Rena 前后清洗工藝培訓(xùn)教材(共66張)

1、ConfidentialRENA前后清洗工藝培訓(xùn)前后清洗工藝培訓(xùn)Confidential太陽(yáng)能電池的種類及效率前清洗（制絨）前清洗（制絨）擴(kuò)散擴(kuò)散PECVD SiNx PECVD SiNx 后清洗（刻邊后清洗（刻邊/ /去去PSGPSG）絲網(wǎng)印刷絲網(wǎng)印刷 /燒結(jié)燒結(jié)/測(cè)試測(cè)試制造太陽(yáng)能電池的基本工藝流程制造太陽(yáng)能電池的基本工藝流程RENA清洗設(shè)備清洗設(shè)備注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同一、一、RENA Intex前清洗工藝培訓(xùn)前清洗工藝培訓(xùn)制絨的目與原理制絨的目與原理 根據(jù)工藝方法不同，制絨可分為堿制絨（僅適用于單晶硅

2、制絨）根據(jù)工藝方法不同，制絨可分為堿制絨（僅適用于單晶硅制絨）和酸制絨（可用于單晶和多晶硅表面的制絨）。和酸制絨（可用于單晶和多晶硅表面的制絨）。RENA設(shè)備為酸制設(shè)備為酸制絨設(shè)備，其目的主要有：絨設(shè)備，其目的主要有：1.去除硅片表面的機(jī)械損傷層去除硅片表面的機(jī)械損傷層 2.清除表面油污和金屬雜質(zhì)清除表面油污和金屬雜質(zhì) 3.形成起伏不平的絨面，減少光的反射，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的形成起伏不平的絨面，減少光的反射，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的 吸收，增加吸收，增加PN結(jié)的面積，提高短路電流（結(jié)的面積，提高短路電流（Isc），最終提高電），最終提高電 池的光電轉(zhuǎn)換效率。池的光電轉(zhuǎn)換效率。酸制絨后表面呈蜂窩狀，如

3、下圖所示。酸制絨后表面呈蜂窩狀，如下圖所示。單晶硅片酸制絨絨面形狀單晶硅片酸制絨絨面形狀 陷光原理圖陷光原理圖 當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面形成二次吸光會(huì)反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，從而增加吸收率。收或者多次吸收，從而增加吸收率。酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式: HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 Si+2KOH+H2O K2SiO3 +2H2 NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 = SiO

4、2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2前清洗工藝步驟：前清洗工藝步驟： 制絨制絨堿洗堿洗 酸洗酸洗吹干吹干Etch bathDryer1Rinse1AlkalineRinseRinse2AcidicRinseRinse3Dryer2 RENA Intex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個(gè)槽，此外還有滾輪、排前清洗設(shè)備的主體分為以下八個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)風(fēng)系統(tǒng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。和溫度控制系統(tǒng)等。Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。：刻蝕槽，用于制絨。 所用溶液為所用溶液為HF+HNO3，主要工藝參數(shù)：，

5、主要工藝參數(shù)：Firstfill volume:480L; Bath processtemperature:7 2 concentrations of chemical:HF(154g/L)&HNO3 (358g/L); Quality:100.0Kg; Setpoint recirculation flow:140.0L/min; 制絨制絨過(guò)程中根據(jù)腐蝕深度，可對(duì)溫度作適當(dāng)修正。越高的溫度對(duì)應(yīng)越快的反應(yīng)過(guò)程中根據(jù)腐蝕深度，可對(duì)溫度作適當(dāng)修正。越高的溫度對(duì)應(yīng)越快的反應(yīng)速度，故如果腐蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。一般每速度，故如果腐蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。一般每0.1 對(duì)應(yīng)

6、對(duì)應(yīng)約約0.1m的腐蝕厚度。的腐蝕厚度。當(dāng)藥液壽命當(dāng)藥液壽命（Quality）到后，需更換整槽藥液。到后，需更換整槽藥液。刻蝕槽的作用刻蝕槽的作用：1.1.去除硅片表面的機(jī)械損傷層；去除硅片表面的機(jī)械損傷層；2.2.形成無(wú)規(guī)則絨面。形成無(wú)規(guī)則絨面。Alkaline Rinse：堿洗槽：堿洗槽 。 所用溶液為所用溶液為KOH，主要工藝參數(shù)：，主要工藝參數(shù)：Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours; Bath processtemperature:204 當(dāng)藥液壽命（當(dāng)藥液壽命（Bath lifetime）到后，需

7、更換整槽藥液。）到后，需更換整槽藥液。堿洗堿洗槽的作用：槽的作用：1.洗去硅片表面多孔硅；洗去硅片表面多孔硅；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。Acidic Rinse：酸洗槽：酸洗槽 。 所用溶液為所用溶液為HCl+HF，主要工藝參數(shù)：，主要工藝參數(shù)：Firstfill concentration of chemical:HCl(10%)&HF(5%); Bath lifetime:250hours; Bath processtemperature:20 2 當(dāng)藥液壽命（當(dāng)藥液壽命（Bath lifetime）到后，需更換整槽藥液。）到后，需更換整槽

8、藥液。酸洗槽的作用：酸洗槽的作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.HF可去除硅片表面氧化層（可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的中的Cl-有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。 Rinse 13：水洗槽，水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。水洗槽中液面高度：水洗槽，水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。水洗槽中液面高度Rinse 3Rinse 2 Rinse 1。進(jìn)水口在。進(jìn)水口在Rinse 3處。處。Dryer 1和和Dryer 2為風(fēng)刀，

9、通過(guò)調(diào)節(jié)風(fēng)刀的角度和吹風(fēng)的壓力，使硅為風(fēng)刀，通過(guò)調(diào)節(jié)風(fēng)刀的角度和吹風(fēng)的壓力，使硅片被迅速吹干。片被迅速吹干。滾輪滾輪分三段設(shè)定速度，其中分三段設(shè)定速度，其中converyor1converyor 2converyor 3，否，否則前快后慢，易在設(shè)備中因?yàn)榀B片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時(shí)則前快后慢，易在設(shè)備中因?yàn)榀B片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時(shí)間）根據(jù)需要的腐蝕深度來(lái)進(jìn)行設(shè)置，生產(chǎn)過(guò)程中可根據(jù)測(cè)試結(jié)果來(lái)間）根據(jù)需要的腐蝕深度來(lái)進(jìn)行設(shè)置，生產(chǎn)過(guò)程中可根據(jù)測(cè)試結(jié)果來(lái)進(jìn)行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則反應(yīng)時(shí)間增加，腐蝕深度加進(jìn)行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則反應(yīng)時(shí)間增加，腐蝕深度加深，反之亦然

10、。深，反之亦然。(注注:前清洗速度最好不要超過(guò)前清洗速度最好不要超過(guò)1.2m/min，速度過(guò)快，一方面硅片清洗，速度過(guò)快，一方面硅片清洗或吹不干凈，擴(kuò)散容易出現(xiàn)藍(lán)黑點(diǎn)片；另一方面碎片高，有時(shí)碎片會(huì)或吹不干凈，擴(kuò)散容易出現(xiàn)藍(lán)黑點(diǎn)片；另一方面碎片高，有時(shí)碎片會(huì)堵住噴淋口，清洗后出現(xiàn)臟片。此外，滾輪速度也不可太慢，否則影堵住噴淋口，清洗后出現(xiàn)臟片。此外，滾輪速度也不可太慢，否則影響產(chǎn)量。響產(chǎn)量。) 補(bǔ)液補(bǔ)液:自動(dòng)補(bǔ)液自動(dòng)補(bǔ)液：當(dāng)腐蝕深度控制在：當(dāng)腐蝕深度控制在4.4 0.4m范圍內(nèi)時(shí)，硅片的腐蝕重量約范圍內(nèi)時(shí)，硅片的腐蝕重量約為為0.3g/片，通過(guò)感應(yīng)器計(jì)數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時(shí)，機(jī)器自動(dòng)對(duì)刻蝕槽進(jìn)片

11、，通過(guò)感應(yīng)器計(jì)數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時(shí)，機(jī)器自動(dòng)對(duì)刻蝕槽進(jìn)行補(bǔ)液行補(bǔ)液,其中其中HF量為量為0.050.005kg、 HNO3量為量為0.050.005kg。手動(dòng)補(bǔ)液手動(dòng)補(bǔ)液：根據(jù)實(shí)際硅片的腐蝕情況，有時(shí)需要進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。通常每次：根據(jù)實(shí)際硅片的腐蝕情況，有時(shí)需要進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。通常每次補(bǔ)液量如下：補(bǔ)液量如下：Replenishment Etch bath: HF 9.000L HNO3 6.000LReplenishment Alkaline: KOH 2.000LReplenishment Acidic: HCl 4.000L HF 2.000L 也可根據(jù)實(shí)際情況減少或增加手動(dòng)補(bǔ)液量。但用量比

12、例按照上述之比也可根據(jù)實(shí)際情況減少或增加手動(dòng)補(bǔ)液量。但用量比例按照上述之比例例 ，補(bǔ)藥過(guò)程一般不建議加入，補(bǔ)藥過(guò)程一般不建議加入DI water。 當(dāng)腐蝕深度不夠時(shí)，只對(duì)當(dāng)腐蝕深度不夠時(shí)，只對(duì)Etch bath進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃斑時(shí)，需要對(duì)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃斑時(shí)，需要對(duì)KOH 進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)硅片經(jīng)過(guò)風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)硅片經(jīng)過(guò)風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面氧化層未被洗凈，此時(shí)可適當(dāng)補(bǔ)充酸。氧化層未被洗凈，此時(shí)可適當(dāng)補(bǔ)充酸。前清洗補(bǔ)液原則前清洗補(bǔ)液原則 每批次抽取每批次抽取4片樣品，測(cè)量腐蝕前后的質(zhì)量差，然后根據(jù)

13、公式可獲得腐片樣品，測(cè)量腐蝕前后的質(zhì)量差，然后根據(jù)公式可獲得腐蝕深度，蝕深度，125單晶要求控制腐蝕深度在單晶要求控制腐蝕深度在4.4 0.4m ,同時(shí)制絨后的硅片反射同時(shí)制絨后的硅片反射率要求控制在率要求控制在21%24%之間。之間?？涛g深度與電性能間的關(guān)系刻蝕深度與電性能間的關(guān)系 SPC控制控制 設(shè)備的日常維護(hù)主要是濾芯的更換；視硅片清洗后設(shè)備的日常維護(hù)主要是濾芯的更換；視硅片清洗后的質(zhì)量排查可能的設(shè)備原因，調(diào)整噴淋和風(fēng)刀的角度和的質(zhì)量排查可能的設(shè)備原因，調(diào)整噴淋和風(fēng)刀的角度和強(qiáng)度；藥液壽命到后換藥過(guò)程中清洗酸堿槽，以及清理強(qiáng)度；藥液壽命到后換藥過(guò)程中清洗酸堿槽，以及清理滾輪和各槽中碎片。

14、滾輪和各槽中碎片。 需要注意的是堿槽的噴嘴角度和流量需要控制好，需要注意的是堿槽的噴嘴角度和流量需要控制好，否則堿液易噴至否則堿液易噴至Rinse1中，而中，而Rinse1中洗下的酸液和上中洗下的酸液和上述堿液易在該槽中生成鹽，使該處的濾芯很快被堵住而述堿液易在該槽中生成鹽，使該處的濾芯很快被堵住而失效。失效。前清洗工序工藝要求前清洗工序工藝要求 片子表面片子表面5S5S控制控制 不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片。不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片。 稱重稱重 1.1.每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè)，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè)，

15、不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。 2. 2.要求每批測(cè)量要求每批測(cè)量4 4片。片。 3. 3.放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批放在放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.71.3.5.7道，下一批則道，下一批則放在放在2.4.6.82.4.6.8道，便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。道，便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。 刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)：刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過(guò)程中顏色改變，立即正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過(guò)程中顏色改變，立即通知工藝人員。通知工藝人員。 產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求:

16、: 1.1.停機(jī)停機(jī)1 1小時(shí)以上，要將刻蝕槽的藥液排到小時(shí)以上，要將刻蝕槽的藥液排到tanktank，減少藥液的揮發(fā)。，減少藥液的揮發(fā)。 2. 2.停機(jī)停機(jī)1515分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。 3. 3.停機(jī)停機(jī)1h1h以上，要跑假片，至少一批（以上，要跑假片，至少一批（400400片）且要在生產(chǎn)前半小時(shí)片）且要在生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。 前清洗到擴(kuò)散的產(chǎn)品時(shí)間前清洗到擴(kuò)散的產(chǎn)品時(shí)間:

17、: 最長(zhǎng)不能超過(guò)最長(zhǎng)不能超過(guò)4 4小時(shí)小時(shí), ,時(shí)間過(guò)長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，到擴(kuò)散污染爐管時(shí)間過(guò)長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，到擴(kuò)散污染爐管, ,從從 而影響后面的電性能及效率而影響后面的電性能及效率 常見故障常見故障原因及解決方法原因及解決方法前前清清洗洗工工藝藝刻蝕深度不刻蝕深度不穩(wěn)定穩(wěn)定a觀察來(lái)片是否有異常，或者來(lái)片一批中是否是不同晶棒組成，因?yàn)橛^察來(lái)片是否有異常，或者來(lái)片一批中是否是不同晶棒組成，因?yàn)?不同的片子會(huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速率。不同的片子會(huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速率。b查看溶液顏色，正常的顏色應(yīng)該是灰色偏綠。如果覺得顏色過(guò)淺，查看溶液顏色，正常的顏色應(yīng)該是灰色偏綠。如果覺得顏色過(guò)淺， 流假片，一般以流假

18、片，一般以400片為一個(gè)循環(huán)。然后測(cè)試片為一個(gè)循環(huán)。然后測(cè)試4片硅片刻蝕深度。片硅片刻蝕深度。硅片表面有硅片表面有大面積黃斑大面積黃斑觀察堿槽溶液是否在循環(huán)，若沒有循環(huán)，手動(dòng)打開循環(huán)若有循環(huán)則觀察堿槽溶液是否在循環(huán)，若沒有循環(huán)，手動(dòng)打開循環(huán)若有循環(huán)則說(shuō)明堿濃度不夠，需要補(bǔ)加堿說(shuō)明堿濃度不夠，需要補(bǔ)加堿硅片表面有硅片表面有小白條小白條觀察氣刀是否被堵，通過(guò)查看硅片通過(guò)氣刀下方時(shí)表面液體有無(wú)被吹觀察氣刀是否被堵，通過(guò)查看硅片通過(guò)氣刀下方時(shí)表面液體有無(wú)被吹干判斷。干判斷。滾輪速度較滾輪速度較低或較高低或較高a一般我們要求滾輪在一般我們要求滾輪在1.01.2的速度下流片，因?yàn)檫^(guò)低的速度會(huì)影響的速度下流

19、片，因?yàn)檫^(guò)低的速度會(huì)影響產(chǎn)量，過(guò)高的速度風(fēng)刀很難將硅片吹干。所以如果滾輪速度小于產(chǎn)量，過(guò)高的速度風(fēng)刀很難將硅片吹干。所以如果滾輪速度小于1.0，需要手動(dòng)加液，一般按需要手動(dòng)加液，一般按9升升HF，6升升HNO3進(jìn)行補(bǔ)液。同時(shí)可以將溫度進(jìn)行補(bǔ)液。同時(shí)可以將溫度提高，以提高，以1度為一個(gè)單位升高（可在度為一個(gè)單位升高（可在58度之間進(jìn)行調(diào)整）。但是對(duì)于度之間進(jìn)行調(diào)整）。但是對(duì)于溫度的設(shè)定，我們一般選擇較低的溫度，因?yàn)檩^低的溫度下可以得到溫度的設(shè)定，我們一般選擇較低的溫度，因?yàn)檩^低的溫度下可以得到很穩(wěn)定的化學(xué)反應(yīng)，所以溫度一般不建議調(diào)高，很穩(wěn)定的化學(xué)反應(yīng)，所以溫度一般不建議調(diào)高，b如果滾輪速度過(guò)高，

20、在溫度降低仍不能滿足要求的情況下，可以加如果滾輪速度過(guò)高，在溫度降低仍不能滿足要求的情況下，可以加水，但是僅能以水，但是僅能以5升為一個(gè)單位加入。升為一個(gè)單位加入。常見故障常見故障原因及解決方法原因及解決方法前前清清洗洗工工藝藝堿槽或酸槽堿槽或酸槽不循環(huán)不循環(huán)觀察設(shè)備下面的循環(huán)平衡有沒有冒泡泡觀察設(shè)備下面的循環(huán)平衡有沒有冒泡泡原因分析：原因分析：a: a: 可能風(fēng)刀堵塞，使溶液跑到水槽可能風(fēng)刀堵塞，使溶液跑到水槽2 2中；中； b: b: 可能噴淋堵塞；可能噴淋堵塞； c: c: 可能濾芯堵塞；可能濾芯堵塞；解決方法：解決方法：a:a:先期在初始界面處可以發(fā)現(xiàn)各自對(duì)應(yīng)的模板先期在初始界面處可以

21、發(fā)現(xiàn)各自對(duì)應(yīng)的模板, ,在在“readyready”“”“not not readyready”之間閃動(dòng)，此時(shí)需要工藝立即之間閃動(dòng)，此時(shí)需要工藝立即 補(bǔ)液（補(bǔ)液（HCLHCL：HFHF：DI=8DI=8：3 3：2323；KOHKOH：DI=1DI=1：1010） b: b:通知設(shè)備通風(fēng)刀（冒泡泡）或清洗更換濾芯通知設(shè)備通風(fēng)刀（冒泡泡）或清洗更換濾芯 （補(bǔ)加了藥水后還（補(bǔ)加了藥水后還沒循環(huán)，浮標(biāo)沉到底部不起來(lái)）沒循環(huán)，浮標(biāo)沉到底部不起來(lái)）堿槽或酸槽堿槽或酸槽流流量變小量變小工藝需要檢查槽中溶液是否滿，如果不滿則添加，如果是滿的，則通知設(shè)備檢工藝需要檢查槽中溶液是否滿，如果不滿則添加，如果是滿的

22、，則通知設(shè)備檢查濾芯是否需要更換或清洗。如果是滿的，則進(jìn)行補(bǔ)液操作查濾芯是否需要更換或清洗。如果是滿的，則進(jìn)行補(bǔ)液操作流量突變，流量突變，不能達(dá)到不能達(dá)到工藝設(shè)定工藝設(shè)定流量流量前清洗流量會(huì)突然變?yōu)榍扒逑戳髁繒?huì)突然變?yōu)? 0，此時(shí)設(shè)備會(huì)報(bào)警，工藝立即到現(xiàn)場(chǎng)通知生產(chǎn)停止投料，此時(shí)設(shè)備會(huì)報(bào)警，工藝立即到現(xiàn)場(chǎng)通知生產(chǎn)停止投料，通知設(shè)備人員調(diào)試設(shè)備，然后處理設(shè)備中的硅片，挑出外觀未受影響的硅片繼通知設(shè)備人員調(diào)試設(shè)備，然后處理設(shè)備中的硅片，挑出外觀未受影響的硅片繼續(xù)下傳，外觀受影響的隔離處理續(xù)下傳，外觀受影響的隔離處理水紋片水紋片用手可以抹去的，檢查出料處滾輪的干凈程度，一般是出料處風(fēng)刀中間段滾輪用手可

23、以抹去的，檢查出料處滾輪的干凈程度，一般是出料處風(fēng)刀中間段滾輪出現(xiàn)污染，需要設(shè)備擦拭，如果不嚴(yán)重，流假片也可以將臟東西帶走。出現(xiàn)污染，需要設(shè)備擦拭，如果不嚴(yán)重，流假片也可以將臟東西帶走。Confidential工藝衛(wèi)生前后清洗附近地面用清水將拖把洗干凈，擰干后將地面清理干凈（須把拖把清洗干凈，不能只在地上噴了清水就拖地）機(jī)臺(tái)表面(包括設(shè)備后區(qū))絲光毛巾用清水洗干凈,擰干后擦拭臺(tái)面,表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵機(jī)臺(tái)窗戶需用蘸了酒精的絲光毛巾擦拭干凈，表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵運(yùn)輸硅片用的小推車絲光毛巾用清水洗干凈,擰干后擦拭,表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵以及碎硅片承片盒用HF和HCL,2:1的比例浸泡2小時(shí),然后用清

24、水沖洗至PH值呈中性后吹干放置承片盒的桌子絲光毛巾用清水洗干凈,擰干后擦拭,表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵以及碎硅片設(shè)備顯示器鍵盤和鼠標(biāo)絲光毛巾用清水洗干凈,擰干后擦拭臺(tái)面,表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵電子天平臺(tái)面需用蘸了酒精的絲光毛巾擦拭干凈，表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵以及碎硅片絕緣電阻測(cè)試臺(tái)面需用蘸了酒精的絲光毛巾擦拭干凈，表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵以及碎硅片在制品和隔離品臺(tái)面絲光毛巾用清水洗干凈,擰干后擦拭,表面應(yīng)該無(wú)污物,灰塵以及碎硅片Confidential1、載片盒必須放在桌子上（不論是否有硅片在內(nèi)）2、操作員工接觸圓片時(shí)須戴棉膠雙層手套，禁止直接接觸片子的表面，戴有橡膠手套后也需要盡量少的接觸硅片表面。3、接

25、觸設(shè)備按鍵時(shí)不準(zhǔn)帶手套,必須全部裸手4、橡膠手套必須保持干凈、清潔，及時(shí)更換，接觸硅片時(shí)必須戴上手套，且保證手套上贓物5、操作人員身上穿的凈化服和凈化鞋,必須穿戴整齊，必須保持潔凈，并定期清洗,清洗周期為2周6、設(shè)備里的碎片在每周設(shè)備PM時(shí)必須清理干凈7、按照標(biāo)示擺放物品，除標(biāo)示區(qū)域以外不允許擺放任何其他物品8、流程單不允許放在片盒中靠著硅片，需鋪在片盒底下9、設(shè)備的窗戶在無(wú)異常狀態(tài)下必須關(guān)閉10、去測(cè)試測(cè)試片時(shí)需用干凈的泡沫盒搬送，不能直接用手搬送11、經(jīng)過(guò)前清洗的硅片必須放在承片盒中，不能直接放在工作臺(tái)面上12、碎片盒中的碎片應(yīng)及時(shí)清理13、下料處的硅片應(yīng)及時(shí)接受，不允許等硅片掉到設(shè)備下料

26、端的槽體中后再取硅片14、不良須返工的硅片不能放在碎片盒中，需放在固定的地方統(tǒng)一返工15、測(cè)量測(cè)試片時(shí)需生產(chǎn)一批測(cè)量一批，不允許一次性側(cè)量好幾批，這樣容易發(fā)生混批現(xiàn)象16、由于堿與酸反應(yīng)會(huì)生成鹽的結(jié)晶，所以待料停止15分鐘以上需要沖洗堿槽滾輪、噴淋、風(fēng)刀。已避免噴淋口，風(fēng)刀口被堵。17、如果有一個(gè)小時(shí)以上的待料停產(chǎn)，我們要求要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)；并沖洗刻蝕槽滾輪，防止藥液沉淀，產(chǎn)生滾輪印二、二、RENA InOxSide后清洗工藝培訓(xùn)后清洗工藝培訓(xùn) 擴(kuò)散過(guò)程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)擴(kuò)散過(guò)程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。散

27、上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 同時(shí)，由于在擴(kuò)散過(guò)程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化同時(shí)，由于在擴(kuò)散過(guò)程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下硅，在高溫下POCl3與與O2形成的形成的P2O5，部分，部分P原子進(jìn)入原子進(jìn)入Si取代部分晶格取代部分晶格上的上的Si原子形成原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成中形成PSG。 后清洗的目的就是進(jìn)行濕法刻蝕和去除后

28、清洗的目的就是進(jìn)行濕法刻蝕和去除PSG。后清洗的目與原理后清洗的目與原理濕法刻蝕原理濕法刻蝕原理: 利用利用HNO3和和HF的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去去除邊緣的除邊緣的N型硅型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。使得硅片的上下表面相互絕緣。邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si + 4HNO3+18HF =3H2 SiF6 + 4NO2 + 8H2O等效電路刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測(cè)方法：刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測(cè)方法： 1.刻蝕不足刻蝕不足：邊緣漏電，：邊緣漏電，Rsh下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效 檢測(cè)方法

29、：測(cè)絕緣電阻檢測(cè)方法：測(cè)絕緣電阻 2.過(guò)刻過(guò)刻：正面金屬柵線與：正面金屬柵線與P型硅接觸，造成短路型硅接觸，造成短路 檢測(cè)方法：稱重及目測(cè)檢測(cè)方法：稱重及目測(cè) SPC控制控制：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來(lái)時(shí)，工藝需檢查硅片表面狀：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來(lái)時(shí)，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無(wú)明顯斑跡，無(wú)藥液殘留。態(tài)，絨面無(wú)明顯斑跡，無(wú)藥液殘留。125單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐蝕深度控制在蝕深度控制在0.81.6m范圍之內(nèi)范圍之內(nèi),且硅片表面刻蝕寬度不超過(guò)且硅片表面刻蝕寬度不超過(guò)2mm, 同時(shí)需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于同時(shí)需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。歐姆。去除磷硅玻璃的目的

30、：去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。低和功率的衰減。 2) 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了低，進(jìn)而降低了Voc和和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。后產(chǎn)生色差。去去PSG原理方程式：原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 SiO2+ 6HF=H2SiF6+2H2O去去PSG工序檢驗(yàn)方法：工序檢驗(yàn)方

31、法：當(dāng)硅片從當(dāng)硅片從HF槽出來(lái)時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表槽出來(lái)時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在未被去除干凈，可在HF槽中適當(dāng)補(bǔ)些槽中適當(dāng)補(bǔ)些HF。后清洗工藝步驟：后清洗工藝步驟： 邊緣刻蝕邊緣刻蝕堿洗堿洗 酸洗酸洗吹干吹干 RENA InOxSide后清洗設(shè)備的主體分為以下七個(gè)槽，此外還有滾輪、后清洗設(shè)備的主體分為以下七個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等

32、。Etch bathRinse1AlkalineRinseRinse2HF bathRinse3Dryer2Etch bath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。 所用溶液為所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，主要工藝參數(shù)：主要工藝參數(shù)：Firstfill volume:270.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L)&HNO3 (350g/L); Quality:100.0Kg; Setpoint recirculation flow:22.0L/min; Bath proce

33、sstemperature:7 2 注意擴(kuò)散面須向上放置，注意擴(kuò)散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。左右和下表面與液體接觸）。 根據(jù)刻蝕情況，可對(duì)溫度作適當(dāng)?shù)男拚Ｔ礁叩臏囟葘?duì)應(yīng)越快的反應(yīng)速度，故根據(jù)刻蝕情況，可對(duì)溫度作適當(dāng)?shù)男拚?。越高的溫度?duì)應(yīng)越快的反應(yīng)速度，故如果刻蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。當(dāng)藥液壽命（如果刻蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。當(dāng)藥液壽命（Quality）到）到后，需更換整槽藥液。后，需更換整槽藥液。刻蝕槽的作用：刻蝕

34、槽的作用：邊緣刻蝕，除去邊緣邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)。結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)。Alkaline Rinse：堿洗槽：堿洗槽 。 所用溶液為所用溶液為KOH，主要工藝參數(shù)：，主要工藝參數(shù)：Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours;Bath processtemperature:224 當(dāng)藥液壽命（當(dāng)藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。）到后，需更換整槽藥液。堿洗堿洗槽的作用：槽的作用：1.洗去硅片表面多孔硅；洗去硅片表面多孔硅；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的

35、酸液。中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。HF Bath：HF酸槽酸槽 。 所用溶液為所用溶液為HF，主要工藝參數(shù)：，主要工藝參數(shù)：Firstfill concentration of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22 4 當(dāng)藥液壽命（當(dāng)藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。）到后，需更換整槽藥液。HF酸槽的作用：酸槽的作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.去去PSGRinse 13為水洗槽；為水洗槽；Dryer 2為風(fēng)

36、刀；為風(fēng)刀；滾輪分三段設(shè)定速度，可根據(jù)實(shí)際情況對(duì)滾輪速度進(jìn)行修正。滾輪分三段設(shè)定速度，可根據(jù)實(shí)際情況對(duì)滾輪速度進(jìn)行修正?；镜墓に囌{(diào)整原則、設(shè)備維護(hù)內(nèi)容，注意事項(xiàng)都同于前清洗設(shè)備?；镜墓に囌{(diào)整原則、設(shè)備維護(hù)內(nèi)容，注意事項(xiàng)都同于前清洗設(shè)備。補(bǔ)液補(bǔ)液:自動(dòng)補(bǔ)液自動(dòng)補(bǔ)液：當(dāng)單面刻蝕深度在：當(dāng)單面刻蝕深度在0.8 1.6m范圍內(nèi)時(shí)，硅片的腐蝕重量范圍內(nèi)時(shí)，硅片的腐蝕重量約約0.05g/片，通過(guò)感應(yīng)器計(jì)數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時(shí)，機(jī)器自動(dòng)對(duì)刻蝕片，通過(guò)感應(yīng)器計(jì)數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時(shí)，機(jī)器自動(dòng)對(duì)刻蝕槽進(jìn)行補(bǔ)液槽進(jìn)行補(bǔ)液,其中其中HF量為量為0.025kg、 HNO3量為量為0.025kg。手動(dòng)補(bǔ)液手動(dòng)補(bǔ)液：

37、根據(jù)實(shí)際硅片的腐蝕情況，有時(shí)需要進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。每次補(bǔ)：根據(jù)實(shí)際硅片的腐蝕情況，有時(shí)需要進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。每次補(bǔ)液量如下：液量如下：Replenishment Etch bath: HF 1.000L HNO3 3.000L H2SO4 3.000LReplenishment Alkaline: KOH 2.000LReplenishment Acidic: HF 2.000L 當(dāng)刻蝕深度不夠時(shí)，只對(duì)當(dāng)刻蝕深度不夠時(shí)，只對(duì)Etch bath進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液，補(bǔ)進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液，補(bǔ)液量根據(jù)實(shí)際腐蝕情況確定，但一般情況下補(bǔ)液過(guò)程不建議液量根據(jù)實(shí)際腐蝕情況確定，但一般情況下補(bǔ)液過(guò)程不建議加硫酸和去離子水（加硫酸和

38、去離子水（加硫酸易導(dǎo)致刻蝕槽溫度升高，刻蝕后加硫酸易導(dǎo)致刻蝕槽溫度升高，刻蝕后硅片邊緣發(fā)黑硅片邊緣發(fā)黑）。當(dāng)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃）。當(dāng)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃斑，或者硅片邊緣發(fā)黑時(shí)，需要對(duì)斑，或者硅片邊緣發(fā)黑時(shí)，需要對(duì)KOH 進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)液。當(dāng)硅片經(jīng)過(guò)風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面硅片經(jīng)過(guò)風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面PSG未被洗凈，此時(shí)未被洗凈，此時(shí)可適當(dāng)補(bǔ)充可適當(dāng)補(bǔ)充HF酸。酸。后清洗補(bǔ)液原則后清洗補(bǔ)液原則后清洗工序工藝要求后清洗工序工藝要求 后清洗出來(lái)的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接觸后清洗出來(lái)的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接

39、觸片子的邊緣進(jìn)行裝片。并且要勤換手套，避免片子的邊緣進(jìn)行裝片。并且要勤換手套，避免PECVDPECVD后出現(xiàn)臟片！后出現(xiàn)臟片！ 每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測(cè)。每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測(cè)。 1. 1.要求每批測(cè)量要求每批測(cè)量4 4片。片。 2. 2.每次放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批把測(cè)試片放每次放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批把測(cè)試片放1.3.5.71.3.5.7道，道，下一批則放下一批則放2.4.6.82.4.6.8道，便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。道，便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。 生產(chǎn)沒有充足的片子時(shí)，工藝要求：生產(chǎn)沒有充足的片子時(shí)，工藝要求： 1. 1.

40、如果有如果有1 1小時(shí)以上的停機(jī)，要將刻蝕槽的藥液排到小時(shí)以上的停機(jī)，要將刻蝕槽的藥液排到tanktank，減少藥液的，減少藥液的揮發(fā)。揮發(fā)。 2. 2.停機(jī)后停機(jī)后1515分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，防止酸堿形成的結(jié)晶鹽分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，防止酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。堵塞噴淋口及風(fēng)刀。 3. 3.停機(jī)停機(jī)1 1小時(shí)以上，要在開啟機(jī)器生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾小時(shí)以上，要在開啟機(jī)器生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕做出來(lái)的片子有滾輪??！輪，杜絕做出來(lái)的片子有滾輪??！ 后清洗到后清洗到PECVDPECVD的產(chǎn)品時(shí)間最長(zhǎng)不能超過(guò)的產(chǎn)品時(shí)間最長(zhǎng)不能超過(guò)4 4小時(shí)小時(shí)

41、, ,時(shí)間過(guò)長(zhǎng)硅片會(huì)污染時(shí)間過(guò)長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，從氧化，從 而影響產(chǎn)品的電性能及效率而影響產(chǎn)品的電性能及效率. . 刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)：刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過(guò)程中顏色改變，立即正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過(guò)程中顏色改變，立即通知工藝人員。通知工藝人員。后后清清洗洗常見故障常見故障原因及解決方法原因及解決方法表面過(guò)刻大于表面過(guò)刻大于兩毫米兩毫米a 觀察速度是否小于觀察速度是否小于0.7m/min，如果小于此參數(shù)，需要添加藥，如果小于此參數(shù)，需要添加藥液提高速度。添加時(shí)以液提高速度。添加時(shí)以3升升HNO3，1升升HF為一個(gè)單位進(jìn)行補(bǔ)液。為一

42、個(gè)單位進(jìn)行補(bǔ)液。水在這臺(tái)設(shè)備中不建議加入。所以補(bǔ)液時(shí)需要小劑量進(jìn)行補(bǔ)液，水在這臺(tái)設(shè)備中不建議加入。所以補(bǔ)液時(shí)需要小劑量進(jìn)行補(bǔ)液，否則如果補(bǔ)液過(guò)多導(dǎo)致異常，十分麻煩。否則如果補(bǔ)液過(guò)多導(dǎo)致異常，十分麻煩。b 通知放片時(shí)盡量將片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意疊片通知放片時(shí)盡量將片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意疊片c 將流量降低，降低液面高度，但是需要觀察片子是否能與溶液充分將流量降低，降低液面高度，但是需要觀察片子是否能與溶液充分接觸。接觸。d 將窗戶打開一些調(diào)節(jié)排風(fēng)將窗戶打開一些調(diào)節(jié)排風(fēng)e 添加藥液調(diào)節(jié)溶液濃度。添加藥液調(diào)節(jié)溶液濃度。硅片邊緣顏色發(fā)黑硅片邊緣顏色發(fā)黑堿濃度不夠，添加堿溶

43、液（單補(bǔ)堿濃度不夠，添加堿溶液（單補(bǔ)L堿）堿）硅片表面有硅片表面有大面積黃斑大面積黃斑觀察堿槽溶液是否在循環(huán)，若沒有循環(huán)，手動(dòng)打開循環(huán)觀察堿槽溶液是否在循環(huán)，若沒有循環(huán)，手動(dòng)打開循環(huán) 非擴(kuò)散面有非擴(kuò)散面有較重滾輪印較重滾輪印a增加流量，但需注意過(guò)刻（以一個(gè)流量為單位）增加流量，但需注意過(guò)刻（以一個(gè)流量為單位） b通知工藝技術(shù)員或工程師添加藥液，提高液面通知工藝技術(shù)員或工程師添加藥液，提高液面刻蝕深度不穩(wěn)定刻蝕深度不穩(wěn)定a觀察來(lái)片是否有異常，或者來(lái)片一批中是否是不同晶棒組成，因?yàn)橛^察來(lái)片是否有異常，或者來(lái)片一批中是否是不同晶棒組成，因?yàn)椴煌钠訒?huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速率。不同的片子會(huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速

44、率。b查看溶液顏色，正常的顏色應(yīng)該是黃色。如果覺得顏色過(guò)淺，則流查看溶液顏色，正常的顏色應(yīng)該是黃色。如果覺得顏色過(guò)淺，則流假片，一般以假片，一般以400片為一個(gè)循環(huán)。然后測(cè)試片為一個(gè)循環(huán)。然后測(cè)試4片硅片刻蝕深度。片硅片刻蝕深度。三、前后清洗吹不干排查流程三、前后清洗吹不干排查流程片子表面有水珠吹不干處理步驟流程圖：片子表面有水珠吹不干處理步驟流程圖：表面有水吹不干表面有水吹不干設(shè)備檢查各槽噴淋和濾芯設(shè)備檢查各槽噴淋和濾芯工藝檢查藥液質(zhì)量工藝檢查藥液質(zhì)量設(shè)備人員檢查風(fēng)刀設(shè)備人員檢查風(fēng)刀察看外圍氣壓察看外圍氣壓向酸槽中添加少量向酸槽中添加少量HF對(duì)切確認(rèn)是否為來(lái)料問題對(duì)切確認(rèn)是否為來(lái)料問題向向G

45、P廠家的工程師廠家的工程師進(jìn)行求助進(jìn)行求助l 片子表面和邊緣有嚴(yán)重水珠的片子要求全部進(jìn)行返工處理，即使片子表面和邊緣有嚴(yán)重水珠的片子要求全部進(jìn)行返工處理，即使晾干后也不能下傳，仍然會(huì)在擴(kuò)散造成不良。晾干后也不能下傳，仍然會(huì)在擴(kuò)散造成不良。l 邊緣有輕微水珠（直徑小于邊緣有輕微水珠（直徑小于1mm）的片子可以在充分晾干后可以）的片子可以在充分晾干后可以進(jìn)行下傳。進(jìn)行下傳。l 表面（包括制絨面和非制絨面）除邊緣外有輕微水珠的片子不允表面（包括制絨面和非制絨面）除邊緣外有輕微水珠的片子不允許下傳，要進(jìn)行返工處理。許下傳，要進(jìn)行返工處理。 各種吹不干的片子處理方法：各種吹不干的片子處理方法：注：吹不干

46、的片子具體返工方法詳見作業(yè)指導(dǎo)書中的各工序不良片返工處理流程。注：吹不干的片子具體返工方法詳見作業(yè)指導(dǎo)書中的各工序不良片返工處理流程。四、前后清洗十項(xiàng)影響效率、四、前后清洗十項(xiàng)影響效率、良率良率( (或特定電參數(shù)或特定電參數(shù)) )的原因的原因A.片源不同片源不同 這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重?fù)诫s等等）以及晶體大小不邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重?fù)诫s等等）以及晶體大小不同（微晶片等），對(duì)于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕同（微晶片等），對(duì)于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會(huì)不同，短路電流將受到

47、重大影速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會(huì)不同，短路電流將受到重大影響，其他電性能也會(huì)受到一定程度的影響。后清洗雙向切響，其他電性能也會(huì)受到一定程度的影響。后清洗雙向切割片的線痕過(guò)大會(huì)造成過(guò)刻等。割片的線痕過(guò)大會(huì)造成過(guò)刻等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1集中投片配合工藝對(duì)藥液的調(diào)節(jié)集中投片配合工藝對(duì)藥液的調(diào)節(jié)2每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范B.藥液濃度的穩(wěn)定性藥液濃度的穩(wěn)定性 包括藥液補(bǔ)加量的準(zhǔn)確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參包括藥液補(bǔ)加量的準(zhǔn)確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參數(shù)的設(shè)置等。數(shù)的設(shè)置等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備帶料不生產(chǎn)時(shí)把藥液排到設(shè)備帶料不生產(chǎn)時(shí)把藥液排到TANK槽中槽中2

48、.控制穩(wěn)定的溫度控制穩(wěn)定的溫度3.測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范4.每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器C.溫度的波動(dòng)溫度的波動(dòng) 溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動(dòng)的大溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動(dòng)的大小和波動(dòng)的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕小和波動(dòng)的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕量的不同，進(jìn)而導(dǎo)致電性能的波動(dòng)。量的不同，進(jìn)而導(dǎo)致電性能的波動(dòng)。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查設(shè)備定期檢查cool是否正常是否正常2.設(shè)備端進(jìn)行溫度

49、設(shè)備端進(jìn)行溫度SPC監(jiān)控監(jiān)控3.工藝每天檢查溫度趨勢(shì)工藝每天檢查溫度趨勢(shì)4.測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范5.每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范D.設(shè)備噴淋的異常設(shè)備噴淋的異常 噴淋的異常會(huì)導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進(jìn)行，噴淋的異常會(huì)導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進(jìn)行，進(jìn)而出現(xiàn)臟片。進(jìn)而出現(xiàn)臟片。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備每次做完設(shè)備每次做完P(guān)M時(shí)調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅時(shí)調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅 片是否有臟片。片是否有臟片。2.生產(chǎn)每?jī)尚r(shí)檢查設(shè)備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴生產(chǎn)每?jī)尚r(shí)檢查設(shè)備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴 淋口

50、淋口3.蓋擋板時(shí)須輕放，避面擋板打偏噴淋口蓋擋板時(shí)須輕放，避面擋板打偏噴淋口4.對(duì)于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過(guò)對(duì)于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過(guò)10分鐘時(shí)必須沖洗噴淋及風(fēng)刀分鐘時(shí)必須沖洗噴淋及風(fēng)刀E.過(guò)刻的異常過(guò)刻的異常 后清洗造成過(guò)刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從后清洗造成過(guò)刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從而影響效率及良率而影響效率及良率 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度2.設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查3.滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板4.藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度

51、5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器F.設(shè)備滾輪的變形異常設(shè)備滾輪的變形異常 導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過(guò)刻、硅片沾不到液等，導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過(guò)刻、硅片沾不到液等，最終影響效率最終影響效率 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備設(shè)備PM時(shí)定期檢查時(shí)定期檢查2.工藝及時(shí)反饋刻蝕狀況工藝及時(shí)反饋刻蝕狀況G.設(shè)備設(shè)備PM徹底性和細(xì)化徹底性和細(xì)化 PM進(jìn)行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進(jìn)行，如濾芯進(jìn)行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進(jìn)行，如濾芯的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干凈，造成水痕臟片等；的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干凈，造成水痕臟片等；碎片清理不徹底可能

52、導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降碎片清理不徹底可能導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.要求設(shè)備要求設(shè)備PM之前必須沖洗各個(gè)槽滾輪，且在之前必須沖洗各個(gè)槽滾輪，且在PM后工藝端后工藝端檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等H.測(cè)量?jī)x器的短缺測(cè)量?jī)x器的短缺 測(cè)量?jī)x器的短缺會(huì)造成測(cè)量不能及時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)品質(zhì)量不能測(cè)量?jī)x器的短缺會(huì)造成測(cè)量不能及時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)品質(zhì)量不能保證，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)大量不良片后才發(fā)現(xiàn)。至少保證每?jī)膳_(tái)保證，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)大量不良片后才發(fā)現(xiàn)。

53、至少保證每?jī)膳_(tái)機(jī)器有一臺(tái)測(cè)量?jī)x器（電子天平和絕緣電阻測(cè)試儀）。機(jī)器有一臺(tái)測(cè)量?jī)x器（電子天平和絕緣電阻測(cè)試儀）。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查測(cè)量?jī)x器是否完好，準(zhǔn)確設(shè)備定期檢查測(cè)量?jī)x器是否完好，準(zhǔn)確2.校正部門應(yīng)定期校正測(cè)量?jī)x器校正部門應(yīng)定期校正測(cè)量?jī)x器3.應(yīng)給每臺(tái)設(shè)備配備測(cè)量?jī)x器應(yīng)給每臺(tái)設(shè)備配備測(cè)量?jī)x器I.工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底1.主要包括新?lián)Q藥液后和待機(jī)一段時(shí)間后跑假片，假片跑不夠，就會(huì)出主要包括新?lián)Q藥液后和待機(jī)一段時(shí)間后跑假片，假片跑不夠，就會(huì)出現(xiàn)滾輪影或刻蝕量不夠；現(xiàn)滾輪影或刻蝕量不夠；2.片源不足時(shí)集中投放，不然前清洗容易出現(xiàn)刻蝕量不均勻，后清洗容

54、片源不足時(shí)集中投放，不然前清洗容易出現(xiàn)刻蝕量不均勻，后清洗容易出現(xiàn)過(guò)刻；易出現(xiàn)過(guò)刻；3.清洗后的片子放置時(shí)間控制，硅片表面氧化，影響后面效率良率；清洗后的片子放置時(shí)間控制，硅片表面氧化，影響后面效率良率；4.待料時(shí)滾輪不及時(shí)沖洗，容易出現(xiàn)堿槽噴淋風(fēng)刀鹽結(jié)晶堵塞，導(dǎo)致出待料時(shí)滾輪不及時(shí)沖洗，容易出現(xiàn)堿槽噴淋風(fēng)刀鹽結(jié)晶堵塞，導(dǎo)致出現(xiàn)臟片和現(xiàn)臟片和 水洗水洗1槽濾芯鹽結(jié)晶堵塞，出現(xiàn)流量低，從而出現(xiàn)臟片等。槽濾芯鹽結(jié)晶堵塞，出現(xiàn)流量低，從而出現(xiàn)臟片等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范2.建立考核制度建立考核制度3.工藝設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況工藝設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)

55、行情況J.員工的操作不當(dāng)、質(zhì)量意識(shí)欠缺以及作業(yè)區(qū)員工的操作不當(dāng)、質(zhì)量意識(shí)欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況執(zhí)行狀況 主要表現(xiàn)為片子放反，出現(xiàn)不良時(shí)不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)隔離主要表現(xiàn)為片子放反，出現(xiàn)不良時(shí)不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)隔離并通知工藝和設(shè)備，減少不良產(chǎn)生等。手套，片盒，桌面，并通知工藝和設(shè)備，減少不良產(chǎn)生等。手套，片盒，桌面，機(jī)臺(tái)等衛(wèi)生狀況都會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量。機(jī)臺(tái)等衛(wèi)生狀況都會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量。預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范及培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范及5S規(guī)范規(guī)范2.建立考核制度建立考核制度3.5S、工藝、設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況、工藝、設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況五、前后清洗換藥規(guī)程五、前后清洗換藥規(guī)程前清洗換

56、藥規(guī)程前清洗換藥規(guī)程1 1、更換刻蝕槽藥液、更換刻蝕槽藥液 主界面依次點(diǎn)擊主界面依次點(diǎn)擊stopMode Manual停機(jī)并將機(jī)器切換成手動(dòng)操作模式。停機(jī)并將機(jī)器切換成手動(dòng)操作模式。主界面主界面 點(diǎn)擊點(diǎn)擊Manual進(jìn)入手動(dòng)換藥界面進(jìn)入手動(dòng)換藥界面(程序默認(rèn)為刻蝕槽換藥界面程序默認(rèn)為刻蝕槽換藥界面)刻蝕槽換藥界面刻蝕槽換藥界面滾輪控制界面滾輪控制界面 點(diǎn)擊點(diǎn)擊F11回到刻蝕槽換藥界面。回到刻蝕槽換藥界面。 點(diǎn)擊點(diǎn)擊System draining排去排去Bath槽和槽和tank槽的藥液。排藥過(guò)程用水槍沖槽的藥液。排藥過(guò)程用水槍沖洗刻蝕槽槽蓋，滾輪。沖洗好后將槽蓋關(guān)閉。沖洗過(guò)程中穿戴好防護(hù)洗刻蝕槽

57、槽蓋，滾輪。沖洗好后將槽蓋關(guān)閉。沖洗過(guò)程中穿戴好防護(hù)用具，注意安全。用具，注意安全。 待圖標(biāo)顯示待圖標(biāo)顯示Empty(黃色黃色)，點(diǎn)擊，點(diǎn)擊PT Filling DI加水清洗。加水清洗。 待待Prepping cabinet顯示顯示Full DI時(shí)，點(diǎn)擊時(shí)，點(diǎn)擊Fill bath將水打入將水打入bath槽。槽。 待待bath槽顯示槽顯示Full DI時(shí)，循環(huán)時(shí)，循環(huán)2min清洗。清洗。 點(diǎn)擊點(diǎn)擊System draining排水。待圖標(biāo)顯示排水。待圖標(biāo)顯示Empty(黃色黃色)，排水完畢，清，排水完畢，清洗結(jié)束。洗結(jié)束。 重復(fù)上述清洗步驟。清洗次數(shù)依據(jù)實(shí)際情況調(diào)整，一般為重復(fù)上述清洗步驟。清洗次數(shù)依據(jù)實(shí)際情況調(diào)整，一般為2