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文檔簡介
1、Boost 電路學(xué)習(xí)筆記Boost 電路基本框圖:采用恒頻控制方式,占空比可調(diào)。Q導(dǎo)通時間為TON。 MOSFETQ 導(dǎo)通時為電感充電過程,MOSFET Q關(guān)斷時,為電感放電過程。( 1) MOSFET導(dǎo)通時,等效模型如圖Q1.2。輸入電壓Vdc流過電感L。二極管 D 防止電容C 對地放電。由于輸入是直流電,所以電感L 上的電流以一定的比率線性增加,這個比率跟電感大小有關(guān)。隨著電感電流增加,電感里儲存了一些能量。圖 1.2MOSFET關(guān)斷時,Q等效模型如圖1.3。 由于電感L 的電流不能突變的特性,流經(jīng)電感的電流不會馬上變?yōu)?,而是緩慢由充電完畢時的值變?yōu)?。而原來的電路已斷開,于是電感只能通
2、過新電路放電,即電感 L 開始給電容C充電, 電容兩端電壓升高,此時電壓已經(jīng)高于輸入電壓了。升壓完畢。1.3Boost 電路波形分析:圖 1.4Ia大于0, BOOST電路工作于連續(xù)模式,Ia等于0, BOOS電路工作于不連續(xù)T模式。BOOST調(diào)整器最好工作于不連續(xù)模式。MOSFET導(dǎo)通時,QVD點(diǎn)接地,(假設(shè)MOSFE導(dǎo)通,壓降為T0)電壓為0V,因?yàn)檩斎腚妷汉愣╒dc, 所以電感兩端承受的電壓為(Vdc 0) Vdc為一個恒定值,因此流經(jīng)電感的電流線性上升,其斜率為I/ t Vdc/ L ,L 為電感量,此時電感內(nèi)部的電流變化如圖1.4( e)所示的上升斜坡,而MOSFE內(nèi)部的電流如圖T1
3、.4( c)所示。MOSFET關(guān)斷時,Q由于電感電流不能突變的特性,電感兩端的電壓極性顛倒,看作一個電源,和輸入電壓Vdc極性一致,這樣,電路相當(dāng)于兩個電源串聯(lián),流經(jīng)二極管D,給電容C充電。因?yàn)閮蓚€串聯(lián)電源的總電壓必然高于其中一個電源輸入電壓Vdc高, 以此輸出電壓便會升高,且高于輸入電壓Vdc。二極管的電流變化如圖1.4( d) ,電感電流的變化如圖1.4( e)Boost 電路三種工作模式:Boost 電路有三種工作模式:(取決有BOOST電路中電感的工作模式)( 1) :連續(xù)工作模式( 2) :臨界工作模式( 3) :不連續(xù)工作模式a)連續(xù)工作模式b)臨界工作模式圖(c)不連續(xù)工作模式圖
4、(a)電感IL 電流從上一個周期的關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入下一個周期的導(dǎo)通時,電感電流并未下降為0V,為連續(xù)工作模式 ;圖(b)電感IL 電流從上一個周期的關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入下一個周期的導(dǎo)通時,電感電流恰好下降為0V,為臨界工作模式 ;圖(c)電感IL 電流從上一個周期的關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入下一個周期的導(dǎo)通之前,電感電流已經(jīng)下降為0V,為不連續(xù)工作模式。Boost 電路開環(huán)仿真:連續(xù)工作模式波形圖不連續(xù)工作波形圖不連續(xù)工作模式電路圖開環(huán)下輸入輸出波形圖閉環(huán)控制輸入輸出波形圖參數(shù)具體計算輸入電壓Vdc,輸出電壓Vo,最大輸出功率P(或者負(fù)載最大電流Io),恒頻模式 f ,紋波電壓Vrr 已知。1、變壓器電感的計算;由前面
5、分析,已知BOOST電路要工作于不連續(xù)模式,必須在一個周期結(jié)束前電感電流 I Q 減小到 0, 可是設(shè)計電路時為了避免負(fù)載的波動進(jìn)入連續(xù)模式,我們一般提前20%T的時間讓電感電流IQ減小到 0. 如圖 1.11 , 均有20%的死區(qū)裕度。死區(qū)時間為Tdt ( dead time )MOSFET導(dǎo)通時,電感的電流線性上升,其斜率為I / t Vdc/L,L 為電感量,單位為H。 Vdc單位V,I 單位 A峰值為 I VLdcTON(1.1)既然在一個周期結(jié)束前電感電流E 1L* I22(1.2)I Q 減小到0,一個周期內(nèi)那么電感將儲存的所有 能 量 都 供 給 了 負(fù) 載 , 那 么 電 感
6、傳 輸 的 能 量 為 電 感 的 功 率PL ,121PL E L* I 2 *L2T1.3)MOSFE關(guān)斷時T,由圖 1.3 等效模型可知,在關(guān)斷期間(T TON ) , 輸入電壓Vdc流經(jīng)電感L 和二極管D,以同樣的電流I E(等于電感電流的有效值)給負(fù)載提供能量,根據(jù)等面積法,電感電流的有效值為(有20% 的死區(qū)裕度)1 T TON 20%T108T TONI * I* I*E 2T TON2 T TON1.4)那么輸送到負(fù)載的總功率為11PVdc Vdc* 12* IE*(T TON)*T1PPVdcPL(1.5)2化簡得:P 0.4*VLdc *TON(1.6)又因?yàn)閂o VdcT
7、ON* 0.8TVo ( 留有20%的死區(qū)裕度)1.7)P,Vdc, Vo, T( f)已知,所以電感值為Vdc20.4*TON1.8)P2、 MOSFE的選??;T主要參數(shù):(1) 最大漏極源極電壓(Drain-Source Voltage(2) 連續(xù)漏極電流(Continuous Drain Current )(3) 導(dǎo) 通 內(nèi) 阻 RDS(ON) ( Static Drain-Source On-State Resistance )盡可能小,減少損耗。(1) 最大漏極源極電壓由BOOST電路的輸出電壓Vo決定的;IVdcTON(2) 連續(xù)漏極電流由MOSFE的工作峰值電流決定。T由式 (
8、1.1 ) 可知L(3) 3)導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON)是取決于選取的MOSFE本身,T與 BOOST電路無關(guān),可以通過查找芯片手冊datasheet 中的 RDS(ON )。3、二極管的選??;主要參數(shù):( 1) 反向重復(fù)峰值電壓Vrrm( Repetitive peak reverse voltage ) ;( 2)最大整流電流(平均值)IO( Maximum average forwardrectified current )( 3)反向恢復(fù)時間Trr ( Reverse Recovery Time )( 1)反向重復(fù)峰值電壓Vrrm 由BOOST電路的輸出電壓Vo決定的;( 2)最大整流電流(平均值)I O 由續(xù)流二極管的工作峰值電流決定,由圖 1.4 ( c) ( d)可知,續(xù)流二極管的峰值電流和MOSFET的工作峰值電流一致,IVdcTON計算方法一致,為L( 3)反向恢復(fù)時間Trr 由續(xù)流二極管的工作頻率f 決定。4、輸出電容的選取;主要參數(shù): ( 1)耐壓值;( 2)容值。( 1)耐壓值由BOOST
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