1何謂奈米的單位1mm2um3cm4nm

1、11.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm 21.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm 32.（）奈米線為一維奈米材料42.（ ）奈米線為一維奈米材料53.（）本實(shí)驗(yàn)?zāi)蚊拙€合成的材料為何63.（ZnO）本實(shí)驗(yàn)?zāi)蚊拙€合成的材料為何74.（）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線的溫度84.（500 ）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線的溫度95.（）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2105.（2）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2116.（）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線的機(jī)制12

2、6.（VLS,VS）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線的機(jī)制137.（）VLS為何147.（氣相-液相-固相）VLS為何158.（）VS為何168.（氣相-固相）VS為何179.（）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線的觸媒為何189.（金）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線的觸媒為何1910.（）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線使用的基板為何2010.（矽,氧化鋁）本實(shí)驗(yàn)合成奈米線使用的基板為何2111.（）ZnO奈米線的晶體結(jié)構(gòu)2211.（HCP）ZnO奈米線的晶體結(jié)構(gòu)2312.（）ZnO為半導(dǎo)體材料2412.（ ）ZnO為半導(dǎo)體材料2513.（）ZnO為寬能隙半導(dǎo)體2613.（ ）ZnO為寬能隙半導(dǎo)體2714.（）ZnO為功能性氧化物2814.（ ）ZnO為

3、功能性氧化物2915.（）HCP的APF為何3015.（0.74）HCP的APF為何3116.（）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205 3216.（ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205 3317.（）ZnO為P-Type3417.（ ）ZnO為P-Type3518.（）合成奈米線時(shí)須放置在爐管中央3618.（ ）合成奈米線時(shí)須放置在爐管中央3719.（）本實(shí)驗(yàn)鋅粉?。?）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g 3819.

4、（1）本實(shí)驗(yàn)鋅粉?。?）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g 3920.（）ZnO奈米線摻雜何種材料4020.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料4121.（）奈米線具有高比表面積4221.（）奈米線具有高比表面積4322.（）奈米線易於應(yīng)用感測(cè)元件4422.（ ）奈米線易於應(yīng)用感測(cè)元件4523.（）奈米線易於應(yīng)用雷測(cè)元件4623.（）奈米線易於應(yīng)用雷測(cè)元件4724.（） SEM 全名4824.（掃描式電子顯微鏡） SEM 全名4925.（） TEM全名5025.（穿透式電子顯微鏡） TEM全名5126.（） SEM 試片製作需鍍金5226.（） SEM 試片製作需鍍

5、金5327.（）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪5427.（ ）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪5528.（）超音波震盪使用時(shí)間為20分5628.（）超音波震盪使用時(shí)間為20分5729.（）如何判定是VLS或VS 5829.（有無(wú)鍍金）如何判定是VLS或VS 5930.（）分析起始電場(chǎng)與飽和電流曲線稱為場(chǎng)發(fā)射特性6030.（ ）分析起始電場(chǎng)與飽和電流曲線稱為場(chǎng)發(fā)射特性6131.（）分析感測(cè)元件對(duì)酒精氣體的反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間稱為氣體感測(cè)6231.（ ）分析感測(cè)元件對(duì)酒精氣體的反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間稱為氣體感測(cè)6332.（）分析UV 燈源照射下,感測(cè)元件之反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間稱為UV

6、感測(cè)6432.（）分析UV 燈源照射下,感測(cè)元件之反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間稱為UV感測(cè)6533.（） UV稱為紫外光6633.（ ） UV稱為紫外光6734.（）分析場(chǎng)發(fā)射特性時(shí)需抽真空6834.（）分析場(chǎng)發(fā)射特性時(shí)需抽真空6935.（）50 Torr 稱為低真空7035.（）50 Torr 稱為低真空7136.（） 10-2 Torr 稱為低真空7236.（） 10-2 Torr 稱為低真空7337.（） 10-5 Torr 稱為高真空7437.（） 10-5 Torr 稱為高真空7538.（）抽真空時(shí)需先開(kāi)渦輪幫浦7638.（ ）抽真空時(shí)需先開(kāi)渦輪幫浦7739.（）分析場(chǎng)發(fā)射特性時(shí)需量測(cè)極限值7

7、839.（ ）分析場(chǎng)發(fā)射特性時(shí)需量測(cè)極限值7940.（）分析場(chǎng)發(fā)射特性時(shí)起始電壓越低越好8040.（ ）分析場(chǎng)發(fā)射特性時(shí)起始電壓越低越好8141.（）VE L8241.（）VE L8342.（）分析UV特性時(shí)反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間越高越好8442.（ ）分析UV特性時(shí)反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間越高越好8543.（）分析氣體感測(cè)時(shí)反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間越高越好8643.（）分析氣體感測(cè)時(shí)反應(yīng)時(shí)間與回覆時(shí)間越高越好8744.（）氧化鋅的Bandgap energy 在室溫時(shí)為（1） 3.37 eV（2） 4.37 eV （3） 5.37 eV （4） 3.27 eV 8844.（1）氧化鋅的Bandgap ene

8、rgy 在室溫時(shí)為（1） 3.37 eV（2） 4.37eV（3） 5.37 eV （4） 3.27 eV 8945.（）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K 9045.（1）氧化鋅的Thermoelectric Constant at 573 K 為（1） 1200 mV/K （2） 1400 mV/K （3） 1500 mV/K （4） 1100 mV/K 9146.（）氧化鋅可應(yīng)用於太陽(yáng)能電池9246.（ ）氧化鋅可應(yīng)用於太陽(yáng)能電池9347.（）何為 Solar cells9447.（太陽(yáng)能電池）何為 Solar cells9548.（）奈米結(jié)構(gòu)