關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第1頁
關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第2頁
關(guān)于CMOS,關(guān)于D觸發(fā)器,關(guān)于LED壓降_第3頁
全文預覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、關(guān)于CMOS：mos管在集成電路中絕緣性場效應管被叫做mos管。 MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。從結(jié)構(gòu)上說，MOS管可以分為增強型(E型)和耗盡型（D型），它們的區(qū)別在于當Vgs為0時，增強型（E型）不存在導電溝道，耗盡型（D型）存在導電溝道，原因是E型的導通電壓（閾值電壓）Vth0，D型的VthVds,Vgs-VthVds時，S端開啟，D端不開啟，MOS管工作在飽和區(qū)；當Vgs-VthVds時，S和D都開啟，MOS管工作在線

2、性區(qū)。當VgsVth時，NMOS截止。對PMOS來說，正好相反。 在MOS三明治型結(jié)構(gòu)上外加電壓： 在MOS三明治結(jié)構(gòu)上，金屬電極相對于P型半導體的情況下，外加正電壓，對N型半導體外加負電壓，就會形成與PN結(jié)合面相同的現(xiàn)象，也就是最初在氧化膜下會產(chǎn)生空乏層（depletion layer） 反轉(zhuǎn)層（reversion layer）： 針對氧化膜下為P型半導體的情況，如果再提高電壓，就會累積電子，若是N型半導體則會累計空穴，我們稱此層為“反轉(zhuǎn)層”。 MOS型場效應管就是利用這個層，作為一個切換開關(guān)。這是因為改變外加電壓，就可使此電路產(chǎn)生切換的轉(zhuǎn)換（開關(guān)）功用。關(guān)于D觸發(fā)器：不小心看到的單片機學習網(wǎng)：關(guān)于D的壓降：LED和其它二極管一樣，都是非線性元件。當加上一定的正向電流時，呈現(xiàn)相對穩(wěn)定的正向電壓，隨電流變化不明顯。稱為正向壓降。LED反向不導電，只有微弱的漏電流。LED的正向電壓和材料及

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論