摸電各章自測(cè)題試題3卷及答案

1、模擬電子技術(shù)試題（3 卷）適用于：2004 級(jí)（本）科電氣工程及其自動(dòng)化專業(yè)一、填空題（每空 1 分，共 20 分）1、如果按結(jié)構(gòu)分類，二極管可分為型和型兩種類型。2、BJT 工作在截止區(qū)時(shí)，其發(fā)射結(jié)處于偏置，集電結(jié)處于偏置。3、電壓射極輸出器的輸出電阻 R0 的值越好。4、為消除乙類功放的交越失真，給 BJT 發(fā)射結(jié)加一定的偏壓，使 Q 點(diǎn)上移，擺脫 電壓的影響。這時(shí)，電路工作在狀態(tài)。5、互補(bǔ)對(duì)稱功放采用類型的兩個(gè) BJT 組成推挽輸出器，在輸入交流信號(hào)作用下，兩管工作，為使輸出電壓波形對(duì)稱，要求兩管的性能。6、雙端輸出差動(dòng)放大器在電路完全對(duì)稱時(shí)，其共模增益為，共模抑制比為。7、運(yùn)算放大器的

2、輸出電阻越小，它帶負(fù)載的能力，如果是恒壓源，帶負(fù)載的能力。8、深度負(fù)反饋是指，負(fù)反饋深度等于。9、正弦波振蕩器主要由電路、電路和電路三部分組成。二、題（每小題 1 分，共 10 分）1、PN 結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正負(fù)離子形成的，因而它的電阻率很高。（）2、集電結(jié)處于正偏的 BJT，它一定工作在飽和區(qū)。（）3、BJT 的 b 值越大，放大能力越強(qiáng)，但在選用 BJT 時(shí)，并不是 b 值越大越好。（）4、集電極電阻 RC 的作用是將集電極電流的變化轉(zhuǎn)換成電壓的變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。因此，RC 的值越大，輸出電壓越高。（）5、只要將晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在 BJT 特性曲線的線性放大區(qū)，則不論輸入

3、什么信號(hào)，都產(chǎn)生非線性失真。（）6、分壓偏置電路的發(fā)射極電阻 Re 越大，工作點(diǎn)穩(wěn)定性越好。但 Re 過(guò)大，會(huì)使 BJT 的 VCE減小，影響放大器的正常工作。（）7、射極輸出器的輸入電流是 IB，輸出電流是 IE，因此，具有較高的電流放大倍數(shù)。（）8、在 OTL 功放電路中，輸出耦合電容的主要作用是“隔直”，防止直流經(jīng)負(fù)載短路。（ ）9、在運(yùn)放電路中，閉環(huán)增益 AF 是指電流放大倍數(shù)。（）10、只要滿足 AF=1， j a +j f =2n p 這兩個(gè)條件，就可以產(chǎn)生正弦波振蕩。三、選擇題（每小題 1 分，共 10 分）1、PN 結(jié)在外加正向電壓的作用下，擴(kuò)散電流（）漂移電流。a.大于b.

4、小于c. 等于2、當(dāng)環(huán)境溫度降低時(shí)，二極管的反向電流（）a.不變b. 增大c.減小3、測(cè)得 BJT 各極對(duì)地電壓為 VB=4V，VC=36V，VE=34V，則該 BJT 工作在（ ）狀態(tài)。a.截止b.飽和c.放大4、NPN 管工作在放大區(qū)時(shí)，三個(gè)極的電位特征是（）。a.VCVBVEb.VCVBVEc.VEVBVCd.VEVBVC5、為了減小輸出電阻，集成運(yùn)放的輸出級(jí)多采用（）電路。a.共射或共源b.差分放大c.互補(bǔ)對(duì)稱6、運(yùn)放的共模抑制比越大越好，因?yàn)樗酱?，表明運(yùn)放的（）a.放大倍數(shù)越穩(wěn)定b.交流放大倍數(shù)越大c.抑制溫漂能力越強(qiáng)）負(fù)反饋。7、希望接上負(fù)載 RL 后，VO 基本不變，應(yīng)引入（a

5、.電壓b.直流c.串聯(lián)d.并聯(lián)8、要求得到一個(gè)由電流的電壓源，應(yīng)引入（）負(fù)反饋。d.電流并聯(lián)a.電壓串聯(lián)b.電壓并聯(lián)c.電流串聯(lián)9、某放大電路，當(dāng)輸入電壓為 10mV 時(shí)，輸出電壓為 7V，輸入電壓為 15mV 時(shí)，輸出電壓為 6.5V，則AV=（）c.-100a.700b.10010、某BJT 的 IE=1mA，IB=20 m A，則 IC=（）mAa.0.98b.1.02c.0.8d.1.2四、計(jì)算題（共 60 分）1.電路如圖 1 所示，已知 BJT 的=100，VBE= -0.7V。畫出簡(jiǎn)化小信號(hào)等效電路；試計(jì)算該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)、電壓增益 AV、輸入電阻 Ri 和輸出電阻 RO.（1

6、5 分）圖 1圖 22. 源極輸出器電路如圖 2 所示，已知 FET 工作點(diǎn)上的互導(dǎo) gm =0.9mS,試求電壓增益 AV、輸入電阻 Ri 和輸出電阻 RO 。（10 分）3. 電路如圖 3 所示，JFET 的 gm =2mS，Rds=20K。試求雙端輸出時(shí)的差模電壓增益 AVD 的值；若電路改為單端輸出時(shí)，試求 AVD1、AVC1 和 KCMR 的值。（15 分）圖 34.電路如圖 4 所示，設(shè)運(yùn)放是理想的，試求O 的值。（10 分）圖 4圖 55.同相輸入加法電路如圖 5 所示，設(shè)運(yùn)放是理想的，試求O 的值。當(dāng) R1=R2=R3=Rf 時(shí),0=?（10 分）模擬電子技術(shù)試題（3 卷）（2

7、003 級(jí)電氣工程及其自動(dòng)化本科） 一、填空題（每空 1 分，共 20 分）1.點(diǎn)接觸，面接觸； 2.反向，反向； 3.小越好； 4.正向，死區(qū)（門坎），甲乙類；5.不同，輪流，相同； 6.0， ； 7.越強(qiáng)，最強(qiáng)；8.1+AF>>1，1+AF；9.放大，選頻，正反饋二、題（每小題 1 分，共 10 分）110.×××××三、選擇題（每小題 1 分，共 10 分）110.acbaccabca四、計(jì)算題（60 分）1.(15 分) 解：小信號(hào)等效電路如圖 3.4.4(b)所示：- V=CC+ 12= 40mA=Q 點(diǎn)：IB300 &#

8、180;103RbI C = bIb = 100 ´ 40mA = 4 mAV CE =V CC I C RCVCE = -12 + 4 ´ 2 = -4V26(mV)» 200+101 ´ 26 = 856.5W 4r= r+ (1 + b )bebb'I(mA)Eb (R / R )2 / 4 ´103= 100 ´= -155.67增益：AV=CL rbe856.5輸入電阻：R i = Rb / rbe » rbe = 856.5W輸出電阻：R o = RC = 2kW0.9 ´12gm R= 0.9

9、22.（10 分）解： AV1 + gR1 + 0.9 ´12mRi = Rg 3 + Rg1 / Rg 2 = 2000 + 300 /100 = 2075kW11R = R /= 12 /= 1.02kWOg0.9m3.（15 分）解：雙入雙出時(shí)= uO1 -uO2= -g (R / r) = -2 ´10-3 ´ 10 ´ 20 ´103 = -13.33AVDumdDS10 + 20id1=AVD = -6.67 2AVD1雙入單出時(shí)uiC= ugS + g.2RS共模輸入電壓-=.Rdg共模輸出電壓OC= uOCgm Rd共模增益A= - VC1u1 + g .2iCmAVD1|= 6.67 = 13.7共模抑制比K=|CMRA0.49VC1u=4.（10 分）解：u=30u p3=V3 = 15 + 30 ´ 3 = 2由虛斷RR45uO1 - u N 3uO 2 -u N 3u N3 -uO+=而R1R2R3- u111u= R (+)uO3N 3RRR312uu= 30 ´( 1 + 1 )