含鎢SBA_15介孔分子篩催化劑的表面酸性和羥基分布

1、第28卷第11期Vol.28No.11文章編號:025329837(2007)1120980207催化學(xué)報ChineseJournalofCatalysis2007年11月November2007研究論文:980986含鎢SBA215介孔分子篩催化劑的表面酸性和羥基分布胡林華,季生福,劉倩倩,吳平易,()摘要:分別以浸漬法和水熱晶化法制備了SBA,采用NH32TPD測定了表面酸性和總酸量,并采用FT2IR.2結(jié)果表明,浸漬法制備的含氧化鎢的SBA215介孔,SBA215介孔分子篩催化劑表面還出現(xiàn)了W2C的強酸位.SBA2SBA215介孔分子篩的弱酸位隨W含量的增大略有增強,W;含碳化鎢的SBA

2、215介孔分子篩催化劑表面除了SBA215介孔分子篩的弱酸位外,W含量較低時有W2C的強酸位,W含量較高時有W2C和WC兩種強酸位.傅里葉變換紅外光譜結(jié)果表明,浸漬法和水熱晶化法制備的含氧化鎢和碳化鎢的SBA215介孔分子篩催化劑除表面自由硅羥基外,還存在著,和三種不同類型的氫鍵羥基,并且氫鍵羥基和催化劑的制備方法以及催化劑的W含量都有一定的關(guān)系.關(guān)鍵詞:SBA215介孔分子篩;氧化鎢;碳化鎢;氨程序升溫脫附;傅里葉變換紅外光譜中圖分類號:O643文獻標識碼:ASurfaceAcidityandHydroxylGroupsofSBA215MesoporousSilicaCatalystsCon

3、tainingTungstenSpeciesHULinhua,JIShengfu,LIUQianqian,WUPingyi,ZHUJiqin,LIChengyue(StateKeyLaboratoryofChemicalResourceEngineering,BeijingUniversityofChemicalTechnology,Beijing100029,China)3Abstract:AseriesofSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstenoxidewerepreparedbyimpregna2tionandhydrother

4、malmethods,respectively.Aftertemperature2programmedcarburizationinflowingCH4/H2,theSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstenoxideareconvertedtothecorrespondingcatalystscontainingtungstencarbides.ThesurfaceacidityandhydroxylgroupsofthecatalystswerecharacterizedusingNH32TPDandFT2IRspectroscopy

5、,respectively.TheNH32TPDresultsshowthattheSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstenoxidepreparedbytheimpregnationmethodhaveweakacidsitesofSBA215meso2poroussilica,whereastheSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstencarbideshavestrongacidsitesofW2CbesidestheweakacidsitesofSBA215.However

6、,theSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstenoxidepreparedbythehydrothermalmethodhaveincreasingweakacidsitesofSBA215,whereastheSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstencarbideshavestrongacidsitesofW2CwithlowerWcon2tentsandstrongacidsitesofW2CandWCwithhigherWcontents.TheresultsofFT2IR

7、showthatthereare2,2,and2hydrogenbondhydroxylgroupsbesidesfreesilicahydroxylgroupsintheSBA215mesoporoussilicacatalystscontainingtungstenoxideandtungstencarbides.Moreover,thedistributionofhydrogenbondhydrox2ylgroupsisdependentuponthepreparationprocessandtungstencontentofthecatalysts.Keywords:SBA215mes

8、oporoussilica;tungstenoxide;tungstencarbide;temperature2programmeddesorptionofammonia;Fouriertransforminfraredspectroscopy收稿日期:2007205214.第一作者:胡林華,男,1975年生,博士.聯(lián)系人:季生福.Tel:(010)64412054;Fax:(010)64419619;E2mail:jisf.基金來源:國家自然科學(xué)基金(20473009);國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973計劃,2006CB202503).第11期胡林華等:含鎢SBA215介孔分子篩催化劑的表面

9、酸性和羥基分布981介孔分子篩SBA215具有較大的比表面積和孔徑以及規(guī)整的孔道結(jié)構(gòu)1,2,在催化和材料科學(xué)領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力3,4.以介孔分子篩SBA215為載體制備的催化劑能顯著提高催化性能.Wang等5通過化學(xué)溶液沉降法將TiO2和ZrO2插入SBA215孔道中,經(jīng)Pt改性制備出的Pt/TiO2(ZrO2)/SBA215催化劑對乙酸乙酯氧化反應(yīng)的催化活性比Pt/TiO2(ZrO2)提高了1173倍.張雪崢等6制備的SBA215負載2Fe2O3Fe2催化劑高很多.2制備的,.過渡金屬碳化物具有類似貴金屬的催化性能8,目前已在油、氣深度脫硫9和加氫脫氮10、烴類異構(gòu)化11、甲烷部分氧化和

10、重整制合成氣12、肼分解13及NO催化分解14等反應(yīng)中表現(xiàn)出優(yōu)異的催化性能.然而碳化物比表面積小,采用傳統(tǒng)載體制備的碳化物催化劑在高溫下容易團聚,導(dǎo)致催化劑活性和穩(wěn)定性下降.Piquemal等15將碳化鉬分散在MCM241中,所得催化劑在丙烯加氫中具有較好的活性.陳楊英等16以H2WO4為W源在酸性介質(zhì)中制備了W物種高度分散的W2SBA215介孔分子篩催化劑,在環(huán)己烯環(huán)氧化反應(yīng)中具有較高的反應(yīng)活性.Yang等17以Na2WO4為鎢源在酸性介質(zhì)中制備了含W物種的SBA215分子篩催化劑,在環(huán)戊烯選擇性氧化反應(yīng)中表現(xiàn)出很高的活性.Klepel等18則在堿性介質(zhì)中制備了含W物種的MCM241介孔分子

11、篩,發(fā)現(xiàn)其分子篩骨架中插入了較多的W.本課題組采用浸漬法將WO3組裝在SBA215分子篩孔中,通過程序升溫還原碳化制備了W2C/SBA215催化劑19,并對其結(jié)構(gòu)進行了研究.結(jié)果了表征,考察了不同制備方法和鎢含量對催化劑的酸性位、總酸量和羥基的影響.1實驗部分1.1催化劑的制備SBA2151為載體,120干4,550h,自然冷卻至SBA215催化劑,記為WO3/,W含量范圍為Si/W摩爾比=30715.將所制備的WO3/SBA215壓片后破碎成4060目的顆粒,裝入反應(yīng)器中,通入CH4/H2(體積比14)混合氣體進行程序升溫還原碳化,先以10/min從室溫升到300,然后以1/min從300升

12、到700,并在700保溫60min,最后關(guān)閉甲烷,在H2流中自然降至室溫,即得相應(yīng)W含量的含碳化鎢的SBA215催化劑,記為W2C/SBA215,催化劑用1%O2/Ar(體積比)混合氣體鈍化后進行結(jié)構(gòu)表征.采用水熱晶化法制備催化劑時,將4gP123充分攪拌溶解在60mlH2O和60g4mol/LHCl溶液中攪拌4h,同時滴加30ml不同濃度的鎢酸銨溶液和815g正硅酸乙酯(TEOS),繼續(xù)攪拌24h,在100晶化24h,然后過濾、洗滌、干燥,在550空氣中焙燒6h,即得含氧化鎢的SBA215催化劑,記為WO32SBA215,W含量范圍為Si/W摩爾比=30715.其程序升溫還原碳化過程和鈍化過

13、程與浸漬法制備的樣品相同,所得催化劑記為WxC2SBA215.1.2催化劑的NH32TPD表征催化劑的NH32TPD表征在ThermoElectronTPDRO1100型全自動分析儀上進行.首先將50mg樣品裝入石英管中,在20ml/min的H2流中以10/min升溫到500還原4h,降到室溫后在20ml/min的He流中吹掃30min.然后40下在20ml/min的NH3流中吹掃60min,最后40下在20ml/min的He流中吹掃60min至無NH3放出.將已經(jīng)預(yù)處理好的樣品在20ml/min的He流中以10/min從40升至1000并用TCD檢測分析,將脫附尾氣以0102mol/LHCl

14、溶液吸收,并用0102mol/LNaOH溶液滴定到酚酞呈微紅(30s不褪色),計算總酸量.1.3催化劑的FT2IR表征表明,在SBA215分子篩的孔道內(nèi)可以形成W2C層,并且該W2C層能與SBA215分子篩表面的Si-OH結(jié)合形成Si-O-W鍵,然而,W2C/SBA215催化劑的表面酸性以及Si-OH和Si-O-W與表面酸性的關(guān)系還不太清楚,這些對認識W2C/SBA215催化劑的結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系是非常重要的.本文分別采用浸漬法和水熱晶化法制備了SBA215介孔分子篩,在孔中組裝不同鎢含量的氧化鎢和碳化鎢,用氨程序升溫脫附(NH32TPD)和傅里葉變換紅外光譜(FT2IR)對其表面酸性和羥基進行

15、樣品的FT2IR測試采用BrukerTensor27型紅982催化學(xué)報第28卷表1浸漬法制備的不同樣品的NH32TPD數(shù)據(jù)Table1NH32TPDdataofdifferentsamplespreparedbyimpregnationmethodSampleSBA215WO3外光譜儀,樣品和KBr在100烘干過夜,稱取50mg的KBr和1mg的樣品在研缽中混合均勻研磨成細粉后壓片,將該片置于石英原位池中并抽真空至011Pa,升溫至100后保持30min以除去表面的吸附物,最后降至室溫進行測試.儀器分辨率為2cm-1,掃描波數(shù)范圍4000600cm-1,掃描次數(shù)128次.mol/g)Acida

16、mount(Weakacid8937178677865546230428567StrongacidWO3/(30)3/SBA2(15)3/2(7.5)2()W22SBA215(7.5)W2C2結(jié)果與討論2.1催化劑的NH32TPD2.1.1浸漬法圖1WWO3/215樣品的NH32TPD,SBA215樣品在114有較強的脫附峰,這是SBA215表面的Si-OH引起的,MCM241的弱酸位也是由Si-OH提供的20.然而SBA215的脫附溫度較低,因此其酸性較弱21.不同催化劑的總酸量測試結(jié)果見表1.從表1可知,SBA215的總酸量為893mol/g.所有的WO3/SBA215催化劑在114下都有

17、脫附峰,但脫圖2是不同W含量的W2C/SBA215樣品的NH32TPD譜.所有W2C/SBA215樣品在114均有脫附峰,這與SBA215和WO3/SBA215是一致的.但脫附峰的強度隨著W負載量的增大而減小,說明弱酸位有所減少,由表1可以看出其弱酸位略較WO3/SBA215高.W2C/SBA215(30)在822有很弱的脫附峰,這可以歸屬于W2C的脫附峰,因為碳化物中電子可以從金屬原子向碳原子發(fā)生轉(zhuǎn)移,從而形成一定的酸性位點23.與純W2C在763的脫附峰相比,W2C/SBA215脫附峰向高溫方向偏移,表明強酸位酸性增強.這是由于W2C分散在SBA215的孔道內(nèi),且與表面Si-OH結(jié)合形成S

18、i-O-WC鍵造成的19.隨著W含量的增大,脫附峰向低溫偏移,Si/W比為15和715的W2C/附峰的強度隨W含量的增加而減弱,總酸量也隨W含量的增加而減少.純WO3基本沒有脫附峰,其酸量只有71mol/g,明顯小于SBA215的總酸量.馬臻等22通過NH32TPD測試也發(fā)現(xiàn)純WO3的酸量很小.圖1浸漬法制備的WO3/SBA215樣品的NH32TPD譜Fig1NH32TPDprofilesofWO3/SBA215samplespreparedbyimpregnationmethod(1)SBA215,(2)WO3/SBA215(30),(3)WO3/SBA215(15),(4)WO3/SBA2

19、15(715),(5)WO3(ThenumbersinparenthesesareSi/Wmolarratio.)圖2浸漬法制備的W2C/SBA215樣品的NH32TPD譜Fig2NH32TPDprofilesofW2C/SBA215samplespreparedbyimpregnationmethod(1)SBA215,(2)W2C/SBA215(30),(3)W2C/SBA215(15),(4)W2C/SBA215(715),(5)W2C第11期胡林華等:含鎢SBA215介孔分子篩催化劑的表面酸性和羥基分布983SBA215分別在814和790出現(xiàn)了脫附峰,但脫附峰的強度逐漸增大,表明較低

20、W含量時W2C的分散性更好,隨著W含量的增大,W2C的強酸量也逐漸增大.綜合分析,所有W2C/SBA215均比WO3/SBA215的酸量大.2.1.2水熱晶化法圖3是不同W含量的WO32SBA215樣品的NH32TPD譜,總酸量測試結(jié)果見表2.隨著W含量的增加,SBA215移.Si/W比為30和15的3峰分別在118和123.,15,Si/30和15的WO32.表明水熱晶化法中一部分W進入了SBA215分子篩的硅骨架并形成骨架W.由于W-O平均鍵長0119nm,而Si-O平均鍵長0116nm,所以造成弱酸位強度有所加強,弱酸量達1206mol/g以上,明顯較SBA215高.Klepel等18將

21、W插入MCM241的骨架中,也發(fā)現(xiàn)酸性明顯增強.WO32SBA215(715)除了在123有脫附峰外,還在621有一較小的脫附峰,且有很長的彌散拖尾,這可能是因為較多W進入分子篩骨架,導(dǎo)致SBA215結(jié)構(gòu)受到較大影響且孔徑分布很不均勻,從而造成這種寬分布強酸的形成.圖4水熱晶化法制備的WxC2SBA215樣品的NH32TPD譜Fig4NH32TPDprofilesofWxC2SBA215samplespreparedbyhydrothermalmethod(1)SBA215,(2)WxC2SBA215(30),(3)WxC2SBA215(15),(4)WxC2SBA215(715),(5)WC

22、,(6)W2C30,15和715的WxC2SBA215的低溫脫附峰分別在118,123和124,表明W含量較高時碳化后樣品的弱酸位強度有所加強,并且弱酸量略較WO32SBA215高(表2).Si/W比為30和15的WxC2SBA215分別在806和798出現(xiàn)脫附峰,且強度逐漸增大,可以歸屬于W2C的脫附峰.WxC2SBA215(715)在771出現(xiàn)脫附峰,且有很長的彌散拖尾,表明強酸中心分布寬.771脫附峰是由W2C引起的,但強度較W2C粉末在763脫附峰有所增大.WxC2SBA215(715)在910還有一個小脫附峰,這是由WC引起的,但強度較WC粉末在891的脫附峰強.分子篩中WC和W2C

23、酸強度增大的趨勢是由于SBA215表面形成Si-O-WC鍵導(dǎo)致的.隨著W含量的增大,W2C酸量也逐漸增大.水熱表2水熱晶化法制備的不同樣品的NH32TPD數(shù)據(jù)Table2NH32TPDdataofdifferentsamplespreparedbyhydrothermalmethodSamplemol/g)Acidamount(Weakacid12061423132212281440134914351116303263aStrongacid圖3水熱晶化法制備的WO32SBA215樣品的NH32TPD譜Fig3NH32TPDprofilesofWO32SBA215samplespreparedb

24、yhydrothermalmethod(1)SBA215,(2)WO32SBA215(30),(3)WO32SBA215(15),(4)WO32SBA215(715),(5)WO3WO32SBA215(30)WO32SBA215(15)WO32SBA215(7.5)WxC2SBA215(30)WxC2SBA215(15)aWxC2SBA215(7.5)WCabb圖4是不同W含量的WxC2SBA215樣品的NH32TPD譜,總酸量測試結(jié)果見表2.Si/W比為ThephaseofWxCisW2C.ThephasesofWxCareW2CandWC.984催化學(xué)報第28卷晶化法中有W摻入了分子篩的骨

25、架,所以WxC2SBA215的W2C酸量比浸漬法制備的W2C/SBA215的W2C酸量小.2.2催化劑的FT2IR表征結(jié)果2.2.1浸漬法圖5是浸漬法制備的WO3/SBA215和W2C/SBA215樣品的FT2IR譜.在3748cm-1處的小尖以認為是Q3中表面兩個Si原子中OH形成的,記為2OH.3240cm-1峰可以認為是Q3中表面三個以上的Si原子中OH形成的,記為2OH.從表3可知,峰面積2OH>2OH>2OH.峰可以歸屬于自由硅羥基(Si-OH)24,25,而在37003000cm-1羥基26,該峰并不均勻?qū)ΨQ凸起,330001GLorentz擬合,從而可以更清楚地了解S

26、BA215,WO3/SBA215和W2C/SBA215樣品的表面羥基的變化.圖6浸漬法制備的不同樣品的FT2IR譜擬合譜Fig6FT2IRfittingofdifferentsamplespreparedbyimpregnationmethod(1)SBA215,(2)WO3/SBA215(15),(3)W2C/SBA215(15)表3浸漬法制備的不同樣品的FT2IR擬合結(jié)果Table3FT2IRfittingofdifferentsamplespreparedbyimpregnationmethodSample(-1)Peakarea圖5浸漬法制備的不同樣品的FT2IR譜Fig5FT2IRs

27、pectraofdifferentsamplespreparedbyimpregnationmethod(1)SBA215,(2)WO3/SBA215(30),(3)WO3/SBA215(15),(4)WO3/SBA215(715),(5)W2C/SBA215(30),(6)W2C/SBA215(15),(7)W2C/SBA215(715)2OH2OH2OH3606360636063606360636063606344534483450345034483448344832403243324532453242324332432OH2OH2OH3.843.183.122.893.103.052.7

28、154.0129.2731.2917.7828.5615.8626.3713.2042.4825.7936.9320.0429.4916.62SBA215WO3/SBA215(30)WO3/SBA215(15)WO3/SBA215(7.5)W2C/SBA215(30)W2C/SBA215(15)WC/SBA215(7.5)SBA215,WO3/SBA215(15)和W2C/SBA215(15)的擬合譜見圖6,擬合的結(jié)果見表3.擬合后SBA215分別在3606,3445和3240cm-1處各出對于浸漬法制備的WO3/SBA215,2OH的峰位在3606cm-1,但峰面積呈下降趨勢,這表明Q2受到

29、的影響較小,這是因為Q2的位置比較少,基本位于分子篩孔道的孔口處.2OH的峰位則由3445cm-1向高頻略微偏移到34483450cm-1,同時現(xiàn)一峰,這可能是SBA215表面羥基形成的分子內(nèi)氫鍵羥基的不同紅外振動模式.對于SBA215,表面羥基是由Q2(Si(OSi)2(OH)2)和Q3(Si(OSi)3(OH)組成的,Q2中同一個Si原子上的兩個羥基必然互相影響,所以3606cm-1峰可以認為是Q2中兩個硅羥基形成的,記為2OH.3445cm-1峰可峰面積下降明顯,表明表面兩個Si-OH已經(jīng)被部分轉(zhuǎn)化為Si-O-W.2OH的峰位則由3240cm-1向高頻略微偏移到32423243cm-1,

30、表明三個第11期胡林華等:含鎢SBA215介孔分子篩催化劑的表面酸性和羥基分布985Si-OH已經(jīng)被部分轉(zhuǎn)化為Si-O-W,并且峰位向高頻發(fā)生了偏移.對于浸漬法制備的W2C/SBA215,2OH的峰位也在3606cm-1,但峰面積稍有降低.2OH的峰位則有向低頻偏移的趨勢,相同Si/W比的W2C/SBA215都比WO3/SBA215的峰面積增大,表明Si-O-W可以轉(zhuǎn)化為Si-O-H,羥基氫鍵有所恢架,造成分子篩的長度減小,但分子篩段數(shù)增多,所以孔口增多.2OH的峰位在34493450cm-1變化,2OH的峰位在32433245cm-1變化,峰面積都是隨著W含量的增大而降低.復(fù).相對于WO3/

31、SBA215,Si/W=30時W2C/SBA215峰面積增大11119,Si/W=7153112,即隨著W,漸減小,破壞后,含量樣品氫鍵恢復(fù)得多一些.2,碳化后Si-O-W可以轉(zhuǎn)化為Si-O-H,羥基氫鍵有所恢復(fù).Si/W=30時峰面積增大8183,Si/W=715時峰面積增大3132.表明三個Si原子的分子間羥鍵被W破壞后,碳化后低W含量較高W含量氫鍵恢復(fù)得多一些.2.2.2水熱晶化法圖8水熱晶化法制備的不同樣品的FT2IR擬合譜Fig8FT2IRfittingofdifferentsamplespreparedbyhydrothermalmethod(1)WO32SBA215(15),(2

32、)WxC2SBA215(15)圖7是SBA215,WO32SBA215和WxC2SBA215樣品的FT2IR譜.WO32SBA215和WxC2SBA215樣品FT2IR的擬合譜見圖8,擬合結(jié)果見表4.對于WO32SBA215,2OH的峰位在3606cm-1,隨著W含量的增大,峰面積有稍增趨勢,即Q2有增大趨勢,這是由于W在原位合成中可以插入分子篩骨表4水熱晶化法制備的不同樣品的FT2IR擬合結(jié)果Table4FT2IRfittingofdifferentsamplespreparedbyhydrothermalmethodSampleWO32SBA215(30)WO32SBA215(15)WO3

33、2SBA215(7.5)WxC2SBA215(30)WxC2SBA215(15)WxC2SBA215(7.5)(-1)2OH2OH2OH360636063606360636063606344934503450344634473445324332443245324232433244Peakarea2OH2OH2OH3.253.253.433.203.223.4035.4425.8632.7720.9127.3517.2346.5928.3543.5224.7136.0521.00對于WxC2SBA215,2OH的峰位也在3606cm-1,在34453447cm-1的2OH的峰位則有向低頻偏移的趨

34、勢.相同Si/W比的WxC2SBA215都比WO32SBA215的峰面積增大,表明Si-O-W可以轉(zhuǎn)化為Si-O-H,羥基氫鍵有所恢復(fù).Si/W=302OH峰面積增大11114,Si/W=715時2OH峰時面積增大8170,即隨著W含量的增加,2OH峰增大的趨勢逐漸減小,表明碳化后低W含量較高W含量樣品氫鍵恢復(fù)得多一些.2OH峰的位置也有圖7水熱晶化法制備的不同樣品的FT2IR譜Fig7FT2IRspectraofdifferentsamplespreparedbyhydrothermalmethod(1)SBA215,(2)WO32SBA215(30),(3)WO32SBA215(15),(

35、4)WO32SBA215(715),(5)W2C2SBA215(30),(6)W2C2SBA215(15),(7)W2C2SBA215(715)向低頻偏移的趨勢,碳化后Si-O-W可以轉(zhuǎn)化為Si-O-H,羥基氫鍵有所恢復(fù).Si/W=30時2OH峰面積增大2149,Si/W=715時2OH峰面積增大了3167,表明碳化后高W含量的催化劑較低W含量的催化劑羥基氫鍵恢復(fù)得要多一些.986催化學(xué)報A,ErenburgA.JCatal,2004,222(2):565第28卷水熱晶化法制備WO32SBA215時,W不但可以摻入分子篩骨架中,還可以位于分子篩內(nèi)壁上和孔道內(nèi).W在骨架中碳化后一般不受影響,但W

36、在分子篩孔道內(nèi)和孔壁上時,碳化后由于Si-O-W可以轉(zhuǎn)化為Si-O-H,所以必然發(fā)生變化.對于W在孔道內(nèi)的變化,基本上和浸漬法WO3/SBA215轉(zhuǎn)化為W2C/SBA215相似.但由于W還可以插在孔壁表6張雪崢,樂英紅,高滋.高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報(ZhangXZh,YueYH,GaoZ.ChemJChinUniv),2003,24(1):1217張美麗,季生福,胡林華,銀鳳翔,李成岳,劉輝.催化面上,W-O鍵大于Si-O鍵,所以必然造成酸性增強,這進一步解釋了NH32TPD上低溫脫附SBA215高的原因.,學(xué)報(ZhangML,JiShF,HuLHYinFX,LiChY,LiuH.JCatal),

37、2006,(:8RB,(4099):5479,SayagC,STrawczynskiJ,M,2KolasaA,Djéga2MariadassouB,2007,72(122):6210DaCostaP,PotvinC,ManoliJM,GeninB,Djéga2MariadassouG.Fuel,2004,83(13):171711LamicAF,ShinCH,Djéga2MariadassouG,PotvinC.ApplCatalA,2006,302(1):512ZhuQL,ZhangB,ZhaoJ,JiShF,YangJ,WangJX,WangHQ.JMolCa

38、talA,2004,213(2):19913ChenXW,ZhangT,YingPL,ZhengMY,WuWC,XiaLG,LiT,WangXD,LiC.ChemCommun,2002,(3):28814WangJX,JiShF,YangJ,ZhuQL,LiSB.CatalCommun,2005,6(6):38915PiquemalaJY,PotvinC,ManoliJM,Djéga2MariadassouG.CatalLett,2004,92(324):18916陳楊英,韓秀文,包信和.催化學(xué)報(ChenYY,HanXW,BaoXH.ChinJCatal),2005,26(5):41217YangXL,DaiWL,ChenH,CaoY,LiHX,HeHY,FanKN.JCatal,2005,229(324):25918KlepelO,B hlmannW,IvanovEB,RiedeV,PappH.MicroporousMeso