硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

1、歡迎閱讀單晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1范圍1.1 本要求規(guī)定了單晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗(yàn)規(guī)范等1.2 本要求適用于單晶硅片的采購及其檢驗(yàn)。2規(guī)范性引用文件2.1 ASTM F42-02? 半導(dǎo)體材料導(dǎo)電率類型的測試方法2.2 ASTM F26? 半導(dǎo)體材料晶向測試方法2.3 ?ASTM F84? 直線四探針法測量硅片電阻率的試驗(yàn)方法2.4 ASTM F1391-93? 太陽能硅晶體碳含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.5 ASTM F121-83? 太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.6 ASTM F 1535?用非接觸測量微波反射所致光電導(dǎo)性衰減測定載流子復(fù)合壽命的實(shí)驗(yàn)方法？3術(shù)語和定義3.1 TV :硅

2、片中心點(diǎn)的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；：.一3.2 TTV :總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點(diǎn)厚度：邊緣上下左右6mm處4點(diǎn)和中心點(diǎn)）；3.3 位錯(cuò)：晶體中由于原子錯(cuò)配引起的具有伯格斯矢量的一種線缺陷；3.4 位錯(cuò)密度：單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長度（cm/cm 3）,通常以晶體某晶面單位面積上位錯(cuò)蝕坑的數(shù)目來表示；3.5 崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時(shí)，其尺寸由徑向深度和 周邊弦長給出；3.6 裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個(gè)晶片厚度的解理或裂痕；3.7 四角同心度：單晶硅片四個(gè)角與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格尺寸相比較

3、的差值。3.8 密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過 5條4分類單晶硅片的等級(jí)有 A級(jí)品和B級(jí)品，規(guī)格為：125' 1251 （mm）、125' 125口（mm）、156?' 156（mm）。5技術(shù)要求5.1 外觀?見附錄表格中檢驗(yàn)要求。5.2 外形尺寸方片TV為200+20 um,測試點(diǎn)為中心點(diǎn)；、一 一 . I 方片TTV小于30um ,測試點(diǎn)為邊緣 6mm處4點(diǎn)、中心1點(diǎn)；硅片TTV以五點(diǎn)測量法為準(zhǔn)，同一片硅片厚度變化應(yīng)小于其標(biāo)稱厚度的15%;相鄰C段的垂直度：90?o±0.3o；其他尺寸要求見表1。表1?單晶硅片尺寸要求規(guī)格? (mm)尺寸（mm）

4、A （邊長）B （直徑）C （直線段長）D （弧長投影）1Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.?125' 125125.5124.5150.5149.583.981.921.920.2?125' 125125.5124.5165.5164.5108.8 1106.69.4?7.9?156' 156156.5155.5200.5199.5?126.2124.115.914.9注1: A、B、C、D分別參見圖1。? 圖1?硅單晶片尺寸示意圖5.3 材料性質(zhì)5.3.1 導(dǎo)電類型：?廳P硅片類型摻雜劑1N型磷(Phosphorous)2P型硼(Bor

5、on)5.3.2硅片電阻率：見下表；5.3.3硅片少子壽命：見下表（此壽命為 2mm樣片鈍化后的少子壽命）；5.3.4 晶向：表面晶向 <100>+/-3.0 °25.3.5 位錯(cuò)密度 < 3000pcs/cm ；5.3.6 氧碳含量：氧含量 < 20ppma,碳含量01.0ppma。?6檢測環(huán)境、檢測設(shè)備和檢測方法6.1 檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度）1000Lux）。6.2 檢測設(shè)備：游標(biāo)卡尺（0.01mm ）、厚度測試儀/千分表（0.001mm ）、水平測試臺(tái)面、四探針測試儀、 少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。6.3 檢測項(xiàng)目：導(dǎo)

6、電類型、氧碳含量、單晶晶向、單晶位錯(cuò)密度、電阻率、少子壽命、外形尺寸。6.4檢測方案：外觀和尺寸進(jìn)行全檢，材料的性能和性質(zhì)以單晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個(gè)批次硅片的檢 測報(bào)告。6.5 檢驗(yàn)結(jié)果的判定檢驗(yàn)項(xiàng)目的合格質(zhì)量水平詳見附錄表A檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則對(duì)照表。?7包裝、儲(chǔ)存和運(yùn)輸要求7.1 每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細(xì)裝箱單，包裝上要有晶體編號(hào)，清單和實(shí)物一一對(duì)應(yīng)， 每個(gè)小包裝要有晶體編號(hào)，不同晶體編號(hào)放在同一包裝要能明確區(qū)分開。7.2 產(chǎn)品應(yīng)儲(chǔ)存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度： 10 c40 C;濕度：060%避免酸堿腐蝕性氣氛；避免 油污、灰塵顆粒氣氛。7.3產(chǎn)

7、品運(yùn)輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。檢驗(yàn)要求抽樣計(jì)檢驗(yàn)項(xiàng)目硅片等級(jí)檢測工具劃驗(yàn)收A級(jí)品B級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)崩邊/硅 落崩邊硅落長寬三0.3mm*0.2mmPf穿透。崩邊長寬三1mm*1mmF穿透。硅落長寬厚三1.5mm*1.5mm*100um目砌粗糙度測試數(shù)量 2數(shù)量 4切割線痕線痕深度三15um,但無密集線痕。線痕深度三30um,缺角/缺口缺口長寬三0.2mm*0.1mm 無V型缺口、缺角長寬三1mm*0.5mm無可見有棱角的缺角，數(shù)量0 2。外 觀毛邊/亮 點(diǎn)長度三10mm深度不能延伸到硅片表面0.1mni長不限，深度不能延伸到硅片表圜0.3mm儀日光燈全檢無油污，無殘膠，無明顯水

8、跡。輕微可(>1000Lux)表面清潔 度清洗的污跡可放行。如硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以及三2個(gè)針尖狀的無凹凸無成片的油污，殘膠，水跡。的印跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃 傷。'll 'J其他無攣晶、slip、應(yīng)力、裂紋、凹坑、氣無攣晶、slip 、應(yīng)力、裂紋、孔及明顯劃傷。氣孔及明顯凹坑、劃傷。寸尺S X規(guī)格(mm)邊長(mm)直徑(mm)其它尺寸(mm)垂直度 (°)MaxMinMaxMin電子卡尺 萬能角規(guī)切片前尺寸125' 125I125.5124.5150.5149.5具體見 上表1和圖190+0.3全檢晶 錠尺寸1

9、25' 125n125.5124.5165.5164.5156' 156156.5155.5200.5199.5TV200 +20 Vm (中心點(diǎn))200士 30 Vm抽TTV< 30 g m?(中心1點(diǎn)和邊緣6mmi置4點(diǎn))< 50 g m測厚儀/?千分表檢翅曲度< 70 g m< 100 Vm位錯(cuò)密度11 2< 3000/cm2< 3000/cm顯微鏡截取晶 錠頭尾導(dǎo)電型號(hào)N型/P型N型/P型型號(hào)儀部2mm羊性上阻率0.5 Q .cm 3.5 Q .cm?/?1.0Q .cm 3.0 Q .cm電阻率測試 儀片進(jìn)行 測試.。臺(tái)P 目匕氧含

10、量< 20ppmaFTIR氧碳含退火后 測電阻 率。鈍化碳含量< 1.0ppma量測試儀少子壽命>100g s? /?> 15 1i s壽命測試儀后測試 少子壽命。多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1范圍1.1 本要求規(guī)定了多晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗(yàn)規(guī)范等1.2 本要求適用于多晶硅片的采購及其檢驗(yàn)。2規(guī)范性引用文件2.1 ASTM F42-02? ? 半導(dǎo)體材料導(dǎo)電率類型的測試方法2.2 ?ASTM F84? 直線四探針法測量硅片電阻率的試驗(yàn)方法2.3 ASTM F1391-93? 太陽能硅晶體碳含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.4 ASTM F121-83? 太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測

11、試方法2.5 ASTM F 1535?用非接觸測量微波反射所致光電導(dǎo)性衰減測定載流子復(fù)合壽命的實(shí)驗(yàn)方法？3術(shù)語和定義3.1 TV :硅片中心點(diǎn)的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；3.2 TTV :總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點(diǎn)厚度：邊緣上下左右 4點(diǎn)和中心點(diǎn)）；3.3 崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時(shí)，其尺寸由徑向深度和 周邊弦長給出；3.4 裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個(gè)晶片厚度的解理或裂痕；3.5 四角同心度：多晶硅片四個(gè)角與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格尺寸相比較的差值。3.6 密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超

12、過 5條4分類多晶硅片的等級(jí)有 A級(jí)品和B級(jí)品，規(guī)格為：156mm? 156mm。5技術(shù)要求5.1 外觀?見附錄表格中檢驗(yàn)要求。5.2 外形尺寸方片TV為200+20 um,測試點(diǎn)為中心點(diǎn)；方片TTV小于30um ,測試點(diǎn)為邊緣 6mm處4點(diǎn)、中心1點(diǎn)；硅片TTV以五點(diǎn)測量法為準(zhǔn)，同一片硅片厚度變化應(yīng)小于其標(biāo)稱厚度的15%;?o o5.2.4 ?相鄰C段的垂直度：90 幻.3。5.2.5 ?其他尺寸要求見表 1 o表1?多晶硅片尺寸要求規(guī)格? (mm)''|尺寸（mm）A （邊長）B （對(duì)角線）C （直線段長）D （弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Ma

13、x.Min.?156' 156156.5155.5219.7218.7?155.6152.91.40.35注1: A、B、C、D分別參見圖1。? ? 圖 1?硅多晶片尺寸示意圖5.3 材料性質(zhì)5.3.4 導(dǎo)電類型：P型，摻雜劑：B,硼（Boron）;5.3.5 硅片電阻率：摻硼多晶片：電阻率為1Q cm3Q - cm5.3.6 多晶硅少子壽命2us5.3.7 氧碳含量：氧含量 12ppma,碳含量 12ppma。6檢測環(huán)境、檢測設(shè)備和檢測方法6.1 檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度）1000Lux）。6.2 檢測設(shè)備：游標(biāo)卡尺(0.01mm )、厚度測試儀/千分表(0.001mm )

14、、水平測試臺(tái)面、四探針測試儀、 少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。6.3 檢測項(xiàng)目：導(dǎo)電類型、氧碳含量、電阻率、少子壽命、外形尺寸。6.4 檢測方案：外觀和尺寸進(jìn)行全檢，材料的性能和性質(zhì)以多晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個(gè)批次硅片的檢測報(bào)告。6.5 檢驗(yàn)結(jié)果的判定7包裝、儲(chǔ)存和運(yùn)輸要求7.1 每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細(xì)裝箱單，包裝上要有晶體編號(hào)，清單和實(shí)物一一對(duì)應(yīng)， 每個(gè)小包裝要有晶體編號(hào)，不同晶體編號(hào)放在同一包裝要能明確區(qū)分開。7.2 產(chǎn)品應(yīng)儲(chǔ)存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度： 10 c40 C;濕度：060%避免酸堿腐蝕性氣氛；避免 油污、灰塵顆粒氣氛。7

15、.3 產(chǎn)品運(yùn)輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。8.附錄A? ?多晶硅片檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則對(duì)照表。?注：本多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)中未明示事項(xiàng)或?qū)Ξa(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)存在異議，均以附件太陽能級(jí)多晶硅片國家標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)。外觀可以見FTS限度樣本。檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求檢測工具抽樣 計(jì)劃 驗(yàn)收 標(biāo)準(zhǔn)硅片等級(jí)A級(jí)品B級(jí)品外 觀崩邊/?硅 落崩邊硅落長寬三0.3mm*0.2mm不穿透。崩邊長寬三1mm*1mrm穿透。硅落長寬厚三 1.5mm*1.5mm*100un1目？測粗糙度測試儀日光燈(1000Lux)全檢數(shù)量 2數(shù)量 4切割線痕線痕深度三15um,但無密集線 痕。線痕深度三30um,缺角/缺口缺口

16、長寬三0.2mm*0.1mm 無V型缺口、缺角長寬=1mm*0.5mm無可見有棱角的缺角，數(shù)量0 2毛邊/亮 點(diǎn)長度三10mm深度不能延伸到硅片表面0.1mmb長不限，深度不能延伸到硅片表面 0.3mmb表面清潔度無油污，無殘膠，無明顯水跡。 輕微可清洗的污跡可放行。如 硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以 及三2個(gè)針尖狀的無凹凸的印 跡無成片的油污，殘膠，水跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃傷。其他無應(yīng)力、裂紋、凹坑、氣孔及 明顯劃傷，微晶數(shù)目三10pcs/cm無應(yīng)力、裂紋、氣孔及明顯凹坑、劃傷，微晶數(shù)目三10pcs/cm尺寸規(guī)格(mm)尺寸電子卡尺萬能角規(guī)全檢 晶錠 尺寸邊長(mm)直徑(mm)倒角差mm垂直度(O)MaxMinMaxMin0.5-290+ 0.3156'