IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)帶來更高性能和電流密度

1、    IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)帶來更高性能和電流密度        國際整流器公司 時(shí)間:2008年05月29日     字 體: 大 中 小        關(guān)鍵詞:<"cblue" " target='_blank'>新器件<"cbl

2、ue" " target='_blank'>極低<"cblue" " target='_blank'>功率半導(dǎo)體<"cblue" " target='_blank'>管理方案<"cblue" " target='_blank'>國際整流器公司            

3、;? 全球<"cblue" " title="功率半導(dǎo)體">功率半導(dǎo)體和<"cblue" " title="管理方案">管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 <"cblue" " title="國際整流器公司">國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。

4、?<"cblue" " title="新器件">新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(on) 非常低，同時(shí)把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至最少，并以<"cblue" " title="極低">極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。?IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準(zhǔn)的功率MO

5、SFET硅器件和DirectFET封裝，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整個(gè)負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實(shí)現(xiàn)每相位25A的操作，同時(shí)保持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積?！?IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。?IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd，使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有S

6、Q、ST和MP占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。?產(chǎn)品規(guī)格?器件?編號(hào)?BVDSS?(V)?10V下典型RDS(on) (mOhms)?4.5V下典型RDS(on) (mOhms)?典型QG (nC)?典型QGD(nC)?DirectFET 外形代碼?IRF6721S?30?5.1?8.5?11?3.7?SQ?IRF6722S?30?4.7?8.0?11?4.1?ST?IRF6722M?30?4.7?8.0?11?4.3?MP?IRF6724M?30?1.9?2.7?33?10?MX?IRF6725M?30?1.7?2.4?36?11?MX?IRF6726M?30?1.3?1.9?51?16?MT?IRF6727M?30?1.2?1.8?49?16?MX?產(chǎn)品詳細(xì)信息可以登錄IR 網(wǎng)站查詢：?新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS)，并已接受批量訂單。?IR簡介?國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能運(yùn)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)