LDMOS介紹學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1LDMOS介紹介紹(jisho)第一頁，共44頁。第1頁/共43頁第二頁，共44頁。第2頁/共43頁第三頁，共44頁。第3頁/共43頁第四頁，共44頁。第4頁/共43頁第五頁，共44頁。第5頁/共43頁第六頁，共44頁。第6頁/共43頁第七頁，共44頁。第7頁/共43頁第八頁，共44頁。第8頁/共43頁第九頁，共44頁。第9頁/共43頁第十頁，共44頁。第10頁/共43頁第十一頁，共44頁。第11頁/共43頁第十二頁，共44頁。第12頁/共43頁第十三頁，共44頁。第13頁/共43頁第十四頁，共44頁。第14頁/共43頁第十五頁，共44頁。第15頁/共43頁第十六頁，共44頁。第16頁

2、/共43頁第十七頁，共44頁。第17頁/共43頁第十八頁，共44頁。第18頁/共43頁第十九頁，共44頁。第19頁/共43頁第二十頁，共44頁。第20頁/共43頁第二十一頁，共44頁。 場(chǎng)板技術(shù)的原理是在漂移區(qū)上方形成半絕緣多晶硅電阻場(chǎng)板，如右上圖所示，B處電阻場(chǎng)板產(chǎn)生均勻分布的垂直電場(chǎng)施加(shji)于漂移區(qū)中，與水平電場(chǎng)合成，迫使漂移區(qū)電場(chǎng)分布也均勻化，降低了A處的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而提高了擊穿電壓。第21頁/共43頁第二十二頁，共44頁。第22頁/共43頁第二十三頁，共44頁。第23頁/共43頁第二十四頁，共44頁。第24頁/共43頁第二十五頁，共44頁。第25頁/共43頁第二十六頁，共44頁

3、。第26頁/共43頁第二十七頁，共44頁。第27頁/共43頁第二十八頁，共44頁。第28頁/共43頁第二十九頁，共44頁。第29頁/共43頁第三十頁，共44頁。第30頁/共43頁第三十一頁，共44頁。兩種柵電極功函數(shù)差的影響逐漸兩種柵電極功函數(shù)差的影響逐漸減小，這時(shí)普通柵與復(fù)合柵兩種減小，這時(shí)普通柵與復(fù)合柵兩種結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)LDMOS的的Cgs和和Cgd逐步趨逐步趨于一致。于一致。第31頁/共43頁第三十二頁，共44頁。第32頁/共43頁第三十三頁，共44頁。第33頁/共43頁第三十四頁，共44頁。第34頁/共43頁第三十五頁，共44頁。5. SOI-LDMOS第35頁/共43頁第三十六頁，共44頁。第36頁/共43頁第三十七頁，共44頁。第37頁/共43頁第三十八頁，共44頁。第38頁/共43頁第三十九頁，共44頁。第39頁/共43頁第四十頁，共44頁。第40頁/共43頁第四十一頁，共44頁。第41頁/共43頁第四十二頁，共44頁。第42頁/共43頁第四十三頁，共44頁。NoImage內(nèi)容(nirng)總結(jié)會(huì)計(jì)學(xué)。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。MOS的電容行為是與柵和漏的電壓相關(guān)的。器件沒有漂移區(qū)的存在，但是器件的電容特性已經(jīng)表現(xiàn)出和原來(yunli)的MOS結(jié)構(gòu)的明顯不同，即有了峰值的出現(xiàn)，而且隨著柵源電壓的變化而變化。