材料分析方法復(fù)試題目(南理工各大材料學(xué)院可用)

1、材料分析方法復(fù)試考題一、解釋下列名字的不同1、X射線衍射與電子衍射有何異同？電子衍射與X射線衍射相比具有下列特點：1）電子波的波長比 X射線短的多，在同樣滿足布拉格定律時，它的衍射角。非常小, 約為10-2rad,而X射線衍射時,最大角可接近 兀/22）電子衍射操作時采用薄膜樣品，薄膜樣品的倒易陣點會沿樣品的厚度方向延伸成桿狀，于是，增加了倒易陣點和厄瓦爾德球相交的機會，結(jié)果使略微偏離布拉格條件的電子束也能發(fā)生衍射。3）由于電子波的波長短，采用厄瓦爾德圖解時，反射球的半徑很大，在衍射角。較小 的圍，反射球面可以近似看成一個平面.可以認為，電子衍射產(chǎn)生的衍射斑點大致分布在一個二維倒易截面.這個結(jié)

2、果使晶體產(chǎn)生的衍射花樣能比較直觀地反映各 晶面的位向，便于實際結(jié)構(gòu)分析。4）原子對電子的散射能力遠高于它對X射線的散射能力（約高出4個數(shù)量級），故電子衍射束的強度較大，攝取衍射花樣時曝光時間僅需數(shù)秒鐘。2、特征x射線與連續(xù)x射線4、物相分析與成分分析二、說出下列檢定所要用的手段（這個記不清了）1、測奧氏體成分含量直接比較法（定量）2、薄膜上1nm微粒的物相3、晶界的微量成分好像肯定俄歇譜儀4、忘了，反正就XRD ，透射電鏡，掃描電鏡，定性啊，定量啊什么的三、讓你說明德拜照相法的衍射幾何，還讓畫圖四、給你一個圖，讓你說明二次電子成像的原理五、說明宏觀應(yīng)力測定的原理（沒復(fù)習(xí)到，比較難）六、給你一個

3、衍射斑點的圖，告訴你體心立方好像，然后讓你鑒別出點的指數(shù)七、給了一個15組數(shù)據(jù)的X射線衍射數(shù)據(jù)，還有 3個PDF卡片，SiO2, “-A12O3 , &A12O3 ,然后讓你說 明這15組數(shù)據(jù)分別屬于哪個物相，就是物相檢定的一個實際操作。2011復(fù)試材料分析方法回憶版一、簡答題（40=5*4+10*2 ）1、連續(xù)X射線與特征X射線的特點連續(xù)X射線：1） X射線強度I沿著波長連續(xù)分布2） 存在短波限?SWL3）存在最大強度對應(yīng)的波長入m特征X射線波長對陽極靶材有嚴格恒定數(shù)值。（只決定于陽極靶材元素的原子序）波長不受管電壓、管電流的影響標識譜的強度隨管電壓和管電流提高而增大對于多晶體材料衍

4、射分析，希望入射 X射線的單色性最好，即I特/I連最大。（一般取U/Uk=4時，I特/I連取得 最大值，故X射線管工作電壓為 U = 3-5Uk。Uk為K系特征譜的激發(fā)電壓）2、物相分析與成分分析的區(qū)別成分分析：確定組成物質(zhì)的元素成分及含量，但不能說明其存在狀態(tài)。如 45鋼，含F(xiàn)e,C元素物相分析：確定由各種元素的存在狀態(tài)、其晶體結(jié)構(gòu)等（單質(zhì)或化合物）。如45鋼，主要有“鐵素體及滲碳體構(gòu)成。物相定性分析的原理是什么？對食鹽進行化學(xué)分析與物相定性分析，所得信息有何不同？答：物相定性分析的原理：X射線在某種晶體上的衍射必然反映出帶有晶體特征的特定的衍射花樣（衍射位置。、衍射強度I）,而沒有兩種結(jié)晶

5、物質(zhì)會給出完全相同的衍射花樣，所以我們才能根據(jù)衍射花樣 與晶體結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)的關(guān)系，來確定某一物相。對食鹽進行化學(xué)分析，只可得出組成物質(zhì)的元素種類（ Na,Cl等）及其含量，卻不能說明其存在狀態(tài)，亦 即不能說明其是何種晶體結(jié)構(gòu)，同種元素雖然成分不發(fā)生變化，但可以不同晶體狀態(tài)存在，對化合物更是 如此。定性分析的任務(wù)就是鑒別待測樣由哪些物相所組成。物相定量分析的原理是什么？試述用K值法進行物相定量分析的過程。答：卞!據(jù)X射線衍射強度公式，某一物相的相對含量的增加，其衍射線的強度亦隨之增加，所以通過衍射線強度的數(shù)值可以確定對應(yīng)物相的相對含量。由于各個物相對 X射線的吸收影響不同，X射線衍射強度與該物相

6、的相對含量之間不成線性比例關(guān)系，必須加以修正。這是標法的一種，是事先在待測樣品中加入純元素，然后測出定標曲線的斜率即 K值。當要進行這類待測材料衍射分析時，已知K值和標準物相質(zhì)量分數(shù) s,只要測出a相強度Ia與標準物相的強度Is的比值Ia/Is 就可以求出a相的質(zhì)量分數(shù)co a。3、反射球與倒易球的特點4、電子衍射與X-ray衍射的區(qū)別電子衍射與X射線衍射相比具有下列特點:1)電子波的波長比 X射線短的多，在同樣滿足布拉格定律時，它的衍射角。非常小, 約為10-2rad,而X射線衍射時,最大角可接近 兀2。2)電子衍射操作時采用薄膜樣品，薄膜樣品的倒易陣點會沿樣品的厚度方向延伸成桿狀，于是，增

7、加了倒易陣點和厄瓦爾德球相交的機會，結(jié)果使略微偏離布拉格條件的電子束也能發(fā)生衍射。3)由于電子波的波長短，采用厄瓦爾德圖解時，反射球的半徑很大，在衍射角。較小 的圍，反射球面可以近似看成一個平面.可以認為，電子衍射產(chǎn)生的衍射斑點大致分布在一個二維倒易截面.這個結(jié)果使晶體產(chǎn)生的衍射花樣能比較直觀地反映各 晶面的位向，便于實際結(jié)構(gòu)分析。4)原子對電子的散射能力遠高于它對X射線的散射能力(約高出4個數(shù)量級)，故電子衍射束的強度較大，攝取衍射花樣時曝光時間僅需數(shù)秒鐘。電子衍射與X射線衍射有那些區(qū)別？可否認為有了電子衍射分析手段，X射線衍射方法就可有可無了？答：電子衍射與 X射線衍射一樣，遵從衍射產(chǎn)生的

8、必要條件和系統(tǒng)消光規(guī)律，但電子是物質(zhì)波，因而電子衍射與X射線衍射相比，又有自身的特點：(1)電子波波長很短，一般只有千分之幾nm,而衍射用X射線波長約在十分之幾到百分之幾nm,按布拉格方程2dsin 0 =入可知，電子衍射的 2 0角很小，即入射電子和衍射電子束都近乎平行于衍射晶面；(2)由于物質(zhì)對電子的散射作用很強，因而電子束穿透物質(zhì)的能力大大減弱，故電子只適于材料表層或薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析；(3)透射電子顯微鏡上配置選區(qū)電子衍射裝置，使得薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析與形貌有機結(jié)合起來，這是X射線衍射無法比擬的特點。但是，X射線衍射方法并非可有可無，這是因為：X射線的透射能力比較強，輻射厚度也比較深，約

9、為幾um到幾十um,并且它的衍射角比較大，這些特點都使 X射線衍射適宜于固態(tài)晶體的深層度分析。 電子衍射應(yīng)用的領(lǐng)域：1、物相分析和結(jié)構(gòu)分析；2、確定晶體位向；3、確定晶體缺陷的結(jié)構(gòu)及其晶體學(xué)特征。X-ray衍射應(yīng)用的領(lǐng)域：物相分析，應(yīng)力測定，單晶體位向，測定多晶體的結(jié)構(gòu)，最主要是物相定性分析。5、制備薄膜樣品的基本要什么？具體工藝如何？雙噴減薄與離子減薄各適用于制備什么樣品？合乎要求的薄膜樣品應(yīng)具備以下條件：首先， 樣品的組織結(jié)構(gòu)必須和大塊樣品相同 ，在制備過程中, 這些組織結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化。第二， 樣品相對于電子束而言必須有足夠的透明度 ，因為只有樣品能被電子束 透過，才能進行觀察和分析。第三

10、， 薄膜樣品有一定的強度和剛度 ，在制備，夾持和操作過程中，在一定 的機械力作用下不會引起變形和損壞。最后，在樣品制備過程中不允許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕。氧化和腐蝕 會使樣品的透明度下降，并造成多種假像。從大塊金屬上制備金屬薄膜樣品的過程大致分三步：（1）從實物或大塊試樣上切割厚度為0.30.5mm厚的薄片。（2）對樣品薄膜進行預(yù)先減?。C械法或化學(xué)法）。（3）對樣品進行最終減?。娊鉁p薄或雙噴離子減薄）。離子減?。?）不導(dǎo)電的瓷樣品2）要求質(zhì)量高的金屬樣品3）不宜雙噴電解的金屬與合金樣品雙噴電解減?。?）不易于腐蝕的裂紋端試樣2）非粉末冶金試樣3）組織中各相電解性能相差不大的材料4）不易于脆斷、

11、不能清洗的試樣6、說明多晶、單晶（及厚翦）修"那!k多晶衍射花樣是晶體倒易球與反購集而交續(xù)，是一個小以透射斑為中心的同心圓環(huán)；單晶衍射花樣是 晶體倒易點陣去掉結(jié)構(gòu)消光的倒哪部網(wǎng)球的憫璐體，當陋些殿柵冊行岫喇閽花樣；（當單晶體較厚時, 由于散射因素的影響會出岬解!后摘腳眥的財暇命附瞬湖湘峨樣）。 陶 £一 零酷心 拓射成球麻理簡要說明多晶（納米晶體）、單晶及非晶衍射花樣的特征及形成原理。答：單晶花樣是一個零層二維倒易截面，其倒易點規(guī)則排列，具有明顯對稱性，且處于二維網(wǎng)絡(luò)的格點上。因此表達花樣對稱性的基本單元為平行四邊形。單晶電子衍射花樣就是（uvw）*0零層倒易截面的放大像。

12、多晶面的衍射花樣為：各衍射圓錐與垂直入射束方向的熒光屏或照相底片的相交線，為一系列同心圓環(huán)。每一族衍射晶面對應(yīng)的倒易點分布集合而成一半徑為1/d的倒易球面，與Ewald球的相慣線為圓環(huán)，因此，樣品各晶粒hkl晶面族晶面的衍射線軌跡形成以入射電子束為軸、2為半錐角的衍射圓錐，不同晶面族衍射圓錐2不同，但各衍射圓錐共頂、共軸。非晶的衍射花樣為一個圓斑。二、計算、證明題三、論述題（具體的哪個題屬于哪個記不清，還有15分的題也想不起來了）1、布拉格方程厄瓦爾德圖解的一致性（10）作一個長度等于1/入的矢量K0,使它平行于入射光束，并取該矢量的端點O作為倒點陣的原點。然后用與矢量K0相同的比例尺作倒點陣

13、。以矢量 K0的起始點C為圓心，以1/入為半徑作一球，則從（HKL ） 面上產(chǎn)生衍射的條件是對應(yīng)的倒結(jié)點 HKL （圖中的P點）必須處于此球面上，而衍射線束的方向即是C至P點的聯(lián)接線方向，即圖中的矢量K的方向。當上述條件滿足時，矢量（ K- K0）就是倒點陣原點 O至倒結(jié)點P （ HKL ）的聯(lián)結(jié)矢量 OP,即倒格失R* HKL.于是衍射方程 K- K0=R* HKL 得到了滿足。即倒易點陣空間的衍射條件方程成立。又由 g*=R* HK2sin 0 1/入=g*2sin 0 1/入=1/d2dsin 0 = X（類似解釋：首先作晶體的倒易點陣，O為倒易原點。入射線沿 O'。方向入射，且

14、令 O' O =S0/入。以0'為球心，以1/入為半徑畫一球，稱反射球。若球面與倒易點B相交，連O' B則有O' B- S0/入=OB,這里OB為一倒易矢量。因 O' O =OB=1/入，故 O' OB為與等腰三角形等效，O' B是一衍射線方向。由此可見，當x射線沿O' O方向入射的情況下，所有能發(fā)生反射的晶面，其倒易點都應(yīng)落在以O(shè)'為球心。以1/入為半徑的球面上，從球心O'指向倒易點的方向是相應(yīng)晶面反射線的方向。）2、電磁透鏡在 TEM和SEM中的作用（10）掃描電鏡的成像原理與透射電鏡有何不同？答：掃描電子顯微

15、鏡（Scanning electron microscope-SEM ）是以類似電視攝影顯像的方式，通過細聚焦電子 束在樣品表面掃描激發(fā)出的各種物理信號來調(diào)制成像的顯微分析技術(shù)。SEM成像原理與TEM完全不同，不用電磁透鏡放大成像3、簡述單軸應(yīng)力測試原理（10）假如，右圖試樣鍛面積為&在鈿向施加 拉力人其長度將由受力前的L口變?yōu)長/所 產(chǎn)生的應(yīng)變?yōu)椋?#163;冷（L 廠 LJ /Lq根據(jù)龐克定律，具彈性應(yīng)力口七為：b* Esz拉伸過程中，試樣直徑由拉伸前的口座為拉伸后 的徑向應(yīng)變E %和巨丫為，6/斤產(chǎn)U）廠R）/2此時，試樣各晶粒中與軸向平行晶面的面間 距d也相應(yīng)變小，如右圖示，因

16、此，可用品 面間距的相對變化表示福向應(yīng)變：對各向同性材料，F(xiàn) j E?和、之間滿足：一£產(chǎn)一名產(chǎn)V £z于是有：對布拉格方程微分，可得XdI d = cot" AH若無應(yīng)力狀態(tài)下fHKL）面時應(yīng)的衍射曲 為A*有拉力狀態(tài)下的衍射禽為9，將上 式代入虎克定律.則病Etr= 一 cot 仇' A"L I）上式為測定單軸應(yīng)力的建本公式上逑分析襄明：* ,*1）當試樣中存在宏現(xiàn)應(yīng)力時，會使衍射歧產(chǎn)生位移，可 通過測員衍射攜位暮測定宏觀內(nèi)應(yīng)為:2） X-射線測過宏觀內(nèi)應(yīng)力主要是測量殘余應(yīng)變.宏觀內(nèi) 應(yīng)力通過虎克定律計算獲得.平面應(yīng)力測試原理根據(jù)理性力學(xué)理論

17、，主應(yīng)力和主應(yīng)變之間的 關(guān)系過過廣義虎克定律描述：/=于1漢仃|+仃JJ jtI在主應(yīng)力坐標系中，任一方向的正應(yīng)力（或正應(yīng)受）與主應(yīng)力（或 主應(yīng)變）之間的關(guān)系為；由右可Tt；=«：（7.+t2 JtT.-H? ；t7 I6Kr3+露小+U法竄 3 I 金金 J1 J其中，5, % j為口在主應(yīng)力（或主應(yīng)變）空間的方向余弦.臼于乂射娛對力 泅試棒的修 應(yīng)力分布近似C 產(chǎn) G . ?！昂虴 ”之苒1 +-£在一塊冷軋鋼板中可能存在哪幾種應(yīng)力？它們的衍射譜有什么特點？答：在一塊冷軋鋼板中可能存在三種應(yīng)力，它們是：第一類應(yīng)力是在物體較大圍或許多晶粒圍存在并保持平衡的應(yīng)力。稱之為宏觀

18、應(yīng)力。它能使衍射線產(chǎn)生位移。第二類應(yīng)力是在一個或少數(shù)晶粒圍存在并保持平衡的應(yīng)力。它一般能使衍射峰寬化。第三類應(yīng)力是在若干原子圍存在并保持平衡的應(yīng)力。它能使衍射線減弱。宏觀應(yīng)力對X射線衍射花樣的影響是什么？衍射儀法測定宏觀應(yīng)力的方法有哪些？答：宏觀應(yīng)力對X射線衍射花樣的影響是造成衍射線位移。衍射儀法測定宏觀應(yīng)力的方法有兩種，一種是0。-45法。另一種是sin2法。4、六面體(都是90°) 8個頂角上是a原子，體心是b原子，fa=29, fb=36 ,問結(jié)構(gòu)因子何時為零，屬于何 種晶格類型(10)NaCl晶體為立方晶系，試推導(dǎo)其結(jié)構(gòu)因子FHKL ,并說明NaCl晶體屬于何種點陣類型。已知

19、 NaCl晶體晶胞中離4 個 Na 離子分別位于：0,0,0; 1/2,1/2,0; 1/2,0,1/2; 0,1/2,1/24 個 Cl 離子分別位于:1/2,1/2,1/2; 0,0,1/2; 0,1/2,0; 1/2,0,0解：將八個離子帶入公式=fNni +產(chǎn)田十/+ *伊+m +叼+ /時(2)=+/儂4町+川*町+小E在Fe-C-Al三元合金中生成Fe3CAl化合物，其晶胞中原子占位如(1/2, 0, 1/2), (0, 1/2, 1/2) , C 位于(1/2, 1/2, 1/2)。三種元素對電子的(1)寫出結(jié)構(gòu)因子 FHKL的表達式(用原子散射因子 fAl, fFe, fC表達

20、)； (2)計算電子衍射花樣中，相對衍射強度1001/1002,1011/1002的比值強度)。Scot下：Al 1原子散專(以結(jié)構(gòu)因qj az a ul*sin(e)/X A-1 *解:HKI.X硯+介/""皿9 + £)+二 j5、給出了電子衍射花樣，門，r2, r3,和兩個角度，相機常數(shù)，進行標定（15）單晶電子衍射花樣的標定有哪幾種方法？圖1是某低碳鋼基體鐵素體相的電子衍射花樣， 請以嘗試一校核法為例，說明進行該電子衍射花樣標定的過程與步驟。圖1某低碳鋼基體鐵素體相的電子衍射花樣答：一般，主要有以下幾種方法:1）當已知晶體結(jié)構(gòu)時，有根據(jù)面間距和面夾角的嘗試

21、校核法；根據(jù)衍射斑點的矢徑比值或N值序列的R2比值法2）未知晶體結(jié)構(gòu)時，可根據(jù)系列衍射斑點計算的面間距來查JCPDS （PDF）卡片的方法。3）標準花樣對照法4）根據(jù)衍射斑點特征平行四邊形的查表方法過程與步驟：R1 , R2, R3, R4 ?(見圖)（1）測量靠近中心斑點的幾個衍射斑點至中心斑點距離（2）根據(jù)衍射基本公式L1 d求出相應(yīng)的晶面間距 d1, d2, d3, d4 ?（3）因為晶體結(jié)構(gòu)是已知的，某一 d值即為該晶體某一晶面族的晶面間距，故可根據(jù)d值定出相應(yīng)的晶面族指數(shù)和鼎俏前癡新端翻1杼麻d2查出h2k212,依次類推。1.試-核算（校核）法1)量靠近中心斑點的幾個衍射 點至中心

22、斑點距離 R, R2,，R4 ?（見圖）2)據(jù)衍射基本公式圖10-19 單晶電子衍射(4)以3端最近d射斑d的臀。若d 1 do Qr,?花樣的標定R1最短，則相應(yīng)斑點的指數(shù)應(yīng)為（例如 112）,就有24種標法;h1k111面族中的一個。兩個指數(shù)相等、另一指數(shù)為。的晶面族（例如110）有12種標法;為晶體結(jié)構(gòu)感可卻躺t面超頂J 1d僮歹第崛知!體；某一晶面族晶面酈I數(shù)隙叫棍蝙族R偏福也用周勝麟面郴搟以是等價晶面中的任意一個。 黨決&由個d片膈h1k1l 1,由d2查出h 2k2l 2，依次類第二個斑點的指數(shù)不能任選，因為它和第1個斑點之間的夾角必須符合夾角公式。對立方晶系而言，夾角公式

23、為cosh1h2k1k2l 1l2hik1222l1 , h2決定了兩個斑點后，其它斑點可以根據(jù)矢量運算求得R3 R R27）決定了兩個斑點后，其它斑點可以根據(jù)矢量運算求得R3 R1 R即 h3= h 1 + h2ko = k 1 + k?噂 h3 = hl + h2L3 = L1+ L32= k1 + k2L3 = L1 + L28）根據(jù)晶崛|簿想囹|魁袖冊觥檄則,向麗側(cè)腦據(jù)uvw gh1kll1 gh2k2iuvw gh1k1l1 gh2k2l2面心立方晶體單晶電子衍射花樣如圖所示，測得：R1=10.0mm;R2=16.3mm;R3=19.2mm夾角關(guān)系見圖。求：（1）先用R2比法標定所有

24、衍射斑點指數(shù)，并求出晶帶軸指數(shù)uvw;（2）若L =20.0mm?,求此晶體的點陣參數(shù) a=?解：（1） R12: R22:R32=100: 265.7: 368.6=3:8:11(H1 K1 L 1)=(1 1 1) (H2 K2 L2) =(0 2 -2) (H3 K3 L3)= (1 1 1)+ (0 2 -2) =(1 3 -1)晶帶軸方向為(-2 1 1)q =社 ,_ la _ *(2)根據(jù)Rdhkl=L入1/朧+珠川一“網(wǎng)所以口11=M一，凹=匹肌*弗所以a=3.5?下圖為18Cr2N4WA羥900c油淬400c回火后在透射電鏡下攝得的滲碳體選區(qū)電子衍射花樣示意圖, 數(shù)斑點進行標

25、定。請對其指得 d1=0.209nm, d2=0.205nm,R1=9.8mm, R2=10.0mm, =95° , L 入=2.05 mr?nm丘上1解：由R L - d查表得：（h1k1l。為（-1-2 1 ）（h2k2l 2）為（2 -1 0 ）又R < R2,可確定最近的衍射斑點指數(shù)為（h 1k1l 1）即（-1 -2 1 ）由cos幾卜2 k1k2 l1l2222222h 1 k 1 l 1)(h 2 k 2 l 2),且匚|二95,得第二個斑點指數(shù)為（2 -1 0 ）,或（-2 1 0 ）,又由R1+R2=R3 得h3=h1+h2 , k3=k1+k2 , L3=L

26、1+L2得 第三個斑點指數(shù)為，（1-3 1 ）或（-1 3 1 ）當?shù)谝粋€衍射斑點指數(shù)為（1 2 1 ）時同理可求得相應(yīng)的斑點指數(shù)為（3 1 1 ）或（-1 3 1 ）,標定如下圖-Fe單晶（體心立方，點陣常數(shù)a=2.86?）的選區(qū)電子衍射花樣如圖所示。已測得A、B、C三個衍射斑點距透射斑點。的距離為:RA=10.0mm,RB=24.5mm,RC=26.5mmAOB= 90 。試求：（1）標定圖中所有斑點的指數(shù)；（2）求出晶帶軸指數(shù)uvw;（3）計算相機常數(shù)L =?解：（1） R2: R2:R32=100: 600: 702=2:12:14(Hi Ki L 1)=(1 1 0) (H2 K2

27、L 2) =(2 -2 2) (H 3 K3 L 3)= (1 1 0)+ (2 -2 2) =(3 -1 2)(2)晶帶軸指數(shù)uvw=1 -1 -2,L =Rd110=10*2.0 =20.0 mm ?10)6、SEM和面分析的襯度來源（有具體的圖，但知識點是這個,表面形貌襯度和原子序數(shù)襯度各有什么特點？答：表面形貌襯度是由于試樣表面形貌差別而形成的襯度。利用對試樣表面形貌變化敏感的物理信號調(diào)制成像， 可以得到形貌襯度圖像。形貌襯度的形成是由于某些信號，如二次電子、背散射電子等，其強度是試樣表面傾角 的函數(shù)，而試樣表面微區(qū)形貌差別實際上就是各微區(qū)表面相對于入射電子束的傾角不同，因此電子束在試

28、樣上掃 描時任何兩點的形貌差別，表現(xiàn)為信號強度的差別，從而在圖像中形成顯示形貌的襯度。二次電子像的襯度是最 典型的形貌襯度。由于二次電子信號主要來自樣品表層5-10nm深度圍，它的強度與原子序數(shù)沒有明確的關(guān)系，而僅對微區(qū)刻面相對于入射電子束的位向十分敏感，且二次電子像分辨率比較高，所以特別適用于顯示形貌襯度。原子序數(shù)襯度是由于試樣表面物質(zhì)原子序數(shù)（或化學(xué)成分）差別而形成的襯度。利用對試樣表面原子序數(shù)（或化學(xué)成分）變化敏感的物理信號作為顯像管的調(diào)制信號，可以得到原子序數(shù)襯度圖像。背散射電子像、吸收電子 像的襯度都含有原子序數(shù)襯度，而特征X射線像的襯度就是原子序數(shù)襯度。粗糙表面的原子序數(shù)襯度往往被

29、形貌襯度所掩蓋，為此，對于顯示原子序數(shù)襯度的樣品，應(yīng)進行磨平和拋光，但不能浸蝕。面分析：電子束在樣品表面作光柵掃描，將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元素特征 X射線信號（波長或能量）的位置，此時，在熒光屏上得到該元素的面分布圖像。改變位置可得到另一元素的濃度分布情況。也是用X射線調(diào)制圖像的方法。二次電子像和背散射電子像在顯示表面形貌襯度時有何相同與不同之處？說明二次電子像襯度形成原理。答：二次電子像：1）凸出的尖棱，小粒子以及比較陡的斜面處SE產(chǎn)額較多，在熒光屏上這部分的亮度較大。2）平面上的SE產(chǎn)額較小，亮度較低。3）在深的凹槽底部盡管能產(chǎn)生較多二次電子,5.55.5.1背散射電子像、i

30、f M唱現(xiàn)招1步制#呱分辨率遠比 2）1鼬球像螂底軌跡逸出樣品表面,使其不易被控制到，因此相應(yīng)襯度也較暗。SE像低。對于背向檢測器的樣品表面，因檢測器無法收集到BE而變成一片陰影,示,BE形貌分析效果遠不及 SE,故一般招萼主H能拗哪髀將都夠就念華去納10而范嗣F分析。因此，、不用BE信號。夙嚶樸子像襯度形成原理:成糠痢i期額蹴微格表稀觀微便裘赫的份就跟物耀崛。隨圖珊盛與城搠搦裹葡法級髀魚增:缺電次電額增額增大。因為電子束穿入樣品激發(fā)二次電子的有效深度增加了，使表面5-10 nm作用體積逸出表面的二次電子數(shù)量增多。四、1、給出XRD分析后的d和I/Ii以及三PDF,要求寫出各個衍射峰屬于何種物質(zhì)，并簡明寫出鑒定過程(15)鑒定過程：1) 從衍射圖中選取強度最大的三根衍射線， 并使其的 d 值按強度遞減的順序排列， 即 d1,d2,d3 ，又將其余 線條之值按強度遞減順序列于三強線之后。2) 在 Hanawalt 索引中找到 d1 所在的面間距組3) 按次