微原課件第三章

1、第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器第第3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器 3.1 存儲(chǔ)器的概念、分類和要素存儲(chǔ)器的概念、分類和要素 3.2 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（RAM） 3.3 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROM） 3.4 CPU與存儲(chǔ)器的連接與存儲(chǔ)器的連接第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器半導(dǎo)體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器磁介質(zhì)存儲(chǔ)器（外存）磁介質(zhì)存儲(chǔ)器（外存）光存儲(chǔ)器光存儲(chǔ)器雙極型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本雙極型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型計(jì)算機(jī)或高速微機(jī)中；高，一般用于大型計(jì)算機(jī)或高速微機(jī)中；MOS型型掩膜掩膜ROM 一次性可編程一次性可編程PROM紫外線可擦除紫外線可擦除E

2、PROM 電可擦除電可擦除E2PROM 可編程只讀存儲(chǔ)器可編程只讀存儲(chǔ)器FLASH讀寫讀寫存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器RAM只讀只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器ROM（按讀寫（按讀寫功能分類功能分類)（內(nèi)存）（內(nèi)存）（按器件（按器件原理分類）原理分類）靜態(tài)靜態(tài)SRAM動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)DRAM： 集成度高但存取速度較低，集成度高但存取速度較低， 一般用于需要較一般用于需要較大大容量的場(chǎng)合。容量的場(chǎng)合。集成集成IRAM：將刷新電路集成在將刷新電路集成在DRAM內(nèi)內(nèi)速度較快，集成度較低，功耗較速度較快，集成度較低，功耗較高，一般用于對(duì)速度要求高、而高，一般用于對(duì)速度要求高、而容量不大的場(chǎng)合。容量不大的場(chǎng)合。(按存儲(chǔ)按存儲(chǔ)原理分類原理分類)

3、按按存存儲(chǔ)儲(chǔ)介介質(zhì)質(zhì)分分類類存儲(chǔ)器的分類及性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的分類及性能指標(biāo)第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器性能指標(biāo)性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的職能就相當(dāng)于計(jì)算機(jī)中各部分的存儲(chǔ)器的職能就相當(dāng)于計(jì)算機(jī)中各部分的“信息交換中信息交換中心心”和和“數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)”。因此存儲(chǔ)器的。因此存儲(chǔ)器的“速度速度”和和“容量容量”便成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的兩項(xiàng)重要指標(biāo)，也是推動(dòng)存儲(chǔ)便成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的兩項(xiàng)重要指標(biāo)，也是推動(dòng)存儲(chǔ)器不斷發(fā)展的兩個(gè)主要因素。器不斷發(fā)展的兩個(gè)主要因素。 1、存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量=單元數(shù)單元數(shù)數(shù)據(jù)位數(shù)數(shù)據(jù)位數(shù) 即字?jǐn)?shù)即字?jǐn)?shù)字長(zhǎng)字長(zhǎng) 通常以通常以KB（210B）、）、MB （220B） 、GB

4、（230B ）、）、TB （240B）為單位。）為單位。 2、存取時(shí)間、存取周期存取時(shí)間、存取周期 存取時(shí)間：存取時(shí)間：CPU訪問(wèn)一次存儲(chǔ)器所需的時(shí)間訪問(wèn)一次存儲(chǔ)器所需的時(shí)間 存取周期：連續(xù)兩次訪問(wèn)存儲(chǔ)器所需最小間隔時(shí)間存取周期：連續(xù)兩次訪問(wèn)存儲(chǔ)器所需最小間隔時(shí)間 3、可靠性可靠性 4、功耗功耗 5、價(jià)格價(jià)格第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量表示與計(jì)算方法存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量表示與計(jì)算方法存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量等于：存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量等于： 單元數(shù)單元數(shù)每單元的位數(shù)每單元的位數(shù) = 字?jǐn)?shù)字?jǐn)?shù)字長(zhǎng)字長(zhǎng)例如例如 6264 : 8K 8 6116: 2K 8 2164 : 64K 1 第第3 3章章

5、存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.2 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（RAM）3.2.1 靜態(tài)靜態(tài)RAM3.2.2 動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.2.1 靜態(tài)靜態(tài)RAM1基本存儲(chǔ)電路單元（六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路）基本存儲(chǔ)電路單元（六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路）T5T6T3T1T4T2VC CI/OI/O選擇線AB圖圖3-4 六管基本存儲(chǔ)電路單元六管基本存儲(chǔ)電路單元第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器基本存儲(chǔ)電路簡(jiǎn)化圖基本存儲(chǔ)電路簡(jiǎn)化圖SEDoDi它可存儲(chǔ)一位信息它可存儲(chǔ)一位信息由若干個(gè)基本電路采用同一根選擇線，可以組成一個(gè)由若干個(gè)基本電路采用同一根選擇線，可以組成一個(gè)基本存儲(chǔ)單元基本存儲(chǔ)單元Do2Di2Do1Di1SE

6、Do0Di0Do7Di7每次可以存儲(chǔ)或讀出每次可以存儲(chǔ)或讀出8 8位信息位信息第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器由若干個(gè)存儲(chǔ)單元可以組成一個(gè)芯片由若干個(gè)存儲(chǔ)單元可以組成一個(gè)芯片A0Ak片內(nèi)譯碼電路存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元SE0SE1 SEiD0D7R/W由若干個(gè)芯片可擴(kuò)展內(nèi)存（存儲(chǔ)體）NblBL芯片容量存儲(chǔ)體容量N所需芯片個(gè)數(shù)為了減小體積，芯片內(nèi)部通常采用矩陣式結(jié)構(gòu)為了減小體積，芯片內(nèi)部通常采用矩陣式結(jié)構(gòu)第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器2SRAM芯片實(shí)例芯片實(shí)例典型的典型的SRAM芯片有芯片有6116、6264、62256等。等。 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND

7、 VCC A8 A9 WE OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 1 24 2 23 3 22 4 21 5 20 6 19 7 18 8 17 9 16 10 15 11 14 12 13 圖3-6 6116引腳第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器二、二、SRAM的典型芯片的典型芯片n存儲(chǔ)容量為8K8n28個(gè)引腳：n13根地址線A12A0n8根數(shù)據(jù)線D7D0n片選CS1、CS2n讀寫WE、OE+5VWECS2A8A9A11OEA10CS1D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112131428272625242322212

8、019181716156264第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.2.2 動(dòng)態(tài)RAM 1動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM的存儲(chǔ)單元（單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路）的存儲(chǔ)單元（單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路）圖3-8 單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路 列 選 擇 信 號(hào)行 選 擇 信 號(hào)刷新電路數(shù)據(jù)輸入/輸出線C第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器NCDINWERASA0A2A1VDDNCCASDOUTA6A3A4A5VCC12345678161514131211109n存儲(chǔ)容量為存儲(chǔ)容量為16K1n16個(gè)個(gè)引腳：引腳：n7根地址線根地址線A6A0n1根數(shù)據(jù)輸入線根數(shù)據(jù)輸入線DINn1根數(shù)據(jù)輸出線根數(shù)據(jù)輸出線DOUTn行地址選通行地址選通RASn列地址選通列地址選通

9、CASn讀寫控制讀寫控制WEDRAM芯片21162、DRAM的典型芯片的典型芯片第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器典型典型DRAM芯片芯片2116 2116A：16K1 采用采用行地址和和列地址來(lái)確定一個(gè)單元；來(lái)確定一個(gè)單元； 行列地址行列地址分時(shí)傳送，傳送， 共用一組地址線；共用一組地址線； 地址線的數(shù)量?jī)H地址線的數(shù)量?jī)H 為同等容量為同等容量SRAM 芯片的一半。芯片的一半。行地址10001 0 0 0列地址第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器主要引線主要引線RAS：行地址選通信號(hào)，用于鎖存行地址；：行地址選通信號(hào)，用于鎖存行地址；CAS：列地址選通信號(hào)。：列地址選通信號(hào)。 地址總線上先送上行地址，后送上

10、列地址，它們分別地址總線上先送上行地址，后送上列地址，它們分別在在RAS和和CAS有效期間被鎖存在地址鎖存器中。有效期間被鎖存在地址鎖存器中。 DIN： 數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入DOUT：數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出WE=0 數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)寫入WE=1 數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)讀出WE：寫允許信號(hào)：寫允許信號(hào) 三種操作：數(shù)據(jù)讀出、數(shù)據(jù)寫入、刷新。三種操作：數(shù)據(jù)讀出、數(shù)據(jù)寫入、刷新。 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.3 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROM）3.3.1 掩掩膜膜ROM3.3.2 可編程只讀可編程只讀ROM3.3.3 可擦除可可擦除可編程的編程的ROM（EPROM）3.3.4 電可擦可編程電可擦可編程ROM(EEROM)

11、返回本章首頁(yè)返回本章首頁(yè)第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.3.1 掩膜掩膜ROM1MOS ROM電路電路圖3-11 單譯碼結(jié)構(gòu)電路 VDD 字線0 字線1 字線2 字線3 位線3 位線2 位線1 位線0 D3 D2 D1 D0A0 A1 字 線 地 址 譯 碼 器 掩膜掩膜ROM是靠是靠MOS管是否跨接來(lái)決定管是否跨接來(lái)決定0 0、1 1的，當(dāng)?shù)模?dāng)跨接時(shí)對(duì)應(yīng)位信息就是跨接時(shí)對(duì)應(yīng)位信息就是0 0，當(dāng)沒(méi)有跨接時(shí)對(duì)應(yīng)信息就是，當(dāng)沒(méi)有跨接時(shí)對(duì)應(yīng)信息就是1 1。 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.3.2可編程只讀ROM 允許一次編程，此后不可更改允許一次編程，此后不可更改D7 D6 D5 D4 D3 D2

12、 D1 D0Vcc地址選通地址選通1 PROM是靠存儲(chǔ)單元中的熔絲是否熔斷決定信息0、1的，當(dāng)熔絲燒斷時(shí)對(duì)應(yīng)位信息就是0，當(dāng)沒(méi)有燒斷時(shí)對(duì)應(yīng)信息就1。 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.3.3 可擦除可編程的可擦除可編程的ROM（EPROM）1基本存儲(chǔ)電路基本存儲(chǔ)電路圖3-13 EPROM的結(jié)構(gòu)示意圖 S D 位線 字線 浮空 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器2EPROM實(shí)例實(shí)例圖3-14 2716引腳 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND VCC A8 A9 VPP OE A10 CE O7 O6 O5 O4 O3 1 24 2 23 3 22 4 21 5 20

13、 6 19 7 18 8 17 9 16 10 15 11 14 12 13 返回本節(jié)返回本節(jié)第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.3.4 電可擦可編程ROM(EEROM)1Intel 2817的引腳的引腳 R/BNC A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC WE NC A8 A9 NC OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器系統(tǒng)的擴(kuò)展存

14、儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)體存儲(chǔ)體 進(jìn)行進(jìn)行位擴(kuò)展位擴(kuò)展 以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編址的結(jié)構(gòu)址的結(jié)構(gòu) 進(jìn)行進(jìn)行字?jǐn)U展字?jǐn)U展 以滿足總?cè)萘恳詽M足總?cè)萘康囊蟮囊笪粩U(kuò)展：因每個(gè)字的位數(shù)不夠而擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出線的數(shù)目；位擴(kuò)展：因每個(gè)字的位數(shù)不夠而擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出線的數(shù)目；字?jǐn)U展：因總的字?jǐn)?shù)不夠而擴(kuò)展地址輸入線的數(shù)目，所以也稱為字?jǐn)U展：因總的字?jǐn)?shù)不夠而擴(kuò)展地址輸入線的數(shù)目，所以也稱為地址擴(kuò)展；地址擴(kuò)展；第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.4.1 CPU與存儲(chǔ)器的連接時(shí)應(yīng)與存儲(chǔ)器的連接時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題注意的問(wèn)題1CPU總線的帶負(fù)載能力總線的帶負(fù)載能力2存儲(chǔ)器的組織、地址分配與片選問(wèn)題存儲(chǔ)器的組織、地址分配

15、與片選問(wèn)題3CPU的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合返回本節(jié)返回本節(jié)第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.4.2 存儲(chǔ)器片選信號(hào)的產(chǎn)生方式和存儲(chǔ)器片選信號(hào)的產(chǎn)生方式和譯碼電路譯碼電路 1片選信號(hào)的產(chǎn)生方式片選信號(hào)的產(chǎn)生方式（1）線選方式（線選法）線選方式（線選法）（2）局部譯碼選擇方式（部分譯碼法）局部譯碼選擇方式（部分譯碼法）（3）全局譯碼選擇方式（全譯碼法）全局譯碼選擇方式（全譯碼法）第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器2存儲(chǔ)地址譯碼電路存儲(chǔ)地址譯碼電路74LS138經(jīng)常用來(lái)作為存儲(chǔ)器的譯碼電路。經(jīng)常用來(lái)作為存儲(chǔ)器的譯碼電路。 Y0 G1 Y 1G2 A Y2G2 B

16、Y 3Y4C Y 5B Y 6A Y 7片選信號(hào)輸出譯碼允許信號(hào)地址信號(hào)（接到不同的存儲(chǔ)體上）74LS138邏輯圖：第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器74LS138的真值表：（注意：輸出低電平有效）可以看出，當(dāng)譯碼允許信號(hào)有效時(shí)，Yi是輸入C、B、A的函數(shù)，即 Y=f(C,B,A)1 11 11 11 11 11 11 11 1X X X X X X 其其 他他 值值01 11 11 11 11 11 11 11 1 1 1 1 1 1 0 01 0 01 101 11 11 11 11 11 11 1 0 1 1 0 1 0 01 0 01 11 101 11 11 11 11 11 0 1 1

17、0 1 1 0 01 0 01 11 11 101 11 11 11 11 0 0 1 0 0 1 0 01 0 01 11 11 11 101 11 11 10 1 1 0 1 1 1 0 01 0 01 11 11 11 11 101 11 10 1 0 0 1 0 1 0 01 0 01 11 11 11 11 11 101 10 0 1 0 0 1 1 0 01 0 01 11 11 11 11 11 11 100 0 0 0 0 0 1 0 01 0 0Y7Y7Y6Y6Y5Y5Y4Y4Y3Y3Y2Y2Y1Y1Y0Y0C B AC B AG G1 1 G G2A2A G G2B2B第第

18、3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器3.4.3 CPU（8086系列）與存系列）與存儲(chǔ)器的連接儲(chǔ)器的連接 RAM與與CPU的連接方法的連接方法：（1）計(jì)算出所需的芯片數(shù)。）計(jì)算出所需的芯片數(shù)。（2）構(gòu)成數(shù)據(jù)總線所需的位數(shù)和系統(tǒng)所需的）構(gòu)成數(shù)據(jù)總線所需的位數(shù)和系統(tǒng)所需的容量。容量。（3）計(jì)算每片芯片的地址范圍。）計(jì)算每片芯片的地址范圍。（4）控制線，數(shù)據(jù)線，地址線控制線，數(shù)據(jù)線，地址線對(duì)應(yīng)相連。對(duì)應(yīng)相連。第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器位擴(kuò)展位擴(kuò)展擴(kuò)展每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù)擴(kuò)展每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù)字?jǐn)U展字?jǐn)U展擴(kuò)展存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)擴(kuò)展存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)字位擴(kuò)展字位擴(kuò)展二者的綜合二者的綜合 用多片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)需要的內(nèi)存空用

19、多片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)需要的內(nèi)存空間，它們?cè)谡麄€(gè)內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍間，它們?cè)谡麄€(gè)內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍，任一時(shí)刻僅有一片（或一組）被選中。，任一時(shí)刻僅有一片（或一組）被選中。第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器位擴(kuò)展位擴(kuò)展 存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量等于：存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量等于： 單元數(shù)單元數(shù)每單元的位數(shù)每單元的位數(shù) 當(dāng)構(gòu)成內(nèi)存的存儲(chǔ)器芯片的字長(zhǎng)小于內(nèi)存單元當(dāng)構(gòu)成內(nèi)存的存儲(chǔ)器芯片的字長(zhǎng)小于內(nèi)存單元的字長(zhǎng)時(shí)，就要進(jìn)行的字長(zhǎng)時(shí)，就要進(jìn)行位擴(kuò)展位擴(kuò)展，使每個(gè)單元的字，使每個(gè)單元的字長(zhǎng)滿足要求。長(zhǎng)滿足要求。字節(jié)數(shù)字節(jié)數(shù)字長(zhǎng)字長(zhǎng)第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器位擴(kuò)展例位擴(kuò)展例 用用8片片2164A芯片構(gòu)成芯片構(gòu)成64KB

20、存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器。2164A: 64K 1，需8片構(gòu)成64K 8（64KB）LS138A8A192164A2164A2164ADBABD0D1D7A0A7譯碼輸出讀寫信號(hào)A0A19D0D7A0A7A0A7第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器圖4-17 用10241位的芯片組成1KB RAM的方框圖 A0 A9 D0 D7 8 I/O 7 I/O 6 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 I/O 1 10241 I/O 地址線 數(shù)據(jù)線 第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器位擴(kuò)展方法（總結(jié)）：位擴(kuò)展方法（總結(jié)）： 將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數(shù)據(jù)線分別引出將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數(shù)據(jù)線分別引出。 位擴(kuò)

21、展特點(diǎn)：位擴(kuò)展特點(diǎn)： 存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加。存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加。第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器字?jǐn)U展字?jǐn)U展 地址空間的擴(kuò)展。芯片每個(gè)單元中的字長(zhǎng)滿足，地址空間的擴(kuò)展。芯片每個(gè)單元中的字長(zhǎng)滿足，但單元數(shù)不滿足。但單元數(shù)不滿足。 擴(kuò)展原則：擴(kuò)展原則： 每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián)，僅片選端分別引出，以實(shí)現(xiàn)每個(gè)芯片占據(jù)聯(lián)，僅片選端分別引出，以實(shí)現(xiàn)每個(gè)芯片占據(jù)不同的地址范圍。不同的地址范圍。第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器字?jǐn)U展例字?jǐn)U展例 用兩片用兩片8K8位的位的SRAM芯片芯片6264構(gòu)成容量為構(gòu)成容量為16KB的存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器,要求地址從要求

22、地址從80000H開始。開始。 計(jì)算需要幾片芯片，每片的地址范圍，做出連計(jì)算需要幾片芯片，每片的地址范圍，做出連接圖。接圖。第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器D8D15A13A1RDWR “1”D0D7WEOEA12A0CS26264CS11D0D7A13A1RDWR “1”D0D7WEOEA12A0CS26264CS11A18A17A15A16IO/MA19GG2AG2BCABA14Y0Y1174LS138AoBHE第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器字位擴(kuò)展字位擴(kuò)展 根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù)；根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù)； 進(jìn)行位擴(kuò)展以滿足字長(zhǎng)要求；進(jìn)行位擴(kuò)展以滿足字長(zhǎng)要求； 進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足容量要求。進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足容量要求。 若已有存儲(chǔ)芯片的容量為若已有存儲(chǔ)芯片的容量為L(zhǎng)K，要構(gòu)成容量為，要構(gòu)成容量為M N的存儲(chǔ)器，需要的芯片數(shù)為：的存儲(chǔ)器，需要的芯片數(shù)為： （M / L） （N / K）第第3 3章章 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器字位擴(kuò)展例字位擴(kuò)展例 用16K1位的芯片組成64KB的存儲(chǔ)器。 擴(kuò)成擴(kuò)成16KB 8片片 再擴(kuò)成再擴(kuò)成64KB 4*8=3