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1、實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案貼片電容 COG,X7R,Y5V,X5R,NPO介質(zhì)區(qū)別2011-04-22 08:57這個(gè)是按美國(guó)電工協(xié)會(huì)( EIA)標(biāo)準(zhǔn),不同介質(zhì)材料的MLCC 按溫度穩(wěn)定性分成三類:超穩(wěn)定級(jí)(工類)的介質(zhì)材料為COG 或 NPO ;穩(wěn)定級(jí)( II 類)的介質(zhì)材料為 X7R ;能用級(jí)()的介質(zhì)材料Y5V 。X7R 電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55 到 +125 時(shí)其容量變化為 15% ,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R 電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每 10 年變化 1%C,表現(xiàn)為 10 年變化了約 5% 。X7R

2、電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。COG,X7R,X5R,Y5V 均是電容的材質(zhì), 幾種材料的溫度系數(shù)和工作范圍是依次遞減的,不同材質(zhì)的頻率特性也是不同的。NPO 、X7R 、Z5U 和 Y5V 的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。 所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。一 NPO 電容器NPO 是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和

3、一些其它稀有氧化物組成的。NPO 電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案的電容器之一。在溫度從-55 到 +125 時(shí)容量變化為 0 ±30ppm/,電容量隨頻率的變化小于± 0.3C。 NPO 電容的漂移或滯后小于± 0.05% ,NPO(COG)多層片式陶瓷電容器 ,它只是一種電容COG(Chip On Glass )即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以大大減小 LCD 模塊的體積,且易于大批量生產(chǎn),適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的LCD ,如:手機(jī), PDA 等便攜式產(chǎn)品,這種安裝方式,在IC 生產(chǎn)商的推動(dòng)下,將會(huì)是今后IC 與 LCD 的主要連接方

4、式。相對(duì)大于± 2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于± 0.1% 。NPO 電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了 NPO電容器可選取的容量范圍。封 裝DC=50VDC=100V08050.5-1000pF0.5-820pF12060.5-1200pF0.5-1800pF1210560-5600pF560-2700pF22251000pF-0.033 F1000pF-0.018 FNPO 電容器適合用于振蕩器、 諧振器的槽路電容, 以及高頻電路中的耦合電容。二 X7R

5、 電容器X7R 電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55 到 +125 時(shí)其容精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案量變化為 15% ,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R 電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每 10 年變化 1%C,表現(xiàn)為 10 年變化了約 5% 。X7R 電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。 它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了 X7R 電容器可選取的容量范圍。三 Z5U 電容器Z5U 電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對(duì)于 Z

6、5U 電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U 電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達(dá)每10 年下降 5% 。盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻( ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U 電容器的取值范圍。Z5U 電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍+10 - +85 溫度特性+22% - -56%介質(zhì)損耗最大 4%四 Y5V 電容器Y5V 電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30 到 85 范圍內(nèi)其容精彩

7、文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案量變化可達(dá) +22% 到-82% 。Y5V 的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7 F 電容器。Y5V 電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍-30 - +85 溫度特性+22% -82%介質(zhì)損耗最大 5%五, NPO(COG)多層片式陶瓷電容器 ,它只是一種電容。COG(Chip On Glass )即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以大大減小 LCD 模塊的體積,且易于大批量生產(chǎn),適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的LCD ,如:手機(jī), PDA 等便攜式產(chǎn)品,這種安裝方式,在IC 生產(chǎn)商的推動(dòng)下,將會(huì)是今后IC 與 LCD 的主要連接方式。X7R 與 X5R 材質(zhì)的溫度

8、系數(shù)不同。 X5R 材質(zhì)所能做出來(lái)的電容容值會(huì)更高一些,與 X7R 同樣容值電壓的電容相比, X5R 的價(jià)格也要便宜一些。 NPO (C0G )具有溫度補(bǔ)償特性,精度能做到 5% ,但是不能做到太高的容值。X 是最低溫度 -55 度 7 是最高承受溫度125 度 R 是使用溫度內(nèi)容值變化的范圍+-15%同理 X5R 只是最高溫度為85 度和是的代碼,表示不同的溫度特性, 溫度變化率相同, 都是,只是上限工作溫度是度,上限是度, 從材料上來(lái)說(shuō),比較接近,都是作為主燒塊的陶瓷材料,的值大點(diǎn),可以做更大的容量,一般大容量的都是,不能用做精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案電容參數(shù) X5R, X7R,Y5V ,COG

9、 等代表什么意思呢?這類參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別,溫度特性以及誤差等參數(shù), 不同的值也對(duì)應(yīng)著一定的電容容量的范圍。具體來(lái)說(shuō),就是:X7R 常用于容量為 3300pF0.33uF的電容,這類電容適用于濾波,耦合等場(chǎng)合,電介質(zhì)常數(shù)比較大,當(dāng)溫度從0°C 變化為 70 °C 時(shí),電容容量的變化為± 15% ;Y5P 與 Y5V 常用于容量為150pF2nF的電容,溫度范圍比較寬,隨著溫度變化,電容容量變化范圍為± 10% 或者 +22%/-82%。對(duì)于其他的編碼與溫度特性的關(guān)系,大家可以參考表4-1 。例如, X5R 的意思就是該電容的正常工作溫度為

10、-55 °C+85 °C,對(duì)應(yīng)的電容容量變化為± 15% 。表 4-1電容的溫度與容量誤差編碼低溫高溫容量變化X: -55°C4: +65°CA: ±1.0%Y: -30°C5: +85°CB: ±1.5%Z: +10°C6: +105°CC: ±2.2%7: +125°CD: ±3.3%8: +150°CE: ±4.7%9: +200°CF: ±7.5%P: ±10%精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案R: ±

11、15%S: ±22%T: +22% -33%U: +22% -56%V: +22% -82%在我們選擇無(wú)極性電容式,不知道大家是否有注意到電容的X5R,X7R ,Y5V ,COG 等等看上去很奇怪的參數(shù),有些摸不著頭腦,本人特意為此查閱了相關(guān)的文獻(xiàn),現(xiàn)在翻譯出來(lái)奉獻(xiàn)給大家。這類參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別,溫度特性以及誤差等參數(shù), 不同的值也對(duì)應(yīng)著一定的電容容量的范圍。具體來(lái)說(shuō),就是:精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案X7R 常用于容量為 3300pF0.33uF的電容,這類電容適用于 濾波,耦合等場(chǎng)合,電介質(zhì)常數(shù)比較大,當(dāng)溫度從0°C 變化為 70 °C 時(shí),電容容量的

12、變化為 ±15% ;Y5P 與 Y5V 常用于容量為150pF2nF的電容,溫度范圍比較寬,隨著溫度變化,電容容量變化范圍為± 10% 或者 +22%/-82%。對(duì)于其他的編碼與溫度特性的關(guān)系,大家可以參考表4-1 。例如, X5R 的意思就是該電容的正常工作溫度為-55 °C+85 °C,對(duì)應(yīng)的電容容量變化為± 15% 。表 4-1電容的溫度與容量誤差編碼下面我們僅就常用的NPO 、X7R 、Z5U 和 Y5V 來(lái)介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。不同的公司對(duì)于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這里我

13、們引用的是AVX 公司的命名方法,其他公 司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)。NPO 、X7R 、Z5U 和 Y5V 的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。 在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。 所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。一 NPO 電容器NPO 是一種最常用的具 有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO 電容器是 電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55 到 +125 時(shí)容量變化為 0 ±30ppm/,電容量隨頻率的變化小于

14、± 0.3C。 NPO 電容的漂移或滯后小于 ±0.05% ,相對(duì)大于±2% 的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于± 0.1% 。NPO 電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO 電容器可選取的容量范圍。NPO 電容器適合用于振蕩器、 諧振器的槽路電容, 以及高頻電路中的耦合電容。二 X7R 電容器X7R 電容器被稱為 溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在 -55 到 +125 時(shí)其容量變化為 15% ,需要注意的是此時(shí)電容器容量變

15、化是非線性的。X7R 電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每 10 年變化 1%C,表現(xiàn)為 10 年變化了約 5% 。X7R 電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。 它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了 X7R 電容器可選取的容量范圍。三 Z5U 電容器Z5U 電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對(duì)于 Z5U 電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U 電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的

16、老化率最大可達(dá)每10 年下降 5% 。盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻( ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。 下表給出了 Z5U 電容器的取值范圍。Z5U 電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍+10 - +85 溫度特性+22% - -56%介質(zhì)損耗最大 4%四 Y5V 電容器精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案Y5V 電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30 到 85 范圍內(nèi)其容量變化可達(dá) +22% 到-82% 。Y5V 的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7 F 電容器。Y5V 電容器的取值范圍如下

17、表所示Y5V 電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍-30 - +85 溫度特性+22% - -82%介質(zhì)損耗最大 5%貼片電容器命名方法可到AVX 網(wǎng)站上找到。NPO,X7R及 Y5V 電容的特性及主要用途NPO 的特性及主要用途屬 1 類陶瓷介質(zhì),電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨時(shí)間、溫度、電壓變化,適用于高可靠、高穩(wěn)定的高額、特高頻場(chǎng)合。特性:電容范圍1pF 0.1uF (1 ±0.2V rms 1MHz)環(huán)境溫度:-55 +125 組別: CG溫度特性:0±30ppm/損耗角正切值:15x10-4絕緣電阻:10G 抗電強(qiáng)度: 2.5 倍額定電壓5 秒 浪涌電流: 50 毫安

18、X7R 的特性及主要用途屬 2 類陶瓷介質(zhì),電氣性能較穩(wěn)定,隨時(shí)間、溫度、電壓的變化,其特性變化不明顯,適用于要求較高的耦合、旁路、源波電路以及 10 兆周以下的頻率場(chǎng)合。精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案特性:電容范圍300pF 3.3uF (1.0 ±0.2V rms 1KHz)環(huán)境溫度:-55 +125 組別: 2X1溫度特性:±15%損耗角正切值:100Volts: 2.5% max50Volts: 2.5% max25Volts: 3.0% max16Volts: 3.5% max10Volts: 5.0% max絕緣電阻:4G 或 100S/C ( 單位: M )抗電強(qiáng)度: 2.5 倍

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