半導(dǎo)體工藝主要設(shè)備大全

1、清洗機(jī) 超音波清洗機(jī)是現(xiàn)代工廠工業(yè)零件表面清洗的新技術(shù),目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體硅片的清洗。 超聲波清洗機(jī) “聲音也可以清洗污垢 ”超聲波清洗機(jī)又名超聲波清洗器， 以 其潔凈的清洗效果給清洗界帶來(lái)了一股強(qiáng)勁的清洗風(fēng)暴。 超聲波清洗機(jī) （超聲波清洗器） 利 用空化 效應(yīng)，短時(shí)間內(nèi)將傳統(tǒng)清洗方式難以洗到的狹縫、空隙、盲孔徹底清洗干凈，超聲 波清洗機(jī)對(duì)清洗器件的養(yǎng)護(hù)，提高壽命起到了重要作用。 CSQ 系列超聲波清洗機(jī)采用內(nèi)置 式加熱系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)，有效提高了清洗效率；設(shè)置時(shí)間控制裝置，清洗方便；具有頻率自 動(dòng)跟蹤功能，清洗效果穩(wěn)定；多種機(jī) 型、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，適應(yīng)不同清洗要求。 CSQ 系列超聲 波清洗機(jī)適

2、用于珠寶首飾、眼鏡、鐘表零部件、汽車零部件，醫(yī)療設(shè)備、精密偶件、化纖行 業(yè)（噴絲板過(guò)濾芯）等的清洗；對(duì)除油、除銹、除研磨 膏、除焊渣、除蠟，涂裝前、電鍍 前的清洗有傳統(tǒng)清洗方式難以達(dá)到的效果。 恒威公司生產(chǎn) CSQ 系列超聲波清洗機(jī)具有 以下特點(diǎn)：不銹鋼加強(qiáng)結(jié)構(gòu)，耐酸耐 堿；特種膠工藝連接，運(yùn)行安全；使用 IGBT 模塊， 性能穩(wěn)定； 專業(yè)電源設(shè)計(jì)，性價(jià)比高。 反滲透純水機(jī) 去離子水生產(chǎn)設(shè)備之一，通過(guò)反滲透 原理來(lái)實(shí)現(xiàn)凈水。純水機(jī) 清洗半導(dǎo)體硅片用的去離子水生產(chǎn)設(shè)備，去離子水有毒，不可食用。凈化設(shè)備 主要產(chǎn)品：水處理設(shè)備、灌裝設(shè)備、空氣凈化設(shè)備、凈化工程、反滲透、超濾、 電滲析設(shè)備、EDI 裝

3、置、離子交換設(shè)備、機(jī)械過(guò)濾器、精密過(guò)濾器、 UV 紫外線殺 菌器、 臭氧發(fā)生器、裝配式潔凈室、空氣吹淋室、傳遞窗、工作臺(tái)、高校送風(fēng)口、空氣自凈室、亞 高、高效過(guò)濾器等及各種配件。風(fēng) 淋室：運(yùn)用國(guó)外先進(jìn)技術(shù)和進(jìn)口電器控制系統(tǒng), 組裝成的一種使用新型的自動(dòng)吹淋室 .它廣泛用于微電子醫(yī)院 制藥 生化制品 食品衛(wèi)生 精細(xì)化工 精密機(jī)械和 航空航天等生產(chǎn)和科研 單位 ,用于吹除進(jìn)入潔凈室的人體和攜帶物品的表面附著的塵埃,同時(shí)風(fēng)淋室也起氣的作用防止未凈化的空氣進(jìn)入潔凈區(qū)域 ,是進(jìn)行人體凈 化和防止室外空氣污染潔凈的有效設(shè)備 .拋光機(jī) 整個(gè)系統(tǒng)是由一個(gè)旋轉(zhuǎn)的硅片夾持器、承載拋光墊的工作臺(tái)和拋光漿料供給裝置三

4、 大部分組成?；瘜W(xué)機(jī)械拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的工件以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，而 由亞微 米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成的拋光液在工件與拋光墊之間流動(dòng)， 并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)， 工件表 面形成的化學(xué)反應(yīng)物由磨粒的機(jī)械作用去除， 即在化學(xué)成膜和機(jī)械去膜的交替過(guò)程中實(shí)現(xiàn)超 精密表面加工，人們稱這種 CMP 為游離磨料 CMP 。電解拋光 電化學(xué)拋光是利用金屬電化學(xué)陽(yáng)極溶解原理進(jìn)行修磨拋光。將電化學(xué)預(yù)拋光和機(jī) 械精拋光有機(jī)的結(jié)合在一起，發(fā)揮了電化學(xué)和機(jī)構(gòu)兩類拋光特長(zhǎng)。它不受材料硬度和 韌性 的限制， 可拋光各種復(fù)雜形狀的工件。 其方法與電解磨削類似。 導(dǎo)電拋光工具使用金鋼石導(dǎo) 電銼或石墨油石，接到電源的陰極，被拋光

5、的工件（如模具）接到電 源的陽(yáng)極。光刻膠 又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組 成的對(duì)光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反 應(yīng)，使得 這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合 性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶?可溶性部 分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過(guò)程） 。 光刻膠廣泛用于印刷電路 和集成電路的制造以及印刷制 版等過(guò)程。 光刻膠的技術(shù)復(fù)雜， 品種較多。 根據(jù)其化學(xué) 反應(yīng) 機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照 后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不 可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這

6、 種性能， 將光刻膠 作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的 電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可以分 為 三種類型。光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基， 自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚 合物，具有形成正像的特點(diǎn)。光分解型，采用含有疊 氮醌類化合物的材料， 經(jīng)光照后 ,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng) ,由 油溶性變?yōu)樗苄裕?可以制成正性膠。 光交聯(lián) 型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下 ,其 分子中的雙鍵被打開， 并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)， 形成 一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)， 而起到抗蝕作用， 這是一種典 型的負(fù)性 光刻膠?？逻_(dá)公司的產(chǎn)品 KPR 膠即屬此類。 感光樹脂在用近紫外

7、光輻照成像時(shí)， 光的波長(zhǎng) 會(huì)限 制分辨率 （見感光材料） 的提高。 為進(jìn)一步提高分辨率 以滿足超大規(guī)模集成電路工藝 的要求，必須采用波長(zhǎng)更 短的輻射作為光源。由此產(chǎn)生電子束、X 射線和深紫外（V250nm） 刻蝕技術(shù)和相應(yīng)的電子束刻蝕膠， X射線刻蝕 膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細(xì)至 1m以下。光刻機(jī)光刻機(jī)用于將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝設(shè)備，可以在晶圓 表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜?？涛g機(jī) 電子回旋共振等離子體刻蝕機(jī)涉及的是一種集成電路制作工藝中的微電子芯片加工 設(shè)備。結(jié)構(gòu)具有真空室、微波系統(tǒng)、磁場(chǎng)、真空抽放氣系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)，真空抽 放氣系統(tǒng)由機(jī)械泵、 擴(kuò)散泵和相應(yīng)管

8、道、 閥門組成，其特征是真空室由等離子體發(fā)生室，等 離子體約束室，處理室組成，等離子體發(fā)生室外套有兩組串接的磁場(chǎng)線圈，在等離子體約束室周圍均布永久磁鋼，處理室內(nèi)裝有基片架。去膠機(jī) 用于半導(dǎo)體集成電路、太陽(yáng)能電池以及功率器件等刻蝕、去膠工藝，刻蝕方式為等 離子體各向同性刻蝕。 擴(kuò)散爐 半導(dǎo)體器件及大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中用于對(duì)晶片進(jìn)行擴(kuò) 散、氧化、 退火、 合金及燒結(jié)等工藝的一種熱加工設(shè)備。有臥式擴(kuò)散系統(tǒng)及立式擴(kuò)散系統(tǒng)兩 種類型。按控 制方式又分為微控和程控兩種。其組成有：電阻加熱爐、凈化工作臺(tái)、送片 系統(tǒng)、氣源柜、控制柜等。PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 技術(shù)原理是利用低

9、溫等離子體作能量源， 樣品 置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體， 氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。MOCVD 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) （MOCVD） 主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體材料的研究和生 產(chǎn)，是當(dāng)今世界上生產(chǎn)半導(dǎo)體光電器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、發(fā)光二極管、高效太陽(yáng)能電池、光電陰極的制備，是光電子等產(chǎn)業(yè)不可缺少的設(shè)備。LPCVD LPCVD 工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，用作微機(jī)械結(jié)構(gòu)層材料、犧牲 層、絕緣層、掩模材料， LPCVD 工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻 璃

10、。不同的材 料淀積采用不同的氣體。PVD PVD （物理氣相沉積）涂層也被證明有效加工高溫合金。TiN （氮化鈦） PVD 涂層是最早使用的并仍然是最受歡迎的。最近， TiAlN （氮鋁化鈦）和 TiCN （碳氮化鈦）涂層也 能很好使用。過(guò)去 TiAlN 涂層應(yīng)用范圍和 TiN 相比限制更多。但是當(dāng)切削速度提高后它們 是一個(gè)很好的選擇，在那些應(yīng)用提高生 產(chǎn)率達(dá) 40%。濺射臺(tái) 以離子束濺射為例，它由離子源、離子引出極和沉積室3 大部分組成，在高真空或超高真空中濺射鍍膜法。利用直流或高頻電場(chǎng)使惰性氣體（通常為氬）發(fā)生電離，產(chǎn)生輝光放電等離子體， 電離產(chǎn)生的正離子和電子高速轟擊靶材， 使靶材上的原

11、子或分子濺射出來(lái)， 然后沉積到基板上形成薄膜。 磁控濺射 磁控濺射技術(shù)已經(jīng)成為沉積耐磨、 耐蝕、 裝飾、光 學(xué)及其他各種功能薄膜的重要手段.探討了磁控濺射技術(shù)在非平衡磁場(chǎng)濺射、脈沖磁控濺射等方面的進(jìn)步 ,說(shuō)明利 用新型的磁控濺射技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜的高速沉積、高純薄膜制備、提 高反應(yīng)濺射沉積薄膜的質(zhì)量等 ,并進(jìn)一步取代電鍍等傳統(tǒng)表面處理技術(shù).最后呼吁石化行業(yè)應(yīng)大 力發(fā)展和應(yīng)用磁控濺射技術(shù) . 真空烘箱 真空烘箱廣泛應(yīng)用于各實(shí)驗(yàn)室和各工業(yè)領(lǐng)域。 真空烘箱可在低溫下對(duì)熱敏材料進(jìn)行干燥。劃片機(jī) 為了適應(yīng)集成電路的發(fā)展，劃片設(shè)備技術(shù)和工藝也有了較快發(fā)展。國(guó)外已經(jīng)推出代表最高技術(shù)水平的雙軸對(duì)裝式300mm（

12、12 英寸）全自動(dòng)劃片機(jī)， 而國(guó)內(nèi)也克服技術(shù)難點(diǎn)，推出200mm（8 英寸）系列劃片設(shè)備，這些設(shè)備已陸續(xù)進(jìn)入實(shí)用化階段。國(guó)內(nèi)外新劃片設(shè)備滿足市場(chǎng)高要 隨著集成電路由大規(guī)模向超大規(guī)模發(fā)展，集成度越來(lái)越高，到劃片工藝，晶圓片成本大幅增加；晶片直徑越來(lái)越大，目前已達(dá)到 300mm,劃切槽越來(lái)越窄， 一般在 30 艸-40 艸, 這對(duì)于以金剛石砂輪作為刃具的強(qiáng)力磨削加工工藝來(lái)說(shuō)，已進(jìn)入臨界尺寸；硅片由150mm（6 英寸）增大到 200mm，面積只 增加 78%，但其中可供芯片利用的面積增加了 90%,晶圓片的成本和價(jià)值大幅度增加,這些給劃片機(jī)的加工精度、可靠性穩(wěn)定性提出越來(lái) 越苛刻的要求,使劃片 設(shè)

13、備的設(shè)計(jì)技術(shù)更加復(fù)雜,加工制造更加困難。為了適應(yīng)集成電路的發(fā)展,劃片設(shè)備技術(shù)和工藝也有了較快發(fā)展。2000 年,占有國(guó)際劃片機(jī)市場(chǎng)最大份額的日本 DISCO 公司推出了引領(lǐng)劃片機(jī)潮流, 代表 了劃片機(jī)最高技術(shù)水平的雙軸對(duì)裝式300mm 全自動(dòng)劃片機(jī)，它已逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。國(guó)內(nèi)劃片機(jī)研制起步晚,但發(fā)展較快,特別是我們中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第45 研究所推出的150mm 劃片機(jī)，已將控制平臺(tái)提升到了國(guó)際上普遍采用的通用計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)，有效縮短了與國(guó)際水平的差距。我所研制的 HP-602 型精密自動(dòng)劃片機(jī),其主要性能指標(biāo)已接 近或達(dá)到國(guó)際同類機(jī)型先進(jìn)水平,在此基礎(chǔ)上研制 的 HP-801 型精密自動(dòng)

14、劃片機(jī)是國(guó)內(nèi)第 一臺(tái)200mm 自動(dòng)劃片機(jī)，已于 2004 年達(dá)到實(shí)用化，新型的雙軸精密自動(dòng)劃片機(jī)HP-821 ,日前已發(fā)給用戶進(jìn)行工藝考核。與150mm 劃片機(jī)相比，200mm 劃片機(jī)總體繼承了 150mm 的機(jī)械機(jī)構(gòu)和成熟單元技 術(shù),控制系統(tǒng)平臺(tái)由 DOS 操作系統(tǒng)上升為 WindowsNT 操作系統(tǒng),并在設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)尺寸 變大的同時(shí),精度進(jìn)一步提高, 而控制功能也進(jìn)一步增強(qiáng),自診斷系統(tǒng)更加完善, 可靠性進(jìn) 一步提高。本土克服大尺寸劃片機(jī)技術(shù)難點(diǎn) 由于其技術(shù)復(fù)雜性問(wèn)題,大尺寸精密劃片機(jī)需要有效解決一系列技術(shù)問(wèn)題： 機(jī)械系統(tǒng)要高剛度、高穩(wěn)定性、低損耗當(dāng)劃片機(jī)的工作臺(tái)處在高速運(yùn)動(dòng)狀態(tài)（400m

15、m/s）之下時(shí)，產(chǎn)生加速度的驅(qū)動(dòng)力及相應(yīng)的反作用力極易使機(jī)械結(jié)構(gòu)產(chǎn)生共振。在劃片獨(dú)特的高速運(yùn)行條件下,許多高頻的共振狀態(tài)也受到激發(fā),使得在低速條件下完全剛性的結(jié)構(gòu)顯示出顯著的柔性,極大地影響設(shè)備的性能。 劃片設(shè)備典型的密集短促往復(fù)運(yùn)動(dòng)更加劇了這種情 況。 高精度的要求,需要設(shè)備具有高速 運(yùn)動(dòng)下抗振動(dòng)的極大剛度, 通常對(duì)應(yīng)著厚重的機(jī)械結(jié)構(gòu)； 而極高的速度要求, 又必須采用輕 質(zhì)的結(jié)構(gòu)來(lái)盡量減輕負(fù)載。因此, 對(duì)高精度和高速度的要求,促使機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)向兩個(gè)截 然相反的方向發(fā)展, 存在著本質(zhì)的矛盾。 這也正是劃片設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的困難和挑戰(zhàn)所在。空氣靜壓主軸設(shè)計(jì)制造技術(shù)空氣靜壓主軸是劃片機(jī)的核心，在6

16、0000r/min 的高轉(zhuǎn)速下實(shí)現(xiàn)振動(dòng)值小于0.5m消除它與不銹鋼冷卻防水罩、 機(jī)械系統(tǒng)的共振或共鳴， 以及它高速 旋轉(zhuǎn)引起的部件材料變形等， 是劃片機(jī)設(shè)計(jì)的最大挑戰(zhàn)。 這具體體現(xiàn)在材料、 設(shè)計(jì)和加工手段 3 個(gè)方面：一是國(guó)內(nèi)基礎(chǔ)工 業(yè)滯后，材料性能滿足不了要求，需要進(jìn)行 材料研究和分析替換；二是設(shè)計(jì)過(guò)程中大部分 參數(shù)及其組合需要反復(fù)試驗(yàn)來(lái)摸索總結(jié)， 工作量巨大。 三是加工手段要求高， 必須具備空氣 車床、空氣磨床等高精度加 工設(shè)備。高速高精度運(yùn)動(dòng)定位及控制技術(shù)從國(guó)際劃片機(jī)發(fā)展過(guò)程來(lái)看，從 150mm 到200mm,精度僅提高 1ym,但這是在行程 增大的條件下提高的，對(duì)導(dǎo)軌、絲杠等機(jī)械部件的

17、精度及變形要求極嚴(yán)，要確保劃切精度和芯片安全,決不允許有誤差積累, 因此,只能選擇閉環(huán)控制。要在不影響或盡量小地影響 效率的前提下實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,必須采用高速高精度定位及其控制系統(tǒng)。高效能、快速響應(yīng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)200mm 硅片尺寸大、密度高、劃切刀痕小，因此，它對(duì)各方向動(dòng)態(tài)響應(yīng)和靜態(tài) 穩(wěn)定性都有極高的要求,而各方向運(yùn)行的速度曲 線也比較特殊。在做圖像對(duì)準(zhǔn)時(shí),各運(yùn)動(dòng) 方向的動(dòng)態(tài)響應(yīng)、 運(yùn)動(dòng)速度和精度都直接影響到自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性、 對(duì)準(zhǔn)效率和硅片的對(duì)準(zhǔn) 通過(guò)率。全自動(dòng)劃片機(jī)一般由主機(jī)部分、自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)、自動(dòng)上下片和自動(dòng)清洗4 個(gè)單元組成,其核心部分是主機(jī)。 HP-821 精密自動(dòng)劃片機(jī)是作為全自動(dòng)劃片機(jī)的主

18、機(jī)部分 進(jìn)行研制的, 已具 有雙軸劃切和自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)功能, 并留有其他配套部分的軟硬件接口, 具備良好的可擴(kuò)展性。 該 機(jī)的研制成功，在為生產(chǎn)線提供一種200mm 自動(dòng) 劃片機(jī)的同時(shí)，為 200mm 全自動(dòng)劃片機(jī)的整機(jī)研制奠定了基礎(chǔ)。 分子束外延 分子束外延技術(shù) (L-MBE) 是近年來(lái)發(fā)展的一種先 進(jìn)的薄膜生長(zhǎng)技術(shù) , 在氧化鋅薄膜生長(zhǎng)的研究中因其獨(dú)特的優(yōu)越性顯示出越來(lái)越強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng) 力.在討論 ZnO 薄膜基本特性的基礎(chǔ)上 , 較為詳細(xì)地論述了激光分子束外延技術(shù)及其在氧化 鋅薄膜制備中的應(yīng)用和取得的新進(jìn)展 . 成像系統(tǒng) PHOTO-CHROM 是全新的薄層成像系統(tǒng), 無(wú)需電腦即可打印輸出。圖象可以

19、儲(chǔ)存在軟盤中( 3 張 TIFF 或 BMP 圖片,或 30 張 JPEG 圖片),再轉(zhuǎn)移 到電腦中。系統(tǒng)帶 PHOTO-CHIROMRF 分析軟件,可以和 PC 機(jī)整合 氣體 過(guò)濾器 氣體過(guò)濾器系高壓級(jí) ,使用于空氣 ,氮?dú)獾冉橘|(zhì) .用于濾去氣體中固體顆粒 .具有重量輕 易于安裝 ,通氣流量大等特點(diǎn) . 液體過(guò)濾器 一種液體過(guò)濾器裝置,包括一具有入口、出口的 筒體, 于該出口處設(shè)有蓋體, 該筒體中設(shè)有至少兩組磁鐵單元, 該磁鐵單元由多個(gè)磁鐵組合 而成,且相鄰之磁鐵單元 相對(duì)面具有相同磁極性, 于該筒體中磁鐵單元后裝置有過(guò)濾單元, 該過(guò)濾單元由可透析液體之濾網(wǎng)片設(shè)成筒狀。 本實(shí)用新型亦可過(guò)濾液

20、體中之鐵質(zhì)異物并使液 體中之 水軟化。 油過(guò)濾器 油液污染是系統(tǒng)故障的最主要原因, 它會(huì)降低系統(tǒng)性能、 縮 短零部件壽命、 增加換油次數(shù)和延長(zhǎng)停機(jī)時(shí)間,給系統(tǒng)正常運(yùn)行帶來(lái)極大的負(fù)面影響。 油過(guò)濾器用來(lái)對(duì)油液進(jìn)行合理有效過(guò)濾與凈化來(lái)控制油液污染。 擴(kuò)散片 LCD 光 擴(kuò)散片 75PBA, 100PBU, 100S,100SXE, 100MXE, 100LSE, 100GM2, 100TL2, 100TL4, 125TD3LCD 光反射片 RW125, RW188, GR38W, RW75CB, RWX3TLED 光擴(kuò)散片 MTN-R1, MTN-G2 MTN-W1, MTN-W2 MTN-W4,

21、 MTN-W5 MTN-WX5,MTN-W7, MTN-W8D101, D105, D202D204, D206, D207顯影劑 顯影劑包括 NPD Negative Resist Developers （ 負(fù)性光刻膠顯影劑 ）和 PositiveResist Removers（正性光刻膠去除劑）曝光機(jī) 微電腦電子曝光機(jī)由光 源系統(tǒng),冷卻系統(tǒng) , 上/ 下框移動(dòng)及真空系統(tǒng) ,曝光控制系統(tǒng)四大系統(tǒng)構(gòu)成 . 光源系 統(tǒng)由兩只 7KW 金屬鹵素?zé)?，遮光罩等組成.冷卻系統(tǒng)由 中間送冷氣冷卻燈管的兩 層玻璃套管（PYREX管及石英玻璃管）,冷卻塔,換熱器,冷氣機(jī)組成.上下框架移 動(dòng)及真空系統(tǒng)由上/下框

22、架,上/下框架驅(qū)動(dòng)部 分,玻璃面,MYLAR（PE 布）,兩處真 空吸氣口組成 . 曝光控制系統(tǒng)由紫外線強(qiáng)度計(jì)（將曝光光量正確地顯示出來(lái) ）, 溫 度傳感器,液面?zhèn)鞲衅?，壓力傳?器,位置傳感器,PLC 控制器組成.勻膠機(jī)/甩膠機(jī) 勻膠機(jī)適應(yīng)于半導(dǎo)體 ,硅片,晶片,基片,導(dǎo)電玻璃等工藝 ,制版的 表面涂覆 . 勻膠機(jī)穩(wěn)定的轉(zhuǎn)速和快速的啟動(dòng) , 可以保證半導(dǎo)體中膠厚度的一致性 和均勻性烘膠臺(tái) 烘膠臺(tái)產(chǎn)品用于光刻工藝中的前烘和堅(jiān)膜。本產(chǎn)品具有烘膠速度快、均 勻、控溫精度高等特點(diǎn)，并可長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)穩(wěn)定工作。 半導(dǎo)體圭寸裝圭寸裝（Package） 對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)是必須的， 也是至關(guān)重要的。 封裝也可以說(shuō)是

23、指安裝半導(dǎo)體集成電 路芯片用的外殼，它不僅起著保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作 用，而且還是溝通 芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁和規(guī)格通用功能的作用。 圭裝設(shè)備 圭裝工程將 是為未來(lái)高精密攜帶式電子機(jī)器的主要核心技術(shù)。 這是以為圭裝工程技術(shù)能將各 種微小半導(dǎo)體元件 , 密圭于一小空間內(nèi) , 除體積小之外 , 功能更大。 引線 引線圭 裝市場(chǎng)上第一種獲得廣泛接納的圭裝是雙列直插式（ DIP， Dual In Line ），可用 陶瓷和塑料圭裝體。 這種圭裝于 20 世紀(jì) 60 年代未開發(fā)出來(lái)， 正如其名， 引線從 圭裝兩邊引出，并與圭裝垂直。這是低成本圭裝，電氣性能相對(duì) 較差，通過(guò)將 引腳插到電路板的通

24、孔中，便可將封裝安裝在 PCE 上，弓 I 線會(huì)在電路板的另一面 夾斷，再利用波峰焊接技術(shù)來(lái)焊接。 該圭裝可容納最多的引線數(shù)目為 40 ， 而電 路板間距則為 0.65mm這種封裝形式至今仍在使用。在 20 世紀(jì) 70 年代末 80 年代初，一種新的電路板裝配技術(shù)出現(xiàn)， 名為表 面安裝（surface mount ）。在這種方法中芯片上的引線（引腳）和元件都被焊接在電 路板的某一表面， 而不是穿過(guò)板體。 這使得電路板兩面都可用于粘結(jié)芯片， 安裝 過(guò)程使用了 焊料回流技術(shù)，今天，超過(guò) 95的封裝都采用了表面安裝技術(shù)，為 了支持這項(xiàng)工藝， 小外形的封裝應(yīng)運(yùn)而生， 其引線也是從封裝的兩邊伸出， 并做

25、 成海鷗翅膀的形狀以便板級(jí)安裝，這類型封裝一般比 DIP 更薄，能支持最大的 引線數(shù)為 80。到 20 世紀(jì) 80 年代中期四邊都有引線的封裝出現(xiàn)，這類封裝稱為 四方扁平封裝（QuadFlat Packs, QFP （引線呈海鷗翅膀形狀）或引線芯片載體（Leaded ChipCarriers ）（引線呈彎曲的 J 字形狀）。最常用的典型四方扁平封裝間距為 0.65mm 或0.5mm 引線數(shù)高達(dá) 208。這些封裝在 20 世紀(jì) 90 年代初期之硬盤驅(qū)動(dòng)器和圖形市場(chǎng)獲得廣泛應(yīng)用。在電氣方面它們大約與 so 封裝相近，但能提供更多的引線，因此在相同的尺寸上具備更多功能， 這種封裝備有多種不 同的尺寸和厚度20 世紀(jì) 80 年代末 90 年代初， 客戶需求在相同的占位面積上享有更高的熱性能， 于是，裸露焊盤引線圭寸裝(Exposed Pad Le