集成電路制造工藝

1、四川信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院教 案課程編碼： 0231124 課程名稱： 集成電路制造工藝 課程性質(zhì)： 必修課 總學(xué)時/學(xué)分： 64/4 授課專業(yè)： 微電子技術(shù) 授課教師： 王志強(qiáng) 使用學(xué)期： 2012 2013 學(xué)年第 1 學(xué)期 教研室審批意見及時間： 課程基本信息課程標(biāo)準(zhǔn)名稱、批準(zhǔn)單位及時間微電子技術(shù)專業(yè)11級集成電路制造工藝課程標(biāo)準(zhǔn)；考核方式：形成性考核30%0+終結(jié)性考核70%（開卷）。電子工程系，2011年8月采用教材名稱、作者、出版社及版本集成電路制造工藝，林明祥，機(jī)械工業(yè)出版社，2011.1教學(xué)參考資料微電子產(chǎn)業(yè)及單晶硅材料，李可為，電子高專2006.6集成電路芯片制造原理與技術(shù)，李可為

2、，電子高專2006.6教法、學(xué)法建議教法：講授法、引導(dǎo)法、觀摩法等學(xué)法：自學(xué)法、筆記法、討論法。班級名稱班編號本學(xué)期 總學(xué)時其 中講授時數(shù)實訓(xùn)或?qū)嶒炚n時數(shù)習(xí)題(討論) 課時數(shù)機(jī)動學(xué)時微電11-11645680備注章節(jié)小結(jié)算入講授學(xué)時，半期考試、復(fù)習(xí)算入習(xí)題課時。課程授課學(xué)時安排表編號班號/周次單元或項目名稱計劃學(xué)時備注1211緒論2理論課21緒論 2理論課31硅晶圓片制造技術(shù)硅及材料；單晶硅材料；2理論課42硅晶圓片制造技術(shù)晶圓加工成形2理論課52硅外延生長2理論課62物質(zhì)形態(tài)及材料屬性工藝用化學(xué)品 2理論課73玷污的類型及玷污與控制2理論課83硅片濕法清洗2理論課93集成電路測量學(xué)及質(zhì)量測量

3、2理論課104硅片的質(zhì)量分析設(shè)備2理論課114集成電路芯片制造工藝概述 2理論課124集成電路芯片制造工藝概述 2理論課135氧化技術(shù)Si02及掩蔽作用；2理論課145氧化技術(shù)熱氧化及熱氧化生長動力學(xué)；2理論課155氧化技術(shù)氧化速率及雜質(zhì)再分布2理論課166擴(kuò)散機(jī)構(gòu)及雜質(zhì)濃度分布；2理論課176常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法2理論課186擴(kuò)散層參數(shù)測量和質(zhì)量分析2習(xí)題課197半期考試?yán)碚撜n207光刻技術(shù)光刻工藝要求及光刻膠2理論課217光刻技術(shù)光刻工藝2理論課2212光刻技術(shù)光刻工藝及質(zhì)量分析2理論課2312刻蝕濕法刻蝕2理論課2412刻蝕干法刻蝕2理論課2513刻蝕砷化鎵刻蝕2理論課2613離子注入工藝

4、特點及原理2理論課2713離子注入注入設(shè)備2理論課2814離子注入注入工藝2理論課2914CVD化學(xué)過程及薄膜分類及生長動力學(xué)；2理論課3014CVD淀積系統(tǒng) 2理論課3115金屬化2理論課3215表面鈍化概述及SI-SI02系統(tǒng)2理論課3315表面鈍化鈍化方法及、鈍化膜結(jié)構(gòu)。2理論課3416電學(xué)隔離技術(shù)2理論課3516電學(xué)隔離技術(shù)2理論課3616典型雙極性集成電路工藝2理論課3717CMOS集成電路工藝2理論課3817空的獲得與設(shè)備2理論課3917復(fù)習(xí)2習(xí)題課4020復(fù)習(xí)2習(xí)題課22222NO：1課 題緒論課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解課程的性質(zhì)與任務(wù)2、了解微電子產(chǎn)業(yè)歷史、現(xiàn)狀；3

5、、掌握硅片、芯片基本概念；教學(xué)重點教學(xué)難點無無采用教法講授法，引導(dǎo)法、激勵法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法、討論法教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、課程引入（30分鐘）介紹微電子行業(yè)相關(guān)知識，激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。2、本課基本信息介紹（20分鐘）（1）本課的性質(zhì)與任務(wù)；（2）本課的教學(xué)安排；（3）本課的學(xué)習(xí)資源與方法；（4）要求及注意事項：課程紀(jì)律要求，考核情況（作業(yè)、平時成績、半期考試、期末考試），輔導(dǎo)答疑等。3、引子與微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史（30分鐘）（1）硅片與芯片；（2）微電子器件發(fā)展階段；（3）微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展史；4、小結(jié)與答疑（10分鐘） 教師

6、啟發(fā)式提問和學(xué)生自由提問并施，解決學(xué)生對專業(yè)和本課程的疑惑、疑問，其目的在于激發(fā)其學(xué)習(xí)興趣、信心和和恒心。備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記N0：2課 題緒論課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解半導(dǎo)體工藝技術(shù)史、半導(dǎo)體制造企業(yè)分類、集成電路分類；2、掌握微電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)趨勢和技術(shù)節(jié)點。教學(xué)重點教學(xué)難點 半導(dǎo)體工藝技術(shù)史、集成電路分類、電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)趨勢和技術(shù)節(jié)點無采用教法講授法，引導(dǎo)法、激勵法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法、討論法教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、半導(dǎo)體工藝技術(shù)史

7、（25分鐘）敘述各種首次被應(yīng)用到半導(dǎo)體工藝或制作半導(dǎo)體器件而被研發(fā)出來的具有里程碑意義的技術(shù)，同時將本課程涉及的主要技術(shù)逐一介紹，以期使學(xué)生對本課程有個概略的了解。3、我國微電子產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀、問題和前景（7分鐘）4、集成電路制造工藝簡介（15分鐘）5、半導(dǎo)體制造企業(yè)（8分鐘）設(shè)計企業(yè)、設(shè)計與制造企業(yè)、代工企業(yè)6、集成電路分類（10分鐘）7、技術(shù)趨勢（5分鐘）8、技術(shù)節(jié)點（10分鐘）5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注思考與練習(xí) 教學(xué)后記N0：3課 題硅的晶體結(jié)構(gòu)，缺陷及雜質(zhì)課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解半導(dǎo)體材料及分類；晶體基礎(chǔ)知識。2、掌握硅結(jié)構(gòu)及缺陷。教學(xué)重點教學(xué)難點半導(dǎo)體材料及分類；晶體

8、基礎(chǔ)知識；硅結(jié)構(gòu)及缺陷。無采用教法講授法，引導(dǎo)法、歸納法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、復(fù)習(xí)及引入課題（10分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本章、本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、半導(dǎo)體材料及分類（25分鐘）（1）半導(dǎo)體材料（2）半導(dǎo)體分類3、硅的晶體結(jié)構(gòu)（35分鐘）（1）物質(zhì)分類：非晶體、晶體（單晶體和多晶體）；（2）晶體結(jié)構(gòu)及性質(zhì)；（3）硅單晶體及其結(jié)構(gòu)。4、晶體的缺陷及雜質(zhì)（15分鐘）四種缺陷：點、線、面、體5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注思考與練習(xí) 教學(xué)后記N0：4課 題硅晶體制備課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了

9、解多晶硅分類、制備方法2、掌握多硅單晶制備方法；制備工藝、單晶硅制備方法。教學(xué)重點教學(xué)難點多硅單晶制備方法；制備工藝；單晶硅制備方法。直拉法制備硅單晶工藝采用教法講授，演示法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、多晶硅制備（30分鐘）（1）多晶硅分類（2）多晶硅常見制備方法（3）多晶硅制備工藝流程；3、單晶硅制備（50分鐘） （1）單晶制備流程 ；（2）典型的單晶硅制備方法：CZ直拉法、FZ區(qū)熔法（3）單晶制備設(shè)備4、小結(jié)與答疑（5分鐘） 備 注

10、 思考與練習(xí) 教學(xué)后記N0：5課 題硅單晶加工及質(zhì)量要求課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解硅晶圓質(zhì)量要求2、掌握硅單晶制備工藝；晶圓加工成形工藝步驟及每步工藝要點教學(xué)重點教學(xué)難點硅單晶制備工藝；晶圓加工成形工藝步驟及每步工藝要點；單晶制備工藝采用教法講授，演示法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、復(fù)習(xí)及引入課題（10分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、硅單晶制備工藝（30分鐘）（1）、硅單晶制備工藝（2）質(zhì)量要求；3、硅單晶加工（45分鐘）（1）硅單晶的切割（2）硅單晶的研磨（3）硅單晶的倒角

11、；（4）硅單晶的拋光4、小結(jié)與答疑（5分鐘） 備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記N0：6課 題硅片玷污與控制課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解硅片玷污及類型；2、掌握硅片清洗教學(xué)重點教學(xué)難點硅片玷污類型；硅片清洗硅片清洗采用教法講授法，演示法，巡查指導(dǎo)學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、玷污的類型（40分鐘）（1）顆粒；（2）金屬雜質(zhì)；（3）有機(jī)物玷污；（4）自然氧化層；（5）ESD靜電釋放。3、玷污控制（40分鐘）（1）硅片濕法清洗概述（2）RCA清洗；（3）清洗設(shè)備4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí)

12、教學(xué)后記N0：7課 題硅外延生長課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解外延生長基本概念。2、理解外延生長工藝教學(xué)重點教學(xué)難點外延生長工藝外延生長工藝采用教法講授，啟發(fā)式，示例法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、外延生長概述（15分鐘）3、硅的氣相外延（45分鐘）（1）硅外延生長用的原料；（2）硅外延生長設(shè)備；（3）外延工藝順序；（4）硅外延生長的基本原理和影響因素。4、硅外延層電阻率的控制（20分鐘）（1）外延層中的雜質(zhì)及摻雜；（2）外延中雜

13、質(zhì)的再分布；（3）外延層生長中的自摻雜；（4）外延層的夾層。4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記 NO：7課 題測量學(xué)和缺陷檢測課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解硅片清洗的目的、目標(biāo)；2、掌握RCA清洗工藝。教學(xué)重點教學(xué)難點RCA清洗工藝RCA清洗工藝采用教法講授法，實例引導(dǎo)法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、濕法清洗概況（30分鐘）（1）RCA清洗：1號標(biāo)準(zhǔn)清洗液，21號標(biāo)準(zhǔn)清洗液（2）改進(jìn)的RCA清洗；（3）濕法清洗步驟3、濕法清洗及設(shè)備（35分鐘）（1）兆聲清洗 （2）噴霧清洗（3）

14、溢流清洗4、 RCA清洗的替代方案（15分鐘）5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：9課 題集成電路測量學(xué)及質(zhì)量測量課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、掌握等效的概念；2、掌握電阻串、并、混聯(lián)結(jié)方式的特點及相關(guān)電量計算；教學(xué)重點教學(xué)難點混聯(lián)電阻電路的計算?；炻?lián)電阻電路的計算。采用教法講授法，實例引導(dǎo)法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、集成電路測量學(xué)（40分鐘）（1）引言；（2測量設(shè)備；（3）成品率；（4）數(shù)據(jù)管理。3、質(zhì)量測量（40分鐘）（1）膜厚；（2）膜應(yīng)力（3）參雜濃度；（4）有無圖形的

15、 表面缺陷。4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：10課 題硅片的質(zhì)量測量及分析設(shè)備課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解了解集成電路測量學(xué)；2、理解質(zhì)量測量教學(xué)重點教學(xué)難點質(zhì)量測量無采用教法講授法，演示法，巡查指導(dǎo)學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、硅片的質(zhì)量測量（55分鐘）（1）關(guān)鍵尺寸CD；（2）臺階覆蓋；（3）套準(zhǔn)精度；（4）C-V測試。（4）接觸角度。3、分析設(shè)備（25分鐘）二次離子質(zhì)譜儀、原子力顯微鏡等。4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：11課 題集成電路

16、芯片制造工藝概述課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、 了解集成電路芯片制造工藝歷史現(xiàn)狀；2、 理解硅外延平面晶體管工藝流程。教學(xué)重點教學(xué)難點硅外延平面晶體管工藝流程硅外延平面晶體管工藝流程采用教法導(dǎo)入法，講授法，歸納法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、微電子器件工藝歷史（15分鐘）（1）生長法；（2）合金發(fā)；（3）擴(kuò)散法。3、集成電路發(fā)展史（15分鐘）4、硅外延平面晶體管工藝流程（50分鐘）（1）工藝流程圖；（2）各部工藝及作用。5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：12課 題集成電路芯片制

17、造工藝概述 課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、理解雙極性和單極性集成電路生產(chǎn)工藝流程 教學(xué)重點教學(xué)難點雙極性和單極性集成電路生產(chǎn)工藝流程雙極性和單極性集成電路生產(chǎn)工藝流程采用教法導(dǎo)入法，講授法，歸納法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、雙極性集成電路生產(chǎn)工藝流程（50分鐘）（1）工藝流程圖；（2）各部工藝及作用。3、單極性集成電路生產(chǎn)工藝流程（30分鐘）（1）工藝流程圖；（2）各部工藝及作用。4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：13課 題氧化技術(shù)Si02及掩蔽作用；課 型習(xí)題課教學(xué)時數(shù)2教

18、學(xué)目的了解Si02、性質(zhì)、用途掌握Si02的掩蔽作用教學(xué)重點教學(xué)難點Si02的掩蔽作用無采用教法講授法，啟發(fā)式，討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、Si02及Si02結(jié)構(gòu)（15分鐘）3、Si02主要性質(zhì)及作用（25分鐘）（1）主要性質(zhì)：物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)；（2）Si02薄膜在器件中的作用。4、Si02掩蔽作用（40分鐘）（1）雜質(zhì)在Si02中的存在形式；（2）雜質(zhì)在Si02中的擴(kuò)散系數(shù)；（3） Si02掩蔽層厚度的確定；（4）雜質(zhì)在Si02中的擴(kuò)散系數(shù)；5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記

19、NO：14課 題氧化技術(shù)熱氧化及熱氧化生長動力學(xué)；課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解Si02制備方法及熱氧化生長動力學(xué)；2、掌握熱氧化工藝教學(xué)重點教學(xué)難點熱氧化工藝熱氧化工藝采用教法講授法，引導(dǎo)法、示例法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、Si02熱氧化生長法（45分鐘）（1）干氧熱氧化法；（2）濕氧熱氧化法；（2）濕氧熱氧化法；（3）干-濕氧熱氧化法；3、熱氧化生長動力學(xué)（35分鐘）（1）氧化劑擴(kuò)散到Si02表面；（2）氧化劑擴(kuò)散到Si02Si界面；（2）氧化劑與Si生成Si 02；（3）反應(yīng)副產(chǎn)物清除；

20、4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：15課 題氧化技術(shù)氧化速率及雜質(zhì)再分布課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解決定氧化速率的各種因素、雜質(zhì)再分布特點及對硅表面雜質(zhì)濃度的影響；2、掌握熱處理工藝。教學(xué)重點教學(xué)難點熱處理工藝熱處理工藝采用教法講授法，演示法，巡查指導(dǎo)學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、影響氧化速率的因素（20分鐘）（1）氧化劑分壓的影響；（2）氧化溫度的影響；（3）硅表面晶向的影響；（4）雜質(zhì)的影響。3、雜質(zhì)再分布特點及對硅表面雜質(zhì)濃度的影響（20分鐘）（1）質(zhì)再分布特點；（

21、2）雜質(zhì)再分布對硅表面雜質(zhì)濃度的影響。4、熱處理（40分鐘）（1）退火與硅化反應(yīng)；（2）熔流與固化；（3）快速熱處理。5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：16課 題擴(kuò)散技術(shù)擴(kuò)散原理與模型；課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、 理解擴(kuò)散原理；2、 掌握擴(kuò)散模型。教學(xué)重點教學(xué)難點擴(kuò)散原理、擴(kuò)散模型；擴(kuò)散原理采用教法講授法，引導(dǎo)法、示例法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、摻雜概述（15分鐘）3、擴(kuò)散原理（25分鐘）（1）空位擴(kuò)散；（2）填隙擴(kuò)散。3、擴(kuò)散模型（40分鐘）（1）恒定表面源擴(kuò)散；（2

22、）有限表面源擴(kuò)散。4、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：17課 題擴(kuò)散技術(shù)常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、掌握液態(tài)、固態(tài)源擴(kuò)散、；2、了解其他擴(kuò)散方法。教學(xué)重點教學(xué)難點液態(tài)、固態(tài)源擴(kuò)散液態(tài)、固態(tài)源擴(kuò)散采用教法講授法，引導(dǎo)法、示例法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、液態(tài)源擴(kuò)散（35分鐘）（1）液態(tài)源硼擴(kuò)散；（2）液態(tài)源磷擴(kuò)散；3、固態(tài)源擴(kuò)散（30分鐘）（1）固態(tài)源硼擴(kuò)散；（2）固態(tài)源磷擴(kuò)散；4、其他擴(kuò)散方法（15分鐘）5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記N

23、O：18課 題擴(kuò)散層參數(shù)測量和質(zhì)量分析課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解方塊電阻；2、掌握方塊電阻、結(jié)深的測量。教學(xué)重點教學(xué)難點方塊電阻、結(jié)深的測量方塊電阻、結(jié)深的測量采用教法講授法，啟發(fā)式，討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、方塊電阻及測量（30分鐘）（1）方塊電阻 ；（2）方塊電阻的四探針測量。3、結(jié)深及測量（25分鐘）（1）結(jié)深定義；（2）結(jié)深測量。4、質(zhì)量分析（25分鐘）（1）擴(kuò)散的均勻性與重復(fù)性；（2）反向擊穿電壓；（3）常見表面質(zhì)量問題。5、小結(jié)與答疑（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記

24、NO：19課 題半期考試課 型習(xí)題課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的通過考試檢驗學(xué)生對知識的掌握情況。教學(xué)重點教學(xué)難點半期考試無采用教法 學(xué)法建議 教 學(xué)過 程設(shè) 計（復(fù)習(xí)內(nèi)容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設(shè)計、時間分配等）1、半期考試（90分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：20課 題光刻技術(shù)光刻工藝要求及光刻膠 課 型理論課 教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的了解光刻及工藝要求；了解光刻膠及組成。無教學(xué)重點教學(xué)難點光刻及工藝要求；光刻膠及組成采用教法講授法，引導(dǎo)法，互動交流法 學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、光刻及作用

25、（20分鐘）（1）光刻概念(2)光刻作用3、光刻的工藝要求（35分鐘）（1）高分辨率（2）高靈敏度（3）緊密套準(zhǔn)（4）大尺寸硅片加工（5）低缺陷4、光刻膠組成材料及感光原理（25分鐘）（1）光刻膠組成材料（2）光刻膠感光原理5、本課小結(jié)（5分鐘）備 注思考與練習(xí)光刻工藝的作用？教學(xué)后記NO：21課 題光刻技術(shù)光刻工藝 課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的了解襯底材料的檢查與處理；掌握光刻工藝及流程；教學(xué)重點教學(xué)難點光刻工藝及流程；光刻工藝及流程；采用教法講授法，引導(dǎo)法，互動交流法 學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹22

26、、光刻工藝（80分鐘）（1）襯底材料的檢查與處理（2）曾粘處理（3）涂膠（4）前烘（5）曝光（6）顯影3、本課小結(jié)（5分鐘）備 注思考與練習(xí)曝光的方式有那幾個？教學(xué)后記NO：22課 題光刻技術(shù)光刻工藝及質(zhì)量分析課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的掌握光刻工藝流程圖；理解光刻質(zhì)量分析教學(xué)重點教學(xué)難點光刻工藝流程圖；理解光刻質(zhì)量分析無采用教法講授法，引導(dǎo)法，互動交流法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、堅膜及光刻工藝流程圖（75分鐘）（1）堅膜（2） 光刻工藝流程圖3、光刻質(zhì)量分析（1）溶膠（2） 小島（3）針孔 4、本

27、課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：23課 題刻蝕濕法刻蝕課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的了解刻蝕及作用、濕法刻蝕概念；掌握常見濕法刻蝕方法。教學(xué)重點教學(xué)難點常見濕法刻蝕方法無采用教法講授法，引導(dǎo)法，小組討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、刻蝕及超大規(guī)模集成電路對圖形轉(zhuǎn)移的要求（30分鐘）（1）刻蝕及作用(2) 超大規(guī)模集成電路對圖形轉(zhuǎn)移的要求3、濕法刻蝕（50分鐘）（1）濕法刻蝕及特點（2）二氧化硅濕法刻蝕（3）呂刻蝕（4）硅的刻蝕4、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí)濕法刻蝕有哪幾種？教

28、學(xué)后記NO：24課 題刻蝕干法刻蝕課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的理解干法刻蝕原理；掌握常見干法刻蝕方法教學(xué)重點教學(xué)難點常見干法刻蝕方法無采用教法講授法，引導(dǎo)法，小組討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹 2、干法刻蝕及原理（30分鐘）（1）干法刻蝕概念及作用（2）干法刻蝕原理3、干法刻蝕（50分鐘）（1）二氧化硅干法刻蝕（2）氮化硅干法刻蝕（3）呂及鋁合金硅干法刻蝕（4）其他干法刻蝕5、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí)說出二氧化硅干法刻蝕工藝？教學(xué)后記NO：25課 題刻蝕砷化鎵刻蝕課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)

29、目的掌握砷化鎵刻蝕工藝教學(xué)重點教學(xué)難點砷化鎵刻蝕工藝砷化鎵刻蝕工藝采用教法講授法，引導(dǎo)法，小組討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、砷化鎵刻蝕（15分鐘）3、去膠：（25分鐘）（1）溶劑去膠（2）氧化去膠（3）等離子體去膠4、終點檢測（40分鐘） （1）終點檢測方法：光發(fā)射分光儀法、激光干涉法測量（2）刻蝕的損傷：等離子體引起的損傷、等離子體引起的微粒污染3、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí)刻蝕的損傷有哪些？教學(xué)后記NO：26課 題離子注入工藝特點及原理課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的熟練掌握電感元件伏安

30、關(guān)系的相量形式和相量圖；教學(xué)重點教學(xué)難點電感元件伏安關(guān)系的相量形式和向量圖。電感元件伏安關(guān)系的相量形式和向量圖。采用教法講授法，引導(dǎo)法，小組討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、離子注入概述（15分鐘）（1）離子束的性質(zhì)（2）離子束加工方式3、 離子注入系統(tǒng)（65分鐘）（1）離子源：質(zhì)量分析器：加速器：聚焦系統(tǒng)中性束偏移器5、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí)質(zhì)量分析器的作用是什么？教學(xué)后記NO：27課 題離子注入注入設(shè)備課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解典型離子注入設(shè)備的結(jié)構(gòu)及操作規(guī)程教學(xué)重點教學(xué)難

31、點典型離子注入設(shè)備的結(jié)構(gòu)；操作規(guī)程采用教法講授法，引導(dǎo)法，小組討論法學(xué)法建議自學(xué)法、筆記法教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、典型離子注入設(shè)備的結(jié)構(gòu)（50分鐘）（1） 質(zhì)量分析注入機(jī)（2）氮注入機(jī)；（3）等離子源注入機(jī)(PIII)；目前還研制出了金屬蒸發(fā)真空電弧離子源（MEVVA），它是在注入元素組成的電極表面引燃電弧而產(chǎn)生離子束的，它解決了固體元素直接注入這一難題。3、典型離子注入設(shè)備操作規(guī)程（30分鐘） 4、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 教學(xué)后記NO：28課 題離子注入注入工藝課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、 理解離子

32、注入控制工藝；2、 掌握溝道效應(yīng)及離子注入的阻止機(jī)制教學(xué)重點教學(xué)難點離子注入控制工藝；溝道效應(yīng)及離子注入的阻止機(jī)制溝道效應(yīng)及離子注入的阻止機(jī)制采用教法講授法，引導(dǎo)法，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)理解，習(xí)題練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹3、離子注入控制（45分鐘）（1）離子束流密度和注入時間控制雜質(zhì)濃度 （注入離子劑量）（2）離子能量控制結(jié)深（3）雜質(zhì)分布各向異性3、離子注入阻止與溝道效應(yīng)（35分鐘）（1）離子注入阻止：核阻止、電子阻止（2）溝道效應(yīng)4、本課小結(jié)（5分鐘）備 注思考與練習(xí)離子注入阻止與溝道效應(yīng)額關(guān)系？教學(xué)后記NO：29課

33、題CVD化學(xué)過程及薄膜分類及生長動力學(xué)；課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的識記化學(xué)氣相沉積基本概念；理解化學(xué)氣相沉積法原理教學(xué)重點教學(xué)難點化學(xué)氣相沉積基本概念；化學(xué)氣相沉積法原理化學(xué)氣相沉積法原理采用教法講授法，引導(dǎo)法，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)理解，習(xí)題練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、化學(xué)氣相沉積基本概念（25分鐘）（1）化學(xué)氣相沉積（2）CVD技術(shù)的分類（3）常用三種CVD技術(shù)優(yōu)缺點3、化學(xué)氣相沉積法原理（30分鐘）（1）CVD技術(shù)的熱動力學(xué)原理；（2）兩種常見的流體流動方式 （3）CVD動力學(xué)4、化學(xué)氣相沉積適用范圍（15分鐘）4

34、、本課小結(jié)（5分鐘）備 注思考與練習(xí) 化學(xué)氣相沉積CVD的作用？教學(xué)后記NO：30課 題CVD淀積系統(tǒng)課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的掌握常見化學(xué)氣相沉積 ，了解化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)裝置、化學(xué)氣相沉積應(yīng)用實例。教學(xué)重點教學(xué)難點常見化學(xué)氣相沉積 ， 化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)裝置 無采用教法講授法，引導(dǎo)法，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)理解教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、化學(xué)氣相沉積工藝及設(shè)備（65分鐘）（1）化學(xué)氣相沉積分類；（2）化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)裝置；（3）化學(xué)氣相沉積工藝參數(shù) ；4、應(yīng)用實例（15分鐘）5、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 常見化學(xué)

35、氣相沉積有哪幾種？教學(xué)后記NO：31課 題金屬化課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解金屬化常用金屬；了解平坦化2、掌握金屬化工藝。教學(xué)重點教學(xué)難點金屬化工藝金屬化工藝采用教法講授法，引導(dǎo)法，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)理解，習(xí)題練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、金屬化概述（15分鐘）3、金屬化工藝工藝（45分鐘）（1）歐姆接接觸（2）布線技術(shù)4、金屬平坦化（20分鐘）5、本課小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí) 簡述金屬化與平坦化教學(xué)后記NO：32課 題表面鈍化概述及SI-SI02系統(tǒng)課 型習(xí)題課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解鈍化膜及介質(zhì)膜；

36、2、理解Si-SiO2系統(tǒng)教學(xué)重點教學(xué)難點鈍化膜及介質(zhì)膜；Si-SiO2系統(tǒng)Si-SiO2系統(tǒng)采用教法講授法，啟發(fā)式，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)習(xí)題練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、概述（30分鐘）（1）鈍化膜及介質(zhì)膜（2）鈍化膜及介質(zhì)膜的重要性和作用（3）對鈍化膜及介質(zhì)膜性質(zhì)的一般要求3、Si-SiO2系統(tǒng)（50分鐘）（1）SiO2膜在半導(dǎo)體器件中的主要用途（2）Si-SiO2 系統(tǒng)中的電荷（3）Si-SiO2系統(tǒng)中的電荷對器件性能的影響（4）Si-SiO2結(jié)構(gòu)性質(zhì)的測試分析4、小結(jié)（5分鐘）備 注 思考與練習(xí)解釋：鈍化膜、介質(zhì)膜教

37、學(xué)后記NO：33課 題表面鈍化鈍化方法及、鈍化膜結(jié)構(gòu)。課 型實驗課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、 了解鈍化膜結(jié)構(gòu)；2、 掌握鈍化方法。教學(xué)重點教學(xué)難點鈍化方法。鈍化方法。采用教法講授法，演示法，巡查指導(dǎo)學(xué)法建議認(rèn)真按步驟進(jìn)行操作練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、鈍化方法（60分鐘）（1）集成電路鈍化的一般步驟（2）含氯鈍化（3）磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）鈍化（4）氮化硅（Si3N4）鈍化膜（5）氧化鋁（Al2O3）鈍化膜（6）聚酰亞胺（PI）鈍化膜3、鈍化膜結(jié)構(gòu)（20分鐘）（1）雙層結(jié)構(gòu) （2）多層鈍化結(jié)構(gòu)4、小結(jié)（5

38、分鐘） 備 注 思考與練習(xí)實驗報告冊教學(xué)后記NO：34課 題電學(xué)隔離技術(shù)課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、 了解電學(xué)隔離及作用；2、 理解常用器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)教學(xué)重點教學(xué)難點常用器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)常用器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)采用教法講授法，引導(dǎo)法，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)理解，習(xí)題練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、概述（20分鐘）（1） 電學(xué)隔離作用（2）電學(xué)隔離的必要性和方法3、器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)（60分鐘）（1）二極管的結(jié)構(gòu) （2）雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)（3）MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)6、小結(jié)(5分鐘)備 注 思考與練習(xí)電學(xué)隔離作用？教學(xué)后記NO：35課 題電學(xué)隔離技術(shù)課 型理論課教學(xué)時數(shù)2教學(xué)目的1、了解接觸孔、通孔和連線；2、理解常用器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)教學(xué)重點教學(xué)難點理解常用器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)理解常用器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)采用教法講授法，引導(dǎo)法，討論法學(xué)法建議加強(qiáng)理解，習(xí)題練習(xí)教 學(xué)過 程設(shè) 計1、復(fù)習(xí)及引入課題（5分鐘）（1）上次課復(fù)習(xí)（2）本節(jié)學(xué)習(xí)內(nèi)容與教學(xué)目的介紹2、器件的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)（60分鐘）（1） MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)（2） 電阻的結(jié)構(gòu)（3）電容的結(jié)構(gòu)4、接觸孔、通孔和連線（20分鐘）5、小結(jié)（5分