模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課后習(xí)題答案

1、第三部分第三部分 習(xí)題與解答習(xí)題與解答 習(xí)題習(xí)題 1 客觀檢測題客觀檢測題 一、填空題一、填空題 1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的 雜質(zhì)濃度 ，而少數(shù)載流子的濃度則與 溫度 有很大關(guān)系。 2、當(dāng) PN 結(jié)外加正向電壓時，擴散電流 大于 漂移電流，耗盡層 變窄 。當(dāng)外加反向電壓時，擴散電流 小于 漂移電流，耗盡層 變寬 。 3、在 N 型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子， 空穴 為少數(shù)載流子。 二判斷題二判斷題 1、由于 P 型半導(dǎo)體中含有大量空穴載流子，N 型半導(dǎo)體中含有大量電子載流子，所以 P 型半導(dǎo)體帶正電，N 型半導(dǎo)體帶負電。 （ ） 2、在 N 型半導(dǎo)體中，摻入高濃度三價

2、元素雜質(zhì)，可以改為 P 型半導(dǎo)體。 （ ） 3、擴散電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的，即雜質(zhì)濃度大，擴散電流大；雜質(zhì)濃度小，擴散電流小。 （ ） 4、本征激發(fā)過程中，當(dāng)激發(fā)與復(fù)合處于動態(tài)平衡時，兩種作用相互抵消，激發(fā)與復(fù)合停止。（ ） 5、PN 結(jié)在無光照無外加電壓時，結(jié)電流為零。 （ ） 6、溫度升高時，PN 結(jié)的反向飽和電流將減小。 （ ） 7、PN 結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將變寬。 （ ） 三簡答題三簡答題 1、PN 結(jié)的伏安特性有何特點？ 答：根據(jù)統(tǒng)計物理理論分析，PN 結(jié)的伏安特性可用式)1e (IITVVsD 表示。 式中，ID為流過 PN 結(jié)的電流；Is為 PN 結(jié)的反向飽和電流

3、，是一個與環(huán)境溫度和材料等有關(guān)的參數(shù)，單位與 I 的單位一致；V 為外加電壓； VT=kT/q，為溫度的電壓當(dāng)量（其單位 與 V 的 單 位 一 致 ） ， 其 中 玻 爾 茲 曼 常 數(shù)k.J / K 231 38 10， 電 子 電 量)(C1060217731. 1q19庫倫庫倫 ， 則)V(2 .1 1 5 9 4TVT ， 在 常 溫 （ T=300K ） 下 ，VT=25.875mV=26mV。當(dāng)外加正向電壓，即 V 為正值，且 V 比 VT大幾倍時，1eTVV，于是TVVseII ，這時正向電流將隨著正向電壓的增加按指數(shù)規(guī)律增大，PN 結(jié)為正向?qū)顟B(tài).外加反向電壓，即 V 為負

4、值，且|V|比 VT大幾倍時，1eTVV，于是sII ，這時 PN 結(jié)只流過很小的反向飽和電流，且數(shù)值上基本不隨外加電壓而變，PN 結(jié)呈反向截止?fàn)顟B(tài)。PN結(jié)的伏安特性也可用特性曲線表示，如圖所示.從式(1.1.1)伏安特性方程的分析和圖 1.1.1 特性曲線（實線部分）可見：PN 結(jié)真有單向?qū)щ娦院头蔷€性的伏安特性。 2、什么是 PN 結(jié)的反向擊穿？PN 結(jié)的反向擊穿有哪幾種類型？各有何特點？ 答：“PN”結(jié)的反向擊穿特性：當(dāng)加在“PN”結(jié)上的反向偏壓超過其設(shè)計的擊穿電壓后，PN 結(jié)發(fā)生擊穿。 PN 結(jié)的擊穿主要有兩類，齊納擊穿和雪崩擊穿。齊納擊穿主要發(fā)生在兩側(cè)雜質(zhì)濃度都較高的 PN 結(jié)， 一

5、般反向擊穿電壓小于 4Eg/q （EgPN 結(jié)量子阱禁帶能量， 用電子伏特衡量，Eg/q 指 PN 結(jié)量子阱外加電壓值，單位為伏特）的 PN 的擊穿模式就是齊納擊穿，擊穿機理就是強電場把共價鍵中的電子拉出來參與導(dǎo)電，使的少子濃度增加，反向電流上升。 雪崩擊穿主要發(fā)生在“PN”結(jié)一側(cè)或兩側(cè)的雜質(zhì)濃度較低“PN”結(jié)，一般反向擊穿電壓高于 6 Eg/q 的“PN”結(jié)的擊穿模式為雪崩擊穿。 擊穿機理就是強電場使載流子的運動速度加快，動能增大，撞擊中型原子時把外層電子撞擊出來，繼而產(chǎn)生連鎖反應(yīng)，導(dǎo)致少數(shù)載流子濃度升高，反向電流劇增。 3、PN 結(jié)電容是怎樣形成的？和普通電容相比有什么區(qū)別？ 圖 1.1.

6、1 PN 伏安特性 PN 結(jié)電容由勢壘電容 Cb和擴散電容 Cd組成。 勢壘電容 Cb是由空間電荷區(qū)引起的?？臻g電荷區(qū)內(nèi)有不能移動的正負離子，各具有一定的電量。當(dāng)外加反向電壓變大時，空間電荷區(qū)變寬，存儲的電荷量增加；當(dāng)外加反向電壓變小時，空間電荷區(qū)變窄，存儲的電荷量減小，這樣就形成了電容效應(yīng)?！皦|壘電容”大小隨外加電壓改變而變化，是一種非線性電容，而普通電容為線性電容。在實際應(yīng)用中，常用微變電容作為參數(shù)，變?nèi)荻O管就是勢壘電容隨外加電壓變化比較顯著的二極管。 擴散電容 Cd是載流子在擴散過程中的積累而引起的。PN 結(jié)加正向電壓時，N 區(qū)的電子向 P 區(qū)擴散，在 P 區(qū)形成一定的電子濃度(Np)

7、分布，PN 結(jié)邊緣處濃度大，離結(jié)遠的地方濃度小，電子濃度按指數(shù)規(guī)律變化。當(dāng)正向電壓增加時，載流子積累增加了 Q；反之，則減小，如圖所示。同理，在 N 區(qū)內(nèi)空穴濃度隨外加電壓變化而變化 的關(guān)系與 P 區(qū)電子濃度的變化相同。因此，外加電壓增加 V時所出現(xiàn)的正負電荷積累變化 Q，可用擴散電容 Cd來模擬。Cd也是一種非線性的分布電容。 綜上可知，勢壘電容和擴散電容是同時存在的。 PN 結(jié)正偏時，擴散電容遠大于勢壘電容；PN 結(jié)反偏時，擴散電容遠小于勢壘電容。勢壘電容和擴散電容的大小都與 PN 結(jié)面積成正比。與普通電容相比，PN 結(jié)電容是非線性的分布電容，而普通電容為線性電容。 習(xí)題習(xí)題 2 客觀檢測

8、題客觀檢測題 一、填空題一、填空題 1、半導(dǎo)體二極管當(dāng)正偏時，勢壘區(qū) 變窄 ，擴散電流 大于 漂移電流。 2、 在常溫下，硅二極管的門限電壓約 0.6 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約 0.7 V；鍺二極管的門限電壓約 0.1 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約 0.2 V。 3、 在常溫下， 發(fā)光二極管的正向?qū)妷杭s 1.22V ， 高于 硅二極管的門限電壓；圖 1.3.3 P 區(qū)中電子濃度的分布曲線及電荷的積累 考慮發(fā)光二極管的發(fā)光亮度和壽命，其工作電流一般控制在 510 mA。 4、 利用硅 PN 結(jié)在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點而制成的二極管， 稱為 普通 （穩(wěn)壓）二極管。

9、請寫出這種管子四種主要參數(shù)，分別是 最大整流電流 、 反向擊穿電壓 、 反向電流 和 極間電容 。 二、判斷題二、判斷題 1、二極管加正向電壓時，其正向電流是由（ a ） 。 a. 多數(shù)載流子擴散形成 b. 多數(shù)載流子漂移形成 c. 少數(shù)載流子漂移形成 d. 少數(shù)載流子擴散形成 2、PN 結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大，但小于擊穿電壓， （ c ） 。 a. 其反向電流增大 b. 其反向電流減小 c. 其反向電流基本不變 d. 其正向電流增大 3、穩(wěn)壓二極管是利用 PN 結(jié)的（ d ） 。 a. 單向?qū)щ娦?b. 反偏截止特性 c. 電容特性 d. 反向擊穿特性 4、二極管的反向飽和電流在 20時是

10、 5A，溫度每升高 10，其反向飽和電流增大一倍，當(dāng)溫度為 40時，反向飽和電流值為（ c ） 。 a. 10A b. 15A c. 20A d. 40A 5、變?nèi)荻O管在電路中使用時，其 PN 結(jié)是（ b ） 。 a. 正向運用 b. 反向運用 三、問答題三、問答題 1、溫度對二極管的正向特性影響小，對其反向特性影響大，這是為什么？ 答：正向偏置時，正向電流是多子擴散電流，溫度對多子濃度幾乎沒有影響，因此溫度對二極管的正向特性影響小。但是反向偏置時，反向電流是少子漂移電流，溫度升高少數(shù)載流子數(shù)量將明顯增加，反向電流急劇隨之增加，因此溫度對二極管的反向特性影響大。 2、能否將 1.5V 的干電

11、池以正向接法接到二極管兩端？為什么？ 答：根據(jù)二極管電流的方程式 qV / KTSIIe1 將 V=1.5V 代入方程式可得： /Ieelg Ilglge.121500 26121500 2620 10120 101500201214 3426 故 I.A142 18 10 雖然二極管的內(nèi)部體電阻、 引線電阻及電池內(nèi)阻都能起限流作用， 但過大的電流定會燒壞二極管或是電池發(fā)熱失效，因此應(yīng)另外添加限流電阻。 3、有 A、B 兩個二極管。它們的反向飽和電流分別為 5mA 和A.20，在外加相同的正向電壓時的電流分別為 20mA 和 8mA，你認為哪一個管的性能較好？ 答：B 好，因為 B 的單向?qū)щ?/p>

12、性好；當(dāng)反向偏置時，反向飽和電流很小，二極管相當(dāng)于斷路，其反向偏置電阻無窮大。 4、利用硅二極管較陡峭的正向特性，能否實現(xiàn)穩(wěn)壓？若能，則二極管應(yīng)如何偏置？ 答：能實現(xiàn)穩(wěn)壓，二極管應(yīng)該正向偏置，硅二極管的正偏導(dǎo)通電壓為 0.7V；因此硅二極管的正向特性，可以實現(xiàn)穩(wěn)壓，其穩(wěn)壓值為 0.7V。 5、什么是齊納擊穿？擊穿后是否意味著 PN 結(jié)損壞？ 答：齊納擊穿主要發(fā)生在兩側(cè)雜質(zhì)濃度都較高的 PN 結(jié)，其空間電荷區(qū)較窄，擊穿電壓較低（如 5V 以下） ，一般反向擊穿電壓小于 4Eg/q（EgPN 結(jié)量子阱禁帶能量，用電子伏特衡量，Eg/q 指 PN 結(jié)量子阱外加電壓值，單位為伏特）的 PN 的擊穿模式

13、就是齊納擊穿，擊穿機理就是強電場把共價鍵中的電子拉出來參與導(dǎo)電， 使的少子濃度增加， 反向電流上升。 發(fā)生齊納擊穿需要的電場強度很大，只有在雜質(zhì)濃度特別大的 PN 結(jié)才能達到。擊穿后并不意味著 PN 結(jié)損壞，當(dāng)加在穩(wěn)壓管上的反向電壓降低以后，管子仍然可以恢復(fù)原來的狀態(tài)。但是反向電流和反向電壓的乘積超過 PN 結(jié)容許的耗散功率時，就可能由電擊穿變?yōu)闊釗舸斐捎谰眯缘钠茐摹ｋ姄舸?PN 結(jié)未被損壞，但是熱擊穿 PN 結(jié)將永久損壞。 主觀檢測題主觀檢測題 試用電流方程式計算室溫下正向電壓為 0.26V 和反向電壓為 1V 時的二極管電流。 （設(shè)AIS10 ） 解：由公式 DDTq V/ K TV

14、/ VDSSIIeIe11 由于AIS10， VT=0.026V 正向偏置 VD=0.26V 時 DTV /V./ .DSIIeeeA.A 0 26 0 0261011011012202640 22 當(dāng)反向偏置DVV 1時 DSIIA 10 寫出題圖 2.1.2 所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管均為理想二極管。 解：VO12V（二極管正向?qū)ǎ?，VO20（二極管反向截止） ，VO32V（二極管正向?qū)ǎ?，VO42V（二極管反向截止） ，VO52V（二極管正向?qū)ǎ?，VO62V（二極管反向截止） 。 重復(fù)題 2.1.2，設(shè)二極管均為恒壓降模型，且導(dǎo)通電壓 VD0.7V。 解：UO11.3V

15、（二極管正向?qū)ǎ?，UO20（二極管反向截止） ，UO31.3V（二極管正向?qū)ǎ?，UO42V（二極管反向截止） ，UO51.3V（二極管正向?qū)ǎ?， UO62V（二極管反向截止） 。 設(shè)題圖 2.1.4 中的二極管均為理想的（正向可視為短路，反向可視為開路） ，試判斷其中的二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出A、Q兩端電壓AOU。 解：題圖所示的電路圖中，圖（a）所示電路，二極管 D 導(dǎo)通，VAO=6V， 圖（b）所示電路，二極管 D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0V， 圖（c）所示電路，二極管 D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0V。 在用萬用表的kRRR1100,10和三個歐姆檔測量某二極管的正向電

16、阻時，共測得三個數(shù)據(jù)；68085,4和k，試判斷它們各是哪一檔測出的。 解：萬用表測量電阻時，對應(yīng)的測量電路和伏安特性如圖所示，實際上是將流過電表的電流換算為電阻值，用指針的偏轉(zhuǎn)表示在表盤上。當(dāng)流過的電流大時，指示的電阻小。測量時，流過電表的電流由萬用表的內(nèi)阻和二極管的等效直流電阻值和聯(lián)合決定。 通常萬用表歐姆檔的電池電壓為 Ei = 1.5V，R 10檔時， 表頭指針的滿量程為 100A題圖 (a) (c) (b) 題圖 （測量電阻為 0，流經(jīng)電阻 Ri的電流為 10mA） ，萬用表的內(nèi)阻為iR 10150；R 100檔時，萬用表的內(nèi)阻為iiRR 10010101500（測量電阻為 0，表頭

17、滿量程時，流經(jīng) Ri的電流為 1mA） ；Rk 1檔時（測量電阻為 0，表頭滿量程時，流經(jīng) Ri的電流為 0.1mA） ，萬用表的內(nèi)阻為iiRRk 1001010015； 由圖可得管子兩端的電壓 V 和電流 I 之間有如下關(guān)系： R 10檔時，內(nèi)阻iR 10150； iV.I R.I111011 51 5150 R 100檔時，內(nèi)阻iR 1001500；iV.I R.I2210021 51 51500 Rk 1檔時，內(nèi)阻iRk 10015；i kV.I R.I33131 51 515000 從伏安特性圖上可以看出，用R 10檔測量時，萬用表的直流負載線方程與二極管的特性曲線的交點為 A，萬用表

18、的讀數(shù)為 V1/I1。 用R 100檔測量時，萬用表的直流負載線方程與二極管的特性曲線的交點為 B，萬用表的讀數(shù)為 V2/I2。 用Rk 1檔測量時，萬用表的直流負載線方程與二極管的特性曲線的交點為 C，萬用表的讀數(shù)為 V3/I3。 由圖中可以得出 VVVIII312123 所以，85為萬用表10R檔測出的；680為萬用表100R檔測出的；k4為萬用表 kR 1檔測出的。 電路如題圖 2.1.6 所示，已知 vi6sint(v)，試畫出 vi與 vo的波形，并標(biāo)出幅值。分別使用 2 V/Vot V60t V/viV60t V/VoV3 . 50V7 . 0二極管理想模型和恒壓降模型（VD0.7

19、V） 。 解：由題意可知：vi6sint(v) 在 vi的正半周，二極管導(dǎo)通，電路的輸出電壓波形如圖(a)、(b)所示。 電路如題圖所示，已知 vi6sint (V)，二極管導(dǎo)通電壓 VD0.7V。試畫出 vi與 vO的波形，并標(biāo)出幅值。 解：由題意 vi6sint(V) 波形如圖所示： 當(dāng)iv. V 3 7時，二極管 D1導(dǎo)通，vo3.7V， 當(dāng)iv. V 3 7時，二極管 D2導(dǎo)通，vo3.7V， 當(dāng)i. Vv. V3 73 7時，二極管 D1、D2截止，vovi 。 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為 5V 和 8V，正向?qū)妷簽?0.7V。試問： （1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾

20、種穩(wěn)壓值？各為多少？ （2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ 解： （1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得 1.4V、5.7V、8.7V 和 13V 等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時可得 0.7V、5V 和 8V 等三種穩(wěn)壓值。 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 VZ6V，穩(wěn)定電流的最小值 IZmin5mA。求題圖所示電路中 VO1和VO2各為多少伏。 題圖 2.1.7 題圖 圖 題圖 2.1.6 解：解： （1）當(dāng) VI10V 時，若 VO1VZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為 IZZ1ZminVVI.AmAImAR 11060 00885500， 大于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管擊穿。故 oVV 16。

21、 （2）當(dāng) VI10V 時，若 VO2VZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為 IZZ2ZminVVI.AmAImAR 21060 002252000， 小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 LO 2IILVRVVVRR22000520002000 。 電路如題圖 2.2.3（a） （b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 VZ3V，R 的取值合適，vi的波形如圖（c）所示。試分別畫出 vO1和 vO2的波形。 解：解：波形如圖所示。 題圖所示的電路中，對于圖（a）所示的電路，當(dāng)ivV 3時，穩(wěn)壓管 DZ反向擊穿，vovi 3V，當(dāng)ivV 3時，穩(wěn)壓管 DZ未擊穿，vo0V。 對于圖 b 所示的電路，當(dāng)ivV 3時

22、，穩(wěn)壓管 DZ反向擊穿，voVZ ，當(dāng)ivV 3時，穩(wěn)壓管 DZ未擊穿，vovi 。 圖 題圖 題圖 已知題圖 2.2.4 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 VZ6V，最小穩(wěn)定電流 IZmin5mA，最大穩(wěn)定電流 IZmax25mA。 （1）分別計算 vi為 10V、15V、35V 三種情況下輸出電壓 vO的值； （2）若 vi35V 時負載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？ 解： （1）當(dāng) vi10V 時，若 vOVZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為 4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 LoLViRvv.RR 3 33 當(dāng) vi15V 時，穩(wěn)壓管中的電流大于最小穩(wěn)定電流 IZmin，所以 vOV

23、Z6V 同理，當(dāng) vi35V 時，vOVZ6V。 （2）DZiZI(vV ) R29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。 電路如題圖 2.2.5 所示，設(shè)所有穩(wěn)壓管均為硅管（正向?qū)妷簽?VD0.7V） ，且穩(wěn)定電壓VZ8V，已知 vi15sint (V)，試畫出 vO1和 vO2的波形。 解：題圖所示的電路圖中，對于圖（a） ，當(dāng)iZvVV 8時，穩(wěn)壓管 DZ反向擊穿，vo8V ； 當(dāng)iDvV. V 0 7時，穩(wěn)壓管 DZ正向?qū)?，vo0.7V ； 當(dāng)DiZ. VVvVV 0 78時，穩(wěn)壓管 DZ1 和 DZ2未擊穿，vovi 。 對應(yīng)題圖(a)電路的輸出電壓的波形如圖 2.2.

24、5(a)所示。 對于圖（b） ，當(dāng)iZDvVV. V 8 7時，穩(wěn)壓管 DZ1正向?qū)?、DZ2反向擊穿，vo8V； 當(dāng)iZDvVV. V 8 7時，穩(wěn)壓管 DZ1反向擊穿、DZ2正向?qū)?，vo8V； 當(dāng)ZDiZD. VVVvVV. V 8 78 7時， 穩(wěn)壓管 DZ1 和 DZ2未擊穿， vovi 。 對應(yīng)題圖(b)電路的輸出電壓的波形如圖 2.2.5(b)所示。 題圖 (b) (a) 在題圖 2.3.1 所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓 VD1.5V，正向電流在 515mA 時才能正常工作。試問： （1）開關(guān) S 在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？ （2）R 的取值范圍是多少？ 解： （1）當(dāng)開

25、關(guān) S 閉合時發(fā)光二極管才能發(fā)光。 （2）為了讓二極管正常發(fā)光，ID515mA， R 的范圍為 DD m a xDD m i nm i nm a xR( VV) IR( VV) I 233700。 可以計算得到 R= 233700 習(xí)題習(xí)題 3 客觀檢測題客觀檢測題 一、填空題一、填空題 1. 三極管處在放大區(qū)時，其 集電結(jié) 電壓小于零， 發(fā)射結(jié) 電壓大于零。 2. 三極管的發(fā)射區(qū) 雜質(zhì) 濃度很高，而基區(qū)很薄。 3. 在半導(dǎo)體中，溫度變化時 少 數(shù)載流子的數(shù)量變化較大，而 多 數(shù)載流子的數(shù)量變化較小。 4. 三極管實現(xiàn)放大作用的內(nèi)部條件是： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時基區(qū)厚度要很

26、小 ；外部條件是： 發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置 。 5. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是 少數(shù)載流 子漂移運動形成的。 6. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng) IB從 12A 增大到 22A 時，IC從 1mA 變?yōu)?2mA，那題圖 圖 (b) (a) 么它的 約為 100 。 7. 三極管的三個工作區(qū)域分別是 飽和區(qū) 、 放大區(qū) 和 截止區(qū) 。 8. 雙極型三極管是指它內(nèi)部的 參與導(dǎo)電載流子 有兩種。 9. 三極管工作在放大區(qū)時，它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，集電結(jié)保持 反向 偏置。 10. 某放大電路在負載開路時的輸出電壓為 5V，接入 12k的負載電阻后，輸出電壓降為2.5V，這

27、說明放大電路的輸出電阻為 12 k。 11. 為了使高內(nèi)阻信號源與低電阻負載能很好的配合，可以在信號源與低電阻負載間接入 共集電極 組態(tài)的放大電路。 12. 題圖所示的圖解， 畫出了某單管共射放大電路中晶體管的輸出特性和直流、 交流負載線。由此可以得出： （1）電源電壓CCV= 6V ； （2）靜態(tài)集電極電流CQI= 1mA ；集電極電壓CEQU= 3V ； （3）集電極電阻CR= 3k ；負載電阻LR= 3k ； （4） 晶體管的電流放大系數(shù)= 50 ， 進一步計算可得電壓放大倍數(shù)vA= 50 ； （bbr取 200） ； （5）放大電路最大不失真輸出正弦電壓有效值約為 1.06V ； （6

28、）要使放大電路不失真，基極正弦電流的振幅度應(yīng)小于 20A 。 13. 穩(wěn)定靜態(tài)工作點的常用方法有 射極偏置電路 和 集電極基極偏置電路 。 14. 有兩個放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路 A 和 B，對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大。在負載開路的條件下，測得 A 放大器的輸出電壓小，這說明 A的輸入電阻 小 。 15. 三極管的交流等效輸入電阻隨 靜態(tài)工作點 變化。 16. 共集電極放大電路的輸入電阻很 大 ，輸出電阻很 小 。 17. 放大電路必須加上合適的直流 偏置 才能正常工作。 18. 共射極、共基極、共集電極 放大電路有功率放大作用； 19. 共射極、共基極 放大電

29、路有電壓放大作用； 20. 共射極、共集電極 放大電路有電流放大作用； 21. 射極輸出器的輸入電阻較 大 ，輸出電阻較 小 。 22. 射極輸出器的三個主要特點是 輸出電壓與輸入電壓近似相同 、 輸入電阻大 、 輸出電阻小 。 23.“小信號等效電路”中的“小信號”是指 “小信號等效電路”適合于微小的變化信號的分析，不適合靜態(tài)工作點和電流電壓的總值的求解 ，不適合大信號的工作情況分析。 24. 放大器的靜態(tài)工作點由它的 直流通路 決定，而放大器的增益、輸入電阻、輸出電阻等由它的 交流通路 決定。 25. 圖解法適合于 求靜態(tài)工作 Q 點；小、大信號工作情況分析 ，而小信號模型電路分析法則適合

30、于 求交變小信號的工作情況分析 。 題圖 26. 放大器的放大倍數(shù)反映放大器 放大信號的 能力； 輸入電阻反映放大器 索取信號源信號大小的能力 ；而輸出電阻則反映出放大器 帶負載 能力。 27. 對放大器的分析存在 靜態(tài) 和 動態(tài) 兩種狀態(tài)，靜態(tài)值在特性曲線上所對應(yīng)的點稱為 Q 點 。 28. 在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察 VO和 VI的波形，則 VO和 VI的相位關(guān)系為 反相 ；當(dāng)為共集電極電路時，則 VO和 VI的相位關(guān)系為 同相 。 29. 在由 NPN 管組成的單管共射放大電路中，當(dāng) Q 點 太高 （太高或太低）時，將產(chǎn)生飽和失真，其輸出電壓的波形被削掉 波谷

31、 ；當(dāng) Q 點 太低 （太高或太低）時，將產(chǎn)生截止失真，其輸出電壓的波形被削掉 波峰 。 30. 單級共射放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是 放大器的動態(tài)工作軌跡進入截止區(qū) ， 產(chǎn)生飽和失真的原因是 放大器的動態(tài)工作軌跡進入飽和區(qū) 。 31. NPN 三極管輸出電壓的底部失真都是 飽和 失真。 32. PNP 三極管輸出電壓的 頂部 部失真都是飽和失真。 33. 多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有 RC 耦合， 直接耦合， 變壓器耦合。 34. BJT 三極管放大電路有 共發(fā)射極 、 共集電極 、 共基極 三種組態(tài)。 35. 不論何種組態(tài)的放大電路， 作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線

32、的放大區(qū)。 因此，這種 BJT 接入電路時， 總要使它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置， 它的集電結(jié)保持 反向 偏置。 36. 某三極管處于放大狀態(tài)，三個電極 A、B、C 的電位分別為-9V、-6V 和-6.2V，則三極管的集電極是 A ，基極是 C ，發(fā)射極是 B 。該三極管屬于 PNP 型，由 鍺 半導(dǎo)體材料制成。 37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為 1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數(shù)為 1。 38. 溫度對三極管的參數(shù)影響較大，當(dāng)溫度升高時，CBOI 增加 ， 增加 ，正向發(fā)射結(jié)電壓BEU 減小 ，CMP 減小 。 39. 當(dāng)溫度升高時，共發(fā)射極輸入

33、特性曲線將 左移 ，輸出特性曲線將 上移 ，而且輸出特性曲線之間的間隔將 增大 。 40. 放大器產(chǎn)生非線性失真的原因是 三極管或場效應(yīng)管工作在非放大區(qū) 。 41. 在題圖電路中，某一參數(shù)變化時，CEQV的變化情況（a. 增加，b，減小，c. 不變，將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)） 。 （1）bR增加時，CEQV將 增大 。 （2）cR減小時，CEQV將 增大 。 （3）CR增加時，CEQV將 減小 。 （4）sR增加時，CEQV將 不變 。 （5）減小時（換管子） ，CEQV將 增大 。 （6）環(huán)境溫度升高時，CEQV將 減小 。 42. 在題圖電路中， 當(dāng)放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)， 試分析

34、電路狀態(tài)和性能的變化。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填“增大”、“減小”或“基本不變”。 ） （1）若bR阻值減小，則靜態(tài)電流 IB將 增大 ，CEV將 減小 ，電壓放大倍數(shù)vA將 增大。 題圖 （2） 若換一個值較小的晶體管， 則靜態(tài)的BI將 不變 ，CEV將 增大， 電壓放大倍數(shù)vA將 減小。 （3）若CR阻值增大，則靜態(tài)電流BI將 不變 ， CEV將 減小 ，電壓放大倍數(shù)vA將 增大 。 43. 放大器的頻率特性表明放大器對 不同頻率信號 適應(yīng)程度。 表征頻率特性的主要指標(biāo)是 中頻電壓放大倍數(shù) ， 上限截止頻率 和 下限截止頻率 。 44. 放大器的頻率特性包括 幅頻響應(yīng) 和 相頻響應(yīng) 兩個方面， 產(chǎn)

35、生頻率失真的原因是 放大器對不同頻率的信號放大倍數(shù)不同 。 45. 頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號的情況下， 放大器對不同頻率的正弦信號的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 46. 放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 線性 失真和 非線性 失真。 47. 幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻率被稱為 截止頻率 。 48. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號時， 低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 耦合電容和旁路電容的影響 ； 高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 放大器件內(nèi)部的極間電容的影響 。 49. 單級阻容耦合放大電路加入頻率為LHff 和的輸入信號時，電壓增益的幅值比中頻時下降了 3 dB，高、低頻輸出電壓與中頻時相比

36、有附加相移，分別為 -45 和+45 。 50. 在單級阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為 -20dB/十倍頻 ，幅頻響應(yīng)低頻區(qū)的斜率為-20dB/十倍頻 ； 附加相移高頻區(qū)的斜率為 -45 /十倍頻 ， 附加相移低頻區(qū)的斜率為 +45 /十倍頻 。 51. 一個單級放大器的下限頻率為100HzLf，上限頻率為30kHzHf，40dBVMA，如果輸入一個)t00015sin(100,mV 的正弦波信號，該輸入信號頻率為 50kHz ，該電路 不會 產(chǎn)生波形失真。 52. 多級放大電路與組成它的各個單級放大電路相比，其通頻帶變 窄 ，電壓增益 增大 ，高頻區(qū)附加相移 增大 。 二

37、、判斷題二、判斷題 1. 下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識別其管腳、判斷其類型及材料，并簡要說明理由。 （1）3.2V，5V，3V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管 VBE=0.2 V 所以為鍺管；5V 為集電極，3.2V 為基極，3V 為發(fā)射極， （2）9V，5V，5.7V 解：硅 PNP 型 BJT 管；9V 為集電極，5.7V 為基極，5V 為發(fā)射極 （3）2V，2.7V，6V； 解：硅 NPN 型 BJT 管；6V 為集電極，2.7V 為基極，2V 為發(fā)射極 （4）5V，1.2V，0.5V； 解：硅 NPN 型 BJT 管；5V 為集電極，1.2V 為基極，0.5V 為發(fā)射極 題圖 （5

38、）9V，8.3V，4V 解：硅 PNP 型 BJT 管 9V 為發(fā)射極，8.3V 為基極，4V 為集電極 （6）10V，9.3V，0V 解：硅 PNP 型 BJT 管， 10V 為發(fā)射極，9.3V 為基極，0V 為集電極 （7）5.6V，4.9V，12V； 解：硅 NPN 型 BJT 管，12V 為集電極，5.6V 為基極，4.9V 為發(fā)射極， （8）13V，12.8V， 17V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管，17V 為集電極，13V 為基極，12.8V 為發(fā)射極， （9）6.7V，6V，9V； 解：硅 NPN 型 BJT 管，9V 為集電極，6.7V 為基極，6V 為發(fā)射極， 2. 判斷

39、三極管的工作狀態(tài)和三極管的類型。 1 管：;4,7 . 2,2VVVVVVCEB 答：NPN 管，工作在放大狀態(tài)。 2 管：;5 . 5,3 . 5,6VVVVVVCEB 答：NPN 管，工作在飽和狀態(tài)。 3 管：;VV,V.V,VVCEB7301 答：NPN 管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。 3. 題圖所列三極管中哪些一定處在放大區(qū)？ 答：題圖所列三極管中，只有圖（D）所示的三極管處在放大區(qū)。 4. 放大電路故障時，用萬用表測得各點電位如題圖，三極管可能發(fā)生的故障是什么？ 答：題圖所示的三極管，B、E 極之間短路，發(fā)射結(jié)可能燒穿。 5. 測得晶體管 3 個電極的靜態(tài)電流分別為 0.06mA，3.66mA

40、 和 3.6mA，則該管的 為。 為 60。 為 61。 0.98。 無法確定。 6. 只用萬用表判別晶體管 3 個電極，最先判別出的應(yīng)是 b 極 。 e 極 b 極 c 極 7. 共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對直流而言其 。 題圖 題圖 6V 3V A 6V 2.3V 2.3V C 3V 9.3V 5.7V D 5V 0V 1.9V B 1.6V 輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。 輸入和輸出均具近似的恒流特性。 輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。 輸入具有近似的恒流特性，而輸出具有恒壓特性。 8. 共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與發(fā)射極間為開路、短路、接電阻 R 時的 c

41、，e 間的擊穿電壓分別用 V（BR）CEO ，V（BR）CES和 V（BR）CER表示，則它們之間的大小關(guān)系是 。 V（BR）CEOV（BR）CESV（BR）CER。 V（BR）CESV（BR）CER V（BR）CEO。 V（BR）CERV（BR）CESV（BR）CEO。 V（BR）CESV（BR）CEOV（BR）CER。 9題圖所示電路中，用 直流電壓表測出 VCE0V，有 可能是因為 C 或 D 。 A Rb開路 B Rc 短路 C Rb 過小 D 過大 10. 測得電路中幾個三極管的各極對地電壓如題圖所示。試判斷各三極管的工作狀態(tài)。 答：題圖 3.07 所示的各個三極管的工作狀態(tài)，圖（a

42、）為放大， 圖（b）為放大 ，圖（c）為飽和， 圖（d）為 C、E 極間擊穿。 11. 用萬用表直流電壓檔測得電路中晶體管各電極的對地電位，如題圖示，試判斷這些晶體管分別處于哪種工作狀態(tài)（飽和、放大、截止或已損壞）？ 題圖 題圖 3.0.7 (b) (c) (d) (a) 答：題圖 3.07 所示的各個三極管的工作狀態(tài)，圖（a）為損壞， 圖（b）為放大， 圖（c）為放大， 圖（d）為截止， 圖（e）為損壞，圖（f）為飽和（或 B、C 極間擊穿） 。 12. 放大電路如題 圖所示，對于射極電阻eR的變化是否會影響電壓放大倍數(shù)vA和輸入電阻iR的問題，有三種不同看法，指出哪一種是正確的？ 甲：當(dāng)e

43、R增大時，負反饋增強，因此vA、iR。 （ ） 乙：當(dāng)eR增大時，靜態(tài)電流CI減小，因此vA、iR。 （ ） 丙：因電容eC，對交流有旁路作用，所以eR的變化對交流量不會有絲毫影響，因此，當(dāng)eR增大時，vA和iR均無變化。 解：本題意在我們要搞清eR，在分壓式電流負反饋偏置電路中的作用，從表面看，eR被eC交流旁路了， 對交流量無影響 （即不產(chǎn)生交流負反饋） ， 所以eR的變化不影響uA和iR，這是本題容易使我們產(chǎn)生錯覺的地方。但我們還必須進一步考慮，盡管eR不產(chǎn)生交流負反饋， 但它對放大器的靜態(tài)工作點的影響是很大的， 既然影響到CQI， 就影響到ber進而影響uA和iR。 題圖 3.0.9

44、甲的說法是錯誤的，原因：因eC的旁路作用，所以eR不產(chǎn)生交流負反饋，所以甲的觀點前提就是錯的。 乙的說法是正確的。原因：;)(ubeEQCQeArIIR ibebibeRrRRr,/, 丙的說法是錯誤的，原因：正如解題分析中所說，盡管eR不產(chǎn)生負反饋，但eR增大使EQEQ，II減小的減小必然引起uA減小和iR的增加。 主觀檢測題主觀檢測題 把一個晶體管接到電路中進行測量，當(dāng)測量時AIB6，則mAIC4 . 0，當(dāng)測得mA，IAICB12. 118時，問這個晶體管的值是多少？CEOCBOII和各是多少？ 解：根據(jù)電流關(guān)系式：CBCBOII()I,1可可得得 C B OI )1(mA006. 0m

45、A4 . 0 （1） CBOI )1(mA018. 0mA12. 1 （2） 將（1） 、 （2）兩式聯(lián)立，解其聯(lián)立方程得： CBOI.A600 66 進而可得： CEOCBOI()I.AA10 666140 根據(jù)題圖 3.1.2 所示晶體三極管 3BX31A 和輸出特性曲線，試求 Q 點處VVCE3，值和值和的，AI ,mAIBC1504。 題圖 3.1.2 解：CBImAI. mA 4200 2， . 0 951 CBImAI. mA 2200 1 . 0 951 硅三極管的CBO，I50可以忽略，若接為題圖 3.1.3（a） ，要求mAIC2，問ER應(yīng)為多大？現(xiàn)改接為圖(b)，仍要求BC

46、RmAI問,2應(yīng)為多大？ 解：（a） CBImAIA 24050 EBBEEEBEEEII.mAVIRV.R.kI. 12 046660 72 62 04 （b） CBImAIA 24050 C CB EBBVV.RkI. 60 71320 04 在晶體管放大電路中， 測得三個晶體管的各個電極的電位如題圖 3.3.1 所示， 試判斷各晶體管的類型（PNP 管還是 NPN 管，硅管還是鍺管） ，并區(qū)分 e、b、c 三個電極。 題圖 3.1.3 (a) (b) 題圖 3.3.1 (a) (b) (c) 解：題圖（a）所示的晶體管為鍺 NPN 管 ，三個引腳分別為e 極、 b 極、 c極。 題圖 3

47、.3.1 (b) 所示的晶體管為硅 PNP 管，三個引腳分別為c 極、 b 極、 e 極。 題圖 3.3.1(c)所示的晶體管為鍺 PNP 管，三個引腳分別為b 極、 e 極， c 極。 在某放大電路中，晶體管三個電極的電流如題圖 3.3.2 所示，已測出mA.I211，mA.I0302，mA.I2313，試判斷 e、b、c 三個電極，該晶體管的類型（NPN 型還是PNP 型）以及該晶體管的電流放大系數(shù)。 解：題圖所示的晶體管為 PNP 管，三個電極分別為b 極、 c 極、 e 極，晶體管的直流電流放大倍數(shù)為 =1.2/0.03=40。 共發(fā)射極電路如題圖 3.3.3 所示，晶體管AICBO4

48、,50，導(dǎo)通時V.VBE20，問當(dāng)開關(guān)分別接在 A、B、C 三處時，晶體管處于何種工作狀態(tài)？集電極電流CI為多少？設(shè)二極管 D 具有理想特性。 解：題圖所示的電路，當(dāng)開關(guān)置于 A 位置時，Ib=（2-0.2）/10=0.18 mA Icbo=12/（1 50）=0.24 mA 故工作在放大區(qū)，Ic=Ib 50=9 mA。 當(dāng)開關(guān)置于 B 位置時，晶體管工作在截止區(qū)， Ic=0。 當(dāng)開關(guān)至于 C 位置時，晶體管工作在飽和區(qū)。 . 題圖 3.3.4 電路中，分別畫出其直流通路和交流通路，試說明哪些能實現(xiàn)正常放大？哪些不能？為什么？（圖中電容的容抗可忽略不計） 。 題圖 3.3.2 題圖 3.3.3

49、 (b) (a) 解：題圖所示的各個電路中，圖（a）能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號能順暢的輸入輸出。 圖（b）不能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號不能順暢的輸入。 圖（c）不能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號不能順暢的輸出。 圖（d）不能放大，直流通路不滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏； 圖（e）不能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號不能順暢的輸入。 圖（f）不能放大，直流通路不滿足發(fā)射結(jié)正偏；交流通路信號能順暢的輸入輸出。 一個如題圖 3.4.1（a）所示的共發(fā)射極放大電路中的晶體管具有如題圖 3.4.1（b

50、）的輸出特性，靜態(tài)工作點 Q 和直流負載線已在圖上標(biāo)出（不包含加粗線） 。 (a) (b) 題圖 3.4.1 （1）確定CCV、bCRR 和的數(shù)值（設(shè)BEV可以略去不計） 。 （2）若接入 kRL6，畫出交流負載線。 （3）若輸入電流)(sin18Atib，在保證放大信號不失真的前提下，為盡可能減小直流損耗，應(yīng)如何調(diào)整電路參數(shù)？調(diào)整后的元件數(shù)值可取為多大？ 解： （1）CCV=12V ; 由CECCCCVVI R， k23612IVVRCCEccc； 由CCBECCBbbVVVIRR ， k40003. 012IVRBccb。 （2）如題圖（b）中加粗線所示。 (3) 增大 Rb的值，由CCB

51、ECCBbbVVVIRR CCbBVRkI. 126670 018（最大取值） 。 放大電路如題圖 3.4.2（a）所示，其晶體管輸出特性曲線題圖 3.4.2（b）所示（不包含加粗線和細的輸出電壓波形線） ，已知 bcLCCeeRk,Rk,Rk,VV,R. k,R. k, 11255033240 20 3100（各電容容抗可忽略不計） ，V.VBE70。 （1）計算靜態(tài)工作點； （2）分別作出交直流負載線，并標(biāo)出靜態(tài)工作點 Q； （3） 若基極電流分量),(sin20Atib畫出輸出電壓ou的波形圖， 并求其幅值omV。 解： （1） CCBEBbeeVVI.mARRR. 112240 041

52、55011000 5; (a) (b) 題圖 3.4.2 CBII.mAmA 100 0 044 CECCCCeeVVIRRR.V12244 30 30 210。 （2）交直流負載線，電路的靜態(tài)工作點 Q 如題圖(b)中的加粗線所示。 （3）出輸出電壓ou的波形圖如題圖(b)中的細線所示，輸出電壓幅值omVV 3。 分壓式偏置電路如題圖 3.4.3（a）所示。其晶體管輸出特性曲線如圖（b）所示，電路中元件參數(shù)bbcLCCeRk,Rk,Rk,Rk,VV,Rk12156233241，晶體管的,200,50bbr飽和壓降10070sCESr ,V.V。 （1）估算靜態(tài)工作點 Q； （2）求最大輸出電

53、壓幅值omV； （3）計算放大器的VA、Ri、Ro和 Avs； （4）若電路其他參數(shù)不變，問上偏流電阻2bR為多大時，?VVCE4 解： （）11215244 71562bBccbbRVV. VRR () = 24-4 (3+1) =8V4 70 741148050 BBEcEeBcCEcccceVV.IImARQ IIAVVIRR （2）由圖解法求靜態(tài) Q 點，并作交流負載線，輸出電壓幅度負向最大值為 Vom2，輸出電壓幅度正向最大值為 Vom1，去兩者小者為最大不失真輸出電壓幅度為 Vom=Vom1=14-8=6V； (a) (b) 題圖 3.4.3 （3）26(mV)26(mV)1200

54、1500 54bebErr()(). kI (mA)b ocLbei( RR )Vr.V 50 3 31500 5vA ibbbeRRRr. k 120 5 ocRRk 3 ooicLiivsvsibesisss( RR )RRVVVAARRrRRVVV 125 （4）() = 4VCEcccceVVIRR =5mAccCEcceVVIRR 24431 BEeBEVI RV. V 5 10 75 7 21125 74 bBccbbRVV. V bacRR bbccbBRRVRkV. 121152415485 7 用示波器觀察題圖 3.4.4（a）電路中的集電極電壓波形時，如果出現(xiàn)題圖 3.4.

55、4（b）所示的三種情況， 試說明各是哪一種失真？應(yīng)該調(diào)整哪些參數(shù)以及如何調(diào)整才能使這些失真分別得到改善？ 解：如題圖（b）所示的第一種情況屬于截止失真，應(yīng)增大 Rb1解決； 第二種情況屬于飽和失真，應(yīng)減小 Rb1解決； 第三種情況屬于飽和截止失真同時出現(xiàn)，應(yīng)該減小輸入信號的幅度解決。 (a) (b) 題圖 3.4.4 (a) (b) 放大電路如題圖 3.4.5（a）所示，設(shè)0,20,4,400sCCCbRVVkRkR，晶體管的輸出特性曲線如圖 3.4.5（b）所示，試用圖解法求： （1）放大器的靜態(tài)工作點CI？CEV=？ （2）當(dāng)放大器不接負載時（LR） ，輸入正弦信號，則最大不失真輸出電壓振

56、幅?Vom （3）當(dāng)接入負載電阻 kRL4時，再求最大不失真輸出電壓振幅?Vom 解： （1）bmA=50 ACCBVI.R 0 05， 直流負載線方程為：= 204CEcccccVVI RI。 直流負載線與橫、縱軸分別交于 M(20V，0mA)、N(0V，5mA)，且斜率為-1/RC，從圖中讀出靜態(tài)值 Q 點為： CCEI. mAVV 2 411 (2)不接負載時，輸入正弦信號，則最大不失真輸出電壓振幅omV. V112 58 5 (3) 當(dāng)接入負載電阻 kRL4時，放大器的動態(tài)工作軌跡為交流負載線，其斜率為CLRR 1，此時最大不失真輸出電壓振幅 16-11=5V；11-5.5=5.5V，

57、所以omVV 5。 (d) (a) (c) (b) 畫出下列題圖 3.5.1 中各電路的簡化 h 參數(shù)等效電路，并標(biāo)出bbII和的正方向。 （電路中各電容的容抗可不計） 。 解：畫出對應(yīng)題圖（a、b、c、d、e、f）所示電路的簡化 h 參數(shù)等效電路圖如圖 3.5.1（a、b、c、d、e、f）所示。 在如圖 3.5.2 電路中設(shè)kRRVVLcCC3,12，晶體管的300,50bbr，在計算BQI時可認為0BEV： （1）若kRb600， 問這時的?VCEQ (a) bI)d(bRberbI iVcRLRoV1bI bI) c (1eR2bR2ber2bI iV2cR1bRLRoV1ber圖 3.

58、5.1 bI bI) e (iV4R1RoVber1bI 2bI)f (bR2ber2bI iVcRoV1ber1bI題圖 3.5.2 （2）在以上情況下， 逐漸加大輸入正弦信 號的幅度，問放大器 易出現(xiàn)何種失真？ （3）若要求VVCEQ6，問這時的?bR （4）在VVCEQ6，加入mVVi5的信號電壓，問這時的?Vo 解： 本題意在使我們熟練地掌握單管放大器靜態(tài)工作的計算方法， 通過我們對靜態(tài)工作點的分析計算，看 Q 點設(shè)置是否合理。并不合理，我們?nèi)绾握{(diào)整電路才能防止放大器產(chǎn)生非線性失真。 通過 Q 點計算，我們?nèi)绾闻袆e易產(chǎn)生何種失真呢？這里主要看CEQV大小。CEQV愈接近于CCV，放大器

59、愈易產(chǎn)生截止失真；反之CEQV愈?。ㄓ咏麮E( sat )V，愈易產(chǎn)生飽和失真。當(dāng)CEQV約為2/CCV，較為合理。 (1) （1）mARVIIbCCBQCQ16001250 CEQCCCQCVVIRV 121 33 （2）由于CCCEQCEQCCVV ,VV ,VV129接接近近工作點偏低，故產(chǎn)生截止失真。 （3）當(dāng)CCCEQCEQCQCVVVV ,ImAR 126623 kIVRAIIBQCCbCQBQ3004012,40502 （4）kIrrmAIIEQbbbeCQEQ963. 02265130026)1 (,2 78963. 05 . 150rRAbeLv 。 mV390578VAV

60、ivo 放大電路如題圖 3.6.1 所示，已知kR,kR,VVbbCC641021，k.Re33， kRRLc2，晶體管V.V,r ,BEbb7010050為，各電容的容抗均很小。 （1）求放大器的靜態(tài)工作點?)V?,I(QCEQCQ； （2）求LR未接入時的電壓放大倍數(shù)vA； （3）求LR接入后的電壓放大倍數(shù)vA； （4） 若信號源有內(nèi)阻sR， 當(dāng)sR為多少時才能使此時的源電壓放大倍數(shù)vsA降為vA的一半？ 解：解題分析 本題（1） 、 （2） 、 （3）小題是比較容易計算的，這是我們分析分壓式電流負反饋偏置電路必須具備的基本知識。對于第（4）小題，我們在分析時，必須要搞清放大器的電壓增益與