拋光片標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格及術(shù)語

1、硅片標(biāo)準(zhǔn)簡介工藝部目錄 標(biāo)準(zhǔn)化組織 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容 SEMI M1-1109標(biāo)準(zhǔn)化組織SEMI Semiconductor Equipment and Materials International 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會 SEMI是一個全全球高科技領(lǐng)域的專業(yè)協(xié)會，創(chuàng)立于1970年，擁有會員公司2300多家，會員乃從事半導(dǎo)體和平面顯示燈方面的研發(fā)、生產(chǎn)和技術(shù)供應(yīng)的公司。 SEMI (國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 是全球性的產(chǎn)業(yè)協(xié)會，致力于促進微電子、平面顯示器及太陽能廣電等產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的整體發(fā)展。會員涵括上述產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中的制造、設(shè)備、材料與服務(wù)公司，是改善人類生活品質(zhì)的核心驅(qū)動力。自從1

2、970年至今，SEMI不斷致力于協(xié)助會員公司快速取得市場咨詢提高獲利率、創(chuàng)造新市場、克服技術(shù)挑戰(zhàn)。ASTM American Society for Testing and Materials 美國材料與試驗學(xué)會 ASTM成立于1898年，是世界上最早、最大的非盈利性標(biāo)準(zhǔn)制定組織之一，任務(wù)是制訂材料、產(chǎn)品、系統(tǒng)和服務(wù)的特性和性能標(biāo)準(zhǔn)及促進有關(guān)知識的發(fā)展。 隨著業(yè)務(wù)范圍的不斷擴大和發(fā)展，學(xué)會的工作不僅僅是研究和制定材料規(guī)范和試驗方法標(biāo)準(zhǔn)，還包括各種材料、產(chǎn)品、系統(tǒng)、服務(wù)項目的特點和性能標(biāo)準(zhǔn)，以及試驗方法、程序等標(biāo)準(zhǔn)。100多年以來， ASTM已經(jīng)滿足了100多個領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)制定需求，現(xiàn)有32000

3、多名會員，分別來自于100多個國家的生產(chǎn)者、用戶、最終消費者、政府和學(xué)術(shù)代表。JEITA 日本電子信息技術(shù)工業(yè)協(xié)會 Japan Electronics and Information Technology Industries Association是一家行業(yè)團體，其宗旨在于促進電子設(shè)備、電子元件的正常生產(chǎn)、貿(mào)易和消費，推動電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的綜合發(fā)展，為日本的經(jīng)濟發(fā)展和文化繁榮作出貢獻。目前，正積極致力于解決電子材料、電子元器件、最終產(chǎn)品等眾多領(lǐng)域的各種課題。JEIDA及EIAJ合并后產(chǎn)生。SEMI 標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容Table of contents-TopicalSilicon & Sili

4、con On InsulatorSEMI M/TSilicon Material & Process ContralSEMI MFPackage Specification & Test MethodSEMI GGases ProcessSEMI CProcess Chemicals AcidsSEMI CChemical and Gas TestingSEMI C/FAutomated Material Handling Ststems SEMI D/E/G/SEquipment Facilities InterfaceSEMI E/FMinienvironments SEM

5、I E/FTubing, Fittings, and ValvesSEMI FHigh Purity Piping SystemsSEMI E/FStatistical ControlSEMI E/MSafety GuidilinesSEMI STerminologySEMI D/E/M/PTable of contents SEMI M Topical SiliconSEMI M1 Specifications for polished monocrystalline silicon wafersSEMI M2 Specification for silicon epitaxial wafe

6、rs for discrete device applicationsSEMI M6 Specification for silicon wafers for use as photocoltaic solar cellsSEMI M8 Specification for polished monocrystalline silicon test wafersSEMI M11 Specifications for silicon epitaxial wafers for integrated circuit applicationSEMI M12 Specification for serai

7、l alphanumeric marking of the front surface of wafers SEMI M16 Specification for polycrystalline siliconSEMI M17 Guide for a universal wafer gridSEMI M18 Format for silicon wafer specification form for order entrySEMI M20 Practice for establishing a wafer coordinate systemSpecifications for Polished

8、 Single Crystal Silicon WafersRevision HistorySEMI M1-1109 (technical revision) SEMI M1-0701 (technical revision)SEMI M1-0309E (editorial revision) SEMI M1-0600 (technical revision)SEMI M1-0309 (technical revision) SEMI M1-0200 (technical revision)SEMI M1-0707 (technical revision) SEMI M1-0699 (tech

9、nical revision) SEMI M1-0307 (technical revision) SEMI M1-0298 (technical revisionSEMI M1-1106 (technical revision) SEMI M1-0997 (technical revision)SEMI M1-1105E (editorial revision) SEMI M1-1296 (technical revision)SEMI M1-1105 (technical revision) SEMI M1-96 (technical revision)SEMI M1-0305 SEMI

10、M1-95 (technical revision)SEMI M1-0704 (designation update) SEMI M1-93 (technical revision)SEMI M1-1103 (designation update) SEMI M1-92 (technical revision)SEMI M1-0302 (technical revision) SEMI M1-89 (technical revision)SEMI M1-0701E (editorial revision) SEMI M1-85 (technical revision) SEMI M1-78 (

11、first published)SEMI M1-1109SEMI M1-0707 2-1 General Characteristics 2-2 Electrical Characteristics 2-3 Chemical Characteristics 2-4 Structural Characteristics 2-5 Wafer Preparation Characteristics 2-6 Dimension Characteristics 2-7 Front Surface Chemistry 2-8 Front Surface Inspection Characteristics

12、 2-9 Back Surface Visual Characteristics2-1 General CharacteristicsGrowth Method Cz； FZ； MCz；Crystal Orientation （100）; （111）; （110） SEMI MF26 (X-ray) SEMI MF26 (Optical) JEITA EM-3501; DIN 50433/1/2/3;Conductivity Type p; n SEMI MF42; JIS H 0607; DIN 50432;Dopant B; P; Sb; As; Neutron Transmutation

13、 Doped;Nominal Edge Exclusion 2mm; 3mm; 5mm;Wafer Surface Orientation on-orientation 0.001.00; 0.00 off-orientation 0.61.00; 2.50.50 4.000.50; ; SEMI MF26 (X-ray) SEMI MF26 (Optical) JEITA EM-3501; DIN 50433/1/2/3;Growth Method 生長方法 Cz 直拉法 沿著垂直方向從熔體中拉直單晶體的方案，又稱柴克勞斯基法。 FZ 區(qū)熔法 沿著水平方向生長單晶體的一種方法。 MCz 磁場

14、直拉法 晶體生長時，外加磁場，抑制熔體的熱對流，熔體溫度波動小，是一種生產(chǎn)高質(zhì)量單晶的新方法。按照磁場相對于單晶拉制方向有橫向磁場法和縱向磁場法。Cz 生長技術(shù)Fz 生長技術(shù)兩種方法的對比 Cz Fz 電阻率小于30 電阻率范圍較大 制造成本低 制造成本高 硅片含氧含量高 生長含氧低，純度高 低功率IC主要原料 高功率半導(dǎo)體市場 估計占80%市場 大直徑較難生長 低阻較難均勻摻雜Conductivity Type 導(dǎo)電類型 半導(dǎo)體材料中多數(shù)載流子的性質(zhì)所決定的導(dǎo)電特性。 p型 多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。 n型 多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。Nominal Edge Exclusion 標(biāo)稱邊緣去除

15、對標(biāo)稱邊緣尺寸硅片，從合格質(zhì)量區(qū)邊界到硅片周邊的距離。Wafer Surface Orientation 硅片表面晶向 晶向偏離在晶圓制造過程中會帶來很多好處，例如降低缺陷密度、離子注入工藝均勻性等，不同器件本身需要一定晶向偏離。線切割的加工誤差在可控范圍內(nèi)，不會影響客戶的使用。 例如，As的外延晶圓，一般在切片采用偏4度的方式，這是為了后段外延刻意去做的。 2-2 Electrical CharacteristicsResistivity Measured atNominal Tolerance ohmcm Center Point； SEMI MF84; SEMI MF673; DIN 5

16、0431; DIN 50445; Radial Reststivity Variation (RRG)Not greater than % SEMI MF81Figure-A/B/C/D; DIN 50435;Minority Carrier LifetimeGreater than us;SEMI MF28 A/B;SEMI MF391 A/B; SEMI MF1388; SEMI MF1535; JEITA EM-3502; JIS H 0604; DIN 50441/1;Resistivity Measured at 電阻率 單位體積的材料對與兩平行面垂直通過的電流的阻力。一般來說，體電

17、阻率為材料中平行于電流的電場強度與電流密度之比。符號為，單位為cm.Radial Reststivity Variation (RRG)徑向電阻率變化硅片中心點與偏離硅片中心的某一點或若干對稱分布的設(shè)定值（硅片半徑1/2或靠近邊緣處）的電阻率之間的差值。這種差值可表示為中心值的百分?jǐn)?shù)。又稱徑向電阻率梯度。RV=(2-1)/ 1 RV=(3-1)/ 1 1 ：中心處兩次讀書的平均值；2 ：R/2處，90間隔電阻率4次讀數(shù)的平均值；3 ：距邊緣6mm處，90間隔電阻率4次讀數(shù)的平均值；Minority Carrier Lifetime 少子壽命 晶體中非平衡載流子由產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時間間隔，它

18、等于非平衡少數(shù)載流子濃度衰減到起始值的1/e(e=2.718)所需的時間。 非平衡少數(shù)載流子擴散長度的平方除以擴散系數(shù)所得商，擴散系數(shù)是設(shè)定的由載流子遷移率測試確定的。 少子壽命主要用于表征材料的重金屬沾污及體缺陷： - 硅錠、硅棒、硅片的進（出）廠檢驗； - 單（多）晶生長，硅片生產(chǎn)的工藝過程監(jiān)控； - 生產(chǎn)加工設(shè)備的沾污控制； 2-3 Chemicial CharacteristicsOxygen Concentration（Value using SEMI M44 Calibration factor）NominalTolerance ; x E17cm-3; ppma; IOC-88;

19、 Old ASTM; New ASTM or Old DIN;Original JEITA; IR(Interstitial); SEMI MF1188; SEMI MF 1619; JEIDA EM-3504; DIN 50438-1; OtherSIMS (Total); SEMI MF 1366; GFA (Total);Radial Oxygen GradientNot greater than % SEMI MF951 Plan A1/A2/A3/B/B1/C/D;Carbon ConcentrationNot greater than ppma; XE16cm-3 SEMI MF1

20、391; JEITA EM-3503; DIN 50438/2;Bulk Iron ContentNot greater than x E atmos/cm3 SEMI MF978 (DLTS); SEMI MF 391 (SPV); SEMI MF1535; JEATA EM3502 (); Oxygen Concentration間隙氧含量硅晶體中Oi的值通過吸收率a乘以校準(zhǔn)參數(shù)（calibration factor）。紅外吸收法可測定電阻率大于幾個ohmcm硅片的間隙氧含量。ASTM F1-121一直規(guī)定校準(zhǔn)參數(shù)為9.63，直到F1-121-77（1977）版本。1980年ASTM通過新

21、標(biāo)準(zhǔn)，ASTM F1-121-80，可接受的常數(shù)變?yōu)?.9。報告中通常被稱為“舊ASTM”。1980年以前的報道CZ硅片Oi的范圍為2638ppma。而“新ASTM”的CZ硅片的Oi是1319ppma。本文中我們用“新ASTM”值。Oxygen Concentration Oxygen content: Custom controlled level in the range of 24-38 ppma (ASTM F121-76) Typical examples of controlled Oxygen groups: 31.0 36.8 ppma( orientation) 28.0 3

22、2.0 ppma( orientation) 29.0 35.0 ppma( orientation)Radial Oxygen Gradient 徑向氧變化 測試方案與徑向電阻率梯度類似；Carbon Concentration 碳濃度 指占據(jù)晶格替代位置的碳原子的體密度單位是atcm-3。 Carbon content: max. 0.5 ppmBulk Iron Content 體鐵含量：5E10 atoms/cm2 硅中總體鐵的含量 目前，采用光電壓方法和微波壽命法的擴展來提供摻硼硅中總體鐵含量的信息；這種拓展是依據(jù)鐵-硼配對過程。2-4 Structural Characterist

23、icsDislocation Etch Pit Density Not greater than /cm2 SEMI MF 1809; JIS H 0609; DIN 50434; DIN 50443/1Slip None Other; (specify) SEMI MF 1809; JIS H 0609; DIN 50434; DIN 50443/1Lineage None Other; (specify) SEMI MF 1809; JIS H 0609; DIN 50434; DIN 50443/1Twin Crystal None Other; (specify) SEMI MF 18

24、09; JIS H 0609; DIN 50434; DIN 50443/1Swirl Not greater than % of wafer area SEMI MF 1809; JIS H 0609; DIN 50434; DIN 50443/1Shallow PitsNot greater than /cm2 SEMI MF1727; SEMI MF1049;Oxygen Induced Stacking Fault (OSF)Not greater than /cm2Test Cycle: SEMI MF1727; JIS H 0609; Other:Observation Metho

25、d: SEMI MF1726; JIS H 0609; DIN 50443/1;Dislocation Etch Pit Density 位錯缺陷坑 在硅片表面的位錯應(yīng)力區(qū)域，由擇優(yōu)腐蝕而產(chǎn)生的一種界限清晰、形狀規(guī)則的腐蝕坑。 單位體積內(nèi)位錯線的總長度（cm/cm3）通常以晶體某晶面單位面積上位錯蝕坑的數(shù)目來表示。 cm-2。Slip 滑移 晶體的一部分對于另一部分由切向位移產(chǎn)生的但仍保持晶體結(jié)晶學(xué)性質(zhì)的塑變形過程?；品较虺３Ｔ谝粋€特殊的晶體學(xué)平面上，是一種包括位錯通過晶體運動在內(nèi)的非均勻變形過程。Lineage 系屬結(jié)構(gòu) 小角晶界或位錯排的局部密集排列。Twin Crystal 孿晶 在晶

26、體內(nèi)晶格是兩部分，彼此成鏡像對稱的晶體結(jié)構(gòu)。連接兩部分晶體的界面成為孿晶面或?qū)\晶邊界。在金剛石結(jié)構(gòu)中，例如硅，孿晶面是（111）面。Swirl 漩渦 無位錯單晶擇優(yōu)腐蝕后肉眼可見的呈螺旋狀或同心圓狀條紋分布，在放大150倍觀察呈現(xiàn)不連續(xù)狀。Shallow Pits 淺蝕坑 在大于200倍的高放大倍數(shù)下是小而淺的腐蝕坑。Oxygen Induced Stacking Fault (OSF) 氧化層錯 硅片表面存在機械損傷、雜質(zhì)玷污和微缺陷等時，在氧化過程中其近表面層長大或轉(zhuǎn)化的層錯。 2-5 Wafer Preparation Characteristics Wafer ID Marking N

27、one; SEMI M12; SEMI M13; SEMI T1; SEMI T2; SEMI T7; SEMI T7+alphanumeric mark; Extrinsic Gettering None Description;Backseal None Description;Annealing (Res Stabilization) None Description;Edge Surface Condition Ground; Etched; PolishedBack Surface Condition Supplier Option; Caustic Etched; Acid Etc

28、hed; Polished;Wafer ID Marking硅片ID標(biāo)志用激光在靠近硅片切口或主平邊的硅片前部形成一個字母數(shù)字式點陣記號識別碼。根據(jù)SEMI Std M18激光標(biāo)識確定18個記號區(qū)來識別硅片廠商、導(dǎo)電類型、電阻率、平整度、硅片數(shù)目和器件類型。Soft mark：0.5um-5um Hard mark：10um-220umGettering 吸附 ：使雜質(zhì)在硅片特定區(qū)固定，獲得表面潔凈區(qū)的工藝過程。 一般Cz法生長的硅片，由于生長環(huán)境受雜質(zhì)污染及熱應(yīng)力造成的缺陷均留在硅片中，都會影響器件的良率和電性品質(zhì)。 如何將硅片的晶格缺陷、金屬雜質(zhì)解決的作法，就叫做吸附。吸附又可分“內(nèi)部的吸

29、附 ” Intrinsic Gettering 及“外部的吸附”-Extrinsic Gettering。前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步驟讓晶圓表面的晶格缺陷或含氧量盡量降低。 后者系利用外在方法如：晶背損傷、磷化物（POCl3）將晶圓表面的缺陷及雜質(zhì)等盡量吸附到晶圓背面。 Intrinsic & Extrinsic Gettering 本征（內(nèi)部）& 非本征（外部）吸附處理 利用硅片中晶格缺陷來控制或消除其他缺陷成為吸除法，常用的吸除可分為三類： (a)本征吸除法（內(nèi)部吸除法）-利用Cz生長晶體過程中過飽和氧含量在熱處理后在WAFER表面附近形成氧沉淀而起到吸雜效果。形

30、成析出物以造成晶格缺陷，這些缺陷會吸附器件層的雜質(zhì)和金屬等缺陷。 (b)非本征吸除(Extrinsic gettering)由外在力量造成硅片背面受機械應(yīng)力而形成如位錯等各種缺陷來達到吸除的目的。常見的非本征吸除法有機械研磨、噴砂或施以一層背表面多晶硅，以此方法在機械應(yīng)力控制上以其后續(xù)清洗上仔細處理以避免造成硅片形變或污染。 (c)化學(xué)吸除法-此法有別于上述兩種提供缺陷的吸附，而是通過 引入含HCL氣氛的化學(xué)反應(yīng)來消除雜質(zhì)缺陷。Intrinsic & Extrinsic GetteringDenuded Zone 潔凈區(qū) 在硅片的一個特定區(qū)域，通常僅僅位于硅片正表面之下，其中的氧濃度下

31、降到一個比較低的水平，導(dǎo)致了體微缺陷密度（氧沉淀）減少。Backseal 背封 在硅片背表面覆蓋一層二氧化硅或者多晶硅、氮化硅等絕緣薄膜，以抑制硅片中主要摻雜劑向外擴散。 對于重?fù)降墓杵瑏碚f，會經(jīng)過一個高溫階段，在硅片背面淀積一層薄膜，能阻止摻雜劑的向外擴散。這一層就如同密封劑一樣防止摻雜劑的逃逸。通常有三種薄膜被用來作為背封材料：二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅。如果氧化物或氮化物用來背封，可以嚴(yán)格地認(rèn)為是一密封劑，而如果采用多晶硅，除了主要作為密封劑外，還起到了外部吸雜作用。 P-/N-：BSD N+：Poly P+：BSDAnnealing (Res Stabiliza

32、tion) 退火 在惰性氣體或減壓氣氛下由于高溫作用，在近表面形成一個無缺陷（COP）區(qū)的硅片，改變硅片特性的熱過程。 硅片在CZ爐內(nèi)高濃度的氧氛圍里生長。因為絕大部分的氧是惰性的，然而仍有少數(shù)的氧會形成小基團。這些基團會扮演n-施主的角色，就會使硅片的電阻率測試不正確。要防止這一問題的發(fā)生，硅片必須首先加熱到650左右。這一高的溫度會使氧形成大的基團而不會影響電阻率。然后對硅片進行急冷，以阻礙小的氧基團的形成。這一過程可以有效的消除氧作為n-施主的特性，并使真正的電阻率穩(wěn)定下來。 donor killer是指將矽晶錠或晶圓在攝氏650度後之溫度，經(jīng)半小時到一個半小時的熱處理後，再經(jīng)由攝氏45

33、0度溫度左右作急速冷卻時，即可去除氧氣施體之方法。吸除概念吸除概念:金屬游離金屬游離擴散擴散 被捕獲被捕獲Fast Diffusion of Various Impurities 重金屬吸附依靠重金屬吸附依靠: 金屬在硅中擴散率；金屬在硅中擴散率； 金屬被陷阱區(qū)域隔離；金屬被陷阱區(qū)域隔離；Edge Surface Condition 邊緣表面狀態(tài) 可分為研磨、腐蝕、拋光三種狀態(tài)，根據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn)硅片和客戶的要求，選擇不同的條件。Back Surface Condition 背表面狀態(tài) 不同的背表面狀態(tài)，一般包括腐蝕和拋光兩種。Backside finish - Standard acid or a

34、lkaline etched - Soft Back Side Damaged (SBSD - short etch) - Hard Back Side Damage (HBSD - wet sand blasting) - Low Temperature Oxide sealed (LTO) - Thermal Oxide sealed - Advanced (HBSD+LTO) - Backside Multilayers (Poly+LTO) - Oxide Free Exclusion Ring 2-6 Dimension CharacteristicsDiameterNominal

35、Tolerance mm SEMI MF207; DIN 50441/4Fiducial DimensionsFlat Length or Diameter; SEMI MF671 (Flat Length); Nominal Tolerance mm; DIN 50441/4 (Flat Diameter); Notch Dimensions (Figure 5) SEMI MF1152 (Notch Dimensions);Primary Flat/Notch Orientation (crystal axis) _ SEMI MF847 (Flat)Secondary Flat Leng

36、th None; Other_mm SEMI MF671Secondary Flat Location None; Other;()_Edge Profile (specify)_ SEMI MF928: Method A/B DIN 50441/2 Procedure 1/2Tempate-Coodinate Based Edge Profile Specification T/3 template_ T/4 template_SEMI MF928 A/B/C/DDIN 50441/2 Procedure 1/2Profile-Parameter-Based Edge Profile Spe

37、cification Front edge width_um_mm Front bevel angle_ Front shoulder radius_um_mm Back shoulder radius_um_mm Back bevel angle_ Back edge width_um_mm Front apex length_um_mm Back apex length_um_mm Front apex angle_um_mm Back apex angle_um_mmSEMI M73 Method 1/2 Target-profile-based template of width_um

38、;2-6 Dimension CharacteristicsThicknessNominal Tolerance mm; SEMI MF533; SEMI MF1530; JIS H 0611; DIN 50441/1Total Thickness Variation um, max. SEMI MF533; JIS H 0611; DIN 50441/1(five or nine point); SEMI MF657(partial scan); SEMI MF1530(full scan)Bow um, max. SEMI MF534; JIS H 0611;Warp um, max. S

39、EMI MF657; SEMI MF1390;Sori um, max. SEMI MF1451; JEITA EM-3401;Flatness, GlobalAcronym: Value: um SEMI MF1530; DIN 50441/3 JEITA EM-3401; Flatness, SiteAcronym: Value: Not greater than umSite Size_ _mm X _mm SEMI MF1530;Diameter 直徑 橫穿硅片表面，通過硅片中心點且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交的直線長度。Fiducial Dimensions 基準(zhǔn)直徑 指晶片上的

40、一個平面或切口所對應(yīng)的直徑，以提供其結(jié)晶軸的參考位置。Primary & Secondary Flat OrientationPrimary Flat 主參考面規(guī)范化圓形硅片上長度最長的參考面，其取向通常是特定的晶體方向，也常為第一參考面。Secondary Flat 第二參考面規(guī)范化硅片長度小于主參考面的平面。它相對于主參考面的位置標(biāo)記該硅片導(dǎo)電類型和取向。又稱第二參考面。Notch 切口 在硅片上加工的具有規(guī)定形狀和尺寸的凹槽，切口由平行規(guī)定的低指數(shù)晶向并通過切口中心的直徑來確定。該直徑又稱作取向基準(zhǔn)軸。Edge rounding 倒角 硅片邊緣通過研磨或腐蝕整形加工成一定角度，以

41、消除硅片邊緣尖銳狀態(tài)，避免在后續(xù)加工中造成邊緣損傷。 當(dāng)切片完成后，硅片有比較尖利的邊緣，就需要進行倒角從而形成子彈式的光滑的邊緣。倒角后的硅片邊緣有低的中心應(yīng)力，因而使之更牢固。這個硅片邊緣的強化，能使之在以后的硅片加工過程中，降低硅片的碎裂程度。 Edge Profile 邊緣輪廓 在邊緣倒角的晶片，邊緣經(jīng)化學(xué)或機械加工整形，是對連接晶片正面與表面邊界輪廓的一種描述。 硅片邊緣拋光是為了去除在硅片邊緣殘留的腐蝕坑，減低硅片邊緣的應(yīng)力，將顆粒灰塵的吸附降到最低。另一種方法是只對硅片邊緣酸腐蝕。標(biāo)準(zhǔn)邊緣模版及特征點坐標(biāo)值表1 “T/3”硅片邊緣模版坐標(biāo)值表1 “T/4”硅片邊緣模版坐標(biāo)值坐標(biāo)值

42、ABCD坐標(biāo)值A(chǔ)BCDx76508510 x1205081000y001/3硅片厚度76y001/4硅片厚度50Thickness 厚度 通過硅片上一給定點垂直于表面方向穿過硅片的距離。Flatness 平整度 晶片背表面為理想平面時，例如，晶片背表面由真空吸盤吸附在一個理想、平坦的吸盤上，晶片正表面相對于一規(guī)定基準(zhǔn)面的偏差，以TIR或FPD的最大值表示。 晶片的平整度可描述為下面任何一種： a) 總平整度； b) 在所有局部區(qū)域測量的局部平整度的最大值； c) 局部平整度等于或小于規(guī)定的局部局域所占的百分比；平坦度標(biāo)準(zhǔn)TIRTotal Indicator Reading總指示讀數(shù)與基準(zhǔn)平面平

43、行的兩個平面間的最小垂直距離。該兩平面包含晶片正表面FQA內(nèi)或規(guī)定的局部區(qū)域內(nèi)的所有的點。FPDFocal Plane Deviation 焦平面偏差 晶片表面的一點平行于光軸到焦平面的距離。Total Thickness Variation (TTV) 總厚度變化 在厚度掃描或一系列點的厚度測量中，所測硅片最大厚度與最小厚度的絕對差值。Bow 彎曲度 自由無夾持晶片中衛(wèi)面的中心點和中衛(wèi)面基準(zhǔn)面間的偏離。中位面基準(zhǔn)面是指定的小于晶片標(biāo)稱直徑的直徑圓周上的三個等距離點決定的平面。硅片中心面凹凸變形的度量。與厚度無關(guān)，是硅片的一種體特質(zhì)而不是表面特性。Warp 翹曲度 在質(zhì)量合格區(qū)內(nèi)，一個自由的，

44、無夾持的硅片中位面相對參照平面硅片的最大和最小距離的差值，是硅片的一種體特質(zhì)而不是表面特性。Global & Site Flatness Global Flatness 全局平坦度 在FQA內(nèi)，相對規(guī)定基準(zhǔn)平面點的TIR或FPD的最大值。 Site Flatness 局部平坦度 在FQA內(nèi)，局部區(qū)域內(nèi)的TIR或FPD中的最大值。Reference Plane 基準(zhǔn)面 由以下的一種方式確定的平面： a) 晶片正表面上指定位置的三個點； b) 用FQA內(nèi)的所有的點對晶片正表面進行最小二乘法去擬合； c) 用局部區(qū)域內(nèi)的所有的點對晶片正表面進行最小二乘法擬合； d) 理想的背面(相當(dāng)于與晶片

45、接觸的理想平坦的吸盤表面)； 選擇規(guī)定的基準(zhǔn)面應(yīng)考慮成像系統(tǒng)的能力，應(yīng)根據(jù)晶片放置系統(tǒng)選用正表面或背表面為基準(zhǔn)面。如果成像系統(tǒng)中晶片不能用方向夾具固定，應(yīng)規(guī)定背面為基準(zhǔn)面。Sori 峰-谷差 硅片在無吸盤吸附狀態(tài)下，正表面與基準(zhǔn)面的最大正偏差和最小負(fù)偏差之間的差值。基準(zhǔn)面是對正面進行最小二乘法擬合得到的。 Flatness, Site Site 局部區(qū)域 硅拋光片前表面上的一種矩形局域。矩形的邊平行和垂直主參考面或切口的等分角線。矩形的中心在FQA內(nèi)。 FQA （fixed quality area）合格質(zhì)量區(qū) 標(biāo)稱邊緣去除X后，所限定的硅拋光片表面的中心區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)各參數(shù)的值均符合規(guī)定值。

46、25 X 25 局部區(qū)域Site Flatness 局部平坦度 在FQA內(nèi)，局部區(qū)域的TIR或FPD得最大值。STIR 局部總指示讀數(shù)SFPD 局部焦平面偏差平整度確定網(wǎng)絡(luò)Front Surface ChemistrySodium Not greater than xE atoms/cm2 ICP/MS; AAS SEMI MF1617 (SIMS)Aluminum Not greater than xE atoms/cm2Potassium Not greater than xE atoms/cm2 ICP/MS; AAS SEMI MF1617 (SIMS); SEMI M33(TXRF)

47、; ISO 14706(TXRF);Chromium Not greater than xE atoms/cm2Iron Not greater than xE atoms/cm2Nickel Not greater than xE atoms/cm2Copper Not greater than xE atoms/cm2Zinc Not greater than xE atoms/cm2Calcium Not greater than xE atoms/cm2Other Not greater than xE atoms/cm2標(biāo)準(zhǔn)測試方法 VPD-ICP/MS or VPD-TXRFFro

48、nt Surface Inspection CharacteristicsScratches-Macro None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Scratches-Micro None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Pits None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Haze None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Localized Light Scatterers (LLS)Size: um (LSE) Count:

49、 per wafer; per cm2 SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Contamination / Area None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Edge Chips and Indents None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Edge Cracks None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Cracks, Crows Feet None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Craters

50、None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Dimples None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Grooves None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Mounds None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Orange Peel None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Saw marks None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; SSIS;Dop

51、ant Striation Rings None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614; 50443/1;Stains None; Other; SEMI MF523; JIS H 0614;rms MicroroughnessNot greater than nm, over spectral range from um-1 to um-1 SEMI MF1048; AFM;Scratches 劃傷 在切割、研磨、拋光過程中硅片表面被劃傷所留下的痕跡，其長寬比大于1：5； Scratch-Macro 拋光片在白熾燈和熒光燈下，深度等于或大于0.12um的肉眼可見的劃道

52、。 Scratches-Micro 拋光片在熒光燈下，深度小于0.12um的肉眼看不見的劃道。Pits 蝕坑 硅片表面的凹陷，有陡峭的傾斜側(cè)面，該側(cè)面以可分辨的方式與表面相交，和凹坑的圓滑側(cè)面形成對照。 在強光照射下觀察時，目視可見的能逐個區(qū)分但不能除去的任何表面異常結(jié)構(gòu)。Haze 霧 在拋光片和外延片上由微觀表面不規(guī)則（如高密度小坑）引起的光散射現(xiàn)象。 在硅片表面上能觀察到窄束鎢燈燈絲的影像，表面有霧存在。Localized Light Scatterers (LLS) 局部光散射體 一種孤立的特性，例如硅片表面上的顆粒或蝕坑，相對于硅片表面散射強度，導(dǎo)致散射強度增加，有時也稱光電缺陷。（Light Point Defect：LPD） 一般包括顆粒與COP(晶體原生坑)。