電子技術(shù)基礎(chǔ)試題及答案

1、電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題（20分）1、_電路和_電路是兩種最基本的線性應(yīng)用電路。2、晶體二極管具有_特性。3、放大電路的分析方法有_和小信號(hào)模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是_。5、帶寬和_是放大電路的重要指標(biāo)之一。6、處理模擬信號(hào)的電子電路稱為_(kāi)。7、把整個(gè)電路中的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成特定功能的電子電路稱為_(kāi)電路。8、在電子電路中反饋按極性不同可分為_(kāi)和_兩種。9、判斷一個(gè)放大電路中是否存在反饋，只要看該電路的輸出回路與輸入回路之間是否存在反饋網(wǎng)絡(luò)，即_。10、負(fù)反饋放大電路有四種類型：_、 _、_以及_放大電路。11、放大電路的實(shí)質(zhì)都是_電路。12、放大電路可分為四種類型：_、

2、_、_和_。二、判斷題（15題每題2分，615題每題1分，共20分）1、圖示中引人電壓并聯(lián)負(fù)反圖題12、圖示中電流串聯(lián)正反饋圖題23、圖示電路不能振蕩圖題34、圖示電路不能振蕩圖題45、圖示電路中T為共基極組態(tài)，T為共集電極組態(tài)圖題56、PN結(jié)的單向?qū)щ娦躁P(guān)鍵在于它的耗盡區(qū)的存在，且其寬度隨外加電壓而變化。7、齊納二極管是一種特殊二極管。8、BJT有NPN和PNP兩種類型。9、圖解法能分析信號(hào)幅值太小或工作頻率較高濕的電路工作狀態(tài)。10、MOS器件主要用于制成集成電路。11、差分放大電路中共模電壓增益越小，說(shuō)明放大電路的性能越好。12、放大電路中的內(nèi)部噪聲與放大電路中個(gè)元器件內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不

3、規(guī)則無(wú)關(guān)。13、放大電路中直流反饋不影響靜態(tài)工作點(diǎn)。14、負(fù)反饋能夠改善放大電路的多方面性能是由于將電路的輸出量引回到輸入端與輸入量進(jìn)行比較，從而隨時(shí)對(duì)輸出量進(jìn)行調(diào)整。15、在實(shí)際應(yīng)用的放大電路中很少引人負(fù)反饋。三、計(jì)算題（1題12分，2題13分，3題15分，共40分）1、設(shè)計(jì)一反相加法器，使其輸出電壓V0= -7Vi1+14Vi2+3.5Vi3+10Vi4），允許使用的最大電阻為280k，求各支路電阻。2、某反饋放大電路的方框圖如圖所示，試推導(dǎo)其閉環(huán)增益xo/xi的表達(dá)式。3、在圖所示電路中，已知Rb=260k，Re=RL=5.1k，RS=500k，VEE=12V，=50，試求：（1）電路的

4、Q點(diǎn)；（2）電壓增益Av、輸入電阻Ri及輸出電阻Ro；（3）若Vs=200mV，求Vo。四、綜合題（20分）1、射極偏置電路如圖所示，已知=60。（1）用估算法求Q點(diǎn)；（2）求輸入電阻r；（3）用小信號(hào)模型分析法求電壓增益A；（4）電路其他參數(shù)不變，如果要使V=4V，問(wèn)上偏流電阻為多大？電子技術(shù)基礎(chǔ)（答案）一、填空題1、 同相放大、反向放大2、 單向?qū)щ?、 圖解法4、 電流放大系數(shù)5、 頻率響應(yīng)6、 模擬電路7、 集成8、 正反饋、負(fù)反饋9、 反饋通路10、 電壓串聯(lián)負(fù)反饋、電壓并聯(lián)負(fù)反饋、電流串連負(fù)反饋、電流并聯(lián)負(fù)反饋11、 能量轉(zhuǎn)換12、 電壓放大、電流放大、互阻放大、互導(dǎo)放大二、判斷題

5、1、2、× （電流串聯(lián)負(fù)反饋）3、×（能振蕩）4、5、×（T為共集電極組態(tài)，T為共基極組態(tài)）6、7、8、9、× （不能）10、11、12、×13、×14、15、×三、計(jì)算題1、解：設(shè)反相加法器各支路的電阻為R1、R2、R3、R4，反饋支路電阻為R5，由V0= -7Vi1+14Vi2+3.5Vi3+10Vi4）可得V0=-（Vi1+ Vi2 Vi3 + Vi4）最大電阻應(yīng)為R5，故選R5=280k，所以各支路電阻分別為R1= =40 kR2=20 k2、解：設(shè)該放大電路的開(kāi)環(huán)增益為AA= =A1則Af=3、（1）求Q點(diǎn)IBQ23AICQ=IBQ=1.15mAVCEQ=-(VEE-ICQRe)-6.13V(2)求AV、Ri、Rorbe=rbb（1+）1.35 kAV=0.99Ri=Rb|rbe+（1+）（Re|RL） 87.3 KRO=RC|36 K（3）S=200mV時(shí)0=vi=