電子元器件基礎知識-半導體器

1、一、 中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、

2、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導體分立器件型號命名方法二、日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成

3、。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、依此類推。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。ATMEL代理A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙

4、向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。美國半導體分立器件型號命名方法三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。第二部分：用數(shù)字表示pn結數(shù)目

5、。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。四、 國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東

6、歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、

7、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導體器件的登記序號。貼片鉭電容第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔的標志。wxq$#除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母

8、，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為2 / 14±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。五、歐洲早期半導體分立器件型號命名

9、法歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。第一部分：O-表示半導體器件第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。第四部分：A、B、C-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。一、半導體二極管參數(shù)符號及其意義CT-勢壘電容Cj-結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結電容Cjo/Cjn-結電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對

10、變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標稱電容IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；鉭電容封裝測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF（AV）-正向平均電流IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復峰值電流IFSM-正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io-整流

11、電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結晶體管中的基極調制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR（AV）-反向平均電流IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過

12、的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復電流IRRM-反向重復峰值電流IRSM-反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp-反向恢復電流Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散

13、功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值（品質因素）vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT（AV）-正向導通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向導通總瞬時耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關功率PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功

14、率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF（r）-正向微分電阻。在正向導通時，鉭電容電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應增加I，則V/I稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負載電阻Rs(rs)-串聯(lián)電阻Rth-熱阻R(th)ja-結到環(huán)境的熱阻Rz(ru)-動態(tài)電阻R(th)jc-結到殼的熱阻r -衰減電阻r(th)-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時間t

15、f-下降時間tfr-正向恢復時間tg-電路換向關斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結溫Tjm-最高結溫ton-開通時間toff-關斷時間tr-上升時間trr-反向恢復時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度-單結晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓）VF-正向壓降（正向直流電壓）VF-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復峰值電壓VGT-門極觸發(fā)電壓AVX鉭電容VGD-門極不觸發(fā)電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-

16、門極反向峰值電壓VF（AV）-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓（反向直流電壓）VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓）V（BR）-擊穿電壓Vth-閥電壓（門限電壓）VRRM-反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM-反向工作峰值電壓V v-谷點電壓Vz-穩(wěn)定電壓Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點電壓（穩(wěn)流二極管）VL -極限電壓二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義Cc-集電極電容Ccb-集電極與基極間電容Cce-發(fā)射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib-共基極

17、輸入電容Cie-共發(fā)射極輸入電容Cies-共發(fā)射極短路輸入電容Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容Cn-中和電容（外電路參數(shù)）Co-輸出電容Cob-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coe-共發(fā)射極輸出電容Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容Cre-共發(fā)射極反饋電容Cic-集電結勢壘電容CL-負載電容（外電路參數(shù)）Cp-并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）BVcbo-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓BVceo-基極開路，CE結擊穿電壓BVebo- 集電極開路EB結擊穿電壓BVces-基極與發(fā)射極短路CE結擊穿電壓BV cer-基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結擊穿電壓D-占空比fT-特征頻率fmax-最

18、高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導h RE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)hfe-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)hoe-共發(fā)射極小信號開路輸出導納IB-基極直流電流或交流電流的平均值Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值IE-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icbo-基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo-發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，TI代理集電極

19、與發(fā)射極之間的反向截止電流Iebo-基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流Icer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices-發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值ICMP-集電極最大

20、允許脈沖電流ISB-二次擊穿電流IAGC-正向自動控制電流Pc-集電極耗散功率PCM-集電極最大允許耗散功率Pi-輸入功率Po-輸出功率Posc-振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot-總耗散功率ESB-二次擊穿能量rbb'-基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）rbb'Cc-基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積rie-發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻roe-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻RE-外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）RB-外接基極電阻（外電路參數(shù)）Rc -外接集電極電阻（外電路參數(shù)）RBE-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電

21、路參數(shù)）RL-負載電阻（外電路參數(shù)）RG-信號源內阻Rth-熱阻Ta-環(huán)境溫度Tc-管殼溫度Ts-結溫Tjm-最大允許結溫Tstg-貯存溫度td-延遲時間tr-上升時間ts-存貯時間tf-下降時間ton-開通時間toff-關斷時間VCB-集電極-基極（直流）電壓VCE-集電極-發(fā)射極（直流）電壓VBE-基極發(fā)射極（直流）電壓VCBO-基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VEBO-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VCEO-發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCER-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集

22、電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓VCES-發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCEX-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓Vp-穿通電壓。VSB-二次擊穿電壓VBB-基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）Vcc-集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VEE-發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VCE(sat)-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降VBE(sat)-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）VAGC-正向自動增益控制電壓Vn(p-p)-輸入端等效噪聲電壓峰值V

23、 n-噪聲電壓Cj-結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結電容Cjo/Cjn-結電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標稱電容IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF（AV）-正向平均電

24、流IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復峰值電流IFSM-正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結晶體管中的基極調制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流

25、IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR（AV）-反向平均電流IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復電流IRRM-反向重復峰值電流IRSM-反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp-反向恢復電流Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電

26、參數(shù)時，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值（品質因素）vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT（AV）-正向導通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向

27、導通總瞬時耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關功率PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF（r）-正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應增加I，則V/I稱微分電阻RBB-雙

28、基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負載電阻Rs(rs)-串聯(lián)電阻Rth-熱阻R(th)ja-結到環(huán)境的熱阻Rz(ru)-動態(tài)電阻R(th)jc-結到殼的熱阻r -衰減電阻r(th)-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復時間tg-電路換向關斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結溫Tjm-最高結溫ton-開通時間toff-關斷時間tr-上升時間trr-反向恢復時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度-單結晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-

29、發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓）VF-正向壓降（正向直流電壓）VF-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復峰值電壓VGT-門極觸發(fā)電壓VGD-門極不觸發(fā)電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF（AV）-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓（反向直流電壓）VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓）V（BR）-擊穿電壓Vth-閥電壓（門限電壓）VRRM-反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM-反向工作峰值電壓V v-谷點電壓Vz-穩(wěn)定電壓Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點電壓（穩(wěn)流二極管）VL -極限電壓三、場效應管參數(shù)符號意義Cds-漏-源電容Cdu-漏-襯底電容Cgd-柵-源電容Cgs-漏-源電容Ciss-柵短路共源輸入電容Coss-柵短路共源輸出電容Crss-柵短路共源反向傳輸電容D-占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）di/dt-電流上升率（外電路參數(shù)）dv/dt-電壓上升率（外電路參數(shù)）ID-漏極電流（直流）IDM-漏極脈沖電流ID(o