晶體中的缺陷和擴(kuò)散

1、第四章第四章 晶體中的缺陷和擴(kuò)散晶體中的缺陷和擴(kuò)散4.1 晶格缺陷的主要類型晶格缺陷的主要類型一、點(diǎn)缺陷一、點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷：點(diǎn)缺陷：定域在格點(diǎn)附近一個(gè)或幾個(gè)晶格常數(shù)范圍內(nèi)定域在格點(diǎn)附近一個(gè)或幾個(gè)晶格常數(shù)范圍內(nèi) 偏離晶格周期性的結(jié)構(gòu)稱為點(diǎn)缺陷偏離晶格周期性的結(jié)構(gòu)稱為點(diǎn)缺陷1. 空位（空位（Schottky缺陷）缺陷）2. Frenkel缺陷缺陷 Frenkel缺陷缺陷: 空位空位間隙原子對間隙原子對 空位和空位和Frenkel缺陷的成因都是由于晶格原子的熱缺陷的成因都是由于晶格原子的熱振動，因此這兩種點(diǎn)缺陷也稱為熱缺陷。振動，因此這兩種點(diǎn)缺陷也稱為熱缺陷。 形成一個(gè)形成一個(gè)Frenkel缺陷要比形

2、成一個(gè)空位所需的能缺陷要比形成一個(gè)空位所需的能量多些，因而也更難些。量多些，因而也更難些。3. 雜質(zhì)原子雜質(zhì)原子 當(dāng)晶體中的雜質(zhì)以當(dāng)晶體中的雜質(zhì)以原子狀態(tài)原子狀態(tài)在晶體中形成點(diǎn)缺陷時(shí)，在晶體中形成點(diǎn)缺陷時(shí)，稱為雜質(zhì)原子。稱為雜質(zhì)原子。 替位式雜質(zhì)（代位式雜質(zhì)）替位式雜質(zhì)（代位式雜質(zhì)）K Cl K Cl KCl K Cl K Cl K Cl K Cl KCl K Cl K ClK Cl K Cl KCl K Cl K Cl Ca2 填隙式雜質(zhì)填隙式雜質(zhì) 缺位式雜質(zhì)缺位式雜質(zhì)4. 色心色心Na Cl Na Cl Na ClCl Na Cl Na Cl Na Na Cl Na Na ClCl Na

3、Cl Na Cl Na Na Cl Cl Na ClCl Na Cl Na Cl Na NaNa-e色心的產(chǎn)生色心的產(chǎn)生 如將如將NaCl晶體放在晶體放在Na金屬蒸氣中加熱，然后再驟冷金屬蒸氣中加熱，然后再驟冷 至室溫，就可在至室溫，就可在NaCl晶體中產(chǎn)生色心。晶體中產(chǎn)生色心。 用用X射線或射線或 射線輻照、用中子或電子轟擊晶體。射線輻照、用中子或電子轟擊晶體。二、線缺陷二、線缺陷EFAB 螺位錯(cuò)：螺位錯(cuò)： 刃位錯(cuò)：刃位錯(cuò)： 常見的面缺陷：晶粒間界、攣晶界、小角晶界常見的面缺陷：晶粒間界、攣晶界、小角晶界和層錯(cuò)等和層錯(cuò)等 三、面缺陷三、面缺陷層錯(cuò)：晶體中的某個(gè)原子層發(fā)生堆積錯(cuò)誤層錯(cuò)：晶體中的

4、某個(gè)原子層發(fā)生堆積錯(cuò)誤fcc晶體中的正常堆積次序：晶體中的正常堆積次序：ABCABC 體缺陷，如：空洞、氣泡和包裹物等體缺陷，如：空洞、氣泡和包裹物等fcc晶體中的層錯(cuò)晶體中的層錯(cuò): ABCABABC 4.2 熱缺陷熱缺陷一、熱缺陷的平衡數(shù)目一、熱缺陷的平衡數(shù)目 由熱力學(xué)可知，在等溫過程中，當(dāng)熱缺陷數(shù)目達(dá)到由熱力學(xué)可知，在等溫過程中，當(dāng)熱缺陷數(shù)目達(dá)到平衡時(shí)，系統(tǒng)的自由能取極小值：平衡時(shí)，系統(tǒng)的自由能取極小值：0TFn1. 空位的平衡數(shù)目空位的平衡數(shù)目晶體中原子總數(shù)：晶體中原子總數(shù)：N形成一個(gè)空位所需能量：形成一個(gè)空位所需能量：u1晶體中所形成的空位數(shù)晶體中所形成的空位數(shù): n1 （N n1 ）

5、由于晶體中出現(xiàn)空位，系統(tǒng)自由能的改變：由于晶體中出現(xiàn)空位，系統(tǒng)自由能的改變：晶體中沒有空位時(shí)，系統(tǒng)原有的微觀狀態(tài)數(shù)為晶體中沒有空位時(shí)，系統(tǒng)原有的微觀狀態(tài)數(shù)為W0，由于出現(xiàn)空位，系統(tǒng)的微觀狀態(tài)數(shù)增加由于出現(xiàn)空位，系統(tǒng)的微觀狀態(tài)數(shù)增加W1，有：有：W W0 W1假設(shè)假設(shè)W0和和W1相互獨(dú)立，相互獨(dú)立，F(xiàn)UT S 1 1Unu ， W：系統(tǒng)可能出現(xiàn)的微觀狀態(tài)數(shù)：系統(tǒng)可能出現(xiàn)的微觀狀態(tài)數(shù)BSk lnW11 111 11!BBNnFnuk TlnWnuk TlnN n達(dá)到平衡時(shí)達(dá)到平衡時(shí)10Fn11111!nN nNnWN nC在在N+n1個(gè)原子位置中出現(xiàn)個(gè)原子位置中出現(xiàn)n1個(gè)空位，其微觀狀態(tài)數(shù)為：個(gè)空

6、位，其微觀狀態(tài)數(shù)為：001BBBSSSk lnWk lnWk lnW 于是有于是有 1BSk lnW111expBnuNnk T1Nn11expBunNk T利用利用Stirling公式，當(dāng)公式，當(dāng)x很大時(shí)，有：很大時(shí)，有：!dlnxlnxdx11110BFuk T ln Nnlnnn晶體中間隙原子位置的總數(shù)：晶體中間隙原子位置的總數(shù)：N形成一個(gè)間隙原子所需能量：形成一個(gè)間隙原子所需能量：u2 平衡時(shí)晶體中的間隙原子數(shù)：平衡時(shí)晶體中的間隙原子數(shù)：n2（設(shè)（設(shè)n2 N）22expBunNk T在一定溫度下，間隙原子的平衡數(shù)目為：在一定溫度下，間隙原子的平衡數(shù)目為：2. 間隙原子的平衡數(shù)目間隙原子

7、的平衡數(shù)目同理，可求出晶體中同理，可求出晶體中Frenkel缺陷的平衡數(shù)目為：缺陷的平衡數(shù)目為：exp2ffBunNNk T其中，其中，nfn1n2 ，ufu1u2為形成一個(gè)為形成一個(gè)Frenkel缺陷缺陷所需的能量。所需的能量。 由于由于u1 0 x N約束條件：約束條件：0,n x t dxNt2 t2t10t1t=0n(x,t)x0 2,exp4Nxn x tDtDt解：解：2,4Nxlnn x tlnDtDtx2lnn(x)01tg4Dt14 tgDt測量擴(kuò)散系數(shù)常用的實(shí)驗(yàn)方法：示蹤原子法測量擴(kuò)散系數(shù)常用的實(shí)驗(yàn)方法：示蹤原子法例例2：一半無限大晶體，若保持?jǐn)U散物質(zhì)在晶體一表面：一半無限

8、大晶體，若保持?jǐn)U散物質(zhì)在晶體一表面 上的濃度上的濃度n0不變，在一定溫度下，經(jīng)過一段時(shí)間不變，在一定溫度下，經(jīng)過一段時(shí)間 的擴(kuò)散，求擴(kuò)散物質(zhì)在晶體中的分布。的擴(kuò)散，求擴(kuò)散物質(zhì)在晶體中的分布。初始條件和邊界條件分別為：初始條件和邊界條件分別為：n(x, 0) = 0 , x 0n(0, t) = n0 , t 0擴(kuò)散方程：擴(kuò)散方程：22nnDtx解為：解為：22002,1xDtn x tned012xnerfDt202( )xerf xed 誤差函數(shù)（概率積分）誤差函數(shù)（概率積分）擴(kuò)散系數(shù)與溫度有密切關(guān)系，溫度越高，擴(kuò)散就越快。擴(kuò)散系數(shù)與溫度有密切關(guān)系，溫度越高，擴(kuò)散就越快。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，若溫度變化

9、范圍不太寬，那么，擴(kuò)散系數(shù)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，若溫度變化范圍不太寬，那么，擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系為與溫度的關(guān)系為0( )expQD TDRT2. 擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系D0：常數(shù)：常數(shù)R ：氣體常數(shù)：氣體常數(shù)Q ：擴(kuò)散激活能：擴(kuò)散激活能1/T0lnD0( )QlnD TlnDRTtgQRtgQR二、擴(kuò)散的微觀機(jī)制二、擴(kuò)散的微觀機(jī)制由面由面1向面向面2流動的凈原子流密度：流動的凈原子流密度：1216aj ：原子在相鄰兩次跳躍的時(shí)間間隔：原子在相鄰兩次跳躍的時(shí)間間隔 1 2d圓柱體高：圓柱體高：d底面面積：底面面積：dS11216nnd216ddndx d216dD擴(kuò)散系數(shù)的微觀表達(dá)式：擴(kuò)散

10、系數(shù)的微觀表達(dá)式： 主要由所需等待的時(shí)間來決定主要由所需等待的時(shí)間來決定原子擴(kuò)散的微觀機(jī)制：原子擴(kuò)散的微觀機(jī)制：v 空位機(jī)制：擴(kuò)散原子通過與周圍的空位交換位置空位機(jī)制：擴(kuò)散原子通過與周圍的空位交換位置 進(jìn)行擴(kuò)散進(jìn)行擴(kuò)散 v 易位機(jī)制：擴(kuò)散原子通過與周圍幾個(gè)原子同時(shí)交換易位機(jī)制：擴(kuò)散原子通過與周圍幾個(gè)原子同時(shí)交換 位置進(jìn)行擴(kuò)散位置進(jìn)行擴(kuò)散v 間隙原子機(jī)制：擴(kuò)散原子通過從一個(gè)間隙位置跳到間隙原子機(jī)制：擴(kuò)散原子通過從一個(gè)間隙位置跳到 另一個(gè)間隙位置進(jìn)行擴(kuò)散另一個(gè)間隙位置進(jìn)行擴(kuò)散1. 空位機(jī)制空位機(jī)制da11Nn擴(kuò)散系數(shù)的表達(dá)式：擴(kuò)散系數(shù)的表達(dá)式：221110111exp66BanuEDaNk T 1

11、：原子每跳一步所需等待的時(shí)間原子每跳一步所需等待的時(shí)間 n1/N ：在擴(kuò)散原子周圍出現(xiàn)空位的概率：在擴(kuò)散原子周圍出現(xiàn)空位的概率u1小，小，E1小，擴(kuò)散激活能小，擴(kuò)散激活能Q低，擴(kuò)散就越快。低，擴(kuò)散就越快。0expQDDRT與與比較比較估算：估算：a 3 10-10 m， 0 1012 s-1 D0理論理論 10-8 m2/sD0實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn) 10-4 m2/s 原因：有些影響擴(kuò)散過程的因素未考慮原因：有些影響擴(kuò)散過程的因素未考慮20001116DaQNuE 對于原子的自擴(kuò)散和晶體中替位式雜質(zhì)或缺位式雜對于原子的自擴(kuò)散和晶體中替位式雜質(zhì)或缺位式雜質(zhì)的異擴(kuò)散，一般可以認(rèn)為是通過空位機(jī)制擴(kuò)散的。質(zhì)的異擴(kuò)

12、散，一般可以認(rèn)為是通過空位機(jī)制擴(kuò)散的。一些元素在一些元素在Pb中的擴(kuò)散系數(shù)的實(shí)驗(yàn)值（中的擴(kuò)散系數(shù)的實(shí)驗(yàn)值（285C）元素元素PbSnFeAgAuD0 (10-4 m2/s)4.345.7 10-27.5 10-23.5 10-1Q (kcal/mol)28.026.221.015.214.0D (10-4 m2/s)7 10-111.6 10-103.6 10-109.1 10-84.6 10-62. 間隙原子機(jī)制間隙原子機(jī)制d = a220expBEk T2201exp6BEDak T 填隙式雜質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散一般可認(rèn)為是通過間隙填隙式雜質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散一般可認(rèn)為是通過間隙原子機(jī)制擴(kuò)散的。原

13、子機(jī)制擴(kuò)散的。 實(shí)際上，影響擴(kuò)散系數(shù)的因素很多，如晶體的其他實(shí)際上，影響擴(kuò)散系數(shù)的因素很多，如晶體的其他缺陷：位錯(cuò)、層錯(cuò)、晶粒間界等都對擴(kuò)散過程有影響。缺陷：位錯(cuò)、層錯(cuò)、晶粒間界等都對擴(kuò)散過程有影響。而各種影響因素主要都是通過影響擴(kuò)散激活能而各種影響因素主要都是通過影響擴(kuò)散激活能Q表現(xiàn)出來表現(xiàn)出來的。所以，的。所以，在研究原子的擴(kuò)散過程中，擴(kuò)散激活能是一在研究原子的擴(kuò)散過程中，擴(kuò)散激活能是一個(gè)非常重要的物理量。個(gè)非常重要的物理量。 在一般情況下，雜質(zhì)原子的異擴(kuò)散要比原子自擴(kuò)散在一般情況下，雜質(zhì)原子的異擴(kuò)散要比原子自擴(kuò)散快?？臁＿@是因?yàn)楫?dāng)雜質(zhì)原子取代原晶體中原子所在的格點(diǎn)這是因?yàn)楫?dāng)雜質(zhì)原子取代原

14、晶體中原子所在的格點(diǎn)位置時(shí)，由于兩種原子的大小不同，必然會在雜質(zhì)原子位置時(shí)，由于兩種原子的大小不同，必然會在雜質(zhì)原子周圍產(chǎn)生晶格畸變。因此，在雜質(zhì)原子周圍，容易產(chǎn)生周圍產(chǎn)生晶格畸變。因此，在雜質(zhì)原子周圍，容易產(chǎn)生空位，有利于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散?？瘴?，有利于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散。4.4 離子導(dǎo)電性離子導(dǎo)電性一、一、AX型離子晶體中的點(diǎn)缺陷型離子晶體中的點(diǎn)缺陷二、離子在外電場中的運(yùn)動二、離子在外電場中的運(yùn)動 = 0時(shí)，離子晶體中的點(diǎn)缺陷作無規(guī)的布朗運(yùn)動，時(shí)，離子晶體中的點(diǎn)缺陷作無規(guī)的布朗運(yùn)動，所以，不產(chǎn)生宏觀電流。所以，不產(chǎn)生宏觀電流。 0時(shí)，離子晶體中帶電的點(diǎn)缺陷在外電場的作用時(shí)，離子晶體中帶電的點(diǎn)缺陷在

15、外電場的作用下發(fā)生定向遷移，從而產(chǎn)生宏觀電流。下發(fā)生定向遷移，從而產(chǎn)生宏觀電流?？瘴豢瘴徽x子空位正離子空位 （）（）負(fù)離子空位負(fù)離子空位 （）（）間隙離子間隙離子正填隙正填隙（）（）負(fù)填隙（）負(fù)填隙（）以正填隙離子為例以正填隙離子為例 i設(shè)其電荷為設(shè)其電荷為q，外電場：，外電場：離子在電場中受的力：離子在電場中受的力：F=q ，附加電勢能：附加電勢能：U(x)=q xq x0 xU(x) q a/2Ea離子運(yùn)動需越過的勢壘：離子運(yùn)動需越過的勢壘：向左：向左：12Eq a向右：向右：12Eq a離子越過勢壘的頻率離子越過勢壘的頻率 01216expBEq ak T01216expBEq ak

16、T向右向右向左向左單位時(shí)間內(nèi)，離子凈向右越過勢壘的次數(shù)：單位時(shí)間內(nèi)，離子凈向右越過勢壘的次數(shù)：016expexpexp22BBBEq aq ak Tk Tk T01exp32BBEq ashk Tk T離子向右運(yùn)動的漂移速度離子向右運(yùn)動的漂移速度d01vexp32BBEq aashk Tk T弱場條件，即弱場條件，即12Bq ak T一般條件下：一般條件下：103 10am 191.6 10.qcoul231.38 10/BkJ K300TK510 V/m22BBq aq ashk Tk Td01vexp32BBq aEak Tk T20exp6BBa qEk Tk T20exp6BBa qE

17、k Tk T 離子遷移率離子遷移率估算得：估算得：45.8 1012Bq ak T三、離子導(dǎo)電率三、離子導(dǎo)電率離子定向遷移的電流密度離子定向遷移的電流密度dvjnqnq 離子導(dǎo)電率：離子導(dǎo)電率：220exp6BBnqaEnqk Tk Tn：單位體積中正填隙離子數(shù)目：單位體積中正填隙離子數(shù)目 填隙離子的擴(kuò)散系數(shù)：填隙離子的擴(kuò)散系數(shù)：201exp6BEDak T2BnqDk T Einstein關(guān)系關(guān)系離子導(dǎo)電率與溫度的關(guān)系為離子導(dǎo)電率與溫度的關(guān)系為0expQTRT Arrhenius關(guān)系關(guān)系22006BnqakQ為離子導(dǎo)電激活能為離子導(dǎo)電激活能 1/Tln( T)ln 0 0QlnTlnRTQR

18、tg固體電解質(zhì)或快離子導(dǎo)體：具有較高離子導(dǎo)電性的材料。固體電解質(zhì)或快離子導(dǎo)體：具有較高離子導(dǎo)電性的材料。固體電解質(zhì)的定義范圍要寬一些，而快離子導(dǎo)體一般是指固體電解質(zhì)的定義范圍要寬一些，而快離子導(dǎo)體一般是指在較低溫度下（在較低溫度下（300 C以下）具有高離子導(dǎo)電性以下）具有高離子導(dǎo)電性 10-3 ( cm)-1 的材料的材料。RbCu4Cl3I2 在在25 C時(shí)時(shí) 0.44 ( cm)-1 固體電解質(zhì)：如固體電解質(zhì)：如 YSZ (yttria stabilized zirconia) 在在1000 C 時(shí)時(shí) 10-1 ( cm)-1 快離子導(dǎo)體：如快離子導(dǎo)體：如 AgI 在在146 C時(shí)時(shí) 1

19、 ( cm)-1 Na- Al2O3 在在300 C時(shí)時(shí) 1 ( cm)-14.5 位錯(cuò)位錯(cuò)一、金屬的范性形變一、金屬的范性形變F雙原子鏈剛性滑移模型雙原子鏈剛性滑移模型dx xd 1切變角：切變角：xGGd切應(yīng)力：切應(yīng)力：G：切變模量：切變模量 c理論理論：103 104 kg/cm2問題：當(dāng)問題：當(dāng) x 為多大時(shí)，會發(fā)生范性形變？為多大時(shí)，會發(fā)生范性形變？初略估算：初略估算：x d ， 為一分?jǐn)?shù)為一分?jǐn)?shù)金屬臨界切應(yīng)力的實(shí)驗(yàn)值金屬臨界切應(yīng)力的實(shí)驗(yàn)值 c實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn) 1 kg/cm2 ，比理論值低比理論值低 3 4個(gè)數(shù)量級。個(gè)數(shù)量級。一般金屬：一般金屬：G 105 kg/cm2精細(xì)的理論計(jì)算：精細(xì)

20、的理論計(jì)算：130金屬滑移機(jī)制的假說：金屬滑移機(jī)制的假說： 滑移不是在整個(gè)晶面同時(shí)發(fā)生的，而是先在某個(gè)局滑移不是在整個(gè)晶面同時(shí)發(fā)生的，而是先在某個(gè)局部區(qū)域發(fā)生滑移，然后滑移區(qū)域逐漸擴(kuò)大，直至整個(gè)晶部區(qū)域發(fā)生滑移，然后滑移區(qū)域逐漸擴(kuò)大，直至整個(gè)晶面出現(xiàn)宏觀滑移。面出現(xiàn)宏觀滑移。 滑移過程是滑移區(qū)不斷擴(kuò)大的過程，而位錯(cuò)線正是滑移過程是滑移區(qū)不斷擴(kuò)大的過程，而位錯(cuò)線正是滑移區(qū)的邊界線，所以，滑移過程就表現(xiàn)為位錯(cuò)在滑移滑移區(qū)的邊界線，所以，滑移過程就表現(xiàn)為位錯(cuò)在滑移面上的運(yùn)動過程。面上的運(yùn)動過程。 由于位錯(cuò)本身是動力學(xué)的非穩(wěn)定平衡，因此，在外由于位錯(cuò)本身是動力學(xué)的非穩(wěn)定平衡，因此，在外力的作用下非常容

21、易發(fā)生運(yùn)動。力的作用下非常容易發(fā)生運(yùn)動。 理論計(jì)算表明，使位錯(cuò)滑移所需的臨界切應(yīng)力約為理論計(jì)算表明，使位錯(cuò)滑移所需的臨界切應(yīng)力約為10 kg/cm2的數(shù)量級，相當(dāng)接近于金屬臨界切應(yīng)力的實(shí)驗(yàn)的數(shù)量級，相當(dāng)接近于金屬臨界切應(yīng)力的實(shí)驗(yàn)值。值。 幾乎所有晶體中都存在位錯(cuò)幾乎所有晶體中都存在位錯(cuò)，正是由于這些位錯(cuò)的，正是由于這些位錯(cuò)的運(yùn)動導(dǎo)致金屬在很低的外加切應(yīng)力的作用下就出現(xiàn)滑移。運(yùn)動導(dǎo)致金屬在很低的外加切應(yīng)力的作用下就出現(xiàn)滑移。因此，因此，晶體中位錯(cuò)的存在是造成金屬強(qiáng)度大大低于理論晶體中位錯(cuò)的存在是造成金屬強(qiáng)度大大低于理論值的最主要原因。值的最主要原因。一根直徑為一根直徑為100 nm的的Ni單單晶

22、須，可以彎曲成直徑為晶須，可以彎曲成直徑為幾十幾十 m的環(huán)狀。的環(huán)狀。30 m不含位錯(cuò)的金屬晶須的確具有相當(dāng)接近于理論值的強(qiáng)度。不含位錯(cuò)的金屬晶須的確具有相當(dāng)接近于理論值的強(qiáng)度。二、位錯(cuò)二、位錯(cuò)1. 位錯(cuò)的定義位錯(cuò)的定義v 刃位錯(cuò)：正位錯(cuò)（刃位錯(cuò)：正位錯(cuò)（ ）和負(fù)位錯(cuò)（）和負(fù)位錯(cuò)（） （相對）（相對）Burgers回路回路b參考回路參考回路v 螺位錯(cuò)：左旋螺位錯(cuò)和右旋螺位錯(cuò)螺位錯(cuò)：左旋螺位錯(cuò)和右旋螺位錯(cuò) （絕對）（絕對） ：Burgers矢量矢量bBurgers矢量集中反映了位錯(cuò)的特征，并可將位錯(cuò)和其矢量集中反映了位錯(cuò)的特征，并可將位錯(cuò)和其他線缺陷有效地區(qū)分開來他線缺陷有效地區(qū)分開來Burge

23、rs矢量實(shí)際上就是推移矢量矢量實(shí)際上就是推移矢量位錯(cuò)的定義：位錯(cuò)的定義：Burgers矢量不為零（矢量不為零（ ）的線缺陷）的線缺陷0b刃位錯(cuò)：刃位錯(cuò)： 垂直于位錯(cuò)線垂直于位錯(cuò)線螺位錯(cuò)：螺位錯(cuò)： 平行于位錯(cuò)線平行于位錯(cuò)線bb2. 位錯(cuò)的滑移位錯(cuò)的滑移位錯(cuò)的滑移：在外加切應(yīng)力的作用下，位錯(cuò)線在滑移面位錯(cuò)的滑移：在外加切應(yīng)力的作用下，位錯(cuò)線在滑移面 內(nèi)的運(yùn)動內(nèi)的運(yùn)動滑移面：滑移面：Burgers矢量與位錯(cuò)線所確定的平面矢量與位錯(cuò)線所確定的平面外加切應(yīng)力的剪切面外加切應(yīng)力的剪切面位錯(cuò)滑移的條件：滑移面必須是外加切應(yīng)力的剪切面位錯(cuò)滑移的條件：滑移面必須是外加切應(yīng)力的剪切面b bb 對于刃位錯(cuò)對于刃位錯(cuò)，滑移面唯一滑移面唯一確定，確定，因此，要使刃位錯(cuò)滑移，因此，要使刃位錯(cuò)滑移，外加切應(yīng)力外加切應(yīng)力 必須垂直于位錯(cuò)必須垂直于位錯(cuò)線。線。 對于螺位錯(cuò)，對于螺位錯(cuò)， 其滑移面其滑移面不唯一確定，而與外加切應(yīng)不唯一確定，而與外加切應(yīng)力有關(guān)。力有關(guān)。使螺位錯(cuò)滑移，外使螺位錯(cuò)滑移，外加切應(yīng)力則平行于位錯(cuò)線。加切應(yīng)力則平行于位錯(cuò)線。 位錯(cuò)的攀移：刃位錯(cuò)垂直于滑移面