電子背散射衍射技術(shù)在材料顯微分析中的應(yīng)用

1、o Oo'.O e'oOo O.Oo O 一測(cè)試與分析一舍:全:舍:金:金:全:舍:倉(cāng)S電子背散射衍射技術(shù)在材料顯微分析中的應(yīng)用王疆12,孫學(xué)鵬2,酈劍2(1.遼寧科技大學(xué)高等職業(yè)技術(shù)學(xué)院,遼寧鞍山 114044;2.浙江大學(xué)金屬材料研究所,浙江杭州 310027 摘要:介紹了電子背散射衍射的原理、裝置的構(gòu)造、分析方法及其應(yīng)用。電子背散射系統(tǒng)(EBSD與能譜 (EDS和掃描電鏡一起工作可同時(shí)分析試樣特定微區(qū)的形貌、成分和取向。當(dāng)電子束逐點(diǎn)掃描分 析時(shí),還可獲得一種全新的圖象即晶體取向分布圖,從而獲取微區(qū)的形貌、成分及成分的定量分布 圖。以純鐵為例,對(duì)該技術(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證。關(guān)鍵詞:電

2、子背散射衍射;掃描電鏡;晶體取向;電子背散射衍射花樣中圖分類號(hào):TGll5.23文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1008-1690(200802-0041004 Application of Electron Backscattered Diffraction to MicroscopicAnalysis of MaterialsWANG Jiang¨,SUN Xuepen92,LI Jian2(1.Vocational Technical College,Liaoning University of Science and Technology,Anshan 114044,Liaonin

3、g; 2.Department of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,Zhejiang Abstract:The principle,equipment constitution,analytical method and application of electron backscattered dif-fraction(EBSDwere discussed.Associated with the energy dispersive spectrometry and scanning

4、electron micro-scope,EBSD could simultaneously analyze morphology,composition and orientation of the selected micro-area of the sample.when the electron beam scanned the sample point by point,a new crystal orientation distribution image would be obtained,and as a result the morphology,composition an

5、d quantitative distribution image of the composi tion of the observed microarea would be obtained too.Taking pure iron as all example,the EBSD Was verified. Key Words:electron backscattered diffraction(EBSD;SEM;crystal orientation;electron baekscatter pattern(EBSP電子背散射衍射花樣(Electron Baekscatter Pat t

6、ern,EBSP是背散射電子被探測(cè)器探測(cè)到后形成的 帶狀衍射花樣。當(dāng)電子束沿著一定方向入射到晶體 內(nèi)部時(shí),在晶體中的庫(kù)侖場(chǎng)作用下發(fā)生各個(gè)方向的 散射。散射電子隨后入射到一定的晶面,發(fā)生布拉 格衍射,即強(qiáng)反射,強(qiáng)反射后逃離樣品表面的那部分 電子即是背散射電子。電子背散射衍射花樣由遵循 一定晶帶分布規(guī)律的亮帶所組成,亮帶寬度與所屬 晶面的布拉格角成正比,它的實(shí)質(zhì)是“菊池花 樣”。菊池花樣是晶體結(jié)構(gòu)的一種重要衍射信 息,在結(jié)構(gòu)分析中有著廣泛的應(yīng)用。入射電子與樣 品作用產(chǎn)生的菊池花樣由于收集裝置與樣品相對(duì)位 置不同而分為透射電子衍射花樣、電子通道花樣及 電子背散射衍射花樣。幾種衍射技術(shù)比較見(jiàn)表1。 基

7、于電子背散射衍射花樣的電子背散射衍射技 術(shù)(electron backscattered diffraction,EBSD在20世 紀(jì)90年代初開(kāi)始應(yīng)用于掃描電子顯微鏡(SEM。 此技術(shù)可以對(duì)塊狀樣品上納米級(jí)顯微組織逐點(diǎn)作晶 體學(xué)分析,獲得晶體取向圖,使掃描電鏡上的顯微組 織、微區(qū)成分與晶體學(xué)或織構(gòu)的分析相結(jié)合,改變了 傳統(tǒng)的顯微組織和晶體學(xué)分析是兩個(gè)分支的研究方 法。該技術(shù)大大拓展了SEM的應(yīng)用范圍,目前已經(jīng) 成了類似于x射線能譜儀(EDS的SEM的一個(gè)標(biāo) 準(zhǔn)附件,成為材料工作者、陶瓷和地質(zhì)礦物學(xué)家分析 顯微結(jié)構(gòu)及織構(gòu)的強(qiáng)有力的工具嵋J。本文通過(guò)對(duì) 純鐵片的研究驗(yàn)證電子背散射技術(shù)(EBSD在

8、材料收稿日期:2007一04.18作者簡(jiǎn)介:王疆(1981一,女,遼寧鞍山市人,碩士,研究方向?yàn)殡娮语@微鏡及其附件的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。聯(lián)系電 話-mail:wjsisisohu.tom熱處理 2008年第23卷第2期 41.研究中的應(yīng)用。表1幾種衍射技術(shù)的比較Table 1Comparison of several diffraction technologies1試驗(yàn)方法純Fe片試樣采用傳統(tǒng)金相樣品制備方法制備, 用稀硝酸腐蝕樣品表面,清水沖洗后烘干。制備好的樣品進(jìn)行EBSD分析,使用的儀器是 SEM SIRION.100(荷蘭FEI公司和電子背散射衍 射儀(美國(guó)TSL公

9、司。EBSD的主要分析步驟為"J:(1制備樣品;(2用標(biāo)準(zhǔn)樣品校正顯微鏡、樣品和衍射儀的 位置,并檢查電鏡工作狀態(tài)是否正常;(3安裝樣品(使用EBSD專用樣品臺(tái);(4用SEM獲取一幅圖像,并確定分析區(qū)域, 使樣品待分析區(qū)域位置與標(biāo)樣上校正點(diǎn)處于同一聚 焦位置; 、(5條件設(shè)定,收集EBSD,計(jì)算機(jī)標(biāo)定圖譜;(6數(shù)據(jù)存儲(chǔ),方便進(jìn)一步處理和輸出。2結(jié)果與討論2.1EBSD樣品制備、系統(tǒng)組成和數(shù)據(jù)表示EBSP取自樣品表面5nm深度范圍內(nèi)H1,要獲 得一張清晰的衍射譜,樣品制備極其關(guān)鍵。EBSP要 求試樣表面高度光潔,在測(cè)試前必須對(duì)試樣進(jìn)行表 面研磨拋光處理,但在研磨拋光中形成的加工形變 層

10、會(huì)導(dǎo)致圖像灰暗不清晰,應(yīng)除去。通常的制樣方 法為:常規(guī)金相樣品制備+電解拋彤腐蝕。不同的 材料可以靈活采用不同的表面加工方法:金屬材料 可采用化學(xué)或電解拋光去除形變層;離子濺射減薄 可去除金屬或非金屬材料研磨拋光中形成的加工形 變層;某些結(jié)晶形狀規(guī)則的粉末材料可直接對(duì)其平 整的晶面進(jìn)行分析陋】。本研究采用傳統(tǒng)金相制備 方法制備樣品,然后用顆粒度<0.5斗m的拋光劑拋 光處理,也得到了較好的測(cè)試結(jié)果。圖1是美國(guó)TSL公司EBSD系統(tǒng)的基本構(gòu)成。 除了掃描電子顯微鏡外,EBSD系統(tǒng)基本由Di舀View 相機(jī)、圖像處理系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)組成。EBSD的 采集需要將樣品傾斜70.50,以增強(qiáng)背散射

11、信號(hào)。 熒光屏與高靈敏的Di西View相機(jī)相連,EBSD經(jīng)放 大處理后顯示在計(jì)算機(jī)顯示器上,然后經(jīng)軟件進(jìn)行 EBSD的菊池帶識(shí)別和標(biāo)定。掃描電鏡圖1EBSD系統(tǒng)基本構(gòu)成示意圖Fig.1Schematic diagram of EBSD system進(jìn)行EBSD試驗(yàn),要求SEM的電子束是穩(wěn)定 的,樣品應(yīng)不充電,樣品表面為無(wú)嚴(yán)重形變的晶體。 EBSD系統(tǒng)能對(duì)SEM電子束和樣品臺(tái)自動(dòng)控制,實(shí) 現(xiàn)EBSD花樣的自動(dòng)采集和標(biāo)定,使得在短時(shí)間內(nèi) 可以獲得大量的晶體學(xué)信息。EBSD的應(yīng)用源于EBSP所包含的三種信息:取 向關(guān)系/取向差異、相鑒定和應(yīng)變。EBSD的數(shù)據(jù)表 示分為兩大類,一類是從傳統(tǒng)的宏觀織構(gòu)測(cè)

12、量中衍 生出來(lái)的方法:理想取向,極圖,反極圖,歐拉空間; 一類是由顯微織構(gòu)得出的晶體取向及相互之間的關(guān) 系的測(cè)量方法:快速晶體取向分布圖,特殊晶界類 (MAP,重位點(diǎn)陣晶界(CSL,RF空間圖(Rodrigeuz Frank,所有晶界取向錯(cuò)配度圖形,重構(gòu)的晶粒尺 寸。 。2.2取向測(cè)量及取向關(guān)系分析圖2為試驗(yàn)測(cè)得的純Fe片樣品的取向分布圖, 圖中用不同顏色來(lái)區(qū)分晶粒的不同取向,并添加了 每顆晶粒的模擬晶胞。其中,紅色代表<001>取 向,綠色為<101>取向,藍(lán)色為<111>取向,利用 取向圖我們可以方便地知道每顆晶粒的晶體取向。42 熱處理 2008年第2

13、3卷第2期2.4相鑒定。 目前,EBSD可以對(duì)七大晶系任意對(duì)稱性的樣 品進(jìn)行自動(dòng)取向測(cè)量和標(biāo)定。結(jié)合EDS的成分分 析可以進(jìn)行未知相的鑒定。在掃描電鏡x射線能譜分析中,可能難以在化學(xué)成分基礎(chǔ)上區(qū)別某元素 的氧化物、碳化物或氯化物,但EBSD有時(shí)卻很容易 地從相的結(jié)晶學(xué)關(guān)系上毫無(wú)疑問(wèn)地分開(kāi),例如直接 區(qū)別鐵的體心立方和面心立方晶體結(jié)構(gòu)。EBSD在相 鑒定方面的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是區(qū)分化學(xué)成分相似的相,圖2純Fe片的取向成像圖如M7C3相和M3C相,鋼中的鐵素體和奧氏體¨¨。Fig.2Orientation imaging pict,.嘴ofpure iron sheet圖4為純鐵片

14、的相位圖,從圖中可以清楚地辨由于EBSD分析技術(shù)的選區(qū)尺寸可以小到O.5別出該純鐵片材料中Fe為Alpha相。 扯m,因此,它特別適宜于進(jìn)行微區(qū)的結(jié)晶取向分2.5晶粒尺寸的測(cè)量析M J。目前,EBSD分析技術(shù)最直接的應(yīng)用就是通 傳統(tǒng)的晶粒尺寸測(cè)量依賴于顯微組織圖象中晶 過(guò)測(cè)量晶粒取向,獲得不同晶粒或不同相間的取向界的觀察。但并非所有晶界都能用常規(guī)浸蝕的方法 差,測(cè)量各種取向晶粒在樣品中所占比例,從而研究材 顯現(xiàn)出來(lái),特別是一些孿晶和小角晶界。因此,嚴(yán)重 料的晶界或相界、孿晶界、特殊界面(重位點(diǎn)陣等等。孿晶顯微組織的晶粒尺寸測(cè)量就變得十分困難。 2.3微織構(gòu)分析EBSD方法是測(cè)量晶粒尺寸的理想工

15、具,最簡(jiǎn)單的圖3(a所示的是連續(xù)掃描純Fe片試樣所得方法是進(jìn)行橫穿樣品的線掃描,同時(shí)觀察花樣的變 到的001、110、11l方向的極圖;圖3(b所化。也可以利用EBSD將取向圖轉(zhuǎn)換為晶界演示 示的是法向(N、周向(C和母線(G方向的反極 圖,圖5為圖2轉(zhuǎn)換后得到的晶界演示圖,從圖中可 圖。由極圖和反極圖可以看出晶粒并沒(méi)有明顯的取以輕易地分辨出小角晶界和大角晶界。向,呈隨機(jī)分布,說(shuō)明純Fe樣品的上下表面并不存在擇優(yōu)取向(織構(gòu)¨-。 麓 瓤蕊 融凝 黲.爺s:,;毒: 歲。嘲 羅一蹩 滁號(hào)。:.:.二一圖3(a純Fe片的001、”0、111極圖。(b法向、周向和母線方向的反極圖Fig.3

16、(a001,110,111polefigures of pure iron sheet(bInverse polefigure ofthe normal,circumferential andgeneratrix directions.基于EBSD自動(dòng)快速的取向測(cè)量,EBSD可進(jìn)行微織構(gòu)分析。EBSD不僅能測(cè)量各種取向晶粒在樣 品中所占比例,還能知道這些取向在顯微組織中的圖5純鐵片的晶界演示圖(紅色一角度差2。一5。; 分布情況,并繪制出極圖和反極圖。應(yīng)用EBSD研究 綠色一角度差5。一15。;藍(lán)色一角度差15。_180。結(jié)果表明,取向分布是集中地還是均勻地分布,對(duì)材料Fig5Schemati

17、c image ofpure iron sheet(redangle differenc8的性能有顯著的影響,這是織構(gòu)分析的全新方法“l(fā)o。2。5。;green-angle di醌rence 5。_15。;blu8蚰glediffe陀n。e15。一180。熱處理2008年第23卷第2期43一失效分析一力學(xué)分析在壓力容器失效中的作用關(guān)凱書(shū)(華東理工大學(xué)承壓系統(tǒng)安全科學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200237摘要:以聚合釜為例,對(duì)壓力容器的邊緣應(yīng)力的概念及其在失效分析中的作用進(jìn)行了分析。聚合釜下溫 度計(jì)套管處經(jīng)常開(kāi)裂,失效分析表明為腐蝕疲勞開(kāi)裂。有限元計(jì)算表明,下溫度計(jì)套管離下封頭過(guò) 近導(dǎo)致該處因邊緣

18、應(yīng)力過(guò)大而出現(xiàn)應(yīng)力集中,在交變載荷作用下發(fā)生疲勞。關(guān)鍵詞:邊緣應(yīng)力;腐蝕疲勞;失效分析中圖分類號(hào):TGll5;TGl72.9文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:B 文章編號(hào):10081690(2008020044004 The Role of Stress Calculation in the Failure Analysis of Pressure Vessel GUAN Kai.shu(The Key Laboratory of Safety Science of Pressurized System,Ministry of Education,East ChinaUniversityof Science and

19、 Technology,Shanghai 200237Abstract:Taking polymerization kettle as an example,the concept of edge stress was introduced into failure analysis作者簡(jiǎn)介:關(guān)凱書(shū)(1962-,男,黑龍江五?？h人,2000年于東華理工大學(xué)獲博士學(xué)位,2002年于山東大學(xué)材 料科學(xué)與工程學(xué)院博士后出站。教授,博士生導(dǎo)師,主要從事金屬材料失效分析與預(yù)防、腐蝕與 防護(hù)及納米薄膜的研究,在國(guó)內(nèi)外發(fā)表論文30多篇。聯(lián)系電話:02164253055Email:guankaishuecus

20、.ca2.6應(yīng)變測(cè)量 2張壽祿.電子背散射衍射技術(shù)及其應(yīng)用J.電子顯微學(xué)報(bào), 材料微觀區(qū)域的殘余應(yīng)力會(huì)使局部的晶面變得2002,21(5:703刪歪扭、彎曲,從而使EBsD的菊池線模糊,因而通過(guò) 引莖國(guó)髫氣鬈警淼燃蒜裔應(yīng)用 觀察菊池圖像質(zhì)量可定性評(píng)估應(yīng)變大小。 J.本鋼技術(shù),2001,5:8.11.3結(jié)論 5宓小川.XRD與EBsD在鋼板織構(gòu)研究中的應(yīng)用J.寶鋼技 EBSD:是快速準(zhǔn)確地進(jìn)行晶體取向測(cè)量和相鑒 6】乏:j:。K.。刪i。de。二。砒。ion b,EBsP i。 定的強(qiáng)有力的分析工具。它與SEM一起工作,使得 鋤。“。tal眈。i。g。lectIo。i。peJ.Scr;

21、pta Mat。. 顯微組織(如晶粒、相、界面、形變等能與晶體學(xué)關(guān) rial。1999。41(1:47-53.系相聯(lián)系。EBSD技術(shù)已成為繼x光衍射和電子衍 7范雄金屬x射線學(xué)M.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,138141. 射后的一種微區(qū)物相鑒定和微區(qū)織構(gòu)分析的新方 8陳家光,宓小川Ni-Ti IF鋼再結(jié)晶顯微織構(gòu)研究A寶鋼 摯:導(dǎo)暨熙M艘曼竺艘黧圣襄j翹翌蒜霖萋鬻勰箍淼激織 (或中子衍射對(duì)大面積樣品區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析的 。磊磊薪蕪;i毛;矗莩茹,:磊:i8痞葙;:;:;.“特點(diǎn)。掃描電子顯微鏡配置EBSD系統(tǒng)和EDS可 10Ubhi Hs,Bowen A W.Analy。i。and。p,。tatio

22、n of elect。 以將顯微形貌、顯微成分和顯微取向三者集于一體, backscattered diffraction texture data.examples from heat treated這將大大方便材料研究工作。 Al-Li alloy sheetJMaterials Scienee and Technology,1996,參考文獻(xiàn)crystallizati:a reviewJ.Materials Scienced Engine耐醒。1廖乾初,吳自勤.電子背散射花樣分析及其應(yīng)用J.物理, 1997A238219-274., :. 44 熱處理 2008年第23卷第2期 電子背散

23、射衍射技術(shù)在材料顯微分析中的應(yīng)用作者:王疆 , 孫學(xué)鵬 , 酈劍 , WANG Jiang, SUN Xue-peng, LI Jian作者單位:王疆,WANG Jiang(遼寧科技大學(xué)高等職業(yè)技術(shù)學(xué)院,遼寧,鞍山,114044;浙江大學(xué)金屬材料研 究所,浙江,杭州,310027 , 孫學(xué)鵬,酈劍,SUN Xue-peng,LI Jian(浙江大學(xué)金屬材料研究所 ,浙江,杭州,310027刊名:熱處理英文刊名:HEAT TREATMENT年,卷(期:2008,23(2被引用次數(shù):1次參考文獻(xiàn)(11條1. 廖乾初 . 吳自勤 電子背散射花樣分析及其應(yīng)用 期刊論文-物理 1997(032. 張壽祿

24、 電子背散射衍射技術(shù)及其應(yīng)用 期刊論文-電子顯微學(xué)報(bào) 2002(053. 美國(guó)TSL公司 電子背散射衍射儀說(shuō)明書(shū)4. 高峰 . 海超 電子背散射衍射在鋼鐵材料領(lǐng)域的應(yīng)用 2001(055. 宓小川 XRD與EBSD在鋼板織構(gòu)研究中的應(yīng)用 1998(056. Garmestani H. Harris KOrientation detetminnatuion by EBSP in an environmental scanning electron microscope 1999(017. 范雄 金屬X射線學(xué)8. 陳家光 . 宓小川 Ni-Ti IF鋼再結(jié)晶顯微織構(gòu)研究 19979. 田文懷 .

25、胡士廉 電子背散射衍射對(duì)電鑄多晶體銅微觀織構(gòu)的研究 1999(zk10. Ubhi H S. Bowen A WAnalysis and representation of electron backscattered diffraction texture data-examples from heat treated Al-Li alloy sheet 199611. Doheay R D. Hushes D A. Juul Jensen DCurrent issues in recrystallization:a review 1997相似文獻(xiàn)(10條1.期刊論文 孫麗虹 . 劉安生 .

26、 邵貝羚 . 孫繼光 . 陳朝慶 . 胡廣勇 . 張希順 . Sun Lihong. Liu Ansheng. Shao Beiling. Sun Jiguang . Chen Chaoqing. Hu Guangyong. Zhang Xishun掃描電鏡電子背散射衍射系統(tǒng)的研制 -現(xiàn)代儀器 2000(6 本文介紹了掃描電鏡電子背散射衍射接收系統(tǒng),并將該系統(tǒng)成功地安裝在JSM-840掃描電鏡上.2.學(xué)位論文 王疆 電子背散射衍射(EBSD技術(shù)在材料領(lǐng)域的應(yīng)用 2006本研究采用浙江大學(xué)分析測(cè)試中心的背散射電子衍射分析系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究,該分析系統(tǒng)由場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SIRION100,Fe

27、i公司荷蘭和電 子背散射衍射儀(TSL公司美國(guó)所組成。本研究驗(yàn)證了EBSD分析儀的優(yōu)化工作參數(shù):加速電壓30kv,工作距離10.0mm,真空度高于5×10-5托,光斑:6.0;總結(jié)確定了EBSD的操作步驟 :樣品制備;標(biāo)準(zhǔn)樣品校正顯微鏡、樣品和衍射儀的相對(duì)位置,檢查電鏡工作狀態(tài)是否正常;樣品安裝;用SEM獲取圖像并確定分析區(qū)域,使樣 品待分析區(qū)域位置與標(biāo)樣的校正點(diǎn)處于同一聚焦位置;條件設(shè)定,收集EBSP圖譜,計(jì)算機(jī)標(biāo)定圖譜;數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本論文比較了EBSD試樣的各種制備方法,研究確定制樣方案:電解拋光法和傳統(tǒng)拋光法。金屬材料可采用化學(xué)或電解拋光去除形變層。離子濺射減 薄可去除金屬或非金

28、屬材料研磨拋光中形成的形變層。某些結(jié)晶形狀規(guī)則的粉末材料可直接對(duì)其平整的晶面進(jìn)行分析。本研究對(duì)塊體材料單晶Si片,純鐵片進(jìn)行EBSD測(cè)試分析,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與已知結(jié)果一致,驗(yàn)證了所提出的操作參數(shù)、步驟及制樣方法,確認(rèn)EBSD技術(shù)在 材料研究中的分析應(yīng)用開(kāi)發(fā)的可行性。本研究利用EBSD技術(shù)測(cè)定出了微晶PbTiO3、ZnO晶須和Ag納米棒的超細(xì)粉體材料的晶體結(jié)構(gòu)和晶體取向,并通過(guò)對(duì)大量晶體顆粒的反復(fù)測(cè)試,證實(shí) EBSD技術(shù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性。目前EBSD很少應(yīng)用在細(xì)晶粒粉末材料及納米材料領(lǐng)域,本研究中開(kāi)展了對(duì)細(xì)晶粒粉末材料進(jìn)行EBSD分析測(cè)試研究,并應(yīng)用X射線衍射分析技術(shù)進(jìn)行結(jié) 果驗(yàn)證,兩者結(jié)果相符,證明

29、該技術(shù)可以用來(lái)測(cè)定新型細(xì)晶粒粉末材料的晶體結(jié)構(gòu)及取向。3.期刊論文 張希順 . 劉安生 . 邵貝羚 . 孫麗虹 . 孫繼光 . 胡廣勇 . 陳朝慶 電子背散射衍射系統(tǒng)的研制和改進(jìn) -電子顯微 學(xué)報(bào) 2001,20(4電子背散射衍射裝置是獲取材料的亞微米的范疇晶體學(xué)信息掃描電鏡附件,此裝置可在觀察材料的形貌及分析成分的同時(shí)研究材料的取向關(guān)系.本文 介紹了兩種不同檔次的電子背散射衍射接收系統(tǒng),該系統(tǒng)的CCD以快速方式接收的靈敏度為5mlux, 積累方式接收的靈敏度為10lux, 分辨率為512dpi,像 元數(shù)分別為512×512×8bit、512×512×1

30、6bit, 掃描卡最高的分辨率為4096×4096,并成功地安裝在北京有色金屬研究總院JSM-840掃描電鏡上.此系統(tǒng) 設(shè)計(jì)合理、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便安全.同時(shí)編寫(xiě)了識(shí)別和標(biāo)定電子背散射衍射花樣的軟件.4.會(huì)議論文 張希順 . 劉安生 . 邵貝羚 . 孫麗虹 . 孫繼光 . 胡廣勇 . 陳朝慶 電子背散射衍射系統(tǒng)的研制改進(jìn) 2001電子背散射衍射裝置是獲取材料的亞微米的范疇晶體學(xué)信息掃描電鏡附件,此裝置可在觀察材料的形貌及分析成分的同時(shí)研究材料的取向關(guān)系.本文數(shù)分別為512×512×8bit、512×512×16bit,掃描卡最高的分辨率為409

31、6×4096,并成功地安裝在北京有色金屬研究總院JSM-840掃描電鏡上.此系統(tǒng)設(shè)計(jì) 合理、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便安全.同時(shí)編寫(xiě)了識(shí)別和標(biāo)定電子背散射衍射花樣的軟件. 5.會(huì)議論文 顏練武.謝晨輝.王燕斌 硬質(zhì)合金粗晶生長(zhǎng)方向的EBSD研究 2009 EBSD(電子背散射衍射分析是通過(guò)掃描電鏡中電子束在傾斜樣品表面激發(fā)出并形成的衍射菊池帶的分析從而確定晶體結(jié)構(gòu)、取向的方法。硬質(zhì)合金 的晶粒在燒結(jié)過(guò)程中的異常長(zhǎng)大是影響硬質(zhì)合金產(chǎn)品質(zhì)量的重要問(wèn)題,本文通過(guò)EBSD分析硬質(zhì)合金中粗晶的取向,從而確定晶粒異常長(zhǎng)大的方向,以便找到 解決合金中晶粒異常長(zhǎng)大的方法。 6.期刊論文 孫麗虹.劉安生.邵貝羚.胡廣勇.張希順.杜風(fēng)貞.SUN Lihong.LIU Ansheng.SHAN Beiling.HU Guangyong.ZHAN Xishun.DU Fengzhen 電子背散射衍射裝置及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng) -中國(guó)體視學(xué)與圖像分析2005,10(4 本文介紹了電子背散射衍射接收裝置,該裝置的CCD以快速方式接收的靈敏度為5 mlux,積累方式接收的靈敏度為10lux,分辨率為512dpi,掃描卡最 高的分辨率為4 096×4 096.并成