模電第四章場效應(yīng)晶體管及其放大電路

1、1第四章場效應(yīng)晶體管及其放大電路P126 GSu GSu GS(th)U DSuDiGS(th)GSUuDSuDSuDSuDSuDiDSuGS(th)GSDSUuu DSuDiDSuDiGSuDiDSuGS(th)GSDSUuuGSuDiDiGSu 常數(shù)DS)(GSDUUfI GS(th)GSUu0DiGS(th)GSUuGSuDiDiGSu2GS(th)GSDOD) 1(UuIIDOIGS(th)GS2UuDIDSuGSuDi 常數(shù)GS)(DSDUUfIDSuDSuGSuDiDSuGSuGSu GS(th)GSUu常數(shù)GS)(DSDUUfI DSuDIDiDSuDiDSuDiGS(th)GS

2、DSUuu DSu0GSuDSSI0GSuDiGSuDiGSu0DiGSuGS(off)UGS(th)GSUu GSuDi2GS(off)GSDSSD)1 (UUII0GSGS(off) uUP126 DSuDiGSuDSuDiGSuDiGSu0DiGS(off)UGS(off)GSUU0DiGSuDi0GSUDSSIGS(off)U 2GS(off)GSDSSD)1 (UuIIGS(th)U GS(off)U DSSIDSuGS(DC)R GS(DC)R710GS(DC)R1010mg GSuDi常數(shù)DSGSDmUuigmg mg。 GSC GDCDSCDMI (BR)DSUDiDSu(BR

3、)GSU DMP 1）MOS管柵源之間的電阻很高，使得柵極的感應(yīng)電荷不易泄管柵源之間的電阻很高，使得柵極的感應(yīng)電荷不易泄放，因極間電容很小，故會造成電壓過高使絕緣柵擊穿。放，因極間電容很小，故會造成電壓過高使絕緣柵擊穿。 2）有些場效應(yīng)管將襯底引出，故有）有些場效應(yīng)管將襯底引出，故有4個管腳，這種管子漏極個管腳，這種管子漏極與源極可互換使用。但有些場效應(yīng)管在內(nèi)部已將襯底與源極與源極可互換使用。但有些場效應(yīng)管在內(nèi)部已將襯底與源極接在一起，只引出接在一起，只引出3個電極，這種管子的漏極與源極不能互換。個電極，這種管子的漏極與源極不能互換。 （3 3）場效應(yīng)管噪聲系數(shù)很小，所以低噪聲放大器的輸入級及

4、）場效應(yīng)管噪聲系數(shù)很小，所以低噪聲放大器的輸入級及要求信噪比較高的電路應(yīng)選用場效應(yīng)管。當(dāng)然也可選用特制要求信噪比較高的電路應(yīng)選用場效應(yīng)管。當(dāng)然也可選用特制的低噪聲晶體管。的低噪聲晶體管。 SDGSRIUSRSDGS2GS(off)GSDSSD)1 (RIUUUII)(SDDDDDSRRIVU0DI SDDDG2G1G2SGGSRIVRRRUUUG1RG2RG2RG1RG3R2GS(th)GSDODSDDDG2G1G2GS) 1(UuIIRIVRRRU)(SDDDDDSRRIVU Digsudsu LmiOuLimLGSmLDdo)/(RgUUARUgRUgRRIUuAiR)/(G2G1G3iR

5、RRRG1RG2R)/(G2G1G3RRRG3iRR oRDoRR uALmLmLgsmgsLgsmiOu1RgRgRUgURUgUUAiR)/(G2G1G3iRRRR )/(G2G1G3RRRG3iRR oRoRgsmSodRoUgRUIII0gIogsUUomSooUgRUImSmSomSooooo1/11gRgRUgRUUIUR mA1DQI M2G3Rk91G1Rk10G2R k3SRk10LRV4GS(th)UmA4DOIuAiRoRmS1)1442(2DQDOGS(th)GSDmIIUuig7 . 04 . 2114 . 211LmLmuRgRgAM2)/(G2G1G3iRRRRk75. 013111/mSogRR4.3 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 圖4-15 IGBT的符號 圖4-16 IGBT的等效電路 IGBTIGBT與與MOSFETMOSFET的對比的對比 MOSFET全稱功率場效應(yīng)管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。 主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大；缺點：擊穿電壓低低，工作電流小。 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶體管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。 主要特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件