《模擬電子技術(shù)》試題

1、模擬電子技術(shù)?試題 A 卷一、填空題每空 1 分，共 20 分1、如果按結(jié)構(gòu)分類，二極管可分為 型和 型兩種類型。2、BJT 工作在截止區(qū)時(shí)，其發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電結(jié)處于 偏置。3、電壓射極輸出器的輸出電阻Ro 的值越 好。4、為消除乙類功放的交越失真，給BJT 發(fā)射結(jié)加一定的 偏壓，使 Q 點(diǎn)上移，擺脫 電壓的影響。這時(shí)，電路工作在 狀態(tài)。5、互補(bǔ)對(duì)稱功放采用 類型的兩個(gè) BJT 組成推挽輸出器，在輸入交流信號(hào)作用下，兩管 工作，為使輸出電壓波形對(duì)稱，要求兩管的性能 。6、雙端輸出差動(dòng)放大器在電路完全對(duì)稱時(shí)，其共模增益為 ，共模抑制比為 。7、運(yùn)算放大器的輸出電阻越小，它帶負(fù)載的能力，如果

2、是恒壓源，帶負(fù)載的能力_。8、深度負(fù)反應(yīng)是指 _，負(fù)反應(yīng)深度等于 。9、正弦波振蕩器主要由 電路、 電路和 電路三局部組成。二、判斷題每題 1 分，共 10 分1、PN 結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正負(fù)離子形成的，因而它的電阻率很高。2、集電結(jié)處于正偏的 BJT ，它一定工作在飽和區(qū)。3、BJT 的 值越大，放大能力越強(qiáng)，但在選用 BJT 時(shí)，并不是 值越大越好。 4、集電極電阻 RC 的作用是將集電極電流的變化轉(zhuǎn)換成電壓的變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。因此，RC 的值越大，輸出電壓越高。 5、只要將晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在BJT 特性曲線的線性放大區(qū)，那么不管輸入什么信號(hào)，都不會(huì)產(chǎn)生非線性失真。6、分壓

3、偏置電路的發(fā)射極電阻Re 越大，工作點(diǎn)穩(wěn)定性越好。但Re 過(guò)大，會(huì)使 BJT 的 VCE減小，影響放大器的正常工作。7、 射極輸出器的輸入電流是Ib，輸出電流是Ie,因此，具有較高的電流放大倍數(shù)。8、在 OTL 功放電路中，輸出耦合電容的主要作用是“隔直，防止直流經(jīng)負(fù)載短路。9、 在運(yùn)放電路中，閉環(huán)增益AF 是指電流放大倍數(shù)。10、只要滿足 AF=1， a+ f =2n 這兩個(gè)條件，就可以產(chǎn)生正弦波振蕩。三、選擇題每題 1分，共 10 分1、PN 結(jié)在外加正向電壓的作用下，擴(kuò)散電流漂移電流。a.大于b.小于c.等于2、當(dāng)環(huán)境溫度降低時(shí)，二極管的反向電流a.不變b.增大c.減小3、 測(cè)得BJT各

4、極對(duì)地電壓為 Vb=4V, Vc=3. 6V, Ve=3 . 4V，那么該BJT工作在狀態(tài)。 a 截止b. 飽和c. 放大4、NPN 管工作在放大區(qū)時(shí)，三個(gè)極的電位特征是a.vc> VB >VEb.VCv VB< VEC.VEV VB> VCd.VE> VBV VC5、為了減小輸出電阻，集成運(yùn)放的輸出級(jí)多采用a.共射或共源b.差分放大c.互補(bǔ)對(duì)稱運(yùn)放的共模抑制比越大越好，因?yàn)樗酱?，說(shuō)明運(yùn)放的電路。6、(a.放大倍數(shù)越穩(wěn)定希望接上負(fù)載RL后，a.電壓b.電流b.交流放大倍數(shù)越大Vo根本不變，應(yīng)引入c.串聯(lián)d.并聯(lián)c.抑制溫漂能力越 強(qiáng)負(fù)反應(yīng)。8、要求得到一個(gè)由電流

5、控制的電壓源，應(yīng)引入 a.電壓串聯(lián)b.電壓并聯(lián)某放大電路，當(dāng)輸入電壓為為 6.5V，貝U AV=負(fù)反應(yīng)。d.電流并聯(lián)a.700b.1OO10、a.0. 98某 BJT 的 lE=1mA，c.電流串聯(lián)10mV時(shí)，輸出電壓為C.-100c.O. 8IB=20 A，貝 U lc=()7V，輸入電壓為15mV時(shí)，輸出電壓mA1. 電路如圖1所示，輸入電阻凡和輸出電阻Ro. 15分圖2四、計(jì)算題共60分一2. 源極輸出器電路如圖2所示，的=FEt,工VBe點(diǎn)上.的互導(dǎo)畫(huà)出簡(jiǎn)化小信號(hào)等效電壓增試計(jì)算輸入電阻R和輸出的靜阻態(tài)工作點(diǎn)10電壓增益Avd的值;3. 電路如圖3所示，JFET的gm =2mS Rds=20K Q。試求雙端輸出時(shí)的差模電壓增益 假設(shè)電路改為單端輸出時(shí)，試求 Avd1、Av