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文檔簡(jiǎn)介
1、第11章-使用DS18B2豳度傳感器測(cè)溫110第11章使用DS18B20溫度傳感器測(cè)溫11.1 概述現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)生活中,小到測(cè)量體溫的溫度計(jì),大到航天飛機(jī)的溫控系統(tǒng),處處都離不開(kāi)溫度測(cè)量。工業(yè)生產(chǎn)中的三大指標(biāo)(流量、壓力、溫度)之一就是溫度,溫度測(cè)量可以說(shuō)是無(wú)處不在,遍布了我們生活生產(chǎn)的方方面面。DS18B20溫度傳感器是美國(guó)DALLAS半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的數(shù)字化溫度傳感器,它與以往模擬量溫度傳感器不同,數(shù)字化是其一大特點(diǎn),它能將被測(cè)環(huán)境溫度直接轉(zhuǎn)化為數(shù)字量,并以串行數(shù)據(jù)流的形式傳輸給單片機(jī)等微處理器去處理。DS18B20溫度傳感器的另一個(gè)主要特點(diǎn)是它是單總線的,即它與單片機(jī)等微處理器連接時(shí),只需占用
2、一個(gè)I/O管腳,并且不再需要其它任何外部元器件,這大大簡(jiǎn)化了它與但單片機(jī)之間的接口電路。11.2 DS18B20溫度傳感器介紹目前,使用最普遍的DS18B20溫度傳感器是三腳TO-92直插式封裝這一種,這種封裝的DS18B20實(shí)物如圖11-1所示??梢钥吹剿w積很小,只有三只管腳,外形與一般的三極管極其相似。圖11-2是其三腳TO-92直插式封裝圖,37表11-1列出了DS18B20各個(gè)弓|腳的定義GNDI dqIVDD I如圖ii-iALIAS反胃弓1腳號(hào)引腳定義1GND接地端2DQ數(shù)據(jù)輸入輸出端3V DD電源端如圖11-2表11-1DS18B20引腳定義。1、DS18B20溫度傳感器特性簡(jiǎn)
3、介 獨(dú)特的單總線(一條線)接口,與微處理器;i信只需一個(gè)I/O管腳,且硬件連接無(wú)需其它外部元件; 測(cè)量結(jié)果直接輸出數(shù)字量,可直接與微處理器加信; 供電電壓范圍3.0V5.5V;在寄生電源方式下可有數(shù)據(jù)線供電; 測(cè)溫范圍-55C+125C;在-10C+85C范圍內(nèi),測(cè)量精度可達(dá)±0.5C; 可編程的912位測(cè)溫分辨率,對(duì)應(yīng)的可分辨溫度值分別為0.5C,0.25C,0.125C,0.0625C;12位分辨率時(shí)的溫度測(cè)量轉(zhuǎn)換最長(zhǎng)時(shí)間(上限)只有750ms; 每一片DS18B20都有自己獨(dú)一無(wú)二的芯片號(hào)碼;多片DS18B20可以并聯(lián)在一條數(shù)據(jù)總線上實(shí)現(xiàn)不同地點(diǎn)的多點(diǎn)組網(wǎng); 應(yīng)用范圍包括溫度調(diào)
4、控,工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)溫,消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品,溫度計(jì)及熱敏系統(tǒng)等。2、DS18B20溫度傳感器測(cè)溫工作原理DS18B20的核心功能就是測(cè)量被測(cè)環(huán)境溫度并直接轉(zhuǎn)換成為數(shù)字量。我們使用DS18B20測(cè)溫,就是要將DS18B20轉(zhuǎn)換成的數(shù)字量溫度值從DS18B20內(nèi)部讀出,送入單片機(jī)進(jìn)行處理,所以了解DS18B20內(nèi)部的存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和組成是必要的。另外,控制DS18B20測(cè)溫和讀取溫度值的指令也是必不可少的。以下就從這兩個(gè)方面逐個(gè)說(shuō)明。(DDS18B20內(nèi)部的存儲(chǔ)器籠統(tǒng)而言,可以說(shuō)DS18B20內(nèi)部的存儲(chǔ)器有三個(gè)。一個(gè)是64位光刻ROM;另一個(gè)是中間結(jié)果暫存RAM;第三個(gè)是E2RAM。64位光刻ROM前面已經(jīng)提及,
5、每一片DS18B20都有一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的號(hào)碼,用于唯一標(biāo)識(shí)當(dāng)前這片DS18B20。這個(gè)號(hào)碼是DS18B20的生產(chǎn)廠家DALLAS公司在生產(chǎn)該片DS18B20時(shí)固化在其內(nèi)部ROM中的,共有64位,所以稱(chēng)為64位光刻ROM號(hào)碼,其數(shù)據(jù)格式如圖11-3所示。8*B1TCRCCODE48-BITSERIALNLMBERR-BITFAMUYCOPK燃111MSBLSBMSBLSBMSBLSB圖11-364位光刻ROM數(shù)據(jù)格式這64位號(hào)碼由三部分組成,分別是64位號(hào)碼中的最低8位,64位號(hào)碼中的中間48位和64位號(hào)碼中的最高8位。其中,64位號(hào)碼中的最低8位對(duì)每一片DS18B20而言都相同,其值是0x28H
6、,稱(chēng)為家族代碼。這個(gè)值是專(zhuān)門(mén)分配給DS18B20家族的,用以區(qū)別不同的單總線設(shè)備家族。64位號(hào)碼中的中間48位是唯一標(biāo)識(shí)當(dāng)前這片DS18B20的產(chǎn)品序列號(hào)。任意兩片DS18B20的家族代碼都是0x28H,但它們的48位產(chǎn)品序列號(hào)絕對(duì)不相同,這48位一般稱(chēng)為48位序列號(hào)。64位號(hào)碼中的最高8位是從前面的56位(8位+48位=56位)計(jì)算出的CRC碼,這8位一般不大用,所以此處一筆帶過(guò),讀者可以不予理睬。中間結(jié)果暫存RAM中間結(jié)果暫存RAM共有8個(gè)字節(jié),其結(jié)構(gòu)如圖11-4所示圖11-4中間結(jié)果暫存RAM其中,字節(jié)地址0是所測(cè)溫度數(shù)值的低8位,字節(jié)地址1是所測(cè)溫度數(shù)值的高8位,字節(jié)地址2是設(shè)定溫度的
7、上限值,字節(jié)地址3是設(shè)定溫度的下限值,字節(jié)地址4是配置寄存器字節(jié)。字節(jié)地址5,6,7保留。這8個(gè)字節(jié)中,除字節(jié)地址0,1,4以外的5個(gè)字節(jié)幾乎不使用,所以可以忽略,重點(diǎn)掌握字節(jié)地址0,1,4就足夠了。字節(jié)地址0和字節(jié)地址1中存放的就是測(cè)量的溫度值,字節(jié)地址1中存放的是高8位,字節(jié)地址0中存放的是低8位。它們中的溫度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式如圖11-5所示。其中,高5位是符號(hào)位S若5個(gè)S全為0則表示溫度是正值,由于是正值,補(bǔ)碼與原碼相同,余下的11位按圖示各位的權(quán)重計(jì)算所得數(shù)值就是所測(cè)溫度值;若5個(gè)S全為1,則余下11位的補(bǔ)碼對(duì)應(yīng)的數(shù)值就是所測(cè)溫度值,這個(gè)溫度值自然是零度以下,是負(fù)值。在實(shí)際計(jì)算溫度值時(shí),在
8、得到11位數(shù)值原碼值以后,再乘以0.0625就得到所測(cè)的溫度值。這樣計(jì)算的原因是:可以將圖11-5中的小數(shù)點(diǎn)(在權(quán)重20和2-1之間)向右移動(dòng)4位,即整個(gè)數(shù)值擴(kuò)大了24=16倍,要使與原值相等,自然需要再除以16,即相當(dāng)于乘以0.0625。示。附帶說(shuō)明的是,一般選用出廠時(shí)設(shè)定的默認(rèn)測(cè)溫分辨率12位,不用改動(dòng)。0R1R011111MSbLSb圖11-6配置寄存器字節(jié)的數(shù)據(jù)格式表11-2R1和R0的四種組合與測(cè)溫分辨率的關(guān)系R1R0rhennoineterResolutiouMaxConversionTime009bit93.75ms(&nv/8)0110bit187.5ms1011bit
9、375ms(t/2)1112bit750ms;tgjw)e2ramE2RAM的結(jié)構(gòu)如圖11-7所示。可以看到,E2RAM是中間結(jié)果暫存RAM中字節(jié)地址位2,3,4的三個(gè)字節(jié)內(nèi)容的拷貝或者說(shuō)是備份,以備數(shù)據(jù)的完備性需要。這個(gè)存儲(chǔ)器一般不使用,故可以忽略不予考慮。圖11-7E2RAM的結(jié)構(gòu)綜上所述,在不改變測(cè)溫出廠分辨率(12位)的前提下,DS18B20內(nèi)部存儲(chǔ)器中,我們需關(guān)注的就只有64位光刻ROM和中間結(jié)果暫存RAM中用于存放溫度值的字節(jié)地址0和字節(jié)地址1ToDS18B20的指令DS18B20的指令可分為三大類(lèi),第一類(lèi)是與64位光刻ROM相關(guān)聯(lián)的一系列指令,第二類(lèi)是與中間結(jié)果暫存RAM相關(guān)聯(lián)的
10、溫度值讀取等一些相關(guān)指令,第三類(lèi)就是控制溫度轉(zhuǎn)換的控制類(lèi)指令。上面剛剛提到,在不改變測(cè)溫出廠分辨率(12位)的前提下,DS18B20內(nèi)部存儲(chǔ)器中,我們只需關(guān)注64位光刻ROM和中間結(jié)果暫存RAM中字節(jié)地址0和字節(jié)地址1中的溫度值??紤]到DS18B20的指令集中,部分指令極少使用,此處僅就常用的、關(guān)鍵指令做解釋說(shuō)明,其余指令請(qǐng)讀者查閱參考其它相關(guān)資料。與64位光刻ROM相關(guān)的指令讀64位光刻ROM號(hào)碼指令【0x33H】本條指令用于讀取唯一標(biāo)識(shí)當(dāng)前這片DS18B20的64位號(hào)碼,但要求總線上只能有一片DS18B20,否則會(huì)出現(xiàn)多片DS18B20沖突的問(wèn)題;匹配64位光刻ROM號(hào)碼指令【0x55H】
11、本條指令主要用在單總線上掛接多片DS18B20的情況下,此時(shí),執(zhí)行本指令0x55H后,緊跟其后的是一64位光刻ROM號(hào)碼(特別注意:在輸入64位光刻ROM號(hào)碼時(shí),低位在前),這一64位光刻ROM號(hào)碼將與單總線上每一片DS18B20的64位光刻ROM號(hào)碼進(jìn)行比對(duì),號(hào)碼匹配的那一片DS18B20將執(zhí)行后續(xù)的指令,例如轉(zhuǎn)換溫度、讀取溫度值等指令;而號(hào)碼不匹配的那些DS18B20將不執(zhí)行任何指令,繼續(xù)等待下去,直到總線復(fù)位后再等待下一次被匹配的機(jī)會(huì)。跳過(guò)64位光刻ROM號(hào)碼匹配指令0xCCH可以設(shè)想,如果總線上只有一片DS18B20掛接其上,執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換指令、讀取溫度值指令等只能是針對(duì)這一片DS18B
12、20而言。如果先讀取其64位光刻ROM號(hào)碼,再去匹配64位光刻ROM號(hào)碼,顯然是畫(huà)蛇添足,多此一舉,所以完全可以跳過(guò)64位光刻ROM號(hào)碼的匹配環(huán)節(jié),直接執(zhí)行轉(zhuǎn)換溫度、讀取溫度值等指令。需要說(shuō)明的是,不需要執(zhí)行匹配時(shí),不用執(zhí)行上一條0x55H指令,但必須執(zhí)行跳過(guò)指令,即執(zhí)行0xCCH指令完成跳過(guò)功能。搜索64位光刻ROM指令【0xF0H】當(dāng)總線上掛接多片DS18B20芯片時(shí),執(zhí)行本指令可以搜索當(dāng)前掛接在總線上的DS18B20芯片的個(gè)數(shù),并識(shí)別它們的64位光刻ROM號(hào)碼,便于后續(xù)方便操作各個(gè)DS18B20芯片。與中間結(jié)果暫存RAM相關(guān)的溫度數(shù)值讀取指令讀中間結(jié)果暫存RAM指令【0xBEH】單片機(jī)發(fā)
13、出并執(zhí)行讀中間結(jié)果暫存RAM指令0xBEH后,就可以從字節(jié)地址0開(kāi)始,每次讀取一個(gè)字節(jié),依次讀取中間結(jié)果暫存RAM的8個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù)。由于溫度值只保存在前面兩個(gè)字節(jié)中,所以實(shí)際讀取中只讀取兩個(gè)字節(jié)就可以了??刂茰囟绒D(zhuǎn)換指令啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換指令【0x44H】本指令是啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換指令,轉(zhuǎn)換結(jié)束后的溫度值被存入中間結(jié)果暫存RAM的字節(jié)地址0(低8位)和字節(jié)地址1(高8位)中。然后就可以從中讀取溫度值了。DS18B20的通信規(guī)則僅用一條線通信的DS18B20的系統(tǒng),在與微處理器通信時(shí),其數(shù)據(jù)的傳輸規(guī)則不同于一般芯片,其數(shù)據(jù)傳輸規(guī)則的特殊性表現(xiàn)在每次操作都要按部就班的執(zhí)行以下四個(gè)步驟:第一步初始化DS18B
14、20;第二步向DS18B20發(fā)送與64位光刻ROM相關(guān)的指令;第三步執(zhí)行與中間結(jié)果暫存RAM相關(guān)指令(包括控制溫度轉(zhuǎn)換指令);第四步是數(shù)據(jù)處理。以下針對(duì)主要的三個(gè)操作:讀取64位光刻ROM號(hào)碼操作,啟動(dòng)DS18B20溫度轉(zhuǎn)換操作,讀取溫度操作,細(xì)化上述四個(gè)步驟。讀取64位光刻ROM號(hào)碼操作第一步:初始化DS18B20;第二步:?jiǎn)纹瑱C(jī)向DS18B20發(fā)送讀64位光刻ROM號(hào)碼指令0x33H;第三步:由于讀取64位光刻ROM號(hào)碼操作不涉及中間結(jié)果暫存RAM,此步驟就什么都不做;第四步:?jiǎn)纹瑱C(jī)從單總線上一位接著一位地讀取,共64位,得到64位光刻ROM號(hào)碼(注意:低位在前)。啟動(dòng)DS18B20溫度轉(zhuǎn)
15、換操作第一步:初始化DS18B20;第二步:?jiǎn)纹瑱C(jī)向DS18B20發(fā)送跳過(guò)64位光刻ROM號(hào)碼匹配指令0xCCH(假設(shè)只有一片DS18B20掛接在總線上);第三步:?jiǎn)纹瑱C(jī)向DS18B20發(fā)送啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換指令0x44H;第四步:本操作只啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換,無(wú)數(shù)據(jù)處理,故本步驟什么都不做。讀取溫度操作第一步:初始化DS18B20;第二步:?jiǎn)纹瑱C(jī)向DS18B20發(fā)送跳過(guò)64位光刻ROM號(hào)碼匹配指令0xCCH(假設(shè)只有一片DS18B20掛接在總線上);第三步:?jiǎn)纹瑱C(jī)向DS18B20發(fā)送讀中間結(jié)果暫存RAM指令0xBEH;第四步:?jiǎn)纹瑱C(jī)從單總線上一位接著一位地讀取,連續(xù)讀取兩個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)(低字節(jié)在前,高位在前
16、),得到溫度值的低字節(jié)和高字節(jié)數(shù)據(jù)。此處還需要解釋說(shuō)明兩點(diǎn):1、DS18B20的操作時(shí)序很?chē)?yán)格,特別是延時(shí),要比較精確才行。所以以上每一步驟后都緊跟一段延時(shí),具體延時(shí)時(shí)間多長(zhǎng),后面的初始化、讀寫(xiě)操作等時(shí)序會(huì)給出詳細(xì)說(shuō)明。2、由于DS18B20是單總線的,只有一條線與單片機(jī)的一個(gè)I/O管腳相連接。初始化、指令數(shù)據(jù)、64位光刻ROM號(hào)碼、溫度值等等數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)中,有些是從單片機(jī)到DS18B20,有些是從DS18B20到單片機(jī),但都是(也只能)借助這一條總線在傳輸,所以數(shù)據(jù)是在單片機(jī)與DS18B20之間一位一位地串行傳輸?shù)摹S18B20的初始化、數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作時(shí)序前面已經(jīng)提及,由于DS18B20是
17、單總線的,所以其操作時(shí)序很?chē)?yán)格,特別是延時(shí),要比較精確才行。DS18B20的初始化DS18B20的初始化時(shí)序如圖11-8所示。MAQIFR 用E LEG三NDBui niMlr pmiino lowDSieOJOpLltos towResistor HJlUpMASTERkRFSFTPUL4905rninnimirn.HSIEH厘口7mnits1»BOiif._»1WIREBUSIGHQ-LINETVP圖11-8DS18B20的初始化時(shí)序DS18B20的初始化時(shí)序是:首先是單片機(jī)發(fā)送一低電平到單一數(shù)據(jù)總線上,將單總線拉低,拉低的時(shí)間至少是480is,但不能超過(guò)960以s。實(shí)
18、際中一般取7502左右;然后,單片機(jī)釋放單總線的控制權(quán),轉(zhuǎn)而準(zhǔn)備被動(dòng)地去接收DS18B20發(fā)送來(lái)的數(shù)據(jù)。此時(shí),焊接在單總線上5KQ的上拉電阻將單總線由低電平拉高到高電平,此電平從低到高的上升沿被DS18B20捕捉到以后,單總線轉(zhuǎn)而由DS18B20控制了;當(dāng)DS18B20控制了總線時(shí),在等待1560s以后,DS18B20將單總線再次拉低,作為向單片機(jī)做出的回應(yīng),表明自己(DS18B20)已經(jīng)就緒,準(zhǔn)備接收后續(xù)的指令等等。DS18B20將單總線拉低的時(shí)間至少是60以s,但不能超過(guò)240隨后,DS18B20釋放但總線,單總線上5KQ的上拉電阻再次將將單總線由低電平拉高到高電平。此時(shí)DS18B20的初
19、始化完成。具體到程序設(shè)計(jì)時(shí),可以簡(jiǎn)化初始化過(guò)程。實(shí)現(xiàn)如下:首先,單片機(jī)發(fā)送一低電平到單一數(shù)據(jù)總線上,將單總線拉低,拉低的時(shí)間750以s左右,這750從s=480(1s+40(1s+230從s,其中480s是單片機(jī)將總線拉低所需的最少時(shí)間,40從s是單片機(jī)釋放總線后DS18B20等待時(shí)間(大約),230以s是DS18B20的反饋回應(yīng)的低電平時(shí)間。這樣處理的目的是忽略DS18B20的反饋回應(yīng),改為延時(shí)處理,原因是單片機(jī)將總線拉低后,何時(shí)釋放總線不太好把握,自然不太好確定何時(shí)接收DS18B20的反饋回應(yīng)的低電平,采用延時(shí)以后,至于單片機(jī)何時(shí)釋放總線、DS18B20等待多長(zhǎng)時(shí)間、DS18B20發(fā)回應(yīng)低
20、電平多長(zhǎng)一段時(shí)間后又釋放總線,使總線又被上拉電阻拉高,這期間的細(xì)節(jié)可以不考慮。但這些過(guò)程結(jié)束后,單總線是高電平就行,所以進(jìn)入下一步驟:拉高總線。然后,單片機(jī)發(fā)送一高電平到單一數(shù)據(jù)總線上,將單總線拉高,拉高的時(shí)間500ns左右;單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)數(shù)據(jù)單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)一位數(shù)據(jù)的時(shí)序圖如圖11-9所示酊工五T。卜 4LU I1-W HF HUSGND-4MjfiiSTEfl WRITE 0" SLOTMASTER WRITE -V SLOTlUSClti. < 上DS18B23 SiiM叩lbs 15隔圖11-9單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)一位數(shù)據(jù)的時(shí)序"幡T O
21、f &LQTDST0B2C Sflmples單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)一位數(shù)據(jù)的時(shí)序:首先,單片機(jī)將單總線拉低(延時(shí)時(shí)間小于15(1s)然后,如果單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)的數(shù)是二進(jìn)制數(shù)0,則單片機(jī)繼續(xù)將單總線拉低,讓DS18B20采樣當(dāng)前單總線上的數(shù)據(jù)(低電平,即數(shù)據(jù)0),此總線拉低的延時(shí)時(shí)間最大45以s,因?yàn)閱纹瑱C(jī)向DS18B20寫(xiě)一位數(shù)據(jù)的時(shí)間必須在60Ns內(nèi)完成;如果單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)的數(shù)是二進(jìn)制數(shù)1,則單片機(jī)釋放總線,由外接上拉電阻將單總線拉高供DS18B20采樣當(dāng)前單總線上的數(shù)據(jù)(高電平,即數(shù)據(jù)1)。實(shí)際編程中將上拉電阻拉高總線更改為單片機(jī)將單總線拉高,都是高電平,無(wú)所謂
22、是誰(shuí)拉高的。同樣,此拉高的延時(shí)時(shí)間最大也是45以s,以此保證單片機(jī)向DS18B20寫(xiě)一位數(shù)據(jù)的時(shí)間必須在6011s內(nèi);最后,單片機(jī)再次將單總線拉高,準(zhǔn)備下一位數(shù)據(jù)寫(xiě)入DS18B20,一般在總線拉高后延時(shí)1011s左右。具體程序設(shè)計(jì)時(shí),實(shí)現(xiàn)如下: 單片機(jī)將單總線拉低,延時(shí)15“s; 如果寫(xiě)0:單片機(jī)將單總線拉低,延時(shí)60以s;如果寫(xiě)1:單片機(jī)將單總線拉高,延時(shí)40以s; 單片機(jī)將單總線拉高,延時(shí)10s;單片機(jī)從DS18B20讀數(shù)據(jù)單片機(jī)從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)的時(shí)序如圖11-10所示圖11-10單片機(jī)從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)的時(shí)序從圖11-10可以看到,單片機(jī)從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)時(shí)序比
23、較嚴(yán)格,留給單片機(jī)采樣窗口很窄,單片機(jī)從DS18B20讀取一位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的時(shí)間必須要控制在開(kāi)始讀以后的15卜s以?xún)?nèi)。具體分析如下:首先,單片機(jī)將單總線拉低,拉低后的延時(shí)時(shí)間極短,一般在1以s以?xún)?nèi);然后,單片機(jī)釋放單總線,由DS18B20將單總線拉低,或者由外接上拉電阻將單總線拉高,共單片機(jī)去采樣0或者1。需要強(qiáng)調(diào)的是:此時(shí)單總線被拉低或者拉高不是由單片機(jī)控制拉低或者拉高,單片機(jī)此時(shí)是讀取這些高低電平的。整個(gè)拉低或者拉高電平的持續(xù)時(shí)間只有15-2=13以s左右,單片機(jī)此時(shí)應(yīng)抓緊時(shí)間去讀取,否則電平就要發(fā)生變化。具體程序設(shè)計(jì)時(shí),實(shí)現(xiàn)如下:首先,單片機(jī)將單總線拉低,拉低后的延時(shí)時(shí)間極短,一般在1以s
24、以?xún)?nèi);然后,單片機(jī)將單總線拉高,這一點(diǎn)不是單片機(jī)從DS18B20讀一位數(shù)據(jù)的時(shí)序要求決定的,而是51單片機(jī)的I/O口在輸入數(shù)據(jù)前必須先寫(xiě)1決定的。為了使單片機(jī)I/O口讀取數(shù)據(jù)穩(wěn)定,此處一般延時(shí)8s左右;最后,單片機(jī)讀取單總線上的數(shù)據(jù)11.3DS18B20溫度傳感器測(cè)溫實(shí)例1功能要求:?jiǎn)纹瑱C(jī)與一片DS18B20連接,在1602液晶屏第一行顯示所測(cè)的溫度值(數(shù)據(jù)已處理過(guò))及中間結(jié)果暫存RAM的字節(jié)地址0和字節(jié)地址1的溫度值(數(shù)據(jù)未處理),在1602液晶屏第二行顯示該片DS18B20的64位光刻ROM號(hào)碼。L-U1LRII 皿皿噸“就叱wmmrJSMrllMMBLlg LCDiPI 口Pl 1P1.
25、2H.3 Pl.« .Pl 5 Pl.S卬 p小心功P3.lrXD!PS.XCNTIJ PS KTO) P3 WW PlWRJ P3.XS55 TTAL2XTAL1 TO;4,sd3ij 0的內(nèi)露匕P2P3P2F2DSL DS1EB3C23E2221K#include<reg51.h>#include<intrins.h>#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintsbitRS=P2八0;sbitRW=P2A1;sbitE=P2A2;sbitDQ=P2八3;uinttemp;ucharwdL,wdH;static
26、ucharsn8=0;ucharcodeb2hex="0123456789ABCDEF"*voidwrcmd1602(ucharcmd)ucharm;RW=0;RS=0;P1=cmd;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=1;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=0;voidwrdata1602(ucharshuju)ucharm;RW=0;RS=1;P1=shuju;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=1;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=0;voidinit1602(void)RW=0;E=0
27、;wrcmd1602(0x38);wrcmd1602(0x0c);wrcmd1602(0x06);wrcmd1602(0x01);voiddisp1602(ucharx,uchary,ucharch)wrcmd1602(0x80+x*0x40+y);wrdata1602(ch);/*/voidinit18b20(void)(ucharm;DQ=0;for(m=0;m<=90;m+);/延時(shí)732usDQ=1;for(m=0;m<=65;m+);/延時(shí)532usvoidwrcmd18b20(ucharcmd18b20)(bitsendbit;uchari,m;for(i=1;i<
28、;=8;i+)(sendbit=cmd18b20&0X01;cmd18b20=cmd18b20>>1;if(sendbit=0)(DQ=0;for(m=0;m<=2;m+);/延時(shí)12usDQ=0;for(m=0;m<=20;m+);/延時(shí)66usDQ=1;for(m=0;m<=2;m+);/延時(shí)12us)else(DQ=0;for(m=0;m<=1;m+);/延時(shí)9usDQ=1;for(m=0;m<=10;m+);/延時(shí)36usDQ=1;for(m=0;m<=1;m+);/延時(shí)9us)bitrdbit18b20(void)(ucharm
29、;bitonebit;DQ=0;_nop_();DQ=1;單片機(jī)的I/O口要輸入,必須先寫(xiě)入1for(m=0;m<=1;m+);延時(shí)9usonebit=DQ;for(m=0;m<=10;m+);延時(shí)36usreturn(onebit);ucharrdbyte18b20(void)uchari,j;uintwenduzhi=0;for(i=1;i<=8;i+)j=rdbit18b20();wenduzhi=(j<<7)|(wenduzhi>>1);return(wenduzhi);voidstconv18b20(void)ucharm,n;init18b
30、20();for(m=0;m<=1;m+);延時(shí)9uswrcmd18b20(0xCC);for(m=0;m<=1;m+);延時(shí)9uswrcmd18b20(0x44);for(n=0;n<=250;n+)for(m=0;m<=250;m+);for(n=0;n<=250;n+)for(m=0;m<=250;m+);延時(shí)760msuintrdwendu(void)init18b20();wrcmd18b20(0xCC);wrcmd18b20(0xBE);wdL=rdbyte18b20();wdH=rdbyte18b20();temp=wdH;temp=temp&
31、lt;<8;temp=temp|wdL;temp=(uint)(float)temp*0.0625*10+0.5);return(temp);voidrd18b20rom(void)ucharj;init18b20();wrcmd18b20(0x33);for(j=0;j<=7;j+)snj=rdbyte18b20();_nop_();/*/main()uintt,k;init1602();rd18b20rom();for(k=0;k<=7;k+)disp1602(1,2*k,b2hex(snk&0xf0)>>4);disp1602(1,2*k+1,b2h
32、exsnk&0x0f);while(1)stconv18b20();t=rdwendu();disp1602(0,0,t/100+'0');disp1602(0,1,t/10%10+'0');disp1602(0,2,'.');disp1602(0,3,t%10+'0');disp1602(0,5,39);disp1602(0,6,'C');disp1602(0,14,b2hex(wdL&0xf0)>>4);disp1602(0,15,b2hexwdL&0x0f);disp160
33、2(0,12,b2hex(wdH&0xf0)>>4);disp1602(0,13,b2hexwdH&0x0f);11.4 DS18B20溫度傳感器測(cè)溫實(shí)例2功能要求:?jiǎn)纹瑱C(jī)與四片DS18B20連接,在1602液晶屏第一行起始位置顯示“1:",緊接著顯示第一片DS18B20所測(cè)溫度值,在1602液晶屏第一行中間位置起顯示“2:”緊接著顯示第二片DS18B20所測(cè)溫度值,在1602液晶屏第二行起始位置顯示“3:”,緊接著顯示第三片DS18B20所測(cè)溫度值,在1602液晶屏第二行中間位置起顯示“4:”緊接著顯示第四片DS18B20所測(cè)溫度值。u I - . I
34、4 . rn-1 WL o I I T 4 .r .JD - la 4- 5 Mp''巴p,匕阿巴p好電灰?戶(hù)三加內(nèi)的壯江094 4 5 d- 7X 1 J s J- J T - I iy- KETKii HFTWKL.(>匚P.P.P.F:BE.V - .-I .:即更 DSin*618®至#include<reg51.h>#include<intrins.h>#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintsbitRS=P2八0;sbitRW=P2A1;sbitE=P2A2;sbitDQ=P
35、2A3;uinttemp;ucharwdL,wdH;ucharcodesn8=0x28,0x0D,0x3F,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x39,0x28,0xE7,0x50,0x2C,0x03,0x00,0x00,0xA1,0x28,0xB2,0x40,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x18,0x28,0xD1,0x45,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x50;ucharcodeb2hex尸'0123456789ABCDEF"*voidwrcmd1602(ucharcmd)(ucharm;RW=0;RS=0;P1=cmd;for(m=0;m&
36、lt;=7;m+);延時(shí)25usE=1;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=0;voidwrdata1602(ucharshuju)(ucharm;RW=0;RS=1;P1=shuju;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=1;for(m=0;m<=7;m+);延時(shí)25usE=0;voidinit1602(void)RW=0;E=0;wrcmd1602(0x38);wrcmd1602(0x0c);wrcmd1602(0x06);wrcmd1602(0x01);voiddisp1602(ucharx,uchary,ucharch)wrcmd1602(0
37、x80+x*0x40+y);wrdata1602(ch);/*/voidinit18b20(void)ucharm;DQ=0;for(m=0;m<=90;m+);延時(shí)732usDQ=1;for(m=0;m<=65;m+);/延時(shí)532us)voidwrcmd18b20(ucharcmd18b20)(bitsendbit;uchari,m;for(i=1;i<=8;i+)(sendbit=cmd18b20&0X01;cmd18b20=cmd18b20>>1;if(sendbit=0)(DQ=0;for(m=0;m<=2;m+);/延時(shí)12usDQ=0;
38、for(m=0;m<=20;m+);/延時(shí)66usDQ=1;for(m=0;m<=2;m+);/延時(shí)12us)else(DQ=0;for(m=0;m<=1;m+);/延時(shí)9usDQ=1;for(m=0;m<=10;m+);/延時(shí)36usDQ=1;for(m=0;m<=1;m+);/延時(shí)9us)bitrdbit18b20(void)(ucharm;bitonebit;DQ=0;_nop_();DQ=1;for(m=0;m<=1;m+);延時(shí)9usonebit=DQ;for(m=0;m<=10;m+);/延時(shí)36usreturn(onebit);uchar
39、rdbyte18b20(void)uchari,j;uintwenduzhi=0;for(i=1;i<=8;i+)j=rdbit18b20();wenduzhi=(j<<7)|(wenduzhi>>1);return(wenduzhi);/*voidmatch18b20(ucharn)uchari;init18b20();wrcmd18b20(0x55);for(i=0;i<=7;i+)wrcmd18b20(snni);_nop_();*voidstconv18b20(void)ucharm,n;init18b20();for(m=0;m<=1;m+);延時(shí)9uswrcmd18b20(0xCC);for(m=0;m<=1;m+);延時(shí)9uswrcmd18b20(0x44);for(n
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