殼額定雙極型晶體管:空白詳細規(guī)范:G7577GB/T7577-96低頻放大管殼額定雙極型晶體管:空白詳細規(guī)范:G9535GB/T9535-98地面用晶體硅光伏組件設計鑒定和定型G11499GB/T11499-2001半導體分立元件文字符號G12560GB/T12560-9

8、9半導體器件分立元件分規(guī)范G12962GB/T12962-96硅單晶G12963GB/T12963-96硅多晶G12964GB/T12964-96硅單晶拋光片G12965GB/T12965-96硅單晶切割片和研磨片G16468GB/T16468-96靜電感應晶體管系列型譜G16822GB/T16822-97介電晶體介電性能的試驗方法G16894GB/T16894-97大于100A,環(huán)境和管殼額定的整流二極管空白詳細規(guī)范:G17007GB/T17007-97絕緣柵雙極型晶體管測試方法G17008GB/T17008-97絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號G17169GB/T17169-97硅拋光片

9、和外延片表面質量光反射測試方法G17170GB/T17170-97非摻雜半絕緣砷化鎵單晶紅外吸收測試方法G18904.1GB/T18904.1-2002光電子器件纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的光發(fā)射或紅外發(fā)射二極管空白詳細規(guī)范G18904.2GB/T18904.2-2002光電子器件纖維光學系統或子系統用帶尾纖的激光二極管模塊空白詳細規(guī)范G18904.3GB/T18904.3-2002光電子器件顯示用發(fā)光二極管空白詳細規(guī)范G18904.4GB/T18904.4-2002光電子器件纖維光學系統用帶/不帶尾纖的Pin-FET模塊空白詳細規(guī)范G18904.5GB/T18904.5-2003光電

10、子器件纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的pin光電二極管空白詳細規(guī)范GJ33AGJB33A-97半導體分立元件總規(guī)范GJ128AGJB128A-97半導體分立元件試驗方法GJ3157GJB3157-1998半導體分立器件失效分析方法和程序GJ3519GJB3519-99半導體激光二極管總規(guī)范SJ10585SJ/T1058494半導體分立器件表面安裝器件外形尺寸SJ11225SJ/T11225-2000電子元器件詳細規(guī)范:3DA504型S波段硅脈沖功率晶體管SJ11226SJ/T11226-2000電子元器件詳細規(guī)范:3DA505型L波段硅脈沖功率晶體管SJ11227SJ/T11227-200

11、0電子元器件詳細規(guī)范:3DA98型NPN硅高頻大功率晶體管SJ20756SJ20756-1999半導體分立器件結構相似性應用指南SJ20757SJ20757-1999微波電路系列和品種微波開關系列的品種SJ20744SJ20744-1999半導體材料雜質含量紅外吸收光譜分析通用導則SJ20782SJ20782-2000充氣整流管總規(guī)范SJ20784SJ20784-2000微型杜瓦總規(guī)范SJ20785SJ20785-2000超輻射發(fā)光二極管組件測試方法SJ20786SJ20786-2000半導體光電組件總規(guī)范SJ20787SJ20787-2000半導體橋式整流器熱阻測試方法SJ20788SJ20

12、788-2000半導體二極管熱阻測試方法SJ20789SJ20789-2000MOS場效應晶體管熱敏參數快速篩選試驗方法J9684JB/T9684-2000電力半導體器件用散熱器選用導則J10096JB/T10096-2000電力半導體器件用管殼選用導則J10097JB/T10097-2000電力半導體器件用管殼DB723電力半導體器件和半導體變流器標準(93電工版)103.50.00 DB735電力半導體器件標準(93電工版)DB795電力半導體器件和整流設備標準(1)(94電工版)DB827電力半導體器件和整流設備標準(2)(95電工版)DB827電力半導體器件和整流設備標準(3

13、)(96電工版) DB887電力半導體器件和整流設備標準(4)(97電工版) DB930電力半導體器件和整流設備標準(5)(98電工版)DB982電力半導體器件專業(yè)卷(1)(2000電工版)3.集成電路標準 G4377GB/T4377-96半導體集成電路電壓調整器測試方法和基本原理G5965GB/T5965-2000集成電路:雙極型單片數字集成電路門電路空白詳細規(guī)范 G6798GB/T6798-1996半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 G8976GB/T8976-96膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范G9424GB/T9424-98半導

14、體器件集成電路:CMOS數字集成電路4000B和4000UBG16464GB/T16464-96半導體器件集成電路總則G16465GB/T16465-96膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范G16466GB/T16466-96膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范G16878GB/T16878-97用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規(guī)范G17023GB/T17023-97HCOMS數字集成電路系列族規(guī)范G17024GB/T17024-97HCOMS數字集成電路空白詳細規(guī)范G17572GB/T17572-99半導體CMOS集成電路:4000B和4000UB系列族規(guī)范G17573GB/T17573-9

15、9半導體分立元件和集成電路:總則G17574GB/T17574-99半導體分集成電路:數字集成電路G17940GB/T17940-2000半導體集成電路:模擬集成電路G18500.1GB/T18500.1-2001半導體集成電路:線性數字/模擬轉換器(DAG)G18500.2GB/T18500.2-2001半導體集成電路:線性模擬/數字轉換器(ADC) GJ597AGJB597A-96半導體集成電路總規(guī)范GJ3203GJB3233-1998半導體集成電路失效分析程序和方法SJ10741SJ/T10741-2000半成品集成電路CMOS電路測試方法的基本原理SJ10804SJ/T108

16、04-2000半成品集成電路電平轉換器測試方法的基本原理SJ10805SJ/T10805-2000半成品集成電路電壓比較器測試方法的基本原理SJ20674SJ20674-1998微波電路系列和品種微波信號檢波器系列的品種SJ20675SJ20675-1998微波電路系列和品種微波固態(tài)噪聲源系列的品種SJ20676SJ20676-1998通信對抗固態(tài)寬頻帶功率放大模塊通用規(guī)范SJ20677SJ20677-1998微波集成PIN單刀開關模塊通用規(guī)范SJ20678SJ20678-1998交換網絡模塊通用規(guī)范SJ20679SJ20679-1998通信用戶接口模塊通用規(guī)范SJ20680SJ20680-1

17、998通信群路接口模塊通用規(guī)范SJ20711SJ20711-1998分步投影曝光機通用規(guī)范SJ20750SJ20750-1999軍用CMOS電路用抗輻射硅單晶片規(guī)范SJ20758SJ20758-1999半導體集成電路CMOS門陣列器件規(guī)范SJ20759SJ20759-1999混合集成電路系列與品種DC/DC變換器系列的品種SJ20802SJ208022001集成電路金屬外殼目檢標準SJ20804SJ208042001微波電路系列和品種微波衰減器系列的品種4.集成電路卡標準G15694.2GB/T15694.2-2002識別卡發(fā)卡者標識:申請和注冊規(guī)程G16649.1GB/T16649.1-96

18、識別卡帶觸點的集成電路卡:物理特性G16649.2GB/T16649.2-96識別卡帶觸點的集成電路卡:觸點尺寸和位置G16649.3GB/T16649.3-96識別卡帶觸點的集成電路卡:電信號和傳輸協議G16649.5GB/T16649.5-2002識別卡帶觸點的集成電路卡:應用標識符的編號體系G16649.6GB/T16649.6-2001識別卡:行業(yè)間數據元G16649.8GB/T16649.8-2002識別卡帶觸點的集成電路卡:與安全相關的行業(yè)間命令G16649.10GB/T16649.10-2002識別卡帶觸點的集成電路卡:同步卡的電信號和復位應答G16790.1GB/T16790.

19、1-97金融交易卡:卡的生命周期G16791.1GB/T16791.1-97金融交易卡:概念與結構G17550.1GB/T17550.1-98識別卡光記憶卡:物理特性G17550.2GB/T17550.2-98識別卡光記憶卡:可訪問光區(qū)域的尺寸和位置G17550.3GB/T17550.3-98識別卡光記憶卡:光屬性和特性G17550.4GB/T17550.4-2000識別卡光記憶卡:邏輯數據結構G17551GB/T17551-98識別卡光記憶卡一般特性G17552GB/T17552-98識別卡金融交易卡G17553.1GB/T17553.1-98識別卡無觸點集成電路卡:物理特性G17553.2

20、GB/T17553.2-2000識別卡無觸點集成電路卡:耦合區(qū)域的尺寸和位置G17553.3GB/T17553.3-2000識別卡無觸點集成電路卡:電信號和復位規(guī)程G17554GB/T17554-98識別卡測試方法G18239GB/T18239-2000集成電路(IC)卡讀寫機通用規(guī)范SJ11166SJ/T1116698集成電路卡(卡)插座總規(guī)范SJ11220SJ/T11220-2000集成電路卡通用規(guī)范:卡片基本規(guī)范SJ11221SJ/T11221-2000集成電路卡通用規(guī)范:行業(yè)間交換用命令SJ11222SJ/T11222-2000集成電路卡通用規(guī)范:測試方法SJ11230SJ/T1123

21、0-2001集成電路卡通用規(guī)范:接口電路基本應用編程接口規(guī)范SJ11231SJ/T11231-2001集成電路卡通用規(guī)范:帶觸點的IC卡模塊SJ11232SJ/T11232-2001集成電路卡通用規(guī)范:安全規(guī)范CJ166CJ/T166-2002建設事業(yè)IC卡應用技術 5.電容器與電感器標準 G2693GB/T2693-2001電子設備用固定電容器:總規(guī)范G2900.16GB/T2900.16-96電工術語:電力電容器G3615GB/T3615-99電解電容器用鋁箔G3616GB/T3616-99電力電容器用鋁箔G5596GB/T5596-96電容器用陶瓷介質材料G5966G

22、B/T5966-96電子設備用固定電容器:1類瓷介固定電容器G5967GB/T5967-96電子設備用固定電容器:1類瓷介固定電容器評定水平EG5968GB/T5968-96電子設備用固定電容器:2類瓷介固定電容器G5969GB/T5969-96電子設備用固定電容器:2類瓷介固定電容器評定水平EG6115.1GB/T6115.1-98電力系統用串聯電容器:總則G6115.2GB/T6115.2-2002電力系統用串聯電容器:串聯電容器組用保護設備G6115.3GB/T6115.3-2002電力系統用串聯電容器:內部熔絲G6261GB/T6261-98電子設備用固定電容器:額定電壓不超過3000

23、V的直流電容器 G6262GB/T6262-98額定電壓不超過3000V的直流云母固定電容器:評定水平EG6916GB/T6916-97濕熱帶電力電容器G7209GB7209-87CD15型固定鋁電解電容器G7332GB/T7332-96電子設備用固定電容器第2部分:分規(guī)范G7333GB/T7333-96電子設備用固定電容器第2部分:空白詳細規(guī)范:G7338GB/T7338-96電子設備用固定電容器第6部分:分規(guī)范G9324GB/T9324-96多片式瓷介電容器G9325GB/T9325-96多層片式瓷介電容器:評定水平EG11024.1GB/T11024.1-2001標稱電壓1KV

24、以上交流電力系統并聯電容器:總則G11024.2GB/T11024.2-2001標稱電壓1KV以上交流電力系統并聯電容器:耐久性G11024.3GB/T11024.3-2001標稱電壓1KV以上交流電力系統并聯電容器:保護G11024.4GB/T11024.4-2001標稱電壓1KV以上交流電力系統并聯電容器:內部熔絲G14472GB/T14472-98抑制電源電磁干擾用固定電容器:分規(guī)范G14473GB/T14473-98抑制電源電磁干擾用固定電容器:評定水平DG16467GB/T16467-96金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流片式固定電容器G16512GB/T16512-96抑制射頻干擾

25、固定電容器:總規(guī)范G16513GB/T16513-96抑制射頻干擾固定電容器:分規(guī)范G17206GB/T17206-98固體與非固體電解質片式鋁固定電容器G17207GB/T17207-98固體(MnO2電解質片式鋁固定電容器:評定水平E)G17208GB/T17208-98非固體電解質片式鋁固定電容器:評定水平EG17702.1GB/T17702.1-99電力電子電容器:總則G17702.2GB/T17702.2-99電力電子電容器:熔絲G17886.1GB/T17886.1-99標稱電壓1KV及以下交流電力并聯電容器:總則G17886.2GB/T17886.2-99標稱電壓1KV及以下交流

26、電力并聯電容器:試驗G17886.3GB/T17886.3-99標稱電壓1KV及以下交流電力并聯電容器:內部熔絲G18504GB/T18504-2001管形熒光燈和其他放電燈線路用電容器:性能要求G18939.1GB/T18939.1-2003微波爐電容器第1部分:總則GJ63BGJB63B-2001有可靠性指標的固定電解質鉭電容器:總規(guī)范GJ3516GJB3516-99鋁電解電容器:總規(guī)范J1811JB18911-92壓縮氣體標準電容器DL840DL/T840-2003高壓并聯電容器使用技術條件DL842DL/T842-2003低壓并聯電容器裝置使用技術條件DB802電力電容器標準(1)(9

27、4電工版)DB980電力電容器專業(yè)卷(1)(2000電工版)6.電阻器與電位器標準 G7154.1GB/T7154.1-2003直熱式階躍型正溫度系數熱敏電阻器:限流用G7154.2GB/T7154.2-2003直熱式階躍型正溫度系數熱敏電阻器:加熱元件用G7154.3GB/T7154.3-2003直熱式階躍型正溫度系數熱敏電阻器:浪涌電流用G7154.4GB/T7154.4-2003直熱式階躍型正溫度系數熱敏電阻器:敏感用G10193GB/T10193-97電子設備用壓敏電阻器:總規(guī)范G10194GB/T10194-97電子設備用壓敏電阻器:浪涌抑制型壓敏電阻器G10195GB/T

28、10195-97電子設備用壓敏電阻器:碳化硅浪涌抑制型壓敏電阻器G10196GB/T10196-97電子設備用壓敏電阻器:氧化鋅浪涌抑制型壓敏電阻器G15883GB/T15883-95電子設備用膜固定電阻網絡空白詳細規(guī)范::評定水平EG16515GB/T16515-96電子設備用電位器:分規(guī)范G17025GB/T17025-97單圈旋轉功率電位器分規(guī)范G17026GB/T17026-97單圈旋轉功率電位器評定水平EG17027GB/T17027-97單圈旋轉功率電位器評定水平FG17028GB/T17028-97單圈旋轉低功率電位器評定水平EG17029GB/T17029-97單圈旋轉低功率電

29、位器評定水平FG17034GB/T17034-97低功率非線繞固定電阻器評定水平FG17035GB/T17035-97帶散熱器的功率型固定電阻器評定水平HGJ601AGJB601A-98熱敏電阻器總規(guī)范SJ10774SJ/T10774-2000電子元器件詳細規(guī)范:RT14型碳膜固定電阻器評定水平ESJ10775SJ/T10775-2000電子元器件詳細規(guī)范:RT14型金屬膜固定電阻器評定水平ESJ10798SJ/T10798-2000電子元器件詳細規(guī)范:MF11型直熱式溫度系數熱敏電阻器評定水平SJ10799SJ/T10799-2000電子元器件詳細規(guī)范:MF53-1型直熱式負溫度系數熱敏電阻

30、器評定水平ESJ10872SJ/T10872-2000電子元器件詳細規(guī)范RJ15型金屬膜固定電阻器評定水平ESJ11113SJ/T11113-1999電子元器件詳細規(guī)范RJ型金屬膜固定電阻器評定水平ESJ11267SJ/T11267-2002電子設備用壓敏電阻器安全要求SJ11255SJ/T112552001疊層型片式電感器詳細規(guī)范SJ11267SJ/T11267-2002電子設備用壓敏電阻器安全要求SJ20647SJ20647-97鉑熱敏電阻器總規(guī)范SJ20765SJ20765-1999實驗室用28Vd.c電感器總規(guī)范7.液晶與電真空器件標準 G4619GB/T4619-96液晶顯

31、示器件測試方法G2987GB/T2987-96電子管參數符號G3306GB/T3306-2001小功率電子管電性能測試方法G4597GB/T4597-96電子管詞匯G6255GB/T6255-2001空間電荷控制電子管總規(guī)范G12852GB/T12852-2001磁控管總規(guī)范G12853GB/T12853-2001連續(xù)波磁控管空白詳細規(guī)范:G18680GB/T18680-2002液晶顯示器用氧化銦錫透明導電玻璃GJ616AGJB616A-2001電子管試驗方法SJ198SJ/T198-2001計數管總規(guī)范SJ10157SJ/T10157-2001脈沖磁控管空白詳細規(guī)范:SJ10732SJ/T1

32、0732-2000電子管型號命名方法SJ11082SJ/T11082-2000電子管熱絲或燈絲電流和電壓的測試方法SJ11152SJ/T1115299交流粉末致光顯示器件空白詳細規(guī)范:SJ11246SJ/T112462001真空開關用陶瓷管殼SJ11248SJ/T112482001液晶和固態(tài)顯示器件:液晶顯示(LCD)屏空白詳細規(guī)范SJ11260SJ/T11260-2001真空開關管系列SJ11261SJ/T11261-2001真空開關管型號命名方法SJ11249SJ/T112492001計數管空白詳細規(guī)范SJ20023SJ20023-2000行波管總規(guī)范 SJ20746SJ2074

33、6-1999液晶材料性能測試方法SJ20783SJ20783-2000小型白熾燈泡總規(guī)范 8.壓電陶瓷與石英晶體器件標準 G2414.1GB/T2414.1-98壓電陶瓷材料性能試驗方法:圓片徑向伸縮振動G2414.2GB/T2414.2-98壓電陶瓷材料性能試驗方法:長條橫向伸縮振動G3241GB/T324198倍頻程和分數倍頻程濾波器G3353GB/T3353-95人造石英晶體使用指南G3388GB/T3388-2002壓電陶瓷材料型號命名方法G3389.1GB/T3389.1-96鐵電壓電陶瓷詞匯G3389.2GB/T3389.2-99壓電陶瓷縱向壓電應變常數的靜態(tài)測

34、試G3389.3GB/T3389.3-99壓電陶瓷居里溫度TC的測試G3389.6GB/T3389.6-97壓電陶瓷長方片厚度切變振動模式G5593GB/T5593-96電子元器件結構陶瓷材料  G6426GB/T6426-99鐵電陶瓷材料電滯回線的準靜態(tài)測試方法G6427GB/T6427-99壓電陶瓷振子頻率溫度穩(wěn)定性的測試方法G6628GB/T6628-96人造石英晶體制材 G12273GB/T12273-96石英晶體元件質量評定體系規(guī)范:總規(guī)范 G12864GB/T12864-97電子設備用壓電陶瓷濾波器質量評定:鑒定批準G12865GB/T12865-97電子設備用壓電陶瓷濾

35、波器質量評定:評定水平EG16304GB/T16304-96壓電陶瓷電場應變特性測試方法G16516GB/T16516-96石英晶體元件質量評定體系規(guī)范:能力批準G16517GB/T16517-96石英晶體元件質量評定體系規(guī)范:鑒定批準G16528GB/T16528-96壓敏電阻器用氧化鋅陶瓷材料 G17190GB/T17190-97電子設備用壓電陶瓷濾玻器:總規(guī)范鑒定批準SJ10707SJ/T1070796石英晶體元件質量評定體系規(guī)范第二部分SJ10708SJ/T1070896石英晶體元件質量評定體系規(guī)范第三部分SJ10709SJ/T10709-96壓電陶瓷蜂鳴片總規(guī)范SJ1113

36、6SJ/T11136-97電子陶瓷二氧化鋯材料SJ11199SJ/T1119999壓電石英晶體片SJ11210SJ/T11210-1999頻率達30MHz石英晶體元件負載諧振頻率fL和RL的測量方法SJ11212SJ/T11212-1999石英晶體元件參數的測量:激勵電平相關性(DLD)的測量SJ11224SJ/T11224-2000電子元器件詳細規(guī)范WIW141型螺桿驅動預調電位器評定水平ESJ11256SJ/T112562001有質量評定的石英晶體振蕩器:總規(guī)范SJ11257SJ/T112572001有質量評定的石英晶體振蕩器:分規(guī)范SJ11258SJ/T112582001有質量評定的石英晶體振蕩器:空白詳細規(guī)范SJ20764SJ20764-1999介電濾波器總規(guī)范  9. 印制電路板與電連接器標準 G1303.1GB/T1303.1-98環(huán)氧玻璃布層壓板G1303.2GB/T1303.2-2002對三聚氰胺樹脂硬質層壓板的要求G1360GB/T1360-98印刷電路網格體系 G4588.1GB/T4588.1-96無金屬化孔單雙面印制板分規(guī)范G4588.2GB/T4588.2

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