第12章雙極晶體管講述

1、第十二章第十二章 雙極晶體管雙極晶體管20152015年年1212月月4 4日日第第1010章雙極晶體管章雙極晶體管n10.110.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理n10.210.2少子的分布少子的分布n10.310.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益n10.410.4非理想效應(yīng)非理想效應(yīng)n10.510.5等效電路模型等效電路模型n10.610.6頻率上限頻率上限n10.710.7大信號(hào)開(kāi)關(guān)大信號(hào)開(kāi)關(guān) 雙極雙極ICIC中，中，npnnpn型管的特性優(yōu)于型管的特性優(yōu)于pnppnp型管。型管。2 2晶體管概況晶體管概況n晶體管是多晶體管是多功能的半導(dǎo)體器件功能的半導(dǎo)體器件，能過(guò)和其他

2、電子無(wú)件的互連，能過(guò)和其他電子無(wú)件的互連，可以用來(lái)放大電流、放大電壓和放大功率；，可以用來(lái)放大電流、放大電壓和放大功率；n晶體管是晶體管是有源器件有源器件，二極管是無(wú)源器件，二極管是無(wú)源器件; ;n晶體管的晶體管的基本工作原理基本工作原理：在器件的兩個(gè)端點(diǎn)之間施加電壓，：在器件的兩個(gè)端點(diǎn)之間施加電壓，從而控制第三端的電流從而控制第三端的電流; ;n晶體管晶體管類型有三種類型有三種：雙極晶體管：雙極晶體管(BJT)(BJT)、金屬、金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)(MOSFET)和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)(JFET)。雙極晶體管（雙極

3、晶體管（BJTBJT）n雙極晶體管器件中包含雙極晶體管器件中包含電子和空穴兩種極性不同的電子和空穴兩種極性不同的載流子；載流子；n雙極晶體管中雙極晶體管中少子的分布少子的分布是器件物理的重要部分是器件物理的重要部分少子濃度梯度產(chǎn)生擴(kuò)散電流少子濃度梯度產(chǎn)生擴(kuò)散電流；n雙極晶體管是一個(gè)雙極晶體管是一個(gè)電壓控制電流源電壓控制電流源。12.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理n結(jié)構(gòu)和符號(hào)結(jié)構(gòu)和符號(hào)三個(gè)區(qū)域、三個(gè)電極、二個(gè)三個(gè)區(qū)域、三個(gè)電極、二個(gè)pnpn結(jié)結(jié)5 51 1、相對(duì)于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度，、相對(duì)于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度，基區(qū)的寬度很小基區(qū)的寬度很小；2 2、（、（+）號(hào)）號(hào)表是表是非常重?fù)诫s非常重

4、摻雜，（+ +）表是表是中等程度摻雜中等程度摻雜；3 3、發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)摻雜濃度最摻雜濃度最高高，集電區(qū)集電區(qū)摻雜濃度最摻雜濃度最低低。4 4、Emitter(Emitter(發(fā)射極發(fā)射極), Base(), Base(基極基極), Collector(), Collector(集電極集電極) )箭號(hào)表是電流方向箭號(hào)表是電流方向12.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理n剖面圖剖面圖6 612.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理I IE EI IC CI IB B V VEC EC V VCBCBV VBEBEI IE E=I=IC C+I+IB BV VECEC=

5、V=VEBEB+V+VBCBC=-V=-VBEBE-V-VCBCBn四種工作模式四種工作模式V VBEBE、V VCBCB 正反、反反、反正、正正正反、反反、反正、正正正向有源（正向有源（放大）放大）截止截止反向有源反向有源飽和飽和7 7三極管的三種連接方式三極管的三種連接方式n三極管在電路中的連接方式有三種：三極管在電路中的連接方式有三種： 共基極接法；共基極接法； 共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法， 共集電極接法。共集電極接法。n共什么極是指電路的輸入端及輸出端以這個(gè)極作為公共什么極是指電路的輸入端及輸出端以這個(gè)極作為公共端。共端。n必須注意，無(wú)論那種接法，為了使三極管具有正常的必須注意，無(wú)論那種

6、接法，為了使三極管具有正常的電流放大作用，都必須外加大小和極性適當(dāng)?shù)碾妷?。電流放大作用，都必須外加大小和極性適當(dāng)?shù)碾妷骸＜幢仨毥o即必須給發(fā)射結(jié)加正向偏置電壓發(fā)射結(jié)加正向偏置電壓，發(fā)射區(qū)才能起到向，發(fā)射區(qū)才能起到向基區(qū)注入載流子的作用；基區(qū)注入載流子的作用；n必須給必須給集電結(jié)加反向偏置電壓集電結(jié)加反向偏置電壓（一般幾幾十伏），（一般幾幾十伏），在集電結(jié)才能形成較強(qiáng)的電場(chǎng)，才能把發(fā)射區(qū)注入基在集電結(jié)才能形成較強(qiáng)的電場(chǎng)，才能把發(fā)射區(qū)注入基區(qū)，并擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣的載流子拉入集電區(qū)，使集區(qū)，并擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣的載流子拉入集電區(qū)，使集電區(qū)起到收集載流子的作用。電區(qū)起到收集載流子的作用。8 812.112

7、.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理 基本工作原理基本工作原理n雜質(zhì)濃度雜質(zhì)濃度9 9回顧回顧8.1 pn8.1 pn結(jié)電流結(jié)電流定性描述定性描述1010正向有源模式正向有源模式1111虛實(shí)線表示虛實(shí)線表示的意義的意義12.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理n截面圖：注入和收集截面圖：注入和收集121212.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理12.1.212.1.2晶體管電流的簡(jiǎn)化表達(dá)式晶體管電流的簡(jiǎn)化表達(dá)式n簡(jiǎn)化電流簡(jiǎn)化電流1Ei2Ei復(fù)合電流復(fù)合電流正偏電流正偏電流空穴空穴(B-E)(B-E)電子電子(E-B)(E-B)1Ei131312.112.1

8、雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理n集電極電流集電極電流擴(kuò)散電流擴(kuò)散電流A ABEBE為為B-EB-E結(jié)橫截面積；結(jié)橫截面積；n nB0B0為基區(qū)內(nèi)熱平衡電子濃度；為基區(qū)內(nèi)熱平衡電子濃度；V Vt t為熱電壓。為熱電壓。只考慮大?。褐豢紤]大?。?414集電極電流由基極和發(fā)射極之間的電壓控制，即器件一端的集電極電流由基極和發(fā)射極之間的電壓控制，即器件一端的電流由加到另外兩端的電壓控制。電流由加到另外兩端的電壓控制。12.112.1雙極晶體管的雙極晶體管的工作原理工作原理n發(fā)射極電流發(fā)射極電流I IC C、I IE E均正比于均正比于V VBEBE/V/Vt t，因此電流之比，因此電流之比為

9、常數(shù)。為常數(shù)。共基極電流增益共基極電流增益1111612.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理 12.1.312.1.3工作模式工作模式n工作模式工作模式當(dāng)當(dāng)V VBEBE0 0，B-CB-C結(jié)反偏，結(jié)反偏，I IC C=0=0，晶體管處于，晶體管處于截止區(qū)截止區(qū)當(dāng)基極電流變化時(shí)，集電極電流沒(méi)有變化，處于當(dāng)基極電流變化時(shí)，集電極電流沒(méi)有變化，處于飽和區(qū)飽和區(qū)當(dāng)當(dāng)I IC C= =I IB B時(shí)，晶體管處于時(shí)，晶體管處于正向有源區(qū)正向有源區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)171712.112.1雙極晶體管的工作原理雙極晶體管的工作原理 12.1.412.1.4放大電路放大電路n

10、共射放大電路共射放大電路n放大電路波形放大電路波形181812.2 12.2 少子的分布少子的分布1919晶體管中的電流是由少子的擴(kuò)散決定的，少子的擴(kuò)散是由少子的梯度產(chǎn)生晶體管中的電流是由少子的擴(kuò)散決定的，少子的擴(kuò)散是由少子的梯度產(chǎn)生，因而計(jì)算晶體管中的電流，須確定晶體管中三個(gè)區(qū)中少子的分布。，因而計(jì)算晶體管中的電流，須確定晶體管中三個(gè)區(qū)中少子的分布。12.212.2少子的分布少子的分布 12.2.112.2.1正向有源模式正向有源模式2020 單獨(dú)考慮發(fā)射區(qū)單獨(dú)考慮發(fā)射區(qū)x、基區(qū)、基區(qū)x 、或集電區(qū)時(shí)、或集電區(qū)時(shí)xx，把起始點(diǎn)移到空把起始點(diǎn)移到空間電荷區(qū)的邊界。間電荷區(qū)的邊界。假定：發(fā)射區(qū)和

11、集電區(qū)比較長(zhǎng)，基區(qū)相對(duì)于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度則較窄。假定：發(fā)射區(qū)和集電區(qū)比較長(zhǎng)，基區(qū)相對(duì)于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度則較窄。12.212.2少子的分布少子的分布 12.2.112.2.1正向有源模式正向有源模式n非平衡少子的濃度非平衡少子的濃度21發(fā)射區(qū)：發(fā)射區(qū)：基基 區(qū)：區(qū)：集電區(qū)：集電區(qū)：假定：假定：發(fā)射區(qū)和集電區(qū)比發(fā)射區(qū)和集電區(qū)比較長(zhǎng)，基區(qū)相對(duì)于少子擴(kuò)較長(zhǎng)，基區(qū)相對(duì)于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度則較窄。散長(zhǎng)度則較窄。12.212.2少子的分布少子的分布 12.2.212.2.222正向有源正向有源（放大）（放大）截止截止反向有源反向有源飽和飽和n其他工作模式：截止和飽和時(shí)的少子分布其他工作模式：截止和飽和時(shí)的少子分布每個(gè)空間

12、電荷區(qū)的邊每個(gè)空間電荷區(qū)的邊界，少子濃度為零。界，少子濃度為零。每個(gè)空間電荷區(qū)的邊界存在過(guò)每個(gè)空間電荷區(qū)的邊界存在過(guò)剩少子，集電極存在電流。剩少子，集電極存在電流。12.212.2少子的分布少子的分布 12.2.212.2.2n其他工作模式：反向有源區(qū)其他工作模式：反向有源區(qū)2323B-CB-C結(jié)面積比結(jié)面積比B-EB-E結(jié)面積大得多，因此不是所有電子都能被子發(fā)射極收集結(jié)面積大得多，因此不是所有電子都能被子發(fā)射極收集。因而正向有源模式和反向有源模式的特性有很大不同。因而正向有源模式和反向有源模式的特性有很大不同。12.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益集電極電流與發(fā)射極電流之比集電

13、極電流與發(fā)射極電流之比n電流成分電流成分-粒子流粒子流正偏電子流正偏電子流反向飽電流反向飽電流正偏復(fù)合電流正偏復(fù)合電流反偏產(chǎn)生電流反偏產(chǎn)生電流正偏空穴流正偏空穴流基區(qū)復(fù)合電流基區(qū)復(fù)合電流242412.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益n電流成分電流成分2525電流電流J JRBRB，J JPEPE和和J JR R僅僅是是B-EB-E結(jié)電流，對(duì)結(jié)電流，對(duì)集電極電流沒(méi)有貢集電極電流沒(méi)有貢獻(xiàn)；獻(xiàn)；電流電流J Jpcopco，J JG G僅是僅是B-CB-C結(jié)電流；結(jié)電流；這些電流對(duì)電流增這些電流對(duì)電流增益沒(méi)有貢獻(xiàn)。益沒(méi)有貢獻(xiàn)。12.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益n直流共基

14、極電流增益直流共基極電流增益：若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)橫截面積一樣若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)橫截面積一樣，則有：，則有：小信號(hào)共基極電流增益小信號(hào)共基極電流增益定義：定義：J JG G，J Jpc0pc0僅是僅是B-CB-C結(jié)電流，不是結(jié)電流，不是J JE E的函數(shù)的函數(shù)發(fā)射極注入效發(fā)射極注入效率系數(shù)率系數(shù)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)復(fù)合系數(shù)復(fù)合系數(shù)262712.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益 12.3.212.3.2nEnEpEJJJ發(fā)射極注入效率系數(shù)發(fā)射極注入效率系數(shù)00()()EpEExBnEBxdpxJeDdxdnxJeDdx 001tanh(/)1tanh(/)EEBBBBBEEEpD L

15、xLn D LxL11BEBEBENDxNDx/B EBBEEVk TexLxL 為使為使1 1對(duì)各對(duì)各參數(shù)應(yīng)如何要參數(shù)應(yīng)如何要求？求？2812.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益nCTnEJJ基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)0()()BBnCBxxBnEBxdnxJeDdxdnxJeDdx 2111(/)cosh(/)2TBBBBxLxL/B EBBVk TexL 泰 勒 級(jí) 數(shù) 展 開(kāi)為使為使1 1對(duì)各對(duì)各參數(shù)應(yīng)如何要參數(shù)應(yīng)如何要求？求？2912.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益nEpEnEnERpEnERJJJJJJJJ復(fù)合系數(shù)復(fù)合系數(shù)0000exp()2exp()ta

16、nh(/)BERrBBBEnEssBBBeVJJkTeD neVJJJkTLxL0011exp()2rBEsJeVJkT復(fù)合系數(shù)是復(fù)合系數(shù)是B-EB-E結(jié)電壓的函數(shù)，隨結(jié)電壓的函數(shù)，隨B-EB-E結(jié)電壓的增加，復(fù)合電流所占結(jié)電壓的增加，復(fù)合電流所占的比例更小，復(fù)合系數(shù)接近于的比例更小，復(fù)合系數(shù)接近于1 1。12.312.3低頻共基極電流增益低頻共基極電流增益 12.3.312.3.3共發(fā)射極電流增益共發(fā)射極電流增益CBII共基極電流增益共基極電流增益CEIIEBCIII30輸出與輸入的比值輸出與輸入的比值對(duì)直流分析和小信對(duì)直流分析和小信號(hào)均成立號(hào)均成立是增函數(shù)？是增函數(shù)？3112.412.4

17、非理想效應(yīng)非理想效應(yīng)n基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：厄爾利（基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：厄爾利（EarlyEarly厄利）效應(yīng)厄利）效應(yīng)32 隨隨B-CB-C結(jié)反偏電壓的增加，結(jié)反偏電壓的增加，B-CB-C結(jié)空間電荷區(qū)寬度增加，基區(qū)寬度減小，使結(jié)空間電荷區(qū)寬度增加，基區(qū)寬度減小，使得少子濃度梯度增加，這種效應(yīng)稱為得少子濃度梯度增加，這種效應(yīng)稱為基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)（基區(qū)寬變效應(yīng)）。基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)（基區(qū)寬變效應(yīng)）。12.4 12.4 非理想效應(yīng)非理想效應(yīng)n基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)EarlyEarly電壓典型值在電壓典型值在100-300V100-300V之間。之間。0CCCECEAdIIgdVVV33厄利電壓：

18、厄利電壓：集電極電流特性曲線反向延長(zhǎng)線使集電極電流為零，則曲集電極電流特性曲線反向延長(zhǎng)線使集電極電流為零，則曲線與電壓軸相交于一點(diǎn)，該點(diǎn)定義為厄利電壓。線與電壓軸相交于一點(diǎn)，該點(diǎn)定義為厄利電壓。g g0 0為輸出電導(dǎo)。為輸出電導(dǎo)。P P365365例例12.512.512.4 12.4 非理想效應(yīng)非理想效應(yīng)n基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)基區(qū)寬度的減小，導(dǎo)致如下系數(shù)的增大：基區(qū)寬度的減小，導(dǎo)致如下系數(shù)的增大：12.412.4非理想效應(yīng)非理想效應(yīng) 12.4.212.4.2n大注入效應(yīng)大注入效應(yīng)35隨隨V VBEBE的增加，注入的少子濃的增加，注入的少子濃度開(kāi)始接近，甚至變得比多度開(kāi)始接近，甚至

19、變得比多子濃度還要大。子濃度還要大。12. 412. 4非理想效應(yīng)非理想效應(yīng)n大注入效應(yīng)一：大注入效應(yīng)一：發(fā)射極注入效率降低，發(fā)射極注入效率降低，J JpEpE增加；增加；n大注入效應(yīng)二：大注入效應(yīng)二：集電極電流增速變?。患姌O電流增速變?。?6與與pnpn結(jié)二極管中的串結(jié)二極管中的串聯(lián)電阻類似。聯(lián)電阻類似。12. 412. 4非理想效應(yīng)非理想效應(yīng) 12.4.312.4.3發(fā)射區(qū)禁帶變窄發(fā)射區(qū)禁帶變窄n發(fā)射區(qū)禁帶變窄發(fā)射區(qū)禁帶變窄發(fā)射區(qū)熱平衡少子濃度發(fā)射區(qū)熱平衡少子濃度P P0 0增加增加發(fā)射區(qū)注入效率降低發(fā)射區(qū)注入效率降低 發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高時(shí)發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高時(shí)，由于禁帶變窄效應(yīng)，由于禁帶

20、變窄效應(yīng)，會(huì)使會(huì)使電流增益比理想狀況下小。電流增益比理想狀況下小。37kTENnNnPgEiEiEEexp220)/tanh()/tanh(1100EEBBEBBBEELxLxLDnLDP12.412.4非理想效應(yīng)非理想效應(yīng) 12.4.412.4.4電流集邊效應(yīng)電流集邊效應(yīng)n電流集邊效應(yīng)電流集邊效應(yīng)：導(dǎo)致局部過(guò)熱或局部大注入：導(dǎo)致局部過(guò)熱或局部大注入38 電勢(shì)從發(fā)射極邊緣向中心減小，有較多的電子從發(fā)射極邊緣注入，從而使發(fā)射極電勢(shì)從發(fā)射極邊緣向中心減小，有較多的電子從發(fā)射極邊緣注入，從而使發(fā)射極電流集中在邊緣；發(fā)射區(qū)邊緣的電流密度較大，會(huì)導(dǎo)致局部過(guò)熱，也會(huì)導(dǎo)致局部的大電流集中在邊緣；發(fā)射區(qū)邊緣的

21、電流密度較大，會(huì)導(dǎo)致局部過(guò)熱，也會(huì)導(dǎo)致局部的大注入注入。12. 412. 4非理想效應(yīng)非理想效應(yīng) 12.4.512.4.5基區(qū)非均勻摻雜的影響基區(qū)非均勻摻雜的影響n非均勻摻雜：非均勻摻雜：雜質(zhì)濃度梯度導(dǎo)致靜電場(chǎng)，改變少子分布雜質(zhì)濃度梯度導(dǎo)致靜電場(chǎng)，改變少子分布. .39 基區(qū)中非均勻基區(qū)中非均勻摻雜感生出的靜電摻雜感生出的靜電場(chǎng)，會(huì)對(duì)電子在向場(chǎng)，會(huì)對(duì)電子在向集電區(qū)的方向上產(chǎn)集電區(qū)的方向上產(chǎn)生推動(dòng)作用，也即生推動(dòng)作用，也即幫助少子越過(guò)基區(qū)幫助少子越過(guò)基區(qū)。該靜電場(chǎng)稱為。該靜電場(chǎng)稱為加加速場(chǎng)速場(chǎng)。 這使得注入到這使得注入到基區(qū)的電子進(jìn)一步基區(qū)的電子進(jìn)一步加速通過(guò)基區(qū)，降加速通過(guò)基區(qū)，降低了在基區(qū)與

22、空穴低了在基區(qū)與空穴的復(fù)合率，從而比的復(fù)合率，從而比理想情況下，理想情況下，增大增大了電流增益。了電流增益。12.4 12.4 非理想效應(yīng)非理想效應(yīng) 12.4.612.4.6擊穿電壓擊穿電壓n擊穿電壓擊穿電壓：穿通擊穿（距離太近）和雪崩擊穿（較遠(yuǎn)）：穿通擊穿（距離太近）和雪崩擊穿（較遠(yuǎn)）40穿通：穿通：隨反偏隨反偏B-CB-C結(jié)電壓的增加，結(jié)電壓的增加，B-CB-C結(jié)空間電荷區(qū)寬度結(jié)空間電荷區(qū)寬度擴(kuò)展擴(kuò)展到到B B區(qū)中區(qū)中性區(qū)中。性區(qū)中。B-CB-C結(jié)耗盡區(qū)穿透基區(qū)到結(jié)耗盡區(qū)穿透基區(qū)到達(dá)達(dá)B-EB-E結(jié)，即結(jié)，即與發(fā)射結(jié)勢(shì)壘區(qū)相連與發(fā)射結(jié)勢(shì)壘區(qū)相連，這種現(xiàn)象稱為穿通。，這種現(xiàn)象稱為穿通。12.

23、4 12.4 非理想效應(yīng)非理想效應(yīng) 12.4.612.4.6擊穿電壓擊穿電壓211)(2BCBCptbiBdBNNNNeVVWxW WB B為基區(qū)的（冶金）寬度，為基區(qū)的（冶金）寬度，x xdBdB是是B-CB-C結(jié)延伸進(jìn)基區(qū)中的空間電荷區(qū)寬度，結(jié)延伸進(jìn)基區(qū)中的空間電荷區(qū)寬度，若忽略若忽略B-EB-E結(jié)在零偏或正偏時(shí)的空間電荷的寬度，結(jié)在零偏或正偏時(shí)的空間電荷的寬度，則當(dāng)則當(dāng)x xdBdB = W= WB B時(shí)，會(huì)出現(xiàn)穿通：時(shí)，會(huì)出現(xiàn)穿通：V Vptpt是穿通時(shí)是穿通時(shí)B-CB-C結(jié)的反偏電結(jié)的反偏電壓，忽略壓，忽略V Vbibi，得，得: :CBCBBptNNNNeWV)(22414112.

24、512.5等效電路模型等效電路模型n雙極晶體管在電子電路中的應(yīng)用總體可分兩大類：開(kāi)關(guān)器件雙極晶體管在電子電路中的應(yīng)用總體可分兩大類：開(kāi)關(guān)器件和放大器件。和放大器件。n開(kāi)關(guān)：開(kāi)關(guān)：通常是指把一個(gè)晶體管從它的關(guān)態(tài)或是截止態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橥ǔＪ侵赴岩粋€(gè)晶體管從它的關(guān)態(tài)或是截止態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)殚_(kāi)態(tài)，也就是正向有源或是飽合開(kāi)態(tài)，也就是正向有源或是飽合, ,然后再回到截止態(tài)。然后再回到截止態(tài)。n放大：放大：是把正弦信號(hào)疊加在直流之上，只在偏置電壓或電流是把正弦信號(hào)疊加在直流之上，只在偏置電壓或電流附近做微擾。附近做微擾。nE-M(Ebers-Moll)E-M(Ebers-Moll)模型應(yīng)用于模型應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路開(kāi)關(guān)電路中；

25、中； H-P(Hybird-Pi) H-P(Hybird-Pi)模型應(yīng)用于模型應(yīng)用于放大電路放大電路中。中。424212.512.5等效電路模型等效電路模型nE-ME-M模型：模型：兩個(gè)兩個(gè)pnpn結(jié)相互作用，多用于結(jié)相互作用，多用于開(kāi)關(guān)電路開(kāi)關(guān)電路。4343F F是晶體管工作于正向有源區(qū)時(shí)的共基極電流增益；是晶體管工作于正向有源區(qū)時(shí)的共基極電流增益；I IESES是反偏是反偏B-EB-E結(jié)電流；結(jié)電流；I ICSCS是反偏聽(tīng)偏信是反偏聽(tīng)偏信B-CB-C結(jié)電流；結(jié)電流；R R是晶體管工作于反向源區(qū)時(shí)的共基極電流增益。是晶體管工作于反向源區(qū)時(shí)的共基極電流增益。12. 512. 5等效電路模型等效

26、電路模型nH-PH-P模型模型444412. 512. 5等效電路模型等效電路模型nH-PH-P模型模型，多應(yīng)用于，多應(yīng)用于放大電路放大電路。4545集電極電流集電極電流厄爾利效應(yīng)電阻厄爾利效應(yīng)電阻12.612.6頻率上限頻率上限n延時(shí)因子延時(shí)因子4646發(fā)射區(qū)到集電區(qū)的總延時(shí)：發(fā)射區(qū)到集電區(qū)的總延時(shí)： 雙極晶體管是一種雙極晶體管是一種時(shí)間度越時(shí)間度越器件；隨著頻率的增加，度器件；隨著頻率的增加，度越時(shí)間變得可以和輸入信號(hào)的周期差不多，此時(shí)，輸出信號(hào)越時(shí)間變得可以和輸入信號(hào)的周期差不多，此時(shí)，輸出信號(hào)不再和輸入信號(hào)同相，電流增益的幅度將會(huì)下降。不再和輸入信號(hào)同相，電流增益的幅度將會(huì)下降。12.612.6頻率上限頻率上限ffj10截止頻率定義為是低頻共基極電流增益，f0ecf21電流增益是頻率的函數(shù)，電流增益是頻率的函數(shù)，共基極電流增益：共基極電流增益：ff1|1共共發(fā)發(fā)射射極極電電流流增增益益等等于于截截止止頻頻率率時(shí)時(shí)當(dāng)當(dāng)信信號(hào)號(hào)頻頻率率等等于于， ecTf2112.612.6頻率上限頻率上限截止