反激式開關變壓器的通俗講解及實例計算

1、反激式開關變壓器的通俗講解及實例計算初級電流和次級電流不同時為零初級電流和次級電流同時為零漏感的能量是不會耦合到次級的R的值不能取得太小，太小了損耗嚴重，影響效率先做如下假設： 開關電源的工作頻率范圍:20200KHZ； RCD中的二極管正向導通時間很短（一般為幾十納秒）； 在調整RCD回路前主變壓器和MOS管，輸出線路的參數已經完全確定。有了以上幾個假設我們就可以先進行計算：一首先對MOS管的VD進行分段：，輸入的直流電壓Vin（DC）；，次級反射初級的VF；，主MOS管VD余量VDS；，RCD吸收有效電壓VRCD1。二對于以上主MOS管VD的幾部分進行計算：，輸入的直流電壓Vin（DC）。

2、在計算Vin（DC）時，是依最高輸入電壓值為準。如輸入電壓為AC220V，最高電壓應選擇AC265V，即DC375V。Vin（DC）VAC *2，次級反射初級的VF。VF是依在次級輸出最高電壓,整流二極管壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V5%（依Vo =5.25V計算），二極管Vf為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下Vf值）VF(Vf+ Vout)*Np/Ns，主MOS管VD的余量VDSVDS是依MOS管VD的10%為最小值如KA05H0165R的VD=650應選擇DC65VVDSVD* 10%，RCD吸收VRCDMOS管的VD減去，三項就剩下VRCD的最大值。實際

3、選取的VRCD應為最大值的90%（這里主要是考慮到開關電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。VRCD(VD-Vin（DC） -VDS)*90%注意： VRCD是計算出理論值，再通過實驗進行調整，使得實際值與理論值相吻合 VRCD必須大于VF的1.3倍（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了） MOS管VD應當小于Vin（DC）的2倍（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過大了） 如果VRCD的實測值小于VF的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。 VRCD是由VRCD1和VF組成的，RC時間常數確定是依開關電源工作頻率而定的，一般選擇1020個開關電源周期。

4、三試驗調整VRCD值首先假設一個RC參數，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應當嚴密注視RC元件上的電壓值，務必使VRCD小于計算值。如發(fā)現到達計算值，就應當立即斷電，待將R值減小后，重復以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容“”極的RC一點上，測試點接到RC另一點上）。一個合適的RC值應當在最高輸入電壓，最重的電源負載下，VRCD的試驗值等于理論計算值。四試驗中值得注意的現象輸入電網電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓，重負載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內容相矛盾哪？一點都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時的計算結果，而現在是低輸入電壓。重負載是指開關電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關電源的極限功率。五RCD吸收電路中R值的功率選擇R的功率選擇是依實測VRCD的最大值，計算而得。實際選擇的功率應大于計算功率的兩倍。RCD吸收電路中的R值如果過小，就會降低開關電源的效率。然而，如果R值如果過大，MOS管就存在著被擊穿的危險。ton伏秒法則AENP0.2NSVDRLPIp2