內(nèi)存條的種類(lèi)_圖文

1、內(nèi)存條的種類(lèi)老的內(nèi)存有FPM、EDO、SDRM，后來(lái)的有DDR、DDR2、DDR3、RDRAM目前能見(jiàn)到的內(nèi)存有：SDR、DDR、DDR2 ,DDR3三類(lèi)。比如說(shuō)DDR 800后面所帶的數(shù)字表示內(nèi)存的頻率，數(shù)字越高速度越快。 內(nèi)存的價(jià)格非常不穩(wěn)定，沒(méi)辦法討論其性?xún)r(jià)比。 性能從低到高分別是：SDR DDR DDR2 DDR3外觀：SDR一般有兩個(gè)缺口DDR1的缺口比較靠外DDR2的缺口比較靠中間DDR2代和DDR3代的槽是一樣的其中DDR與DDR2的區(qū)別很不明顯，DDR是184線(xiàn)接口，DDR2是240線(xiàn)接口，金手指比DDR的要密看標(biāo)識(shí)，上面寫(xiě)的很清，下面用圖片來(lái)直觀的說(shuō)一下其中的區(qū)別吧延遲問(wèn)題在

2、同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話(huà)說(shuō)，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說(shuō)，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。    這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問(wèn)題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō)，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DD

3、R2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說(shuō)DDR2-400的延遲要高于DDR400。封裝和發(fā)熱量：    DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。    DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過(guò)長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)

4、生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。    DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。DDR2采用的新技術(shù)：    除了以上所說(shuō)的區(qū)別外，DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和P

5、ost CAS。    OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線(xiàn)驅(qū)動(dòng)調(diào)整，DDR II通過(guò)OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過(guò)調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過(guò)減少DQ-DQS的傾斜來(lái)提高信號(hào)的完整性；通過(guò)控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。    ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線(xiàn)終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決

6、定了數(shù)據(jù)線(xiàn)的信號(hào)比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線(xiàn)信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線(xiàn)的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。    Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號(hào)（讀寫(xiě)/命令）能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive L

7、atency）后面保持有效。原來(lái)的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期，因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。    總的來(lái)說(shuō)，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問(wèn)題終將得到解決。筆記本上的內(nèi)存也是是差不多，可以分為EDO、SDRAM、DDR三種EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機(jī)型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中

8、仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費(fèi)電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。SDRAM內(nèi)存：筆記本經(jīng)歷了Pentium時(shí)代，CPU的速度已經(jīng)越來(lái)越快，這時(shí)Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術(shù)-SDRAM。SDRAM的全稱(chēng)是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)時(shí)鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。DDR內(nèi)存：顧名思義：Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸?shù)腟DRAM。隨著臺(tái)式機(jī)DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時(shí)代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚(yáng)的機(jī)器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機(jī)器早早跨入DDR時(shí)代。其實(shí)DDR的