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文檔簡介

1、項目開発技術(shù)分類磁性系（HDD）媒體技術(shù)（媒體、熱対応媒體） 記録技術(shù)（熱方式、微細加工技術(shù)） 再生技術(shù)（TMR、CPP-GMR、応用） 光系高転送速度化技術(shù)（並列化処理）微細化技術(shù)（、SIL） 三次元記録技術(shù)（、2光子吸収） FLASH（NAND型、NOR型）低比（、TANOS）多値化技術(shù)（低間干渉、 高誘電體絶縁膜）多層化技術(shù)（3D、BiCS）FeRAM新構(gòu)成技術(shù)（Chain型、1T型、3D）材料技術(shù)（新強誘電體材料）MRAM大容量化技術(shù)（誘導磁場型、注入型、垂直磁化型）高速読出技術(shù)（高出力化、材料）書込技術(shù)（注入反転、磁壁移動） 構(gòu)成技術(shù)（高速動作、多層、多値、論理回路） PRAM材料技

2、術(shù)（新相変化材料 ） 多値化技術(shù)（多値 ）3次元化（3D ）項目開発技術(shù)分類ReRAM大容量化技術(shù)材料技術(shù)機構(gòu)解明PMC-RAM（原子、等）書換回數(shù)増大化技術(shù)低消費電力化技術(shù)型導波路型（材料、構(gòu)造、記録方式）體積記録型（材料、構(gòu)造、記録方式）MEMS記録方式強誘電強磁性方式磁壁移動固體技術(shù)高集積化技術(shù)有機材料技術(shù)分子大容量化技術(shù)、低消費電力化技術(shù) 微細技術(shù) 分野技術(shù)新規(guī)主性能分類大容量化技術(shù) 高速化技術(shù) 省電力化技術(shù) 凡例分野（技術(shù)俯瞰図）：現(xiàn)狀範囲：3 5年後：技術(shù)方向注注2：PRAM ：FLASH ：光系 ：磁性系：注注1：転送速度技術(shù)位置付：現(xiàn)狀範囲：3 5年後注注2：PRAM：FLASH ：光系 ：磁性系：（用途複數(shù)、 用含）注注1：転送速度技術(shù)主適用用途分野（技術(shù)俯瞰図）：現(xiàn)狀範囲：3 5年後：技術(shù)方向：揮発性RAM（參考)注2：注1：読出/書込律速速度：現(xiàn)狀範囲：3 5年後：揮発性RAM（參考)注

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