數(shù)字電路邏輯設計_第三章

1、數(shù)字電路與邏輯設計數(shù)字電路與邏輯設計第三章第三章 集成邏輯門集成邏輯門西安郵電學院西安郵電學院“校級優(yōu)秀課程校級優(yōu)秀課程”第三章第三章 集成邏輯門集成邏輯門目的與要求：目的與要求： 了解半導體二極管、三級管和了解半導體二極管、三級管和MOSMOS的開關特性；的開關特性； 掌握掌握TTLTTL門電路和門電路和CMOSCMOS門電路的基本工作原理和外特性；門電路的基本工作原理和外特性； 熟悉熟悉TTLTTL門電路和門電路和CMOSCMOS門電路的主要參數(shù)，掌握門電路門電路的主要參數(shù)，掌握門電路 的正確使用。的正確使用。重點與難點：重點與難點： TTLTTL門電路和門電路和CMOSCMOS門電路的外

2、特性。門電路的外特性。 第三章第三章 集成邏輯門集成邏輯門 3.1 3.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性 3.2 TTL3.2 TTL集成邏輯門集成邏輯門 3.3 MOS3.3 MOS邏輯門電路邏輯門電路 3.4 CMOS3.4 CMOS電路電路3.1.13.1.1晶體二極管的開關特性晶體二極管的開關特性(a) (a) 二極管符號表示二極管符號表示 (b) (b) 二極管伏安特性二極管伏安特性 二極管符號表示及伏安特性二極管符號表示及伏安特性 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性注意 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性1 1二極管的穩(wěn)態(tài)開關特性二極管的穩(wěn)態(tài)開關特性(1

3、)(1)加正向電壓加正向電壓V VF F時，二極管導通，管壓降時，二極管導通，管壓降V VD D可忽略?？珊雎?。二極管相當于一個閉合的開關。二極管相當于一個閉合的開關。（a a）二極管正向?qū)娐罚┒O管正向?qū)娐?（b b）二極管正向?qū)ǖ刃щ娐罚┒O管正向?qū)ǖ刃щ娐?外加正向電壓的情況外加正向電壓的情況 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性(2)(2)加反向電壓加反向電壓V VR R時，二極管截止，反向電流時，二極管截止，反向電流I IS S可忽略?？珊雎?。二極管相當于一個斷開的開關。二極管相當于一個斷開的開關。（b b）二極管反向截至等效電路）二極管反向截至等效電路可見，二

4、極管在電路中表現(xiàn)為一個受外加電壓控制的開關?？梢?，二極管在電路中表現(xiàn)為一個受外加電壓控制的開關。（a a）二極管反向截至電路）二極管反向截至電路 外加反向電壓的情況外加反向電壓的情況 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性2 2二極管的動態(tài)開關特性二極管的動態(tài)開關特性電路處于瞬變狀態(tài)下晶體管的開關特性稱為動態(tài)開關特性。電路處于瞬變狀態(tài)下晶體管的開關特性稱為動態(tài)開關特性。 二極管的反向恢復過程二極管的反向恢復過程 二極管的動態(tài)開關特性二極管的動態(tài)開關特性 t tS S稱為存儲時間，稱為存儲時間，t tt t稱為渡越時間，稱為渡越時間，t trere=t=ts s+t+tt t稱為反向恢復

5、時間稱為反向恢復時間 ，反向恢復時間反向恢復時間t trere就是存儲電荷消散所需要的時間。就是存儲電荷消散所需要的時間。 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性3.1.23.1.2晶體三極管的開關特性晶體三極管的開關特性 1. 1. 三極管穩(wěn)態(tài)開關特性三極管穩(wěn)態(tài)開關特性（a a）基本單管共射電路）基本單管共射電路 （b b）單管共射電路傳輸特性）單管共射電路傳輸特性 基本單管共發(fā)射極電路基本單管共發(fā)射極電路晶體三極管工作于截晶體三極管工作于截止區(qū)時，內(nèi)阻很大，止區(qū)時，內(nèi)阻很大，相當于開關斷開。相當于開關斷開。 工作于飽和區(qū)時，內(nèi)阻工作于飽和區(qū)時，內(nèi)阻很低，相當于開關接通很低，相當于開

6、關接通狀態(tài)。狀態(tài)。放大區(qū)：管子有放大放大區(qū)：管子有放大能力，能力，iC=iBiC=iB 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性2 2三極管瞬態(tài)開關特性三極管瞬態(tài)開關特性晶體三極管截止和飽和兩種工作狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換需要時間。晶體三極管截止和飽和兩種工作狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換需要時間。 1 1）晶體三極管的開啟時間）晶體三極管的開啟時間t tonon：三極管從截止向飽和狀態(tài)：三極管從截止向飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時間。由延遲時間轉(zhuǎn)換的時間。由延遲時間t td d和上升時間和上升時間t tr r組成，即組成，即t tonon=t=td d+t+tr r。2 2）晶

7、體三極管的關閉時間）晶體三極管的關閉時間t toffoff ：三極管從飽和向截止狀：三極管從飽和向截止狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時間。由存儲時間態(tài)轉(zhuǎn)換的時間。由存儲時間t ts s與下降時間與下降時間t tf f組成，即組成，即t toffoff=t=ts s+t+tf f。 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性 t0tVIv1v2icIC E OIC EIC S0 .9IC SIC S0.1（ a ）（ b ）（ c ）ttrtdtstf 晶體管內(nèi)部電荷建立和消失過程晶體管內(nèi)部電荷建立和消失過程延遲時間延遲時間tdtd：從：從輸入信號正躍變輸入信號正躍變瞬間開始，到集瞬間開始，到集電極電流電極電流

8、icic上升上升到到0.1Ics0.1Ics所需的所需的時間。時間。 上升時間上升時間 trtr：集電：集電極電流極電流icic從從0.1Ics0.1Ics開開始，上升到始，上升到0.9Ics0.9Ics所所需的時間需的時間 下降時間下降時間tf tf ：晶體三極管晶體三極管的集電極電的集電極電流流icic從從0.9Ics0.9Ics開始，開始，下降到下降到0.1Ics0.1Ics所需所需要的時間要的時間 存儲時間存儲時間tsts：從輸入：從輸入信號信號ViVi負跳變瞬間開負跳變瞬間開始，到集電極電流始，到集電極電流icic下降至下降至0.9Ics0.9Ics所需的所需的時間時間 3.13.1

9、 晶體管的開關特性晶體管的開關特性3.1.33.1.3關于高低電平的概念及狀態(tài)賦值關于高低電平的概念及狀態(tài)賦值1. 1. 關于高低電平的概念關于高低電平的概念 電位指絕對電壓的大小，電平指一定的電壓范圍。電位指絕對電壓的大小，電平指一定的電壓范圍。 高電平和低電平在數(shù)字電路中分別表示兩段電壓范圍。高電平和低電平在數(shù)字電路中分別表示兩段電壓范圍。 例：電路中規(guī)定高電平為例：電路中規(guī)定高電平為3V3V，低電平為，低電平為0.7V0.7V。 TTLTTL電路中通常規(guī)定高電平的額定值為電路中通常規(guī)定高電平的額定值為3V3V， 但從但從2V2V到到5V5V都算高電平；低電平的額定值為都算高電平；低電平的

10、額定值為0.3V0.3V， 但從但從0V0V到到0.8V0.8V都算做低電平。都算做低電平。 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性2. 2. 邏輯狀態(tài)賦值邏輯狀態(tài)賦值 在數(shù)字電路中，用邏輯在數(shù)字電路中，用邏輯1 1和邏輯和邏輯0 0分別表示輸入、輸出高電平分別表示輸入、輸出高電平 和低電平的過程稱為邏輯賦值。和低電平的過程稱為邏輯賦值。 3.13.1 晶體管的開關特性晶體管的開關特性3.2.13.2.1 TTL TTL邏輯門電路邏輯門電路1. TTL1. TTL與非門電路與非門電路輸入級是由多發(fā)射極輸入級是由多發(fā)射極晶體管晶體管T1T1和電阻和電阻R1R1組組成的一個與門，其功成的一

11、個與門，其功能是實現(xiàn)輸入邏輯變能是實現(xiàn)輸入邏輯變量量A A、B B、C C的與運算。的與運算。 中間級是由中間級是由T2T2、R2R2及及R3R3組組成的一個電壓分相器，它成的一個電壓分相器，它在在T2T2的發(fā)射極與集電極上的發(fā)射極與集電極上分別得到兩個相位相反的分別得到兩個相位相反的電壓信號，用來控制輸出電壓信號，用來控制輸出級晶體管級晶體管T3T3和和T4T4的工作狀的工作狀態(tài)，使它們輪流導通。態(tài)，使它們輪流導通。 是由是由 T3T3、D4D4、T4T4和和R4R4構(gòu)成的一個構(gòu)成的一個非門。輸出非門。輸出級采用的推級采用的推挽結(jié)構(gòu)，使挽結(jié)構(gòu)，使T3T3、T4T4輪流輪流導通導通 （1 1）

12、電路組成）電路組成 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門（2 2） 功能分析功能分析輸入端至少有一個低電平輸入端至少有一個低電平( (V VILIL=0.3V)=0.3V)T T1 1的基極電位的基極電位v vB1B1= =v vBE1BE1+ +V VILIL=1V=1VT T2 2和和T T4 4處于截止狀態(tài)處于截止狀態(tài) T T1 1處于深飽和狀態(tài)，處于深飽和狀態(tài)，v vC1C1= =V VILIL+ + V VCECE（sat1sat1）0.4V0.4VOHDbeccOVVVVVvvVv6 . 37 . 07 . 0543輸出高電平，與非門處于關閉狀態(tài)。輸出高電平，與非門處

13、于關閉狀態(tài)。T T3 3和和D D4 4處于導通狀態(tài)處于導通狀態(tài) 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門T T1 1管處于倒置工作狀態(tài)。管處于倒置工作狀態(tài)。T T2 2和和T T4 4處于飽和狀態(tài)。處于飽和狀態(tài)。 輸入端全部接高電平輸入端全部接高電平( (V VIHIH=3.6V)=3.6V)輸出電壓輸出電壓v vO O為：為： V VO O = =V VCES4CES40.3V=0.3V=V VO O輸出低電平，與非門處于開門狀態(tài)輸出低電平，與非門處于開門狀態(tài)T T3 3、D D4 4處于截止狀態(tài)。處于截止狀態(tài)。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門由此可見，電路的

14、輸出和輸入之間滿足與非邏輯關系。由此可見，電路的輸出和輸入之間滿足與非邏輯關系。 CBAF在兩種工作狀態(tài)下，各晶體管工作情況如表所示：在兩種工作狀態(tài)下，各晶體管工作情況如表所示：TTLTTL與非門各級工作狀態(tài)與非門各級工作狀態(tài)輸輸 入入T T1 1T T2 2T T3 3D D4 4T T4 4輸輸 出出與與非非門門狀狀態(tài)態(tài)全部為高全部為高電位電位倒置工倒置工作作飽飽和和截截止止截截止止飽飽和和低電低電平平V VOLOL開開門門至少一個至少一個低電位低電位深飽和深飽和截截止止導導通通導導通通截截止止高電高電平平V VOHOH關關門門 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門推拉輸出電

15、路的主要作用是提高帶負載能力。推拉輸出電路的主要作用是提高帶負載能力。當電路處于當電路處于關態(tài)時，輸出級工作于射極輸出狀態(tài)，呈現(xiàn)低阻抗輸出；當電關態(tài)時，輸出級工作于射極輸出狀態(tài)，呈現(xiàn)低阻抗輸出；當電路處于開態(tài)時，路處于開態(tài)時，T T4 4處于飽和狀態(tài)，輸出電阻也很低。因此在穩(wěn)處于飽和狀態(tài)，輸出電阻也很低。因此在穩(wěn)態(tài)時，電路均具有較低的輸出阻抗，大大提高了帶負載能力。態(tài)時，電路均具有較低的輸出阻抗，大大提高了帶負載能力。推拉輸出電路和多發(fā)射極晶體管大大提高了電路的開關速推拉輸出電路和多發(fā)射極晶體管大大提高了電路的開關速度。度。一般一般TTLTTL與非門的平均延遲時間可以縮短到幾十納秒。與非門的平

16、均延遲時間可以縮短到幾十納秒。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門(3)(3)推拉輸出電路和多發(fā)射極晶體管的作用推拉輸出電路和多發(fā)射極晶體管的作用3.2.2 TTL3.2.2 TTL與非門的主要外部特性與非門的主要外部特性1.1.TTLTTL與非門的電壓傳輸特性與非門的電壓傳輸特性輸出電壓跟隨輸入電壓變化的輸出電壓跟隨輸入電壓變化的關系曲線關系曲線, ,即即v vO=O=f f( (v vI I) )截止區(qū)：截止區(qū)：T2,T4T2,T4截止截止 線性區(qū)：線性區(qū)：T2T2處于處于放大狀態(tài)放大狀態(tài) 轉(zhuǎn)折區(qū)：轉(zhuǎn)折區(qū)：T3T3、D4D4截止，截止，T4T4進入飽進入飽和狀態(tài)。和狀態(tài)。

17、飽和區(qū)：飽和區(qū)：T2T2、T4T4飽和飽和 重要參數(shù)：重要參數(shù)： （1 1）輸出高電平）輸出高電平V VOHOH和輸出低電平和輸出低電平V VOLOL TTL TTL與非門的電壓傳輸特性與非門的電壓傳輸特性在電壓傳輸特性曲線截止區(qū)的在電壓傳輸特性曲線截止區(qū)的輸出電壓為輸出邏輯高電平輸出電壓為輸出邏輯高電平V VOHOH，飽和區(qū)的輸出電壓為輸出邏輯飽和區(qū)的輸出電壓為輸出邏輯低電平低電平V VOLOL。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門（2) 2) 邏輯擺幅邏輯擺幅VV 典型典型TTLTTL邏輯門的邏輯擺幅邏輯門的邏輯擺幅V= 3.6 V-0.3 V = 3.3 VV= 3.6

18、V-0.3 V = 3.3 V。 （3 3）開門電平）開門電平V Vonon和關門電平和關門電平V Voffoff 及閾值電壓及閾值電壓V Vthth。 開門電平開門電平V Vonon：保證輸出為額定：保證輸出為額定 低電平時，所允許輸入高電平的低電平時，所允許輸入高電平的 最低值最低值 關門電平關門電平V Voffoff：保證輸出電平為：保證輸出電平為 額定高電平的額定高電平的90%90%時時, ,允許輸入低允許輸入低 電平的最大值電平的最大值 閾值電壓閾值電壓V Vthth：指電壓傳輸特性上：指電壓傳輸特性上 轉(zhuǎn)折區(qū)中點所對應的輸入電壓轉(zhuǎn)折區(qū)中點所對應的輸入電壓 3.2 3.2 TTL T

19、TL集成邏輯門集成邏輯門（4 4）噪聲容限）噪聲容限V VNLNL、V VNH NH 0VOLVILVOFFVONVIHVIVOH3.6 VVOVNHVNL低電平噪聲容限：低電平噪聲容限：V VNLNL=V=Voffoff -V -VILIL 高電平噪聲容限：高電平噪聲容限： V VNHNH= V= VIHIH -V -Vonon 抗干擾容限用來表征邏輯門的抗干擾能力，一旦干擾抗干擾容限用來表征邏輯門的抗干擾能力，一旦干擾電平超過抗干擾容限，邏輯門將不能正常工作。電平超過抗干擾容限，邏輯門將不能正常工作。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門2. 2. 輸入特性輸入特性輸入電流與

20、輸入電壓之間的關系曲線，即輸入電流與輸入電壓之間的關系曲線，即i iI I= =f(vf(vI I) ) （2 2）輸入漏電流）輸入漏電流I IIH IH 輸入特性曲線輸入特性曲線（1 1）輸入短路電流）輸入短路電流I IISIS 輸入端接地時流經(jīng)輸入端的電流輸入端接地時流經(jīng)輸入端的電流 當當v vI IV Vthth時的輸入電流稱為輸入漏電流，其數(shù)值很小。時的輸入電流稱為輸入漏電流，其數(shù)值很小。 輸入電流輸入電流i iI I以流出以流出T T1 1發(fā)射極方向為正。發(fā)射極方向為正。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門3. 3. 輸入負載特性輸入負載特性 TTL TTL與非門輸入

21、負載與非門輸入負載將邏輯門的一個輸入端通過電阻將邏輯門的一個輸入端通過電阻R Ri i接地，邏輯門的其余輸入端接地，邏輯門的其余輸入端懸空，則有電源電流從該輸入端流向懸空，則有電源電流從該輸入端流向R Ri i，并在，并在R Ri i上產(chǎn)生壓降上產(chǎn)生壓降V VI I 當當R Ri i小于小于R R0ff0ff時輸入為低電平時輸入為低電平; ;當當R Ri i高于高于R Ronon時輸入為高電平。時輸入為高電平。典型典型TTLTTL與非門選取輸入端接地電阻時與非門選取輸入端接地電阻時 R Roffoff0.9k, R0.9k, Ronon3k3k。由于由于R Ri i的存在使輸入低電平提高的存在

22、使輸入低電平提高, ,從而削弱了電路的抗干擾能力。從而削弱了電路的抗干擾能力。注意：注意： 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門4. 4. 輸出特性輸出特性 TTLTTL與非門的輸出特性反映了輸出電壓和輸出電流的關系與非門的輸出特性反映了輸出電壓和輸出電流的關系 （1 1）與非門處于開態(tài)時：此時）與非門處于開態(tài)時：此時T T4 4飽和，輸出低電平，飽和，輸出低電平，輸出電流輸出電流i iL L從負載流進從負載流進T T4 4，形成灌電流。，形成灌電流。 TTL TTL與非門輸出低電平的輸出特性與非門輸出低電平的輸出特性 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門（2 2）

23、與非門處于關態(tài)時：此時）與非門處于關態(tài)時：此時T T4 4截止，截止，T T3 3、D D4 4導通，導通， 輸出高電平輸出高電平 , ,負載電流為拉電流負載電流為拉電流 TTLTTL與非門輸出高電平時的輸出特性與非門輸出高電平時的輸出特性 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門5 5、TTLTTL與非門的帶負載能力與非門的帶負載能力（1 1）灌電流負載）灌電流負載+V+V13D12312313截止3飽和CC（ +5V）TTR截止4c4RCC4Kb1b14KR輸出低電平IILIILIOLC3I=當驅(qū)動門輸出低電平時當驅(qū)動門輸出低電平時, ,把允許灌把允許灌入輸出端的電流定義為輸出低

24、電平入輸出端的電流定義為輸出低電平電流電流I IOLOL, ,產(chǎn)品規(guī)定產(chǎn)品規(guī)定I IOLOL=16mA =16mA ILOLOLIINN NOLOL稱為輸出低電平時的扇出系數(shù)稱為輸出低電平時的扇出系數(shù) 扇入系數(shù)是指合格的輸入端的個數(shù)；扇入系數(shù)是指合格的輸入端的個數(shù)；扇出系數(shù)是指邏輯門扇出系數(shù)是指邏輯門輸出端最多能驅(qū)動同類門的個數(shù)。輸出端最多能驅(qū)動同類門的個數(shù)。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門（2 2）拉電流負載）拉電流負載當驅(qū)動門輸出高電平時，電流從驅(qū)動門拉出，當驅(qū)動門輸出高電平時，電流從驅(qū)動門拉出，把允許拉出輸出端的電流定義為輸出高電平把允許拉出輸出端的電流定義為輸出高電

25、平電流電流I IOHOH。產(chǎn)品規(guī)定產(chǎn)品規(guī)定I IOHOH=0.4mA=0.4mA。 +V+V1231312313DRCCR3導通b14K截止T（+5V）b1Tc4R4CC4K導通輸出高電平IIHIIHOHE4=IIIHOHOHIINN NOHOH稱為輸出高電平時的扇出系數(shù)。稱為輸出高電平時的扇出系數(shù)。 一般一般N NOLOLN NOHOH，常取兩者中的較小值作為門電路的，常取兩者中的較小值作為門電路的扇出系數(shù)，用扇出系數(shù)，用N NO O表示。表示。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門當測出輸出端為低電平時允許灌入的最大負載電流當測出輸出端為低電平時允許灌入的最大負載電流I IO

26、LmaxOLmax后，則可求出驅(qū)動門的扇出系數(shù)后，則可求出驅(qū)動門的扇出系數(shù)N NO O： ISLOOIINmax I IISIS為為TTLTTL與非門的輸入短路電流與非門的輸入短路電流 邏輯門輸出低電平時的扇出系數(shù)一般小于輸出高電平時的扇邏輯門輸出低電平時的扇出系數(shù)一般小于輸出高電平時的扇出系數(shù)，因此，邏輯門的負載能力應以輸出低電平時的扇出出系數(shù)，因此，邏輯門的負載能力應以輸出低電平時的扇出系數(shù)為準。系數(shù)為準。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門6. 6. 平均延遲時間平均延遲時間t tpdpdt tpdpd表示輸出信號滯后于輸入信號的時間表示輸出信號滯后于輸入信號的時間 TT

27、L TTL與非門的平均延遲時間與非門的平均延遲時間 )(21PLHPHLpdttt定義：定義：導通延遲導通延遲時間時間 截止延遲截止延遲時間時間 一般一般TTLTTL與非門傳輸延遲時間與非門傳輸延遲時間t tpdpd的值為幾納秒十幾個納秒。的值為幾納秒十幾個納秒。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門7 7電源特性電源特性平均功耗和動態(tài)尖峰電流平均功耗和動態(tài)尖峰電流（1 1） 功耗是指邏輯門消耗的電源功率，常用空載功耗來表征。功耗是指邏輯門消耗的電源功率，常用空載功耗來表征。 平均功耗為：平均功耗為： )(21HLPPP邏輯門輸出低電平時的功耗稱為空載導通功耗邏輯門輸出低電平時的

28、功耗稱為空載導通功耗P PL L，典型，典型數(shù)值約為數(shù)值約為16mW16mW。邏輯門輸出高電平時的功耗稱為空載截止功耗邏輯門輸出高電平時的功耗稱為空載截止功耗P PH H ，典型，典型數(shù)值約為數(shù)值約為5mW5mW。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門（2 2）電源的動態(tài)尖峰電流）電源的動態(tài)尖峰電流在動態(tài)情況下在動態(tài)情況下, ,特別是當輸出電平由低突然變?yōu)楦叩倪^渡過特別是當輸出電平由低突然變?yōu)楦叩倪^渡過程中程中, ,在某個瞬間在某個瞬間, ,會使門電路中的所有管子均導通會使門電路中的所有管子均導通, ,使電源使電源電流出現(xiàn)尖峰脈沖電流出現(xiàn)尖峰脈沖. .尖峰電流有時可達尖峰電流有時

29、可達40mA40mA。電源的動態(tài)尖峰電流引起的后果電源的動態(tài)尖峰電流引起的后果: : 使電源的平均電流加大使電源的平均電流加大. .而且而且, ,工作頻率越高工作頻率越高, ,平均電流平均電流增加越多增加越多; ;電源的動態(tài)尖峰電流通過電源和地線的內(nèi)阻電源的動態(tài)尖峰電流通過電源和地線的內(nèi)阻, ,形成系統(tǒng)內(nèi)形成系統(tǒng)內(nèi) 部的噪聲源。部的噪聲源。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門3.2.3 TTL3.2.3 TTL其它門電路其它門電路TTLTTL其它門電路其它門電路非門非門或非門或非門集電極開路門（集電極開路門（OCOC）三態(tài)輸出門等三態(tài)輸出門等 3.2 3.2 TTL TTL集成

30、邏輯門集成邏輯門除了除了TTLTTL與非門，還有一些與非門，還有一些TTLTTL的其它門電路。的其它門電路。1.TTL1.TTL非門非門L L+V+V1 12 23 31 12 23 3D D1 12 23 31 13 3A AT TT TT T1 12 23 3R Re2e21 1A AL=AL=A(a)(a)(b)(b)R Rc2c2R RCCCCR RT Tc4c4b1b14 4請大家自行分析一下非門的工作原理！請大家自行分析一下非門的工作原理！ 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門2.TTL2.TTL或非門或非門TTLTTL或非門電路或非門電路 T T1 1和和T T1

31、1為輸入級；為輸入級；T T2 2和和T T2 2的兩個集電極的兩個集電極并接，兩個發(fā)射極并接，并接，兩個發(fā)射極并接，構(gòu)成中間級；構(gòu)成中間級；T T3 3、D D4 4和和T T4 4構(gòu)成推拉式輸出級。構(gòu)成推拉式輸出級。 輸入端全部為低電平時，輸入端全部為低電平時，輸出高電平，有一個或輸出高電平，有一個或兩個為高電平輸入時，兩個為高電平輸入時，輸出就為低電平，該電路輸出就為低電平，該電路實現(xiàn)或非邏輯功能。實現(xiàn)或非邏輯功能。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門TTLTTL或非門具體工作狀態(tài)如表所示：或非門具體工作狀態(tài)如表所示：輸入（輸入（A A，B B）T1T1T1T1T2T2T

32、2T2T3T3D4D4T4T4輸出輸出A=LA=L，B=LB=L飽和飽和飽和飽和截止截止截止截止導通導通導通導通截止截止H HA=LA=L，B=HB=H飽和飽和倒置倒置截止截止導通導通截止截止截止截止飽和飽和L LA=HA=H，B=LB=L倒置倒置飽和飽和導通導通截止截止截止截止截止截止飽和飽和L LA=HA=H，B=HB=H倒置倒置倒置倒置導通導通導通導通截止截止截止截止飽和飽和L L 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門3.TTL3.TTL異或門異或門V VCCCCT T9 9T T8 8D DT T6 6Y YTTLTTL異或電路異或電路B BA AT T2 2T T3 3

33、T T7 7T T4 4T T5 5T T1 1p px xy yABp BAx xpy BABABAABBAxpyY 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門4.4.集電極開路的集電極開路的TTLTTL與非門（與非門（OCOC門）門）& &A AB BF F邏輯符號邏輯符號R R1 1D D1 1F FV Vcccc(5V)(5V)1.6k1.6kR R2 24k4kR R3 31k1kD D2 2A AB BT T1 1T T2 2T T5 5輸入極輸入極中間極中間極輸出極輸出極(a) (a) 電路電路 (b) (b)國標符號國標符號 3.2 3.2 TTL TT

34、L集成邏輯門集成邏輯門& & &V VCCCCR RA AB BC CD DF=AB CDF=AB CD =AB+CD =AB+CD上上電電說明說明: :普通的普通的TTLTTL電路不能將輸出端連在電路不能將輸出端連在一起一起, ,輸出端連在一起輸出端連在一起, ,可能使電路形可能使電路形成低阻通道成低阻通道, ,使電路因電流過大而燒使電路因電流過大而燒毀毀; ; 由于由于OCOC門的集電極是開路的門的集電極是開路的, ,要實現(xiàn)正常要實現(xiàn)正常 的邏輯功能的邏輯功能, ,需外加需外加上拉電阻。上拉電阻。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門 5. 5. 三態(tài)

35、輸出門三態(tài)輸出門(TS(TS門門) ) 三態(tài)門三態(tài)門( (TSLTSL門門) )的輸出有三個狀態(tài)的輸出有三個狀態(tài), ,即即: : 0 0, ,1 1和和高阻高阻, ,在使用中在使用中, ,由控制端由控制端ENEN( (稱使能控制端稱使能控制端) )來控制電路的輸出狀來控制電路的輸出狀態(tài)。態(tài)。( (a a) ) 電路電路 ( (b b) )國標符號國標符號 A AB BENENF FENEN& &1)1) 當當EN=1EN=1時時, ,P=1P=1, ,二二 極管截止極管截止, ,電路等電路等效為普通與非門。效為普通與非門。2)2)當當EN=0EN=0, ,P=0P=0, ,T

36、T4 4 和和T T5 5均截止均截止, ,輸輸 出高阻態(tài)出高阻態(tài)“Z”Z”。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門三態(tài)門的應用三態(tài)門的應用（a a）組成單向總線，）組成單向總線，實現(xiàn)信號的分時單向傳送實現(xiàn)信號的分時單向傳送。AEN&BAEN&BAEN&BENENEN111222333總線G1G2G3（b b）組成雙向總線，）組成雙向總線，實現(xiàn)信號的分時雙向傳送。實現(xiàn)信號的分時雙向傳送。EN1總線DDIO1EN/IDDOGG12EN在總線結(jié)構(gòu)中，任一時刻僅允許一個門工作在總線結(jié)構(gòu)中，任一時刻僅允許一個門工作; ;輸出并接，與輸出并接，與OCOC門的并接不同

37、；不需外接負門的并接不同；不需外接負載電阻，工作速度較快。載電阻，工作速度較快。注意注意 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門3.2.4 TTL3.2.4 TTL門電路的改進門電路的改進為了提高工作速度，降低功耗，提高抗干擾能力，為了提高工作速度，降低功耗，提高抗干擾能力，各生產(chǎn)廠家對門電路作了多次改進。各生產(chǎn)廠家對門電路作了多次改進。1.741.74系列系列為為TTLTTL集成電路的集成電路的早期產(chǎn)品，屬中速早期產(chǎn)品，屬中速TTLTTL器件。器件。2 274L74L系列系列為低功耗為低功耗TTLTTL系系列，又稱列，又稱LTTLLTTL系列。系列。3 374H74H系列系列為高

38、速為高速TTLTTL系列。系列。4 474S74S系列系列為肖特基為肖特基TTLTTL系系列，進一步提高了速度，如圖示。列，進一步提高了速度，如圖示。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門5 574LS74LS系列系列為低功耗肖特基系列。為低功耗肖特基系列。6 674AS74AS系列系列為先進肖特基系列，它是為先進肖特基系列，它是74S74S系系列的后繼產(chǎn)品。列的后繼產(chǎn)品。7 774ALS74ALS系列系列為先進低功耗肖特基系列，是為先進低功耗肖特基系列，是74LS74LS系列的后繼產(chǎn)品。系列的后繼產(chǎn)品。此外，還有各種此外，還有各種CT 54CT 54系列的系列的TTLTTL門電

39、路，其電路結(jié)構(gòu)和門電路，其電路結(jié)構(gòu)和電氣性能參數(shù)與電氣性能參數(shù)與CT 74CT 74系列相同，但比系列相同，但比7474系列的工作溫度系列的工作溫度范圍更寬，電源允許的工作范圍也更大。范圍更寬，電源允許的工作范圍也更大。 3.2 3.2 TTL TTL集成邏輯門集成邏輯門3.3.1 MOS3.3.1 MOS晶體管晶體管1 1N N溝道增強型溝道增強型MOSMOS管的輸出特性和閾值電壓管的輸出特性和閾值電壓（a a）結(jié)構(gòu)示意圖）結(jié)構(gòu)示意圖 （b b）符號）符號 N N溝道增強型溝道增強型MOSMOS場效應管場效應管 3.3 MOS3.3 MOS邏輯門電路邏輯門電路N N溝道溝道MOSMOS管輸出

40、特性曲線管輸出特性曲線非飽和區(qū)：溝道預夾斷前對應的工作區(qū)非飽和區(qū)：溝道預夾斷前對應的工作區(qū) 飽和區(qū)：飽和區(qū)：v vGSGS V VGS(thGS(th）后，后，隨著隨著v vDSDS的增加，靠近的增加，靠近D D區(qū)區(qū)的導電溝道變窄的導電溝道變窄 截止區(qū)：截止區(qū)：i iDSDS =0 =0以下的工作區(qū)域以下的工作區(qū)域 MOSMOS管作為開關使用時，基本交替工作在截止和導通狀態(tài)。管作為開關使用時，基本交替工作在截止和導通狀態(tài)。當當v vGSGS大于管子的開啟電壓（或閾值電壓）大于管子的開啟電壓（或閾值電壓）V VTNTN時，時，N N溝道管溝道管開始導通。開始導通。 3.3 MOS3.3 MOS邏

41、輯門電路邏輯門電路2 2增強型增強型NMOSNMOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線管的轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線反映了當轉(zhuǎn)移特性曲線反映了當v vDSDS為常數(shù)時，為常數(shù)時，v vGSGS對對i iDSDS的控制作用的控制作用 當當v vGSGS V V VGS(th)NGS(th)N后，后，在在v vDSDS作用下形成作用下形成i iDSDS電流電流 N N溝道溝道MOSMOS管轉(zhuǎn)移特性管轉(zhuǎn)移特性3.3 MOS3.3 MOS邏輯門電路邏輯門電路3. MOS3. MOS管分類管分類 MOSMOS管按其溝道和工作類型可分為四種管按其溝道和工作類型可分為四種 MOSMOS管管N N溝道增強型溝道增強型(enhan

42、cement type NMOS)(enhancement type NMOS) P P溝道增強型溝道增強型(enhancement type PMOS)(enhancement type PMOS) N N溝道耗盡型溝道耗盡型(depletion type NMOS)(depletion type NMOS) P P溝道耗盡型溝道耗盡型(depletion type PMOS)(depletion type PMOS) 由于由于NMOSNMOS管溝道中的載流子是電子，其遷移率較高，管溝道中的載流子是電子，其遷移率較高，工作速度較快，因而目前工作速度較快，因而目前NMOSNMOS管應用十分廣泛

43、管應用十分廣泛 由于空穴載流子的遷移率約為電子遷移率的一半，由于空穴載流子的遷移率約為電子遷移率的一半，故故PMOSPMOS管的工作速度較管的工作速度較NMOSNMOS管的工作速度低。管的工作速度低。 P P溝道耗盡型場效應管較難于制造，溝道耗盡型場效應管較難于制造，在數(shù)字集成電路中很少使用。在數(shù)字集成電路中很少使用。3.3 MOS3.3 MOS邏輯門電路邏輯門電路3.3.2 MOS3.3.2 MOS反相器反相器MOSMOS反相器分類反相器分類電阻負載電阻負載MOSMOS電路電路E/E MOSE/E MOS（增強型（增強型/ /增強型增強型MOSMOS）反相器）反相器 E/D MOSE/D M

44、OS（增強型（增強型/ /耗盡型耗盡型MOSMOS）反相器）反相器 CMOSCMOS（Complementary MOSComplementary MOS）反相器）反相器 CMOSCMOS電路的工作速度高，功耗小，并且可用正電源，電路的工作速度高，功耗小，并且可用正電源，便于和便于和TTLTTL電路連接，下面我們著重討論電路連接，下面我們著重討論CMOSCMOS邏輯門。邏輯門。 3.3 MOS3.3 MOS邏輯門電路邏輯門電路 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 3.4.1 CMOS3.4.1 CMOS反相器反相器 CMOSCMOS反相器由一個反相器由一個P P溝道增強型溝道增強型MO

45、SMOS管和一個管和一個N N溝道增強型溝道增強型MOSMOS管串聯(lián)組成。通常管串聯(lián)組成。通常P P溝道管溝道管作為負載管，作為負載管，N N溝道管作為輸入管。溝道管作為輸入管。G1G2S2S1PTNTIvDDVOv兩個兩個MOSMOS管的開啟電壓管的開啟電壓V VG S ( t h ) PG S ( t h ) P000，通常為了保證正常工作，要，通常為了保證正常工作，要求求V VDDDD|V VGS(th)PGS(th)P|+|+V VGS(th)NGS(th)N。下面分析一下下面分析一下CMOSCMOS反相器電路工作原理反相器電路工作原理 若若輸入輸入v vI I為高電平為高電平( (如

46、如V VDDDD) )，則輸入管導通，則輸入管導通，負載管截止，輸出電壓接近負載管截止，輸出電壓接近0V0V，即，即輸出低電平。輸出低電平。 若若輸入輸入v vI I為低電平為低電平( (如如0V)0V)，則負載管導通，則負載管導通，輸入管截止，輸出電壓輸入管截止，輸出電壓v vO O= =V VOHOHV VDDDD, ,即即輸出輸出高電平。高電平。 綜上分析，可見該電路實現(xiàn)了綜上分析，可見該電路實現(xiàn)了“非邏輯非邏輯”功能。功能。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 3.4.2 CMOS3.4.2 CMOS反相器的主要特性反相器的主要特性 1.1.電壓傳輸特性和電流傳輸特性電壓傳輸特

47、性和電流傳輸特性vIvOVDDA BVDD21VTNVTPVDD21VDD0DC電壓特性曲線大致分為電壓特性曲線大致分為ABAB、 BCBC、CDCD三個階段。三個階段。 ABAB段：段：v vI IV VTNTN，即，即輸入為低電平輸入為低電平時，時，v vGS1GS1VTNVTN，|vGS2|vGS2| |V VTPTP| |，T TN N截止，截止，T TP P導通，導通，v vO O= =V VOHOHV VDDDD，輸出高電平。輸出高電平。 CDCD段：段：v vI IV VDDDD-|-|V VTPTP| |，即，即輸入為高電平輸入為高電平時，時，T TN N導通，導通，| |v

48、vGS2GS2| | |V VTPTP| |，T TP P截止，截止，v vO O= =V VOLOL00，輸出為低電平。輸出為低電平。 CMOSCMOS反相器的電壓傳輸特性反相器的電壓傳輸特性 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 vIvOVDDA BVDD21VTNVTPVDD21VDD0DCCMOSCMOS反相器的電壓傳輸特性反相器的電壓傳輸特性 BCBC段：段：V VTNTNv vI I( (V VDDDD-|-|V VTPTP|)|)，此時，此時由于由于v vGS1GS1V VTNTN，v vGS2GS2| |V VTPTP| |，故，故T TN N、T TP P均導通。若均導

49、通。若T TN N、T TP P的參數(shù)對稱，則的參數(shù)對稱，則v vI I=1/2=1/2V VDDDD時兩管導通內(nèi)阻相等，時兩管導通內(nèi)阻相等，v vO O=1/2=1/2V VDDDD BCBC段特性曲線很陡，可見段特性曲線很陡，可見CMOSCMOS反相反相器的傳輸特性接近理想開關特性，器的傳輸特性接近理想開關特性，因而其噪聲容限大，抗干擾能力強。因而其噪聲容限大，抗干擾能力強。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 vIiDABVTNVTPVDD21VDD0CDCMOSCMOS反相器的電流傳輸特性反相器的電流傳輸特性 CMOSCMOS反相器的電流傳輸特性如圖所示反相器的電流傳輸特性如圖

50、所示 CMOSCMOS反相器的電流傳輸特性曲線，反相器的電流傳輸特性曲線，只在工作區(qū)只在工作區(qū)BCBC段時，由于負載管段時，由于負載管和輸入管都處于飽和導通狀態(tài)，和輸入管都處于飽和導通狀態(tài)，會產(chǎn)生一個較大的電流。會產(chǎn)生一個較大的電流。其余情況下，電流都極小。其余情況下，電流都極小。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 CMOSCMOS反相器具有如下特點：反相器具有如下特點：(1)(1)靜態(tài)功耗極低。靜態(tài)功耗極低。在穩(wěn)定時，在穩(wěn)定時，CMOSCMOS反相器工作總有一個反相器工作總有一個MOSMOS管處于截止狀態(tài)，流過的電流為極小的漏電流。管處于截止狀態(tài)，流過的電流為極小的漏電流。(2)(

51、2)抗干擾能力較強。抗干擾能力較強。由于其閾值電平近似為由于其閾值電平近似為0.50.5V VDDDD，輸入信，輸入信號變化時，過渡變化陡峭，所以低電平噪聲容限和高電平號變化時，過渡變化陡峭，所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等，隨電源電壓升高，抗干擾能力增強。噪聲容限近似相等，隨電源電壓升高，抗干擾能力增強。(3) (3) 電源利用率高。電源利用率高。V VOHOH= =V VDDDD，同時由于閾值電壓隨，同時由于閾值電壓隨V VDDDD變化而變化而變化，所以允許變化，所以允許V VDDDD有較寬的變化范圍，一般為有較寬的變化范圍，一般為+3+3+18V+18V。(4) (4) 輸入阻

52、抗高，帶負載能力強。輸入阻抗高，帶負載能力強。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 輸入特性和輸出特性輸入特性和輸出特性(1) (1) 輸入特性輸入特性為了保護柵極和襯底之間的柵為了保護柵極和襯底之間的柵氧化層不被擊穿，氧化層不被擊穿，CMOSCMOS輸入端輸入端都加有保護電路。都加有保護電路。由于二極管的鉗位作用，使得由于二極管的鉗位作用，使得MOSMOS管在正或負尖峰脈沖作用管在正或負尖峰脈沖作用下不易發(fā)生損壞。下不易發(fā)生損壞。考 慮 輸 入 保 護 電 路 后 ，考 慮 輸 入 保 護 電 路 后 ， CMOSCMOS反相器的輸入特性如圖所反相器的輸入特性如圖所示。示。 CMOS

53、 CMOS輸入保護電路輸入保護電路v vO OV VDDDDT TP PT TN Nv vI IC C1 1D D2 2N N D D1 1 D D1 1C C2 2P PP PP PN NR R CMOS CMOS反相器輸入特性反相器輸入特性v vI IO OV VDDDDi iI I1V1V 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 (2) (2) 輸出特性輸出特性a. a. 低電平輸出特性低電平輸出特性當輸入當輸入v vI I為高電平時，負為高電平時，負載管截止，輸入管導通，負載載管截止，輸入管導通，負載電流電流I IOLOL灌入輸入管，如圖所示。灌入輸入管，如圖所示。灌入的電流就是灌

54、入的電流就是N N溝道管的溝道管的i iDSDS，輸出特性曲線如圖所示。輸出特性曲線如圖所示。輸出電阻的大小與輸出電阻的大小與v vGSNGSN( (v vI I) )有關，有關，v vI I越大，輸出電阻越小，越大，輸出電阻越小，反相器帶負載能力越強。反相器帶負載能力越強。v vO O= =V VOLOLV VDDDDT TN NR RL Lv vI I= =V VDDDDT TP PI IOLOL 輸出低電平等效電路輸出低電平等效電路輸出低電平時輸出特性輸出低電平時輸出特性V VOLOL( (v vDSNDSN) )O OI IOLOL( (i iDSNDSN) )v vI I( (v v

55、GSNGSN) ) 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 b. b. 高電平輸出特性高電平輸出特性當輸入當輸入v vI I為低電平時，負為低電平時，負載管導通，輸入管截止，負載載管導通，輸入管截止，負載電 流 是 拉 電 流 。 輸 出 電 壓電 流 是 拉 電 流 。 輸 出 電 壓V VOHOH= =V VDDDD- -v vSDPSDP，拉電流，拉電流I IOHOH即為即為i iSDPSDP，輸出特性曲線如圖所示。輸出特性曲線如圖所示。由曲線可見，由曲線可見，| |v vGSPGSP| |越大，越大，負載電流的增加使負載電流的增加使V VOHOH下降越小，下降越小，帶拉電流負載能力

56、就越強。帶拉電流負載能力就越強。 輸出高電平時輸出特性輸出高電平時輸出特性V VOHOHV VDDDDT TN NR RL Lv vI I=0=0T TP PI IOHOH 輸出高電平等效電路輸出高電平等效電路v vSDPSDPO OI IOH OH ( (i iSDPSDP) )v vGSPGSPV VDDDD 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 3.3.電源特性電源特性CMOSCMOS反相器的電源特性包含工作時的反相器的電源特性包含工作時的靜態(tài)功耗靜態(tài)功耗和和動態(tài)功耗動態(tài)功耗。靜態(tài)功耗非常小，通?？珊雎圆挥嫛ｌo態(tài)功耗非常小，通常可忽略不計。CMOSCMOS反相器的功耗主要取決于動態(tài)

57、功耗，尤其是在工作頻反相器的功耗主要取決于動態(tài)功耗，尤其是在工作頻率較高時，動態(tài)功耗比靜態(tài)功耗大得多。當率較高時，動態(tài)功耗比靜態(tài)功耗大得多。當CMOSCMOS反相器工作在反相器工作在TPTP和和TNTN短時間的同時飽和導通的時候，將產(chǎn)生瞬時大電流，從短時間的同時飽和導通的時候，將產(chǎn)生瞬時大電流，從而產(chǎn)生而產(chǎn)生瞬時導通功耗瞬時導通功耗P PT T。 此外，動態(tài)功耗還包括在狀態(tài)發(fā)生變化時，對負載電容充、此外，動態(tài)功耗還包括在狀態(tài)發(fā)生變化時，對負載電容充、放電所消耗的功耗。放電所消耗的功耗。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 3.4.3 CMOS3.4.3 CMOS傳輸門傳輸門 CMOS

58、CMOS傳輸門是由傳輸門是由P P溝道和溝道和N N溝道增強型溝道增強型MOSMOS管并聯(lián)互補組成。管并聯(lián)互補組成。CMOSCMOS傳輸門及其邏輯符號傳輸門及其邏輯符號當當C=0VC=0V，C=C=V VDDDD時，兩個時，兩個MOSMOS管管都截止。輸出和輸入之間呈現(xiàn)都截止。輸出和輸入之間呈現(xiàn)高阻抗，傳輸門截止。高阻抗，傳輸門截止。當當C=C=V VDDDD，C=0VC=0V時，總有一個時，總有一個MOSMOS管管導通，使輸出和輸入之間呈低阻抗，導通，使輸出和輸入之間呈低阻抗，傳輸門導通。傳輸門導通。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 傳輸門一個重要用途是作模擬開關來傳輸連續(xù)變化的

59、模擬電壓信號。傳輸門一個重要用途是作模擬開關來傳輸連續(xù)變化的模擬電壓信號。 vI/vOvO/vISWvI/vOvO/vICTG1C當當C C=1=1時，開關接通時，開關接通, ,C C=0=0時，開關斷開，因此只要一個控制時，開關斷開，因此只要一個控制電壓即可工作。和電壓即可工作。和CMOSCMOS傳輸門一樣，模擬開關也是雙向器件。傳輸門一樣，模擬開關也是雙向器件。 CMOSCMOS模擬開關及其邏輯符號模擬開關及其邏輯符號 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 3.4.4 CMOS3.4.4 CMOS邏輯門電路邏輯門電路1 1CMOSCMOS與非門電路與非門電路LVABDDTP1TN1T

60、N2P2T當輸入當輸入A A、B B中至少有一個為低電中至少有一個為低電平時輸出為高電平，平時輸出為高電平，F(xiàn) = 1F = 1當輸入當輸入A A、B B均為高電平時，均為高電平時，T T1 1和和T T2 2導通，導通，T T3 3和和T T4 4截止，輸出為低電平，截止，輸出為低電平，F(xiàn)=0F=0BAF輸出輸出F F和輸入和輸入A A、B B的邏輯關系為的邏輯關系為該電路實現(xiàn)了與非門的功能。該電路實現(xiàn)了與非門的功能。 3.4 CMOS 3.4 CMOS電路電路 LVABP1TDDTN2P2TN1T2 2CMOSCMOS或非門電路或非門電路輸入輸入A A、B B 均為低電平時，均為低電平時，T TN1N1和和T TN2N2截止，截止，T TP1P1和和T TP2