電磁場與電磁波試題整理

1、.電磁場與電磁波自測試題1. 介電常數(shù)為vv的均勻線性介質(zhì)中，電荷的分布為(rv) ，則空間任一點 gE_, gD。2. / ；1. 線電流 I 1 與 I 2 垂直穿過紙面，如圖所示。已知 I 11A ，試問v_ _；I 2H .dl?1llvI1 ?若0， 則l1H dlI 2_。?.l2. 1； 1A1. 鏡像法是用等效的代替原來場問題的邊界，該方法的理論依據(jù)是 _。2.鏡像電荷；唯一性定理1.在導(dǎo)電媒質(zhì)中， 電磁波的相速隨頻率改變的現(xiàn)象稱為， 這樣的媒質(zhì)又稱為 _ 。2.色散； 色散媒質(zhì)1.已知自由空間一均勻平面波，vvcos( tx) ， 則電場強度的方向為其磁場強度為 He H0y

2、_， 能流密度的方向為。v v2. ez ； ex1. 傳輸線的工作狀態(tài)有 _ _、_ _、三種，其中_ _狀態(tài)不傳遞電磁能量。2. 行波； 駐波； 混合波；駐波1. 真空中有一邊長為 的正六角 形，六個頂點都放有點電荷。則在圖示兩種情形 下，在六角形中心點處的場強大小為圖中；圖中。2. ；1.平行板空氣電容器中，電位( 其中、 、c與d為常數(shù)) ， 則電場強度a b，電荷體密度。2.；.1. 在靜電場中，位于原點處的電荷場中的電場強度線是一族以原點為中心的 _線， 等位線為一族。2. 射；同心圓1. 損耗媒質(zhì)中的平面波 ,其傳播系數(shù)可表示為_ 的復(fù)數(shù)形式，其中表 示衰減的為。2. j ；1.

3、 在無損耗傳輸線上， 任一點的輸入功率都 _，并且等于_ 所得到的 功率。2. 相同；負載1. 在靜電場中，線性介質(zhì)是指介質(zhì)的參數(shù)不隨 _而改變， 各向 同性的線性介質(zhì)是指介質(zhì)的特性不隨_ 而變化的線性介質(zhì)。2. 場量的量值變化；場的方向變化1. 對于只有個帶電導(dǎo)體的靜電場系統(tǒng)， 取其中的一個導(dǎo)體為參考點，其靜電能量可表示成， 這里號導(dǎo)體上的電位是指的電荷在號導(dǎo)體上引起的電位， 因此計算的結(jié)果表示的是靜電場的 _能量的總和。2. 所有帶電導(dǎo)體；自有和互有1. 請用國際單位制填寫下列物理量的單位 磁場力，磁導(dǎo)率。2. N； H/m1.分離變量法在解三維偏微分方程時， 其第一步是令， 代入方程后將

4、得到_ 個方 程。2.； , 常微分。1.用差分法時求解以位函數(shù)為待求量的邊值問題 ,用 _階有限差分近似表示處的， 設(shè)， 則正確的差分格式是。2.一；1.在電導(dǎo)率103 s / m 、介電常數(shù)的導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場強度， 則在時刻， 媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度_、位移電流密度_.2. 1.41 10 2 A / m2 ；1.終端開路的無損耗傳輸線上，距離終端處為電流波的波腹；距離終端處為電流波的波節(jié)。2.；1.鏡像法的理論根據(jù)是。 鏡像法的基本思想是用集中 的鏡像電荷代替_的分布。2. 場的唯一性定理 ；未知電荷1. 請采用國際單位制填寫下列物理量的單位 電感_,磁通。2. H；Wb1. 靜態(tài)場中

5、第一類邊值問題是已知整個邊界上，其數(shù)學(xué)表達式 為。2. 位函數(shù)的值；1. 坡印廷矢量， 它的方向表示 _的傳輸方向， 它的大 小 表示單位時間通過與能流方向相垂直的電磁能量。2. 電磁能量；單位面積的1. 損耗媒質(zhì)中其電場強度振幅和磁場強度振幅以 _，因子隨增大而_。2. ；減小1. 所謂均勻平面波是指等相位面為 _，且在等相位面上各點的場強 _的電磁波。2. 平面；相等1.設(shè)媒質(zhì) 1 介電常數(shù)）與媒質(zhì) 2 （介電常數(shù)為）分界面上存在自由電荷面密度， 試用電位函數(shù)寫出其分界面上的邊界條件 _和。2.；1.圖示填有兩層介質(zhì)的平行板電容器， 設(shè)兩極板上半部分的面積 為， 下半部分的面積為， 板間距

6、離為， 兩層介質(zhì)的介電常數(shù)分別為與。 介質(zhì)分界面垂直于兩極板。 若忽略端部的邊緣效應(yīng)， 則此平行板電容器的電容應(yīng)為。2.1. 用以處理不同的物理場的類比法， 是指當(dāng)描述場的數(shù)學(xué)方式具有相似的 _和相似的，.則它們的解答在形式上必完全相似， 因而在理論計算時， 可以把某一種場的分析計算結(jié)果 ,推廣到另一種場中去。2. 微分方程 ；邊界條件1.電荷分布在有限區(qū)域的無界靜電場問題中， 對場域無窮遠處的邊界條件可表示為， 即位函數(shù)在無限遠處的取值為 _。2.有限值 ；1.損耗媒質(zhì)中的平面波， 其電場強度， 其中稱為，稱為_。2. 衰減系數(shù) ；相位系數(shù)1. 在自由空間中， 均勻平面波等相位面的傳播速度等

7、于 _， 電磁波能量傳播速度等于 _ 。2. 光速 ；光速1. 均勻平面波的電場和磁場除了與時間有關(guān)外， 對于空間的坐標， 僅與_的坐標有關(guān)。 均勻平面波的等相位面和_方向垂直。2. 傳播方向 ；傳播1. 在無限大真空中，一個點電荷所受其余多個點電荷對它的作用力，可根據(jù) _定律和_ 原理求得。2. 庫侖；疊加1. 真空中一半徑為 a 的圓球形空間內(nèi)，分布有體密度為 的均勻電荷，則圓球內(nèi)任一點的電場強度vv (ra)；圓球外任一點的電場強度vv(ra) 。12ererE_E_2.r / 3 0 ； a2 / 3 0 r 2 ；1.鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的個數(shù)、 _和。2. 位置；大小1.一

8、均勻平面波由空氣垂直入射到良導(dǎo)體表面，則其場量衰減為表面值的1/ e 時的傳播距離稱為該導(dǎo)體的_, 其值等于 _，( 設(shè)傳播系數(shù)j ) 。2.透入深度 ( 趨膚深度 )；1/1.電磁波發(fā)生全反射的條件是，波從，且入射角應(yīng)不小于_。2. 光密媒質(zhì)進入光疏媒質(zhì)； 臨界角1. 若媒質(zhì) 1 為完純介質(zhì)，媒質(zhì) 2 為理想導(dǎo)體。一平面波由媒質(zhì) 1 入射至媒質(zhì) 2，在分界面上，電場強度的反射波分量和入射波分量的量值 _；相位_，( 填相等或相反)。2. 相等；相反1. 設(shè)空氣中傳播的均勻平面波，其磁場為，則該平面波的傳播.方向為，該波的頻率為。2.v106Hzey ； 51.已知銅的電導(dǎo)率，相對磁導(dǎo)率，相對

9、介質(zhì)電常數(shù)，對于頻率為的電磁波在銅中的透入深度為 _，若頻率提高，則透入深度將變 _。2.66 m ；小1.一右旋圓極化波，電場振幅為，角頻率為，相位系數(shù)為，沿傳播，則其電場強度的瞬時表示為，磁場強度的瞬時表示為。2.vvvvE0cos( tvE0sin( tvE Ecos( tz)eE sin( tz)e； Hz)eyz) e0x0yZZx1.設(shè)一空氣中傳播的均勻平面波，已知其電場強度為，則該平面波的磁場強度_；波長為_。2.v 18z) ；1mexE0 cos(6 10 21201.在電導(dǎo)率、介電常數(shù)的導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場強度，則在時刻，媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度_、位移電流密度_2.1.414

10、10 2 A / m2 ； 2.3610 7 A / m21.在分別位于和處的兩塊無限大的理想導(dǎo)體平板之間的空氣中，時變電磁場的磁場強度則兩導(dǎo)體表面上的電流密度分別為_和。2.ez cos( tz) ；ez cos( tz)1.麥克斯韋方程組中的和表明不僅 _ 要產(chǎn)生電場，而且隨時間變化的_也要產(chǎn)生電場。2.電荷；磁場1.時變電磁場中，根據(jù)方程，可定義矢量位 使，再根據(jù)方程，.可定義標量位，使vvv2.0BB；Egt1.無源真空中，時變電磁場的磁場強度滿足的波動方程為；正弦電磁場 ( 角頻率為) 的磁場強度復(fù)矢量 ( 即相量)滿足的亥姆霍茲方程為。2 vv2 vv2.2 H0；2H0 0t 2

11、H00H01.在介電常數(shù)為，磁導(dǎo)率為、電導(dǎo)率為零的無損耗均勻媒質(zhì)中，已知位移電流密度復(fù)矢量( 即相量)，那么媒質(zhì)中電場強度復(fù)矢量 ( 即相量)_；磁場強度復(fù)矢量(即相量)。2.2j z；jzex je V / mey j2eA / m01.在電導(dǎo)率和介電常數(shù)的均勻媒質(zhì)中，已知電磁場的電場強度，則當(dāng)頻率_且時間，媒質(zhì)中位移電流密度的大小與傳導(dǎo)電流密度的大小相等。 ( 注:)2.7.2 1010 Hz ；10 9(n1), n 0,1,2.7281.半徑為的圓形線圈放在磁感應(yīng)強度的磁場中，且與線圈平面垂直，則線圈上的感應(yīng)電動勢，感應(yīng)電場的方向為。2 v2. 2 (3t 1)a ； e1. 真空中，

12、正弦電磁場的電場強度和磁場強度分別為那么，坡印廷矢量。.平均坡印廷矢量。.2.v 102sin( z)sin(2t) ； 0eEz 4001.兩個載流線圈的自感分別為和，互感為，分別通有電流和，則該系統(tǒng)的自有能為，互有能為。2.1 L1I121 L2I22 ； MI1I2221.在恒定磁場中，若令磁矢位的散度等于零，則可以得到所滿足的微分方程。 但 若的散度不為零，還能得到同樣的微分方程嗎？。v v2. 2AJ；不能1.在平行平面場中，線與等線相互_ _ ( 填寫垂直、重合或有一定的夾角 )1.恒定磁場中不同媒質(zhì)分界面處，與滿足的邊界條件是,或,。2.H 1t H 2t Js ； B1n B2

13、 nvvvvv vv0 ；0 ； n( H 1H 2 )Js ； ng( B1B2 )7、 試題關(guān)鍵字鏡像法1. 圖示點電荷 Q 與無限大接地導(dǎo)體平板的靜電場問題中，為了應(yīng)用鏡像法求解區(qū)域A 中的電場，基于唯一性定理，在確定鏡像法求解時，是根據(jù)邊界條件（用電位表示）和。2.AB0 ；0An1.鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的大小、和。2. 位置； 個數(shù)1. 根據(jù)場的唯一性定理在靜態(tài)場的邊值問題中，只要滿足給定的_ 條件，則泊松方程或拉普拉斯方程的解是。2. 邊界；唯一的1.以位函數(shù)為待求量的邊值問題中，設(shè)為邊界點的點函數(shù)，則所謂第一類邊值問題是指給定。.2.f (s) ；1.分離變量法用于求解拉

14、普拉斯方程時，具體步驟是 1、先假定待求的 _由_的乘積所組成。2、把假定的函數(shù)代入，使原來的_方程轉(zhuǎn)換為兩個或三個常微分方程。解這些方程，并利用給定的邊界條件決定其中待定常數(shù)和函數(shù)后，最終即可解得待求的位函數(shù)。2. 位函數(shù)；兩個或三個各自僅含有一個坐標變量的；拉氏方程；偏微分；1. 靜態(tài)場中第一類邊值問題是已知整個邊界上_，其數(shù)學(xué)表達式為。2.位函數(shù)的值；( )sf s1.以位函數(shù)為待求量的邊值問題中，設(shè)為邊界點的點函數(shù)，則所謂第二類邊值問題是指給定式。2. f (s)n1. 鏡像法的理論根據(jù)是_。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替_的分布。2. 場的唯一性定理；求知電荷1. 電源以外恒

15、定電流場基本方程的積分形式是，它說明恒定電流場的傳導(dǎo)電流是。vvvv蜒dl0,JdS02.E；連續(xù)的1.電通密度（電位移）矢量的定義式為；若在各向同性的線性電介質(zhì)中，則電通密度與電場強度的關(guān)系又可表示為。vvv2.0 EP ；E1.介電常數(shù)的電導(dǎo)率分別為及的兩種導(dǎo)電媒質(zhì)的交界面，如已知媒質(zhì)2 中電流密度的法向分量，則分界面上的電荷面密度，要電荷面密度為零，必須滿足條件。2.J2n1 221 ；1212121. 寫出下列兩種情況下，介電常數(shù)為 的均勻無界媒質(zhì)中電場強度的量值隨距離的變化規(guī)律（1）帶電金屬球（帶電荷量為 Q）；（2）無限長線電荷（電荷線密度為）。2.Q / 4 0r 2 ； / 2

16、 r1.真空中一半徑為 a 的球殼，均勻分布電荷 Q，殼內(nèi)任一點的電場強度_；殼外任一點的電場強度_。2.0； Q/40r 2.1. 電偶極子是指_，寫出表征其特征的物理量電偶極矩的數(shù)學(xué)表達式。v v2. 兩個相距一定距離的等量異號的電荷； p qlr1. 矢量場中 A 圍繞某一點 P 作一閉合曲面 S，則矢量 A穿過閉合曲面 S 的通量為； 若> 0，則流出 S 面的通量流入的通量， 即通量由 S面內(nèi)向外，說明 S 面內(nèi)有。2.rrA ds ；大于； 擴散；正源òs1.矢量場的散度在直角坐標下的表示形式為，它的結(jié)果為一場。2.rAxAyAz ；A標量xyz1.散度定理的表達式

17、為；斯托克斯定理的表達式為。2.rrr；r r(r)rAdsA dv?A dlAdsòsvLs1.標量場的梯度是一場，表示某一點處標量場的。2. 矢量； 變化率1. 研究一個矢量場，必須研究它的和，才能確定該矢量場的性質(zhì)，這即是。2. 散度；旋度； 亥姆霍茲定理1. 標量場的梯度的方向為；數(shù)值為。2. 指向標量增加率最大的方向或是等值面的法線方向；該方向上標量的增加率1. 圖示填有兩層介質(zhì)的平行板電容器，設(shè)兩極板上半部分的面積 為 ，下半部分的面積為，板間距離為，兩層介質(zhì)的介電常數(shù)分別為與。介質(zhì)分界面垂直于兩極板。若忽略端部的邊緣效應(yīng)，則此平行板電容器的電容應(yīng)為。2.1. 用以處理不

18、同的物理場的類比法，是指當(dāng)描述場的數(shù)學(xué)方式具有相似的_和相似的 ， 則它們的解答在形式上必完全相似，因而在理論計算時，可以把某一種場的分析計算結(jié)果 , 推廣到另一種場中去。2. 微分方程 ；邊界條件.1.電荷分布在有限區(qū)域的無界靜電場問題中，對場域無窮遠處的邊界條件可表示為， 即位函數(shù)在無限遠處的取值為。2.有限值 ；1. 損耗媒質(zhì)中的平面波， 其電場強度， 其中稱為，稱為。2. 衰減系數(shù) ；相位系數(shù)1.在自由空間中， 均勻平面波等相位面的傳播速度等于， 電磁波能量傳播速度等于_。2.光速 ；光速1. 均勻平面波的電場和磁場除了與時間有關(guān)外，對于空間的坐標，僅與_的坐標有關(guān)。 均勻平面波的等相

19、位面和方向垂直。2. 傳播方向 ；傳播1. 在無限大真空中，一個點電荷所受其余多個點電荷對它的作用力，可根據(jù)_定律和_原理求得。2. 庫侖；疊加1. 真空中一半徑為 a 的圓球形空間內(nèi)，分布有體密度為 的均勻電荷，則圓球內(nèi)任一點的電場強vv ()vv ()度；圓球外任一點的電場強度。E1_r aer r aerE22.r / 3 0 ； a2 / 30 r 2 ；1. 鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的個數(shù)、和。2. 位置；大小1. 一均勻平面波由空氣垂直入射到良導(dǎo)體表面，則其場量衰減為表面值的1/ e 時的傳播距離稱為該導(dǎo)體的_,其值等于_，( 設(shè)傳播系數(shù)j) 。.2. 透入深度 ( 趨膚深度

20、)；1/1. 在傳播方向上有磁場分量，但沒有電場分量，這種模式的電磁波稱為_波，簡稱為_波。2. 橫電 ；TE1.求解矩形波導(dǎo)中電磁波的各分量，是以方程和波導(dǎo)壁理想導(dǎo)體表面上_所滿足的邊界條件為理論依據(jù)的。2.麥克斯韋（或波動、亥姆霍茲）；電場或磁場1. 波導(dǎo)中，波的波阻抗_；TE波的波阻抗。TM2. ； jj1.矩形波導(dǎo)中，波的分量應(yīng)滿足的邊界條件為在和處; 在和處。2.H Z0 ；H Z0yx xy 00y bxa1.矩形波導(dǎo)可以工作在多模狀態(tài)，也可以工作在單模狀態(tài)，而單模的傳輸模式通常是模，這時要求波導(dǎo)尺寸a、b 滿足關(guān)系。2.TE10 ； a2a, b1.矩形波導(dǎo)的尺寸為，填充空氣，工

21、作模式為模，設(shè)頻率為 ，此時的波阻抗的定義為。計算公式為。2.橫向電場與橫向磁場之比 Ex； ZTE10120H y1C0)2(2af.1.在矩形波導(dǎo)中，若，則波導(dǎo)中的主模是；若，則波導(dǎo)中的主模是_。2.TE10 和 TE01 ；TE101. 電磁波發(fā)生全反射的條件是，波從，且入射角應(yīng)不小于。2. 光密媒質(zhì)進入光疏媒質(zhì)；臨界角1. 若媒質(zhì) 1 為完純介質(zhì)，媒質(zhì) 2 為理想導(dǎo)體。一平面波由媒質(zhì) 1 入射至媒質(zhì) 2，在分界面上，電場強度的反射波分量和入射波分量的量值；相位_，( 填相等或相反)。2. 相等；相反1. 已知兩種介質(zhì)的介電常數(shù)分別為 、，磁導(dǎo)率為，當(dāng)電磁波垂直入射至該兩介質(zhì)分界面時，反

22、射系數(shù)，透射系數(shù)。12.12211 ；2121112111.設(shè)空氣中傳播的均勻平面波，其磁場為，則該平面波的傳播方向為，該波的頻率為。2.v106Hzey ； 51.已知銅的電導(dǎo)率，相對磁導(dǎo)率，相對介質(zhì)電常數(shù)，對于頻率為的電磁波在銅中的透入深度為，若頻率提高，則透入深度將變。2.66 m ；小1.一右旋圓極化波，電場振幅為 ，角頻率為，相位系數(shù)為 ，沿傳播，則其電場強度的瞬時表示為，磁場強度的瞬時表示為。2.vvE0 sin( tvvE0vE0vE E0 cos( tz)exz)ey； HZcos( tz)eyZsin( tz)ex.1.設(shè)一空氣中傳播的均勻平面波，已知其電場強度為，則該平面波

23、的磁場強度；波長為_。2.v 18；1mex 120E0 cos(610 2 z)1. 在電導(dǎo)率、介電常數(shù)的導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場強度，則在時刻，媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度、位移電流密度_2. 1.41410 2 A / m2 ； 2.3610 7 A / m21.在分別位于和處的兩塊無限大的理想導(dǎo)體平板之間的空氣中，時變電磁場的磁場強度則兩導(dǎo)體表面上的電流密度分別為和。2.ez cos( tz) ；ez cos( tz)1. 麥克斯韋方程組中的和表明不僅_要產(chǎn)生電場，而且隨時間變化的也要產(chǎn)生電場。2. 電荷；磁場1. 時變電磁場中，根據(jù)方程，可定義矢量位使，再根據(jù)方程，可定義標量位 ，使vvv2.0

24、BB；Egt.1.無源真空中，時變電磁場的磁場強度滿足的波動方程為；正弦電磁場 ( 角頻率為) 的磁場強度復(fù)矢量 (即相量)滿足的亥姆霍茲方程為。2 vv2 vv2.2 H0 ；2H0 0t2H00H01. 如圖所示，導(dǎo)體桿在磁感應(yīng)強度的均勻磁場中，以速度向右平移。設(shè)時導(dǎo)體桿與重合，則在 t/時刻，導(dǎo)體桿上的感應(yīng)電動勢，方向由_。2.B0vL ； ab1. 在介電常數(shù)為 ，磁導(dǎo)率為 、電導(dǎo)率為零的無損耗均勻媒質(zhì)中，已知位移電流密度復(fù)矢量 ( 即相量)，那么媒質(zhì)中電場強度復(fù)矢量( 即相量)；磁場強度復(fù)矢量( 即相量)。2.2j z；j zex je V / mey j2e A / m01.在電導(dǎo)

25、率和介電常數(shù)的均勻媒質(zhì)中，已知電磁場的電場強度，則當(dāng)頻率且時間，媒質(zhì)中位移電流密度的大小與傳導(dǎo)電流密度的大小相等。( 注:)2.10Hz ；10 9(n17.2 1072), n 0,1,2.81. 半徑為的圓形線圈放在磁感應(yīng)強度的磁場中，且與線圈平面垂直，則線圈上的感應(yīng)電動勢，感應(yīng)電場的方向為。.2 v2. 2 (3t 1)a ； e1. 真空中，正弦電磁場的電場強度和磁場強度分別為那么，坡印廷矢量。 .平均坡印廷矢量。 .2.v 102sin(z)sin(2 t )； 0ez 40E01.長直導(dǎo)線通有電流 ，其周圍的等( 磁位) 線的是一系列,在處放上一塊薄( 厚度 0) 的鐵板( 板與導(dǎo)

26、線不連) 對原磁場沒有影響。2. 以電流軸線為中心的射線 ；等磁位面1. 試用法拉弟觀點分析以下受力情況長直螺線管空腔軸線處放一圓形載流小線圈，線圈平面與螺線管軸線垂直。當(dāng)小線圈放在位置(1 ，2) 時受到的軸向力最大，方向。v2.2；ez1. 兩個載流線圈的自感分別為 和 ，互感為，分別通有電流和，則該系統(tǒng)的自有能為，互有能為。2.1 L1I 121 L2I22 ； MI 1I2221.在均勻磁場中有一鐵柱，柱中有一氣隙，對于圖, 氣隙與平行則 _； _._。對于圖 b ,氣隙與垂直，則_；_ _（以上空格內(nèi)填上大于或小于或等于)2. 大于；等于； 等于；小于1.在恒定磁場中，若令磁矢位的散

27、度等于零，則可以得到所滿足的微分方程。但若的散度不為零，還能得到同樣的微分方程嗎？。2.vv不能2 AJ ；1. 在平行平面場中， 線與等 線相互_ _ ( 填寫垂直、重合或有一定的夾角)2. 垂直1. 導(dǎo)磁媒質(zhì)被磁化，除等效為磁化電流對外的效應(yīng)外，也可等效為磁荷對外的效應(yīng)。當(dāng)已知磁介質(zhì)內(nèi)的磁化強度后，其束縛磁荷體密度為;束縛磁荷面密度為。2.mvv vM； mM ngg1. 下圖中圖的互感最大。2. b1.恒定磁場中不同媒質(zhì)分界面處，與滿足的邊界條件是,或,。2.H 1t H 2 t J s ； B1n B2nvvvv vvv0 ； n ( H 1H 2 )Js ； ng( B1B2) 0；

28、.7、 試題關(guān)鍵字鏡像法1. 圖示點電荷 Q 與無限大接地導(dǎo)體平板的靜電場問題中，為了應(yīng)用鏡像法求解區(qū)域 A 中的電場，基于唯一性定理，在確定鏡像法求解時，是根據(jù)邊界條件（用電位表示）和。2.AB0；A0n1.鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的大小、和。2. 位置； 個數(shù)1. 根據(jù)場的唯一性定理在靜態(tài)場的邊值問題中，只要滿足給定的_ 條件，則泊松方程或拉普拉斯方程的解是。2. 邊界；唯一的1. 以位函數(shù)為待求量的邊值問題中，設(shè)為邊界點的點函數(shù)，則所謂第一類邊值問題是指給定。2.f ( s) ；1.分離變量法用于求解拉普拉斯方程時，具體步驟是 1、先假定待求的 _由_的乘積所組成。2、把假定的函數(shù)代

29、入，使原來的_方程轉(zhuǎn)換為兩個或三個常微分方程。解這些方程，并利用給定的邊界條件決定其中待定常數(shù)和函數(shù)后，最終即可解得待求的位函數(shù)。2. 位函數(shù)；兩個或三個各自僅含有一個坐標變量的；拉氏方程；偏微分；1. 靜態(tài)場中第一類邊值問題是已知整個邊界上_，其數(shù)學(xué)表達式為。2. 位函數(shù)的值； s f (s)1. 以位函數(shù)為待求量的邊值問題中，設(shè)為邊界點的點函數(shù)，則所謂第二類邊值問題是指給定式。2. f (s)n1. 鏡像法的理論根據(jù)是_。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替_的分布。.2. 場的唯一性定理；求知電荷1. 電介質(zhì)的極性分子在無外電場作用下，所有正、負電荷的作用中心不相重合，而形成電偶極子，

30、但由于電偶極矩方向不規(guī)則，電偶極矩的矢量和為零。在外電場作用下，極性分子的電矩發(fā)生_，使電偶極矩的矢量和不再為零，而產(chǎn)生_。2. 轉(zhuǎn)向；極化1. 圖示一長直圓柱形電容器， 內(nèi)、外圓柱導(dǎo)體間充滿介電常數(shù)為的電介質(zhì)，當(dāng)內(nèi)圓柱導(dǎo)體充電到電壓 后，拆去電壓源，然后將 介質(zhì)換成的介質(zhì)，則電容器單位長度的電容將增加倍。而兩導(dǎo)體間的電場強度將是原來電場強度的倍。2.r ； 1r1.電源以外恒定電流場基本方程的積分形式是，它說明恒定電流場的傳導(dǎo)電流是vv。vv2.0,0 ；連續(xù)的EdlJ dS蜒1.電通密度（電位移）矢量的定義式為；若在各向同性的線性電介質(zhì)中，則電通密度與電場強度的關(guān)系又可表示為。2.vvv0

31、EP ；E1.介電常數(shù)的電導(dǎo)率分別為及的兩種導(dǎo)電媒質(zhì)的交界面，如已知媒質(zhì)2 中電流密度的法向分量，則分界面上的電荷面密度，要電荷面密度為零，必須滿足條件。2.J2n1 221 ；1212121. 寫出下列兩種情況下，介電常數(shù)為 的均勻無界媒質(zhì)中電場強度的量值隨距離的變化規(guī)律（1）帶電金屬球（帶電荷量為Q）；（ ）無限長線電荷（電荷線密度為 ）。22.Q / 4 0r 2 ； / 2 r1.真空中一半徑為a 的球殼，均勻分布電荷 ，殼內(nèi)任一點的電場強度_；Q殼外任一點的電場強度_。.2.0 ；Q / 40 r 21. 將一個由一對等量異號電荷構(gòu)成的電偶極子放在非勻強電場中，不僅受一個_作用，發(fā)生

32、轉(zhuǎn)動，還要受力的作用，使 _ _ 發(fā)生平動，移向電場強的方向。2. 力矩；電偶極子中心1. 電偶極子是指_，寫出表征其特征的物理量電偶極矩的數(shù)學(xué)表達式。v v2. 兩個相距一定距離的等量異號的電荷；p qdl1. 矢量場中r圍繞某一點 P作一閉合曲面 S，則矢量A穿過閉合曲面 的通量為； 若，AS> 0則流出 S 面的通量流入的通量， 即通量由 S 面內(nèi)向外，說明 S面內(nèi)有。r r2. òA ds ；大于； 擴散；正源s1.矢量場的散度在直角坐標下的表示形式為，它的結(jié)果為一場。2.rAxAyAz ；A標量xyz1.散度定理的表達式為；斯托克斯定理的表達式為。rrrrrrr2.&

33、#242;AdsA dv ； ?L A dl(A) dssvs1.標量場的梯度是一場，表示某一點處標量場的。2. 矢量； 變化率1.研究一個矢量場，必須研究它的和，才能確定該矢量場的性質(zhì)，這即是。2. 散度；旋度； 亥姆霍茲定理1. 標量場的梯度的方向為；數(shù)值為。2. 指向標量增加率最大的方向或是等值面的法線方向；該方向上標量的增加率1. 距離源 r 處 t 時刻的標量位是由時刻的電荷密度決定的，故把標量位 (r , t ) 稱為。2. t r , 滯后位 v.1. 描述天線的參數(shù)有、。2. 輻射場強、方向性、輻射功率、效率1. 對于是磁偶極子與開槽天線的輻射場，可以利用和電磁學(xué)上的原理來求解 。2. 電磁對偶；巴俾涅1. 如圖所示兩個載流線圈，所受的電流力使兩線圈間的距離（）擴大；縮小；不變2. B1. 真空中兩個點電荷之間的作用力（）A. 若此兩個點電荷位置是固定的，則不受其他電荷的引入而改變B. 若此兩個點電荷位置是固定的，則受其他電