光電導(dǎo)法測(cè)量非平衡載流子壽命

1、1.1. LT-100C高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（MF28-0707， MF1535-0707）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，由于對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。目前我國(guó)測(cè)量硅單晶少子壽命的常用方法為高頻光電導(dǎo)衰退法（hfPCD）及微波反射光電導(dǎo)衰退法（PCD），兩種方法均無需在樣品上制備電極，因此國(guó)外都稱為無接觸法。 dcPCD（直流光電導(dǎo)衰退法）是測(cè)量塊狀和

2、棒狀單晶壽命的經(jīng)典方法；PCD法是后來發(fā)展的測(cè)量拋光硅片壽命的方法。這兩種方法對(duì)單晶表面的要求截然相反，dcPCD法要求表面為研磨面（用粒徑為5-12m氧化鋁粉研磨，表面復(fù)合速度接近無限大，107cm/s），這是很容易做到的；PCD法則要求表面為完美的拋光鈍化面，要準(zhǔn)確測(cè)量壽命為10s的P型硅片表面復(fù)合速度至少要小于103 cm/s，并需鈍化穩(wěn)定，這是很難做到的。 hfPCD光電導(dǎo)衰退法介于兩者之間，它和dcPCD法一樣可以測(cè)量表面為研磨狀態(tài)的塊狀單晶體壽命，也可以測(cè)量表面為研磨或拋光的硅片壽命。特別要強(qiáng)調(diào)的是：無論用何種方法測(cè)量“表面復(fù)合速度很大而壽命又較高的”硅片（切割片、研磨片），由于表

3、面復(fù)合的客觀存在，表觀壽命測(cè)量值肯定比體壽命值偏低，這是無容置疑的，但是生產(chǎn)實(shí)際中往往直接測(cè)量切割片或未經(jīng)完善拋光鈍化的硅片，測(cè)量值偏低于體壽命的現(xiàn)象極為普遍，因此我們認(rèn)為此時(shí)測(cè)出的壽命值只是一個(gè)相對(duì)參考值，它不是一個(gè)真實(shí)體壽命值，而是一個(gè)在特定條件下（體壽命接近或小于表面復(fù)合壽命時(shí)）可以反映這片壽命高，還是那片壽命更高的相對(duì)值。供需雙方必須有一些約定，如約定清洗條件、切割條件和測(cè)量條件，只有供需雙方經(jīng)過摸索并達(dá)成共識(shí)，才能使這樣的壽命測(cè)量值有生產(chǎn)驗(yàn)收的作用，否則測(cè)量值會(huì)是一個(gè)絲毫不能反映體壽命的表面復(fù)合壽命。 因此實(shí)際生產(chǎn)中我們主張盡量用高頻光電導(dǎo)衰退法測(cè)量硅塊、棒或錠的壽命，這樣壽命測(cè)量既

4、準(zhǔn)確又可以減少測(cè)試工作量。1.2. LT-100C型壽命儀是LT-1（基本型）的升級(jí)換代產(chǎn)品，在低阻硅單晶測(cè)量時(shí)，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測(cè)量下限從r >3·cm；延伸到r0.3·cm，除能測(cè)量高阻單晶外亦可滿足太陽(yáng)電池級(jí)硅片（裸片）的測(cè)試要求，儀器既可測(cè)量硅塊亦可測(cè)量硅片（硅片可放在托架上測(cè)量）。.本儀器為了能直接讀取壽命值編寫了特殊的軟件存入數(shù)字存儲(chǔ)示波器，這些軟件依照少子壽命測(cè)量的基本原理編寫，同時(shí)采用了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中推薦的幾種讀數(shù)方法。.由于數(shù)字示波器具有存儲(chǔ)功能，應(yīng)用平均采樣方式，平均次數(shù)可選4、16、

5、 32、64、128、256次，隨平均次數(shù)的增加隨機(jī)噪聲被減小，波形更穩(wěn)定、清晰。.數(shù)字示波器使用晶振做高穩(wěn)定時(shí)鐘，有很高的測(cè)時(shí)精度；采用多位A/D轉(zhuǎn)換器使電壓幅度測(cè)量精度大大提高，因此提高了壽命測(cè)量精度。1.3. m光強(qiáng)更強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測(cè)電阻率低至0.3·cm，s。1.4.制樣簡(jiǎn)單，參照MF28，晶體測(cè)試面用粒徑為512m氧化鋁粉或其它磨料研磨或切割即可，無需拋光鈍化。LT -l00C m，適合于測(cè)量切割或研磨太陽(yáng)能硅片的相對(duì)壽命，與微波反射法測(cè)量條件相近，因此測(cè)量值也較接近。本儀器的測(cè)量系統(tǒng)電路示意圖如圖1所示。儀器測(cè)量范圍：s-10ms；晶

6、體樣品（研磨面）電阻率下限0. 3 ·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測(cè)量上限。 型號(hào)：N型或P型單晶或鑄造多晶。 按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)儀器設(shè)備的要求，本儀器設(shè)備配有：光脈沖發(fā)生裝置 重復(fù)頻率15次/s脈寬10s m脈沖電流：5A 16A 0. 905m脈沖電流：5A 16A 頻率30MHz低輸出阻抗輸出功率>1W2.3.放大器和檢波器 頻率響應(yīng)：2Hz 2MHz 放大倍數(shù)：30倍（約）2.4.配用示波器配用裝有自動(dòng)測(cè)量少子壽命（光電導(dǎo)衰退時(shí)間）軟件的專用數(shù)字示波器：模擬帶寬60MHz，最大實(shí)時(shí)采樣率1 GSa/s，垂直靈敏度2mV-5V/div，平均次數(shù)：4 256，可自動(dòng)測(cè)量波形參數(shù)，亦可用手

7、動(dòng)光標(biāo)直讀壽命。標(biāo)準(zhǔn)配置接口：USB Device， USBHost，RS232，支持U盤存儲(chǔ)和PictBridge打?。ㄔ斠娛静ㄆ髡f明書）。2.5.儀器所配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶，亦可測(cè)量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測(cè)量低阻樣片用的升降臺(tái)以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺(tái)。2.6. 測(cè)試范圍：電阻率r 10000s3.1.開機(jī)前檢查電源開關(guān)（圖2）是否處于關(guān)斷狀態(tài)：“0”處于低位，“1”在高位關(guān)態(tài)在壽命儀信號(hào)輸出端和示波器通道2 （CH2）之間，用隨機(jī)配置的信號(hào)線聯(lián)接。擰緊壽命儀背板的保險(xiǎn)管帽，插好電源線。即將電源開關(guān)“1”按下，此時(shí)“1”處于低位，“0”在高位。開關(guān)指示燈亮。

8、先在電極尖端點(diǎn)上兩滴自來水，后將單晶放在電極上準(zhǔn)備測(cè)量。光脈沖發(fā)生器為雙電源供電，先按下光源開關(guān)“1”，此時(shí)“1”在低位，“0”在高位，壽命儀內(nèi)脈沖發(fā)生器開始工作。再順時(shí)針方向擰響帶開關(guān)電位器（光強(qiáng)調(diào)節(jié)），此時(shí)光強(qiáng)指示數(shù)字表在延時(shí)十秒左右（儲(chǔ)能電容完成充電）數(shù)值上升。測(cè)量數(shù)千歐姆·厘米的高阻單晶時(shí)，光強(qiáng)電壓只要用到2-5V左右；測(cè)量數(shù)十歐姆·厘米的單晶可將電壓加到5-10V左右。測(cè)量幾歐姆·厘米的單晶可將電壓加到10-15V左右。光強(qiáng)調(diào)節(jié)電位器順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)，脈沖光源工作電壓升高，光強(qiáng)增強(qiáng)，最高不超過16V，此時(shí)流經(jīng)發(fā)光管的電流高達(dá)16A，因此盡量不要在此條件下長(zhǎng)

9、期工作。警告：特別要注意的是光強(qiáng)調(diào)節(jié)開關(guān)開啟后，紅外發(fā)光管已通入很大的脈沖電流，此時(shí)切勿再關(guān)或開光源開關(guān)，以免損壞昂貴的發(fā)光管。只有光強(qiáng)調(diào)節(jié)電位器逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)到關(guān)斷狀態(tài)（會(huì)聽到響聲）再關(guān)或開光源開關(guān)。3.4.壽命儀電源開關(guān)在開啟瞬間，由于機(jī)內(nèi)儲(chǔ)能電容、濾波電容均處于充電狀態(tài)，是一個(gè)不穩(wěn)定的過程，因此示波屏上會(huì)出現(xiàn)短時(shí)間雜亂不穩(wěn)的波形，待充電完成后示波屏上出現(xiàn)一條較細(xì)的水平線時(shí)，壽命儀才進(jìn)入工作狀態(tài)。因此使用前請(qǐng)開機(jī)預(yù)熱2-3分鐘。更換單晶測(cè)量時(shí)無需再開關(guān)儀器。3.5.批量測(cè)試時(shí)，如發(fā)現(xiàn)信號(hào)不佳時(shí)，請(qǐng)先考慮補(bǔ)充兩個(gè)金屬電極尖端的水滴，但注意水滴不要流入出光孔。3.6. 長(zhǎng)期使用后，電極部分如氧化變

10、黑，此時(shí)如加水也不能改善信號(hào)波形，請(qǐng)用裁紙刀或細(xì)砂紙去除發(fā)黑部分，并將擦下的黑灰用酒精棉簽擦凈。3.7.低阻單晶壽命測(cè)試臺(tái)的使用低阻單晶是指電阻率r 10·cm的硅單晶，單晶表面可以是切割面或研磨面。對(duì)于0.3 ·cm的單晶片，如果光電導(dǎo)衰退信號(hào)太弱，表面需經(jīng)化學(xué)拋光處理方可測(cè)量壽命。測(cè)量時(shí)操作程序如下：.向上推開樣品蓋將切割片或化學(xué)拋光后的樣片（厚度0.1 50mm）放在樣片托架上再蓋好上蓋，拋光后樣品存放時(shí)間不宜太長(zhǎng)，如需較長(zhǎng)時(shí)間保存，請(qǐng)用碘酒鈍化（詳見樣品表面制備方法）。.調(diào)節(jié)升降架的位置，使樣品離電極2cm左右擰緊升降架的鎖緊螺栓，旋轉(zhuǎn)粗調(diào)旋鈕使樣品下降，一旦樣品接

11、觸到電極上的水珠時(shí)，檢波電壓表上的數(shù)值會(huì)突然升高。.繼續(xù)旋轉(zhuǎn)粗調(diào)旋鈕，同時(shí)觀察示波屏上是否出現(xiàn)指數(shù)衰減信號(hào)，一旦出現(xiàn)信號(hào)，請(qǐng)減慢旋轉(zhuǎn)速度，直至出現(xiàn)明顯的光電導(dǎo)衰減波形，即停止旋轉(zhuǎn)，改用微調(diào)旋鈕，調(diào)節(jié)到最佳波形出現(xiàn)為止，一般情況下此時(shí)的檢波電壓處于最高值。.在旋轉(zhuǎn)粗調(diào)旋鈕時(shí)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)低頻諧振點(diǎn)，此時(shí)指數(shù)波形衰減較慢，出現(xiàn)不合理的超長(zhǎng)讀數(shù)，不可將此時(shí)的衰減時(shí)間當(dāng)作壽命值。一般以出現(xiàn)指數(shù)衰減最快的波形時(shí)讀取的壽命值為準(zhǔn)。.所測(cè)壽命是出光孔上方光照區(qū)（直徑約3-4mm）部位的單晶壽命值，整個(gè)單晶樣品的壽命分布往往是不均勻的。因此本機(jī)亦可測(cè)單晶橫截面上的壽命分布。.測(cè)量太陽(yáng)能電池用線切割硅片（1 m波

12、長(zhǎng)光源，測(cè)出的壽命值是相對(duì)值，部分樣品壽命測(cè)量值會(huì)高于微波法，而接近拋光硅片的微波測(cè)量值，這是因?yàn)槲⒉ǚ瓷浞ㄊ鼙砻鎻?fù)合的影響大于高頻光電導(dǎo)法。4.1少子壽命的基本概念硅、鍺單晶是比較成熟完美的半導(dǎo)體材料，正常情況下，其晶體缺陷及有害雜質(zhì)都很少。由于單晶生長(zhǎng)設(shè)備使用不銹鋼、銅等金屬材料，一旦生產(chǎn)工藝出現(xiàn)問題（如區(qū)熔爐線圈打火），晶體會(huì)受到雜質(zhì)污染或形成不該有的缺陷。對(duì)硅、鍺單晶中的重金屬雜質(zhì)污染，通過電阻率測(cè)量是不易覺察的，但壽命測(cè)量卻能非常靈敏地反映它們的存在，靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其它測(cè)試方法（如等離子光譜、質(zhì)譜、原子吸收譜等），因此壽命測(cè)試是檢驗(yàn)單晶質(zhì)量必不可少的項(xiàng)目。壽命值的大小直接影響器件的基

13、本性能，如電流放大系數(shù)、開關(guān)速度等，而重金屬沾污會(huì)引起器件失效。壽命的全稱是非平衡少數(shù)載流子壽命，它的含意是單晶在受到如光照或電觸發(fā)的情況下會(huì)在表面及體內(nèi)產(chǎn)生新的（非平衡）載流子，一旦外界作用撤除后，它們會(huì)通過單晶體內(nèi)由重金屬雜質(zhì)和缺陷形成的復(fù)合中心逐漸消失，雜質(zhì)、缺陷愈多非平衡載流子消失得愈快，在復(fù)合過程中少數(shù)載流子起主導(dǎo)和決定的作用，這些非平衡少數(shù)載流子在單晶體內(nèi)平均存在的時(shí)間就簡(jiǎn)稱少子壽命。非平衡少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱少子）在撤除外界作用（如光照）后由于復(fù)合而逐漸消失，其數(shù)量的衰減過程，可通過微分方程求得如下結(jié)果：(1)其中Dn(0)是開始時(shí)的非平衡少子濃度，由于復(fù)合，Dn(t)隨時(shí)間而衰減。

14、t反映了非平衡少子平均存在的時(shí)間，即我們要測(cè)量的壽命值。4.2.表面復(fù)合與體復(fù)合半導(dǎo)體中同時(shí)存在著兩種載流子：電子和空穴，它們都屬于微觀粒子，可以用量子力學(xué)來描述其運(yùn)動(dòng)規(guī)律。首先電子和空穴的能量并非是可以連續(xù)分布，而是處于分隔的能級(jí)上，它們只能在這個(gè)能級(jí)或另一個(gè)能級(jí)，而不能在兩個(gè)能級(jí)之間的任意位置。例如電子的能量狀態(tài)可以在硅單晶的導(dǎo)帶、滿帶和禁帶中間的雜質(zhì)（或缺陷）能級(jí)上，而不能處于禁帶中沒有能級(jí)存在的位置。下面以鍺和硅體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法（SEMI MF28-0707）“光電導(dǎo)衰減法”為例，闡明復(fù)合與壽命之間的關(guān)系。對(duì)于塊狀單晶或厚度大于擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚片，表面為研磨時(shí)，光照期間光子

15、由表及里，在硅單晶的表面到一定深度的體內(nèi)都將產(chǎn)生光生非平衡載流子（電子空穴對(duì)）：Dn = Dp，一旦光照停止，這些非平衡載流子便通過單晶中的復(fù)合中心（重金屬雜質(zhì)能級(jí)、晶體缺陷能級(jí)、表面復(fù)合能級(jí)）逐漸復(fù)合消失，復(fù)合率=Dn /t或 Dp/t(2)這個(gè)過程既發(fā)生在單晶體內(nèi)也發(fā)生在表面，我們?cè)谑静ㄆ辽峡吹降乃p曲線，已是通過LT-100C壽命儀將非平衡載流子濃度的變化轉(zhuǎn)換為光電導(dǎo)電壓的變化：(3)曲線頭部是光照表面（研磨面）復(fù)合起主導(dǎo)作用，而我們要測(cè)量的是體壽命，因此在壽命測(cè)量時(shí)，根據(jù)MF28的要求，我們往往要去掉曲線頭部（高次模部分），從峰值的80%至40%開始觀測(cè)光電導(dǎo)電壓衰減1 /e所需要的時(shí)

16、間。以上的討論均指在塊狀晶體中發(fā)生的復(fù)合現(xiàn)象，此時(shí)只有光照面起表面復(fù)合作用，晶體另一端非光照面由于光生少子擴(kuò)散不到，因此不起加速?gòu)?fù)合的作用，但是如果晶片較薄，光生少子可以擴(kuò)散到非光照面（研磨面）復(fù)合。此時(shí)就不能用簡(jiǎn)單的甩掉曲線頭部的辦法來避開表面復(fù)合對(duì)測(cè)量體壽命的影響，此時(shí)晶片的表面復(fù)合壽命：(4)其中L晶片厚度，D少子擴(kuò)散系數(shù)，cm2/s， Dp=12.4 cm2/s，S表面復(fù)合速度。表觀壽命tF與體壽命t b，表面復(fù)合壽命tS的關(guān)系是：(5)由于研磨面的表面復(fù)合速度是穩(wěn)定的S=107cm/s，因此tS便于計(jì)算，在測(cè)出tF后，容易通過修正得到t 105 cm/s變化，且不穩(wěn)定，因此tS難以估

17、算，t b值也就無法確定。由于高頻光電導(dǎo)衰退法的理論模型是建立在表面為研磨面的基礎(chǔ)上，因此制樣簡(jiǎn)單，做修正計(jì)算也比較嚴(yán)謹(jǐn)、方便。太陽(yáng)能硅片大量生產(chǎn)后，出現(xiàn)了微波反射法測(cè)量少子壽命，微波反射法的理論模型是表面完美拋光，表面復(fù)合速度很小，要求表面復(fù)合壽命大于10倍體壽命，此時(shí)測(cè)出的表觀壽命將以10%的精度表征體壽命，但是在實(shí)際使用中，往往用切割片或未做拋光鈍化的晶片測(cè)量，因而在光電導(dǎo)衰退曲線中包含了很大成分的表面復(fù)合因素，為了適應(yīng)實(shí)際測(cè)量的需要MF1535-0707中提出了幾種體和表面復(fù)合都存在時(shí)，根據(jù)取衰退曲線的不同部位而定義的壽命，如下圖所示：體復(fù)合壽命（tb）去除表面復(fù)合后，利用峰值電壓V0

18、在45-5%范圍內(nèi)的指數(shù)衰減部分計(jì)算的時(shí)間常數(shù)。1/e壽命（te）將t1和t0之間的間隔時(shí)間計(jì)算為1/e壽命?；勖╰1）將衰減曲線衰退到可以被認(rèn)為是指數(shù)型的部位的時(shí)間常數(shù)（tBtA）記為基模壽命t1。t1的另一種變通的計(jì)算方法是t1t2t1，t2是衰退到峰值1/e2的時(shí)間，t1為 峰值衰退到1/e的時(shí)間。4.3.讀數(shù)方法我們綜合MF28和MF1535壽命的各種讀數(shù)方式，在數(shù)字示波器軟件中對(duì)光電導(dǎo)衰退曲線設(shè)置了以下六種不同部位取值的方式，供用戶選擇。六種衰退比例均為1/e (e值取2.718)按MF1535-0707的推薦，利用峰值電壓V0的45-5%范圍內(nèi)的衰退曲線的指數(shù)部分計(jì)算時(shí)間常數(shù)

19、，此常數(shù)為體復(fù)合壽命tb，因此一般情況下，建議用戶用第5種方式讀取體壽命值，但在測(cè)量大部分塊或棒狀單晶壽命時(shí)，表面復(fù)合的影響往往僅在頭部出現(xiàn)，而從80%V0至60%V0處開始觀測(cè)壽命時(shí)，已避開了表面復(fù)合引起的光電導(dǎo)衰退曲線高次模部分，亦可在較大的信噪比的情況下，讀得體壽命值，因此也可以使用。特別是在樣品中存在陷阱效應(yīng)時(shí)，選擇低的V起點(diǎn)（如30%，40%）會(huì)測(cè)出虛假的高壽命，此時(shí)將衰減比例選在80%至60%有利于減少陷阱效應(yīng)的干擾。5.數(shù)字示波器的使用5.1.將壽命儀主機(jī)信號(hào)線接入Y CH2高頻插座，按示波器頂蓋電源開關(guān)。檢查CUR SORS（光標(biāo)）、MEASURE（自動(dòng)測(cè)量）、CH2， RUN

20、/STOP4個(gè)綠燈是否亮，如有缺亮的燈，請(qǐng)按相應(yīng)按鍵。RUR/SOTP燈紅色時(shí)為停止，綠色方能運(yùn)轉(zhuǎn)。數(shù)字示波器前面板部分操作：垂直系統(tǒng)垂直通道電壓靈敏度由CH2上方的大旋鈕控制，按一下，粗調(diào)（步進(jìn)）；再按一下為細(xì)調(diào)，注意網(wǎng)絡(luò)下方左邊的CH2/V的變化，此數(shù)代表每分格（8.9 mm）的電壓值，低阻單晶CH2/V后面數(shù)字常用在20， 50， 100mV/div檔，CH2下面的小旋調(diào)控制波形在顯示屏的上下位置，如在調(diào)節(jié)波形垂直大小時(shí)波形可能失顯，此時(shí)按一下垂直系統(tǒng)的小旋鈕歸零或調(diào)節(jié)level同步即可重新顯示。.水平系統(tǒng)大旋鈕只有掃描速度的步進(jìn)調(diào)節(jié)功能，設(shè)有細(xì)調(diào)功能。（注：此旋鈕按一下出現(xiàn)兩條直線是限

21、定波形被放大的部分，再按一下出現(xiàn)放大后的波形，再按一下則還原，完全是放大波形便于觀察細(xì)節(jié)，并無調(diào)節(jié)的實(shí)際功能）大旋鈕調(diào)節(jié)掃描速度時(shí)，請(qǐng)注意屏幕網(wǎng)絡(luò)下方M= ××S，它表示每分格代表的掃描時(shí)間，一般選M值與單晶壽命相近，低阻單晶選M=10、 25、50s。小旋鈕控制波形在屏幕上的左右位置，調(diào)節(jié)時(shí)請(qǐng)緩慢旋轉(zhuǎn)，調(diào)節(jié)掃描速度時(shí)波形也可能跳到屏幕顯示之外，此時(shí)按一下小旋鈕波形會(huì)回到顯示屏中間位置。.同步系統(tǒng)由于壽命儀信號(hào)線接入CH2，因此只能選CH2為觸發(fā)信源，不能選CH1或脈沖、視頻等。觸發(fā)類型選：上升邊沿觸發(fā)方式：自動(dòng)或在波形不穩(wěn)時(shí)選單次。耦合設(shè)置：一般選交流或（在波形漂動(dòng)時(shí)）選

22、低頻抑制，特長(zhǎng)壽命（1ms）測(cè)量選“直流”。按LEVEL會(huì)有一條水平亮線出現(xiàn)，旋轉(zhuǎn)此按鈕時(shí)，亮線上下移動(dòng)，當(dāng)亮線移至波形要出現(xiàn)的位置，波形將穩(wěn)定出現(xiàn)?；驹O(shè)置完成后關(guān)閉電源示波器將自動(dòng)保存設(shè)置，下次開機(jī)即可直接使用，藍(lán)色AUTO為自動(dòng)設(shè)置鍵，按一下變成了出廠設(shè)置，不是我們要用的，如無意按下，需按上述要求重新設(shè)置。5.3.基本設(shè)置及使用方法為了更快的掌握示波器的使用方法，現(xiàn)列出其基本設(shè)置、調(diào)試方法及注意事項(xiàng)，如下所示：.首先打開示波器頂端的電源開關(guān)，選擇所使用的通道CH1或CH2，如選通道CH2，則按下相應(yīng)的按鈕，選好后按鈕會(huì)發(fā)綠色的光，注意此時(shí)保證其它三個(gè)按鈕在未選中狀態(tài)，其中右邊的兩個(gè)旋鈕為

23、CH2的Volt/div旋鈕和垂直POSITON旋鈕，“s/div”為水平控制用于改變掃描時(shí)間刻度，以便在水平方向放大或縮小波形。.選好通道以后進(jìn)行基本參數(shù)設(shè)置，其中設(shè)置菜單均在屏幕右邊，并使用旁邊對(duì)應(yīng)的五個(gè)藍(lán)色按鈕來選擇要設(shè)置的項(xiàng)，進(jìn)入二級(jí)菜單時(shí)使用萬能旋鈕，通過旋轉(zhuǎn)使光標(biāo)鎖定在所需項(xiàng)，這時(shí)按下萬能旋鈕來確定，再查看所選項(xiàng)是否正確，操作請(qǐng)按如下步驟：如選用CH2時(shí)，耦合選交流、帶寬限制開啟、下一頁(yè)的反相關(guān)閉、數(shù)字濾波關(guān)閉，其它不需特別設(shè)置；點(diǎn)擊TRIG MENU按鈕，屏幕右邊出現(xiàn)一列菜單其中類型選為邊沿、信源選所使用的通道如CH2、觸發(fā)方式為自動(dòng)、斜率選第一項(xiàng)；選擇DISPLAY按鈕，菜單中

24、類型為矢量、持續(xù)關(guān)閉、格式為YT，屏幕選擇反相時(shí)其背景色為白色，如果要打印波形時(shí)建議選擇反相，這樣可以節(jié)省墨量，菜單顯示無限、界面方案可根據(jù)喜歡的顏色來選擇；UTILITY設(shè)置，即設(shè)置打印方式，注：后USB口選為打印機(jī)，打印設(shè)置中的打印鈕設(shè)為打印圖像，其它可根據(jù)情況自行設(shè)定；選擇ACQUIRE按鈕，其中獲取方式為平均值、平均次數(shù)有4-256六種選擇，建議一般情況下使用32次，數(shù)值越大波形越穩(wěn)定測(cè)量值越精確，但次數(shù)越大波形達(dá)到穩(wěn)定時(shí)間越長(zhǎng)，需要等待幾秒鐘，Sinx/x開啟、采樣方式實(shí)時(shí)采樣；選擇CURSORS光標(biāo)模式自動(dòng)測(cè)量，選用此測(cè)量方式可直接讀取壽命值，注：選用自動(dòng)測(cè)量時(shí)S/div掃描速度不

25、能太快，盡量使用小的掃描速度；也可在光標(biāo)模式里選用手動(dòng)測(cè)量，手動(dòng)測(cè)量菜單里類型選擇時(shí)間、信源選使用的通道如CH2，通過調(diào)整光標(biāo)CurA， CurB來調(diào)整取值范圍，兩條光標(biāo)之間的部分就為所取壽命范圍，左上角的DT即為壽命值。選好自動(dòng)測(cè)量后點(diǎn)擊MEASURE，選擇菜單第一項(xiàng)CH2，在子菜單中選擇時(shí)間測(cè)量，此時(shí)基本設(shè)置己完成，調(diào)好波形后衰退時(shí)間直接在所選的時(shí)間測(cè)量菜單里顯示。.調(diào)節(jié)波形：通過旋轉(zhuǎn)水平Volt/div及垂直s/div旋鈕來調(diào)節(jié)波形的大小，其中Volt/div分為粗調(diào)和細(xì)調(diào)，當(dāng)需要微調(diào)時(shí)按一下旋鈕則變?yōu)榧?xì)調(diào)狀態(tài)，恢復(fù)粗調(diào)再按一下即可，當(dāng)信號(hào)波形閃爍不穩(wěn)定時(shí)可調(diào)LEVEL（同步）來改善波形

26、，按下同步旋鈕屏幕最左邊的2（CH2信號(hào)）將和T（LEVEL標(biāo)志）重合，此時(shí)旋轉(zhuǎn)LEVEL使其T白線位于波形范圍內(nèi)；.ss即為所測(cè)到的壽命值；.連接打印機(jī)：USB數(shù)據(jù)線方形口一端連在示波器后面的USB Device接口，另一端連在打印機(jī)左前方的PictBridge接口處，如連接成功示波器將提示已準(zhǔn)備好，此時(shí)關(guān)閉示波器重新啟動(dòng)使其生效，打印機(jī)設(shè)置成功后，在以后的測(cè)量完成后直接點(diǎn)擊PRINT按鈕即可打印波形及壽命值，注：打印設(shè)置好并開啟打印機(jī)后，如再重新設(shè)置示波器里的打印設(shè)置項(xiàng)，則需重新啟動(dòng)打印機(jī)及示波器，方使其生效。如上圖所示，在此測(cè)量界面可打印出衰減波形及衰退時(shí)間。.數(shù)字示波器發(fā)運(yùn)前已選好有關(guān)設(shè)置，只要設(shè)置好的條件沒有改變，測(cè)量單晶壽命非常方便。一般都使用自動(dòng)測(cè)量，少數(shù)時(shí)候可以用手動(dòng)，單晶放在樣品電極臺(tái)上（記得加自來水），只要CH2， CURSORS、MEASURE， RUN/STOP亮綠燈、垂直放大、水平掃描和同步旋