為什么32768Hz晶振封裝這么另類

1、為什么32.768kHz的晶振封裝這么另類？前言：為什么要寫這篇文章。兩位年輕的同事畫(huà)了一塊電路板，由于之前選擇過(guò)FC135封裝的32.768kHz的晶振。所以為了把25MHz的晶振，也做成這個(gè)封裝。但是呢，沒(méi)有跟采購(gòu)和供應(yīng)商進(jìn)行交流。當(dāng)電路投板之后，準(zhǔn)備采購(gòu)元器件的時(shí)候，傻眼了。根本就買不著FC135封裝的25MHz的晶振。于是調(diào)試電路的老同志仰天長(zhǎng)嘯。為什么有些封裝只有32.768kHz的頻率的晶體才有呢？首先，我們看一張長(zhǎng)圖來(lái)對(duì)比：我們可以看到32.768kHz的晶體的封裝與其他頻率的封裝幾乎沒(méi)有交集。那么，有經(jīng)驗(yàn)的朋友有沒(méi)有發(fā)現(xiàn)，兩列晶振的規(guī)律呢？從身材比例來(lái)說(shuō)，右邊的32.768的封

2、裝有點(diǎn)像姚明，瘦高型；左邊普通晶體的身材像曾志偉，矮胖型。那么為什么會(huì)有這樣的現(xiàn)象呢？是32.768kHz的晶體有什么特殊之處？1、晶振的基本原理振蕩器是一種能量轉(zhuǎn)換器，石英諧振器是利用石英晶體諧振器決定工作頻率，與LC諧振回路相比，它具有很高的標(biāo)準(zhǔn)性和極高的品質(zhì)因數(shù)，具有較高的頻率穩(wěn)定度，采用高精度和穩(wěn)頻措施后，石英晶體振蕩器可以達(dá)到0(-4)10(-11)穩(wěn)定度?；拘阅苤饕瞧鹫袷幾饔?，可利用其對(duì)某頻率具有的響應(yīng)作用，用來(lái)濾波、選頻網(wǎng)絡(luò)等，石英諧振器相當(dāng)于RLC振蕩電路。石英晶體俗稱水晶，是一種化學(xué)成分為二氧化硅（SiO2）的六角錐形結(jié)晶體，比較堅(jiān)硬。它有三個(gè)相互垂直的軸，且各向異性：縱

3、向Z軸稱為光軸，經(jīng)過(guò)六棱柱棱線并垂直于Z軸的X軸稱為電軸，與X軸和Z軸同時(shí)垂直的Y軸（垂直于棱面）稱為機(jī)械軸。石英晶體之所以可以作為諧振器，是由于它具有正（機(jī)械能電能）、反（電能機(jī)械能）壓電效應(yīng)。沿石英晶片的電軸或機(jī)械軸施加壓力，則在晶片的電軸兩面三刀個(gè)表面產(chǎn)生正、負(fù)電荷，呈現(xiàn)出電壓，其大小與所加力產(chǎn)生的形變成正比；若施加張力，則產(chǎn)生反向電壓，這種現(xiàn)象稱為正電效應(yīng)。當(dāng)沿石英晶片的電軸方向加電場(chǎng)，則晶片在電軸和機(jī)械軸方向?qū)⒀由旎驂嚎s，發(fā)生形變，這種現(xiàn)象稱為反壓電效應(yīng)。因此，在晶體兩面三刀端加上交流電壓時(shí)，晶片會(huì)隨電壓的變化產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，機(jī)械振動(dòng)又會(huì)在晶片內(nèi)表面產(chǎn)生交變電荷。由于晶體是有彈性的固體

4、，對(duì)于某一振動(dòng)方式，有一個(gè)固有的機(jī)械諧振頻率。當(dāng)外加交流電壓等于晶片的固有機(jī)械諧振頻率時(shí)，晶片的機(jī)械振動(dòng)幅度最大，流過(guò)晶片的電流最大，產(chǎn)生了共振現(xiàn)象。石英晶片的共振具有多諧性，即除可以基頻共振外，還可以諧頻共振，通常把利用晶片的基頻共振的諧振器，利用晶片諧頻共振的諧振器稱為泛音諧振器，一般能利用的是3、5、7之類的奇次泛音。晶片的振動(dòng)頻率與厚度成反比，工作頻率越高，要求晶片越薄（尺寸越大，頻率越低），這樣的晶片其機(jī)械強(qiáng)度就越差，加工越困難，而且容易振碎，因此在工作頻率較高時(shí)常采用泛音晶體。一般地，在工作頻率小于20MHZ時(shí)采用基頻晶體，在工作頻率大于20MHZ時(shí)采用泛音晶體。石英晶體振蕩器是利

5、用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個(gè)電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率，負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。如常用普通晶振標(biāo)稱頻率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz40.50 MHz等，對(duì)于特殊要求的晶振頻率可

6、達(dá)到1000 MHz以上，也有的沒(méi)有標(biāo)稱頻率，如CRB、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一至，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定度：由于普通晶振的性能基本都能達(dá)到一般電器的要求，對(duì)于高檔設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度。頻率精度從10(-4)量級(jí)到10(

7、-10)量級(jí)不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振，如通信網(wǎng)絡(luò)，無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體振蕩器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д瘢虿煌阅艿木д衿鋬r(jià)格不同，要求越高價(jià)格也越貴，一般選擇只要滿足要求即可。晶振不振蕩時(shí)，可以看成是一平板電容器C0，他和晶體的幾何尺寸和電極面積有關(guān)，值在幾PF到幾十PF之間。晶振的機(jī)械振動(dòng)的慣性使用電感L來(lái)等效，一般為103102H之間，晶片的彈性以電容C1來(lái)等效，L、C的具體數(shù)值與切割方式，晶片和電極的尺寸，形狀等有關(guān)。標(biāo)稱頻率（FL），

8、負(fù)載電容（CL）、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等晶體的品質(zhì)、切割取向、晶體振子的結(jié)構(gòu)及電路形式等，共同決定振蕩器的性能Fs：晶體本身固有的頻率，和晶體的切割方式、晶體厚度、晶體電極的等效厚度F2560/t(BT) F=1670/t(AT) 2、音叉結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單地說(shuō)，晶振是晶體諧振器和晶體振蕩器的統(tǒng)稱，諧振器有分陶瓷諧振器和石英諧振器,石英諧振器可以分插件晶振和貼片晶振，而插件晶振也通常被稱之為音叉晶體和晶振,因插件表晶石英晶片外型類似音叉的形狀，所以叫音叉晶振，音叉的頻率都是以千赫為單位。插件晶振中較為普遍存在的體積有3*8,2*6,應(yīng)用最多的晶振頻率為32.768KHZ。2011年全球音叉類晶振產(chǎn)量超過(guò)

9、100億只，產(chǎn)值約15億美元。同年，中國(guó)音叉晶振產(chǎn)量超過(guò)40億只，產(chǎn)量約占全球40%。即使多高端的電子產(chǎn)品也始終離不開(kāi)這個(gè)連2毛錢都不到的音叉晶振.iPhone 也不例外。和蘋果公司合作,是多少零器件廠家競(jìng)爭(zhēng)的目標(biāo).手機(jī)中的零器件,晶振和聲表面濾波器,32.768K表晶是不可或缺的部分.iPhone 5中有5款石英晶振,其中就有兩款音叉晶振。通常我們認(rèn)為32.768K晶振只能應(yīng)用到一些低端電子產(chǎn)品,實(shí)際上這是一種錯(cuò)誤的說(shuō)法,絕大多數(shù)涉及數(shù)據(jù)處理的電子產(chǎn)品都需要晶振元件為其提供時(shí)鐘頻率，否則便無(wú)法啟動(dòng)或者有效工作由此可見(jiàn)晶振尤其是音叉晶振是電子產(chǎn)品中十分重要的元件。音叉晶振應(yīng)用領(lǐng)域包括鐘表及表芯

10、、手機(jī)、平板電腦、微型計(jì)算機(jī)、計(jì)算器、家電自動(dòng)控制和工業(yè)自動(dòng)控制等。目前，中國(guó)音叉晶振下游應(yīng)用市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭，帶動(dòng)音叉晶振需求增長(zhǎng)。2011年，中國(guó)石英鐘表機(jī)芯產(chǎn)量19億只，需要市場(chǎng)供應(yīng)19億只音叉表晶，是音叉晶體的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一;中國(guó)手機(jī)產(chǎn)量11.3億部，至少增加17億顆音叉晶振需求，對(duì)音叉晶振行業(yè)帶動(dòng)較大;消費(fèi)電子和微型計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)也是音叉晶振的主要應(yīng)用市場(chǎng)。相對(duì)于陶瓷晶振來(lái)說(shuō)應(yīng)用到手機(jī)方面極為少數(shù)，只有部分普通電話機(jī)才會(huì)用的上陶瓷晶振系列，2011年中國(guó)消費(fèi)電子(不包括手機(jī))產(chǎn)量達(dá)到16.6億套(臺(tái))，微型計(jì)算機(jī)產(chǎn)量為3.2億臺(tái)，這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)σ舨婢д竦男枨蠹s20億只。隨著技術(shù)的進(jìn)

11、步以及市場(chǎng)應(yīng)用的變化，音叉晶振呈現(xiàn)先小型化、高精度、低功耗的發(fā)展趨勢(shì),以愛(ài)普生晶振C-001RX，C-002RX，C-004，C-005，精工晶振VT-200-F，VT-150-F，VT-120-F,西鐵城晶振CFS206，CFS145，CFS308,KDS晶振DT-26，DT-38,日本四大石英晶振知名廠商為首,音叉晶振在任何有時(shí)間顯示的地方都會(huì)有存在,以愛(ài)普生晶振,西鐵城晶振.精工晶振,KDS晶振每年銷量領(lǐng)先,四大日產(chǎn)知名品牌是眾多消費(fèi)者的選擇. 而上海唐輝電子是日本大真空株式會(huì)社在中國(guó)的指定代理商，唐輝電子在PPTC自恢復(fù)保險(xiǎn)絲、PTC熱敏電阻、晶體諧振器、振蕩器系列、高品質(zhì)電容、電感和

12、液晶屏產(chǎn)品、IC類等領(lǐng)域有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。TH02157153998產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在通信、電腦、消費(fèi)類電子及網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品、儀器儀表、工控系統(tǒng)、安防產(chǎn)品、電源供應(yīng)器等產(chǎn)品上積極面對(duì)市場(chǎng)及客戶的多方位要求，堅(jiān)持以最好的品牌和最具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格銷售電子零件，為客戶提供多元化的服務(wù)，務(wù)求充分滿足客戶的要求致力于成為中國(guó)乃至世界最佳元器件供應(yīng)商之一。首先，音叉晶振向小型化、薄片化和片式化發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯。近幾年，晶振下游應(yīng)用終端出現(xiàn)向小型化、輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。作為電子產(chǎn)品的重要元件，石英晶振也必須向小型化、薄片化和片式化發(fā)展。例如，iPhone 5厚度僅為7.6毫米，其使用的兩顆音叉晶振是高度小型化、薄片化和

13、片式化的高品質(zhì)產(chǎn)品。從過(guò)去的20年中可以看出，晶振產(chǎn)品體積從約150立方毫米縮小到約0.75立方毫米，急劇下降到最初的1/200，小型化在不斷進(jìn)展。而現(xiàn)在越來(lái)越高端的數(shù)碼產(chǎn)品都采用了有源晶振，有源音叉石英晶體振蕩器等產(chǎn)品。其次，音叉晶振向更高精度與更高穩(wěn)定度方向發(fā)展，從而演變成為有源晶振產(chǎn)品系列，低功耗也成為音叉晶振重要發(fā)展趨勢(shì)。電子產(chǎn)品如移動(dòng)終端小型化、薄片化的同時(shí)，功能也逐漸增多，導(dǎo)致耗電量急劇增加。然而，自1992年索尼發(fā)布鋰離子電池至今，電池領(lǐng)域還沒(méi)有出現(xiàn)全新顛覆式的技術(shù)突破。因此，減少硬件能耗成為延長(zhǎng)電子設(shè)備續(xù)航時(shí)間的現(xiàn)實(shí)選擇。作為電子產(chǎn)品的重要元件，音叉晶振也需要向低功耗方向發(fā)展。

14、石英晶振逐漸小型化、薄片化和片式化，為其提高精度和穩(wěn)定度提出更大挑戰(zhàn)。在看重小型化,薄片化的基礎(chǔ)上,人們更加看重的是焊接方便簡(jiǎn)單和節(jié)省更多的時(shí)間.因此,貼片晶振在壓電晶體世界中也成為搶手的一部分,只是,在選擇貼片晶振代替音叉晶振的時(shí)候,我們應(yīng)當(dāng)考慮其價(jià)格。 3、不通切片方式的頻率范圍不通。晶片切割:晶振中最重要的組成部分為水晶振子,它是由水晶晶體按一定的法則切割而成的,又稱晶片。常用晶片的形狀有三種:圓形,方形,SMT專用(方形,但比較小)晶片的切割可分為AT-CUT,BT-CUT, CT-CUT, DT-CUT, FT-CUT, XT-CUT, YT-CUT,如圖7所示。它是以光軸(Z軸)為

15、參考而命名,每種切法對(duì)應(yīng)一個(gè)角度.采用何種切法應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定,如對(duì)溫度特性要求較好則應(yīng)采用AT-CUT,如果對(duì)晶振要求的頻率較高時(shí)則采用BT-CUT.晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等決定了晶振的頻率。4、音叉結(jié)構(gòu)與其他晶振的尺寸對(duì)比這是本人實(shí)際拆開(kāi)32.768kHz晶體，拍照，給大家看一下，音叉結(jié)構(gòu)。我們可以看到其與一般晶振的內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)比同時(shí)，我們還可以注意一下音叉結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)的頻率范圍：385 kHz；所以我們的MCU、CPU等高速芯片用的晶體的頻率都在1MHz以上，這也就是為什么主晶體的封裝與32.768kHz的封裝一般都不一樣的原因了。音叉結(jié)構(gòu)已經(jīng)廣泛應(yīng)用，而如果內(nèi)部是音叉結(jié)構(gòu)，其外

16、殼往往也就是姚明的形狀，瘦長(zhǎng)型。而高頻的晶體的切割方式，不可能是音叉結(jié)構(gòu)。本人不是晶體的切割廠家，只是通過(guò)邏輯推理和分析，用偵探的方式探究封裝差異的原因。有錯(cuò)誤之處，望高手和廠家指正。同時(shí)提醒各位工程師，不要想當(dāng)然的選擇晶體的封裝，設(shè)計(jì)前最好確認(rèn)一下。來(lái)源：硬件十萬(wàn)個(gè)為什么尖峰電流的形成：數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌入的電流Iol的大小一般是不同的，即：IolIoh。以下圖的TTL與非門為例說(shuō)明尖峰電流的形成：輸出電壓如右圖（a）所示，理論上電源電流的波形如右圖（b），而實(shí)際的電源電流保險(xiǎn)如右圖（c）。由圖（c）可以看出在輸出由低電平轉(zhuǎn)換到高電平時(shí)電源電流有一個(gè)短

17、暫而幅度很大的尖峰。尖峰電源電流的波形隨所用器件的類型和輸出端所接的電容負(fù)載而異。產(chǎn)生尖峰電流的主要原因是：輸出級(jí)的T3、T4管短設(shè)計(jì)內(nèi)同時(shí)導(dǎo)通。在與非門由輸出低電平轉(zhuǎn)向高電平的過(guò)程中，輸入電壓的負(fù)跳變?cè)赥2和T3的基極回路內(nèi)產(chǎn)生很大的反向驅(qū)動(dòng)電流，由于T3的飽和深度設(shè)計(jì)得比T2大，反向驅(qū)動(dòng)電流將使T2首先脫離飽和而截止。T2截止后，其集電極電位上升，使T4導(dǎo)通?？墒谴藭r(shí)T3還未脫離飽和，因此在極短得設(shè)計(jì)內(nèi)T3和T4將同時(shí)導(dǎo)通，從而產(chǎn)生很大的ic4，使電源電流形成尖峰電流。圖中的R4正是為了限制此尖峰電流而設(shè)計(jì)。低功耗型TTL門電路中的R4較大，因此其尖峰電流較小。當(dāng)輸入電壓由低電平變?yōu)楦唠娖?/p>

18、時(shí)，與非門輸出電平由高變低，這時(shí)T3、T4也可能同時(shí)導(dǎo)通。但當(dāng)T3開(kāi)始進(jìn)入導(dǎo)通時(shí)，T4處于放大狀態(tài)，兩管的集射間電壓較大，故所產(chǎn)生的尖峰電流較小，對(duì)電源電流產(chǎn)生的影響相對(duì)較小。產(chǎn)生尖峰電流的另一個(gè)原因是負(fù)載電容的影響。與非門輸出端實(shí)際上存在負(fù)載電容CL，當(dāng)門的輸出由低轉(zhuǎn)換到高時(shí)，電源電壓由T4對(duì)電容CL充電，因此形成尖峰電流。當(dāng)與非門的輸出由高電平轉(zhuǎn)換到低電平時(shí)，電容CL通過(guò)T3放電。此時(shí)放電電流不通過(guò)電源，故CL的放電電流對(duì)電源電流無(wú)影響。尖峰電流的抑制方法：1、在電路板布線上采取措施，使信號(hào)線的雜散電容降到最??；2、 另一種方法是設(shè)法降低供電電源的內(nèi)阻，使尖峰電流不至于引起過(guò)大的電源電壓波

19、動(dòng)；3、 通常的作法是使用去耦電容來(lái)濾波，一般是在電路板的電源入口處放。一個(gè)1uF10uF的去耦電容，濾除低頻噪聲；在電路板內(nèi)的每一個(gè)有源器件的電源和地之間放置一個(gè)0.01uF0.1uF的去耦電容（高頻濾波電容），用于濾除高頻噪聲。濾波的目的是要濾除疊加在電源上的交流干擾，但并不是使用的電容容量越大越好，因?yàn)閷?shí)際的電容并不是理想電容，不具備理想電容的所有特性。去耦電容的選取可按C=1/F計(jì)算，其中F為電路頻率，即10MHz取0.1uF，100MHz取0.01uF。一般取0.10.01uF均可。放置在有源器件傍的高頻濾波電容的作用有兩個(gè)，其一是濾除沿電源傳導(dǎo)過(guò)來(lái)的高頻干擾，其二是及時(shí)補(bǔ)充器件高速

20、工作時(shí)所需的尖峰電流。所以電容的放置位置是需要考慮的。實(shí)際的電容由于存在寄生參數(shù)，可等效為串聯(lián)在電容上的電阻和電感，將其稱為等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL）。這樣，實(shí)際的電容就是一個(gè)串聯(lián)諧振電路，其諧振頻率為：實(shí)際的電容在低于Fr的頻率呈現(xiàn)容性，而在高于Fr的頻率上則呈現(xiàn)感性，所以電容更象是一個(gè)帶阻濾波器。10uF的電解電容由于其ESL較大，F(xiàn)r小于1MHz，對(duì)于50Hz這樣的低頻噪聲有較好的濾波效果，對(duì)上百兆的高頻開(kāi)關(guān)噪聲則沒(méi)有什么作用。電容的ESR和ESL是由電容的結(jié)構(gòu)和所用的介質(zhì)決定的，而不是電容量。通過(guò)使用更大容量的電容并不能提高抑制高頻干擾的能力，同類型的電容，在低于F

21、r的頻率下，大容量的比小容量的阻抗小，但如果頻率高于Fr，ESL決定了兩者的阻抗不會(huì)有什么區(qū)別。電路板上使用過(guò)多的大容量電容對(duì)于濾除高頻干擾并沒(méi)有什么幫助，特別是使用高頻開(kāi)關(guān)電源供電時(shí)。另一個(gè)問(wèn)題是，大容量電容過(guò)多，增加了上電及熱插拔電路板時(shí)對(duì)電源的沖擊，容易引起如電源電壓下跌、電路板接插件打火、電路板內(nèi)電壓上升慢等問(wèn)題。PCB布局時(shí)去耦電容擺放對(duì)于電容的安裝，首先要提到的就是安裝距離。容值最小的電容，有最高的諧振頻率，去耦半徑最小，因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距離稍遠(yuǎn)，最外層放置容值最大的。但是，所有對(duì)該芯片去耦的電容都盡量靠近芯片。下面的圖1就是一個(gè)擺放位置的例子。本例中的電

22、容等級(jí)大致遵循10倍等級(jí)關(guān)系。還有一點(diǎn)要注意，在放置時(shí)，最好均勻分布在芯片的四周，對(duì)每一個(gè)容值等級(jí)都要這樣。通常芯片在設(shè)計(jì)的時(shí)候就考慮到了電源和地引腳的排列位置，一般都是均勻分布在芯片的四個(gè)邊上的。因此，電壓擾動(dòng)在芯片的四周都存在，去耦也必須對(duì)整個(gè)芯片所在區(qū)域均勻去耦。如果把上圖中的680pF電容都放在芯片的上部，由于存在去耦半徑問(wèn)題，那么就不能對(duì)芯片下部的電壓擾動(dòng)很好的去耦。電容的安裝在安裝電容時(shí)，要從焊盤拉出一小段引出線，然后通過(guò)過(guò)孔和電源平面連接，接地端也是同樣。這樣流經(jīng)電容的電流回路為：電源平面->過(guò)孔->引出線->焊盤->電容->焊盤->引出線-&

23、gt;過(guò)孔->地平面，圖2直觀的顯示了電流的回流路徑。第一種方法從焊盤引出很長(zhǎng)的引出線然后連接過(guò)孔，這會(huì)引入很大的寄生電感，一定要避免這樣做，這是最糟糕的安裝方式。第二種方法在焊盤的兩個(gè)端點(diǎn)緊鄰焊盤打孔，比第一種方法路面積小得多，寄生電感也較小，可以接受。第三種在焊盤側(cè)面打孔，進(jìn)一步減小了回路面積，寄生電感比第二種更小，是比較好的方法。第四種在焊盤兩側(cè)都打孔，和第三種方法相比，相當(dāng)于電容每一端都是通過(guò)過(guò)孔的并聯(lián)接入電源平面和地平面，比第三種寄生電感更小，只要空間允許，盡量用這種方法。最后一種方法在焊盤上直接打孔，寄生電感最小，但是焊接是可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，是否使用要看加工能力和方式。推薦使用

24、第三種和第四種方法。需要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)：有些工程師為了節(jié)省空間，有時(shí)讓多個(gè)電容使用公共過(guò)孔，任何情況下都不要這樣做。最好想辦法優(yōu)化電容組合的設(shè)計(jì)，減少電容數(shù)量。由于印制線越寬，電感越小，從焊盤到過(guò)孔的引出線盡量加寬，如果可能，盡量和焊盤寬度相同。這樣即使是0402封裝的電容，你也可以使用20mil寬的引出線。引出線和過(guò)孔安裝如圖4所示，注意圖中的各種尺寸。上拉電阻阻值的選擇原則和經(jīng)驗(yàn)總結(jié) 論壇 電源技術(shù)與新能源 上拉電阻在電路中的主要作用就是對(duì)電流起到限流作用，在一些設(shè)計(jì)當(dāng)中經(jīng)常會(huì)用到上拉與下拉電阻，但電源的設(shè)計(jì)者們往往對(duì)這兩種電阻了解的不多，正因如此，在電路出現(xiàn)因?yàn)樯侠c下拉電阻而導(dǎo)致的問(wèn)題時(shí)，設(shè)計(jì)者們卻會(huì)找不到相應(yīng)的解決方法。在本篇文章當(dāng)中，小編將為大家分享關(guān)于上拉電阻的一些基礎(chǔ)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)，希望能為大家有所幫助。上拉電阻經(jīng)驗(yàn)總結(jié)1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí)，如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平（一般為3.5V），這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。