三極管放大作ppt課件

1、(Semiconductor Transistor)(Semiconductor Transistor)晶體三極管晶體三極管一、構(gòu)造、符號和分類一、構(gòu)造、符號和分類NNP發(fā)射極發(fā)射極 E基極基極 B集電極集電極 C發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB分類：分類：按資料分：按資料分： 硅管、鍺管硅管、鍺管按功率分：按功率分： 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W二、電流放大原理二、電流放大原理1. 三極管放大的條件三極管放大的條件內(nèi)部內(nèi)部條件條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高發(fā)

2、射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大集電結(jié)面積大外部外部條件條件發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏2. 滿足放大條件的三種電路滿足放大條件的三種電路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共發(fā)射極共發(fā)射極共集電極共集電極共基極共基極3. 三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子，發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子， 構(gòu)成發(fā)射極電流構(gòu)成發(fā)射極電流 IE。I CN多數(shù)向多數(shù)向 BC 結(jié)方向分散構(gòu)成結(jié)方向分散構(gòu)成 ICN。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，構(gòu)成少數(shù)與空穴復(fù)合，構(gòu)成 IBN 。I BN基區(qū)空基區(qū)空穴來源穴來源基極電源提供基極電源提供(

3、IB)集電區(qū)少子漂移集電區(qū)少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN IB + ICBO即：即：IB = IBN ICBO 2)電子到達基區(qū)后電子到達基區(qū)后( (基區(qū)空穴運動因濃度低而忽略基區(qū)空穴運動因濃度低而忽略) )4. 三極管的電流分配關(guān)系三極管的電流分配關(guān)系當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOBNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII 穿透電流穿透電流CBOBCBOCIIII IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 共射根本放大電路的組成共射根本放大電路的組成輸出不失真輸出不失真發(fā)射結(jié)加正向電壓發(fā)射結(jié)加正向電壓集電結(jié)加反向電壓集電結(jié)加反向電壓RBVBBC1+Rs+us-RCVCCTC2RL+uo信號源加到信號源加到b-e間間uin1.發(fā)射結(jié)加正向電壓n2.集電結(jié)加反向電壓n3.把信號源加到b-e之間n4.在輸入信號作用下得到不失真的輸出信號n以上四條是判別三極