使用SI9000進(jìn)行PCB常規(guī)阻抗計(jì)算

1、SI9000常規(guī)阻抗計(jì)算常規(guī)信號(hào)分為微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)，微帶線(xiàn)指該信號(hào)線(xiàn)只有一個(gè)參考平面（表底層），帶狀線(xiàn)指該信號(hào)線(xiàn)在兩個(gè)參考平面之間（內(nèi)層），故阻抗計(jì)算需要選擇不同模型來(lái)完成。一、 外層（微帶線(xiàn)）單端阻抗計(jì)算模型1.單端阻抗結(jié)構(gòu)>2.單端阻抗模型>3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)說(shuō)明：介電常數(shù)和板材有關(guān)，常規(guī)FR4介電常數(shù)在4.2-4.5之間，常規(guī)半固化片介電常數(shù)106（3.9）、1080（4.2）、2116（4.2）、7628（4.5），羅杰斯板材RO4350B介電常數(shù)是3.66，M6板材介電常數(shù)在3.3-3.5之間。二、外層（微帶線(xiàn)）差分阻抗計(jì)算模型1.差分阻抗結(jié)構(gòu)>2.差分阻抗模型>

2、;3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)說(shuō)明：常規(guī)差分控制阻抗100ohm，USB控90ohm，Typec控90ohm以下是1.6mm板厚常規(guī)八層板的層疊1. 3個(gè)信號(hào)層、2個(gè)地、一個(gè)電源2.射頻隔層參考，線(xiàn)寬16mil3.關(guān)鍵信號(hào)在S1層，注意S2跨分割問(wèn)題，適用于雜線(xiàn)多的情況A根據(jù)微帶線(xiàn)單端模型50ohm阻抗計(jì)算如下（線(xiàn)寬6）：B根據(jù)微帶線(xiàn)差分模型阻抗計(jì)算如下：三、內(nèi)層（帶狀線(xiàn)）單端阻抗計(jì)算模型1.單端阻抗結(jié)構(gòu)>2.單端阻抗模型>3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)四、內(nèi)層（帶狀線(xiàn)）差分阻抗計(jì)算模型1.差分阻抗結(jié)構(gòu)>2.差分阻抗模型>3.設(shè)置相應(yīng)參數(shù)根據(jù)常規(guī)8層板層疊計(jì)算內(nèi)層阻抗.A內(nèi)層單端阻抗模型：S1：

3、H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S1層50ohm：5mil（說(shuō)明：阻抗允許誤差正負(fù)10%，H1和H2數(shù)值）S1和S2參考層面厚度相差較小阻抗線(xiàn)寬一致（說(shuō)明：如果H1和H2數(shù)值正確，H1和H2即使顛倒，阻抗變化很?。㏒2：H1=4.3 H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S2層50ohm：5mil S3：H1=4.3H2=1.2+16=17.2S3層50ohm：5milB內(nèi)層差分阻抗模型（介質(zhì)厚度和單端阻抗一致）：S1：H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S2：H1=4.3 H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S3：H1

4、=4.3H2=1.2+16=17.2S1、S2、S3：90ohm S1、S2、S3：100ohm同理計(jì)算，概不贅述。（關(guān)于射頻線(xiàn)阻抗計(jì)算隔層參考，共面阻抗計(jì)算參考<SI9000隔層及共面模型計(jì)算>）阻抗說(shuō)明：疊層厚度通常由單板實(shí)際情況決定，如果疊層確定，線(xiàn)寬變小，阻抗變大，差分阻抗線(xiàn)之間的間距變大，阻抗變大，差分100ohm計(jì)算時(shí)，可通過(guò)改變線(xiàn)寬和間距實(shí)現(xiàn)（注意：建議差分間距不要大于2倍線(xiàn)寬如4的線(xiàn)寬8的間距）。單端阻抗主要依靠改變線(xiàn)寬實(shí)現(xiàn)。層疊厚度和阻抗反比，距離主要參考層面越遠(yuǎn)阻抗越大。合理的層疊（參考<常規(guī)層疊規(guī)則及選用方法>），是計(jì)算阻抗的必要條件，有些層疊計(jì)算

5、不出來(lái)需求阻抗。通常我們提供給制板廠的層疊和線(xiàn)寬，生產(chǎn)制造時(shí)會(huì)進(jìn)行微調(diào)，為區(qū)別單線(xiàn)和差分阻抗給DFM工程師調(diào)整阻抗提供便利，要求同一層面的不同阻抗線(xiàn)線(xiàn)寬不同，即單線(xiàn)50ohm、差分85ohm、差分90ohm、差分100ohm要求不同的線(xiàn)寬。阻抗存在爭(zhēng)議：以上內(nèi)層算法是SI6000時(shí)就存在的模型計(jì)算，SI9000在SI6000的基礎(chǔ)上又推出新的模型，但是存在爭(zhēng)議關(guān)于內(nèi)層H1和H2的厚度。關(guān)于H1和H2存在爭(zhēng)議：a一些工程師使用SI9000推出的新模型SI9000推出的新模型，此模型忽略?xún)?nèi)層銅箔的厚度，僅僅是pp和core的厚度。（個(gè)人認(rèn)為不太合理，內(nèi)層1oz的銅箔1.2mil的厚度加上還是有必要的）。b.一些工程師使用SI9000中SI6000的模型，但認(rèn)為H1是信號(hào)距離參考平面近的pp或core的厚度，H2是距離參考平面遠(yuǎn)的厚度。c.還有一些工程師，使用SI9000中SI6000的