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文檔簡介

1、1開關電源中電容器的選擇2一、電容器的基本原理電容器的基本原理 結構結構 :電容器的基本結構是由兩塊導體極板,中間隔離有不同的電介質(絕緣體)組成。其符號如圖(b)所示。充電:充電:當兩個端子接到電源時,電源正極將相連極板電子吸走,留下正電荷;而負極向另一極板同時送人相等電子。在外電路形成電流。直到極板電壓等于極板兩端電壓。3定義定義:601085836dA.dAdAdACrrrCUQ 或UQC 電容量與結構和介質有關:F 0 r0 =8.8510-12F/m(110-9/36) A極板面積(m2); d極板間距離(m)通常電容器名稱是以介質材料來命名的4表1 一些材料的相對介電常數 材料 r

2、 材料 r空氣 1.0 橡膠 2.7蒸餾水8.0 云母 67.5臘紙 4.3 玻璃 5.58礦物油2.2 陶瓷 5.8尼龍 3.55 氧化鋁 7.510聚酯薄膜 3.1 導熱硅脂3.94.3人造云母 5.2 聚四氟乙烯1.82.25電容電路中電流電容電路中電流電容存儲的能量200021CUCududtdtduuCuidtWUtttUCtQidddd(J)電容電壓不能突變正弦交流(u=Umsint)電路中的電容)/t(ItXUtC/UtUCtuCimc2sincos2cos12cos2ddCXC1式中6二、電容器的主要參數1. 容量:容量:單位F,(mF),F,nF,pF 標稱值和電阻相同。按照

3、公差等級決定序列。如公差10%:1.0,1.2,1.5,1.8,2.2,2.7,3.3,4.7和6.8等,像4.7F,0.047F,47pF等等誤差等級1%(00)級,2%(0)級,5%()級,10%()級和20%()級容量標注在外殼上容量標注在外殼上,測試條件為25C,1F 測試頻率為120Hz, 1F C1nF 測試頻率為1kHz72.電壓定額 電容器介質中的電場強度大于它的允許電場強度,這是絕緣介質中的電子被拉出來,產生雪崩效應,引起介質擊穿。額定電壓一般比擊穿電壓低。高電壓定額的電容需要更厚的介質,比低電壓體積大。額定直流電壓額定直流電壓:電容兩極能施加的最高直流電壓。額定交流電壓額定

4、交流電壓:受損耗限制,一般比直流電壓低得多。并隨頻率增加允許交流電壓降低。例如例如:某電容直流額額定電壓為600V,而50Hz交流額定電壓為30V。某電容50Hz交流額定電壓為400V,而在400HZ應用,額定電壓降低為240V等。通常選擇電容額定電壓不得小于電容所承受電路最高電壓的125%。83. ESRESR、ESLESL和損耗系數和損耗系數電容等效電路:電容等效電路:C,ESR,ESL和RSESR:引線、焊接和介質極化損耗。介質損耗與溫度和頻率有關。ESL:引線、電容極板結構有關。RS:泄漏電阻,一般很大損耗系數:容量1F,用120Hz;5mm, 1835應3mm,616應2mm;2.

5、電容安裝時盡量不要靠近功率器件和發(fā)熱源;3. 不要用有機洗滌劑清洗;4. 電路電壓最高電壓不超過耐壓值的1.2倍;5. 不能反極性;6. 已安裝在PCB上的電容不得強迫拉壓或歪扭;7.在電壓允許的情況下,電容的端盡可能靠近,減少引線電感。162、鉭電容鉭電容比鋁電容具有好得多的高頻特性,但價格貴,而且電壓限制在100V和容量數百F以下,失效為常為短路極易著火。中功率電源輸入最好選擇鋁電解電容,而輸出低壓采用貼片鉭電容。當然貼片比插件的容量小而電壓低。比鋁電解電容更好的低溫性能。 鉭電解電容選擇與鋁電解電容相似。仍以輸出紋波電壓和ESR選擇電容量。 173.2 無極性電容無極性電容1.有機薄膜電

6、容有機薄膜電容介質介質:薄膜電容有聚乙烯、聚酯(CL)、聚丙烯(CB)、聚四氟乙烯(CF)、聚碳酸脂(CLS )等薄膜電容。精密、溫度特性好、低漏電流。類型:類型:1.1.金屬箔金屬箔/ /膜電容膜電容金屬箔作為電極。極低的ESR,可以承受很高的dV/dt和交流電流。體積大,價格高。容量?。ǖ陀?.01F ) 2.2.金屬化電容金屬化電容 噴涂在介質鋁層作為電極。ESR大,較低的dV/dt和交流電流能力。體積小,價格低,有自愈能力。容量大。18使用:使用:相同容量金屬箔常用于脈沖、交流高壓、緩沖電路(snubber)和諧振電路。金屬化電容在局部擊穿時產生高溫,金屬箔蒸發(fā)不會短路,電容量減少極小

7、,這種現象就是所謂自愈能力,體積小,價格低。這類電容除了一般應用以外,常用于電磁兼容的X電容和Y電容。金屬化聚碳酸酯膜介質CLS體積小,耐高溫、溫度系數小、絕緣電阻高、自愈性。常應用于邏輯控制電路、延時、積分、濾波、耦合和移相電路。*金屬化電容不使用在低電容,小于0.01F,諧振電路 ,吸收電路 ,低噪聲 。殼溫升不超過15C,高溫環(huán)境殼溫不超過最高允許溫度。192. 無機介質電容無機介質電容云母電容:云母電容:云母片為介質,浸銀后形成電極。 電容量在數pF到1F; 電壓定額在50Vdc到2500V -55150內電容量漂移不超過0.5% 比有機介質箔電容更高的dV/dt能力 體積較大,成本較

8、高。適合于定時、緩沖電路和高頻交流電路使用。 20陶瓷介質電容陶瓷介質電容 :介質成分介質成分是鈦酸鹽、鈮鎂酸鉛等 分類:分類:3類1類:類:高精度,1pF到幾個mF;1類:高精度,1pF到幾個mF; 2類類 :獨石電容,和1類相同的殼體,容量是以上電容2070倍,但在溫度55125范圍內變化大約10%,最大變化為15%25%; 3類類:電容容量是2類大約5倍,電容量隨電壓和溫度變化較大。溫度范圍2585,電容變化大約20%65% 21使用1類用于定時、諧振電路和需要補償溫度效應的電路,也適合要求低損耗和高絕緣電阻的一般電路中使用。在收音機、電視機、收錄機等電子產品種要求容量穩(wěn)定的交直流的脈沖

9、電路中使用。在收音機、電視機、收錄機等電子產品種要求容量穩(wěn)定的交直流的脈沖電路中使用。2類電容量大,外形尺寸小。電路中用于隔直流、旁路耦合、濾波和對損耗和容量穩(wěn)定性要求不高的場合。 3類 容量大,但要求不高的地方,價格低廉。 22四、開關電源中電容器1、 輸入EMC濾波、整流和PFCC1C2C3C4C5C6C7UiUoHVC8220V50HzAB23C1, C4EMC差模(常模)濾波:一般采用有機介質金屬化交流電容。通常稱為X電容。C2, C3EMC共模濾波:一般稱為Y電容。通常采用高壓一類陶瓷電容,或高壓金屬化電容。要求較低的ESR。數值受安全泄漏電流(3mA)限制。C5PFC輸入電容:通常

10、采用金屬化電容,如CBB。保證PFC工作,輸入整流電壓為零附近有1V左右電壓。減少輸入電流過零失真,一般在14 F 。C6, C7緩沖(Snubber)電容:一般采用金屬箔/膜電容,具有很高的dV/dt能力,以及非常小的ESR和ESL。通常稱為snubber 電容。C8輸出濾波電容:鋁電解電容,按紋波電壓要求,根據峰值電流和電容的ESR選擇容量,檢查電容的紋波電流定額是否滿足電路要求。242. 功率電路C11C9C9, C10 Snubber電容,要求極低ESR,一般按dV/dt能力選擇電容。C10C11輸出濾波電容,電解電容,按紋波電壓要求,根據紋波電流和電容的ESR選擇電容量。UoHVUo輔助線圈253. 輔助電路輔助電路C12C13

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