半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)PPT學(xué)習(xí)教案

1、會計(jì)學(xué)1半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)2022-4-282又稱半導(dǎo)體三極管、晶體管，或簡稱為三極管。(Bipolar Junction Transistor)三極管的外形如下圖所示。三極管有兩種類型：NPN 和 PNP 型。 圖 三極管的外形第1頁/共110頁2022-4-283常用的三極管的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類型。圖三極管的結(jié)構(gòu)(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)becPNPNcSiO2b硼雜質(zhì)擴(kuò)散e磷雜質(zhì)擴(kuò)散磷雜質(zhì)擴(kuò)散磷雜質(zhì)擴(kuò)散硼雜質(zhì)擴(kuò)散硼雜質(zhì)擴(kuò)散PN第2頁/共110頁2022-4-284圖 三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(a)NPN 型ecb符號集電區(qū)集電

2、結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c基極 b發(fā)射極 eNNP第3頁/共110頁2022-4-285集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c發(fā)射極 e基極 bcbe符號NNPPN圖 3.1.3三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(b)PNP 型第4頁/共110頁2022-4-286以 NPN 型三極管為例討論圖三極管中的兩個 PN 結(jié)cNNPebbec表面看三極管若實(shí)現(xiàn)放大，必須從三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外部條件來保證。不具備放大作用第5頁/共110頁2022-4-287三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求：NNPebcN N NP P P1. 發(fā)射區(qū)高摻雜。2. 基區(qū)做得很薄。通常只有幾微米到幾十微米，而且摻雜較少。三極管放大的外部條件：外加

3、電源的極性應(yīng)使發(fā)射結(jié)處于正向偏置狀態(tài)，而集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。3. 集電區(qū)面積大。第6頁/共110頁2022-4-288becRcRb內(nèi)部載流子的傳輸過程I EIB 1）發(fā)射發(fā)射區(qū)的電子越過發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，基區(qū)的空穴擴(kuò)散到發(fā)射區(qū)形成發(fā)射極電流 IE (基區(qū)多子數(shù)目較少，空穴電流可忽略)。 2）復(fù)合和擴(kuò)散電子到達(dá)基區(qū)，少數(shù)與空穴復(fù)合形成基極電流 Ibn，復(fù)合掉的空穴由 VBB 補(bǔ)充。多數(shù)電子在基區(qū)繼續(xù)擴(kuò)散，到達(dá)集電結(jié)的一側(cè)。圖 三極管中載流子的運(yùn)動第7頁/共110頁2022-4-289becI EI BRcRb3） 收集集電結(jié)反偏，有利于收集基區(qū)擴(kuò)散過來的電子而形成集電極電流 Icn。其能量

4、來自外接電源 VCC 。I C另外，集電區(qū)和基區(qū)的少子在外電場的作用下將進(jìn)行漂移運(yùn)動而形成反向飽和電流，用ICBO表示。ICBO圖 三極管中載流子的運(yùn)動 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴自由電子和空穴)參參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管?；蚺c導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管?；駼JT (Bipolar Junction Transistor)。 第8頁/共110頁2022-4-2810beceRcRbICBOIEICIBIBnICn2. 2. 電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系發(fā)射極注入電流發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流傳輸?shù)郊姌O的電流 ECn II即根據(jù)傳輸過程可知

5、 IC= ICn+ ICBOIB= IBn - ICBO通常 IC ICBOEC II則有IE=IB+ IC 為電流放大系數(shù)，與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)一般 = 0.90.99第9頁/共110頁2022-4-2811BBBEIIII)1 (1 ，根據(jù)IE=IB+ ICEC II可得BC II令 是另一個電流放大系數(shù)，同樣，它也與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)。一般 1第10頁/共110頁2022-4-2812一組三極管電流關(guān)系典型數(shù)據(jù)IB/mA 0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91

6、IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.961. 任何一列電流關(guān)系符合 IE = IC + IB，IB IC 0 時的輸入特性曲線當(dāng) UCE 0 時，這個電壓有利于將發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子收集到集電極。UCE UBE，三極管處于放大狀態(tài)。 * 特性右移(因集電結(jié)開始吸引電子)V2CE UV/BEUO0CE UIB/A * UCE 1 V，特性曲線重合。圖 三極管的輸入特性UCE = 1 V第18頁/共110頁2022-4-2820二、輸出特性圖 NPN 三極管的輸出特性曲線IC / mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB = 0O 5 10

7、154321截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)1. 截止區(qū)條件：兩個結(jié)都處于反向偏置。IB= 0 時，IC = ICEO。 硅管約等于 1 A，鍺管約為幾十 幾百微安。常數(shù)常數(shù) B)(CECIUfI截止區(qū)截止區(qū)第19頁/共110頁2022-4-28212. 放大區(qū)條件：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏特點(diǎn)：各條輸出特性曲線比較平坦，近似為水平線，且等間隔。IC / mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB =0O 5 10 154321放大區(qū)集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即BC II 放大區(qū)放大區(qū)對 NPN 管 UBE 0，UBC 0 UBC 0 特點(diǎn)：IC 基本上不隨 IB 而變化，在飽和

8、區(qū)三極管失去放大作用。 I C IB。 當(dāng) UC E = UB E，即 UCB = 0 時，稱臨界飽和，UCE UBE時稱為過飽和。飽和管壓降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(鍺管)飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)第21頁/共110頁2022-4-2823例1:三極管工作狀態(tài)的判斷例：測量某硅材料NPN型BJT各電極對地的電壓值如下，試判別管子工作在什么區(qū)域？ 解：原則：正偏正偏反偏反偏反偏反偏集電結(jié)正偏正偏正偏正偏反偏反偏發(fā)射結(jié)飽和飽和放大放大截止截止對NPN管而言，放大時（1）放大區(qū)（2）截止區(qū)（3）飽和區(qū)第22頁/共110頁2022-4-2824一、電流放大系數(shù)一、電流放大系數(shù)表

9、征管子放大作用的參數(shù)，有以下幾個：1. 共射電流放大系數(shù) BCII 2. 共射直流電流放大系數(shù) 忽略穿透電流 ICEO 時，BCII 第23頁/共110頁2022-4-28253. 共基電流放大系數(shù) ECII 4. 共基直流電流放大系數(shù) 忽略反向飽和電流 ICBO 時，ECII 和 這兩個參數(shù)不是獨(dú)立的，而是互相聯(lián)系，關(guān)系為： 1 1或或第24頁/共110頁2022-4-2826二、極間反向飽和電流1. 集電極和基極之間的反向飽和電流 ICBO2.集電極和發(fā)射極之間的反向飽和電流 ICEO(a)ICBO測量電路(b)ICEO測量電路ICBOcebAICEOAceb 小功率鍺管 ICBO 約為幾

10、微安；硅管的 ICBO 小，有的為納安數(shù)量級。當(dāng) b 開路時， c 和 e 之間的電流。CBOCEO)1(II 值愈大，則該管的 ICEO 也愈大。 圖 反向飽和電流的測量電路第25頁/共110頁2022-4-2827三、 極限參數(shù)1. 集電極最大允許電流 ICM BJT的參數(shù)變化不超過允許值時集電極允許的最大電流。2. 集電極最大允許耗散功率 PCM過損耗區(qū)安全 工 作 區(qū) 將 IC 與 UCE 乘積等于規(guī)定的 PCM 值各點(diǎn)連接起來，可得一條雙曲線。ICUCE PCM 為過損耗區(qū)ICUCEOPCM = ICUCE安全 工 作 區(qū)安全 工 作 區(qū)過損耗區(qū)過損耗區(qū)圖 三極管的安全工作區(qū)第26頁

11、/共110頁2022-4-28283. 極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。U(BR)CEO：基極開路時，集電極和發(fā)射極之間的反向擊穿電壓。U(BR)CBO：發(fā)射極開路時，集電極和基極之間的反向擊穿電壓。安全工作區(qū)同時要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。過電壓ICU(BR)CEOUCEO過損耗區(qū)安全 工 作 區(qū)ICM過流區(qū)圖 三極管的安全工作區(qū)第27頁/共110頁2022-4-2829例2某放大電路中BJT三個電極的電流如圖所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,試判斷管腳、管型。解：電流判斷法。電流的正方向和KCL。IE=IB+ ICAB

12、C IAIBICC為發(fā)射極B為基極A為集電極。管型為NPN管。第28頁/共110頁2022-4-2830分析： NPN：UBE0，UCB0 ， Uc Ub Ue PNP： UBE0，UCB0， Uc Ub rbe 與三極管的參數(shù) 、rbe 無關(guān)。uA第67頁/共110頁2022-4-28692. 放大電路的輸入電阻 bebeiii/)1(RRrIUR 引入 Re 后 ， 輸 入 電阻增大了。3. 放大電路的輸出電阻coRR rbe ebcRcRLRboUbIcIbI +ReeIcIrbe bcRcRbbIbI ReeIe將放大電路的輸入端短路，負(fù)載電阻 RL 開路 ，忽略 c 、e 之間的內(nèi)電

13、阻 rce 。RLiU圖 2.4.14(b)第68頁/共110頁2022-4-2870解：（1）求Q點(diǎn)，作直流通路直流通路+-VRIVVmAIIuAKRVVI424124)40(10040300) 2 . 0(12cCCCCEBCbBECCB例：如圖，已知BJT的=100，VBE=-0.2V。（1）試求該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）畫出簡化的小信號等效電路；（3）求該電路的電壓增益AV， 輸出電阻Ro、輸入電阻Ri。第69頁/共110頁2022-4-28712. 畫出小信號等效電路3. 3. 求電壓增益求電壓增益 )()(26)1 (300mAmVEQbeIr300+（1+100）26/4=965

14、歐6 .155)/()/()/(beLcbebLcbbebLcciOrRRrIRRIrIRRIVVAVRbviRcRLiVbIcIOVbI第70頁/共110頁2022-4-28724.4.求輸入電阻求輸入電阻965/bebiiirRIVR5.求輸出電阻Ro = Rc =2KRbviRcRLiVbIcIOVbI第71頁/共110頁2022-4-2873 三極管是一種對溫度十分敏感的元件。溫度變化對管子參數(shù)的影響主要表現(xiàn)有： 1. UBE 改變。UBE 的溫度系數(shù)約為 2 mV/C，即溫度每升高 1C，UBE 約下降 2 mV 。 2. 改變。溫度每升高 1C， 值約增加 0.5% 1 %， 溫度

15、系數(shù)分散性較大。 3. ICBO 改變。溫度每升高 10C ，ICBQ 大致將增加一倍，說明 ICBQ 將隨溫度按指數(shù)規(guī)律上升。第72頁/共110頁2022-4-2874QvCE/ViC/mAiB =0IBQ11. 溫度變化對ICBO的影響2. 溫度變化對輸入特性曲線的影響溫度T 輸出特性曲線上移溫度T 輸入特性曲線左移3. 溫度變化對 的影響溫度T 輸出特性曲線族間距增大QvCE/ViC/mAiB =0IBQ1總之： ICBO ICEO T VBE IB IC 第73頁/共110頁2022-4-2875一、電路組成 分壓式偏置電路由于 UBQ 不隨溫度變化，電流負(fù)反饋式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路T IC

16、Q IEQ UEQ UBEQ (= UBQ UEQ) IBQ ICQ 第74頁/共110頁2022-4-2876二、靜態(tài)與動態(tài)分析靜態(tài)分析C1RcRb2+VCCC2RL+CeuoRb1ReiBiCiEiRuiuEuB由于 IR IBQ， 可得(估算)CCb2b1b1BQVRRRU eBEQBQeEQEQCQ RUURUII 則則)(ecCQCCeEQcCQCCCEQRRIVRIRIVU 靜態(tài)基極電流 CQBQII Rb2Rb1IBQIRIEQICQ第75頁/共110頁2022-4-2877電壓增益電壓增益輸出回路：)/(LcboRRIV 輸入回路：ebbebeebebi)1(RIrIRIrIV

17、 電壓增益：ebeLcebebLcbioV)1()/()1()/(RrRRRrIRRIVVA 畫小信號等效電路確定模型參數(shù)已知，求rbe)mA()mV(26)1 (300EQbeIr增益動態(tài)分析第76頁/共110頁2022-4-2878輸入電阻輸入電阻)1(/ebeb2b1TTiRrRRIVR bRTbIII ebbebeebebT)1(RIrIRIrIV )/(b2b1RTbRRIV 根據(jù)定義由電路列出方程則輸入電阻放大電路的輸入電阻不包含信號源的內(nèi)阻TTiIVR 第77頁/共110頁2022-4-2879輸出電阻輸出電阻輸出電阻oco/ RRR 求輸出電阻的等效電路網(wǎng)絡(luò)內(nèi)獨(dú)立源置零負(fù)載開路

18、輸出端口加測試電壓對回路1和2列KVL方程rce對分析過程影響很大，此處不能忽略0)()(ecbsbeb RIIRrI0)()(ebccebcTRIIrIIV其中b2b1ss/RRRR 則)1(esbeececToRRrRrIVR 當(dāng)coRR 時，coRR 一般cceoRrR （）第78頁/共110頁2022-4-2880三種基本接法共射組態(tài)CE共集組態(tài)CC共基組態(tài)CB第79頁/共110頁2022-4-2881 三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài)BJT的三種組態(tài)共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示。共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示；共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，用CE表示；第

19、80頁/共110頁2022-4-28823.6.1 共集電極電路1. 電路分析共集電極電路結(jié)構(gòu)如圖示該電路也稱為射極輸出器求靜態(tài)工作點(diǎn)求靜態(tài)工作點(diǎn)ebBECCB)1(RRVVI eCCCeECCCERIVRIVV BCII eEBEbBCCRIVRIV BE)1(II 由得第81頁/共110頁2022-4-2883電壓增益電壓增益輸出回路：輸入回路：LbbebLbbbebi)1( )(RIrIRIIrIV 電壓增益：1)1()1()1()1(LbeLLbeLLbebLbioV RrRRrRRrIRIVVA 畫小信號等效電路確定模型參數(shù) 已知，求rbe)mA()mV(26)1 (300EQbeI

20、r增益其中LeL/ RRR LbLbbo)1()(RIRIIV 一般beLrR ，則電壓增益接近于1，1V A即同相同相與與ioVV電壓跟隨器第82頁/共110頁2022-4-2884輸入電阻輸入電阻)1(/LbebTTiRrRIVR bRTbIII LbbebT)1(RIrIV bRTbRIV 根據(jù)定義由電路列出方程則輸入電阻TTiIVR LeL/ RRR 當(dāng)beLrR 1 ，時，Lbi/RRR 輸入電阻大輸出電阻輸出電阻由電路列出方程eRbbTIIII )(sbebTRrIV eRTeRIV 其中bss/ RRR 則輸出電阻 1/beseTTorRRIVR當(dāng) 1beserRR，1 時， b

21、esorRR 輸出電阻小共集電極電路特點(diǎn)：同相同相與與ioVV 電壓增益小于1但接近于1， 輸入電阻大，對電壓信號源衰減小 輸出電阻小，帶負(fù)載能力強(qiáng)第83頁/共110頁2022-4-28852. 復(fù)合管作用：提高電流放大系數(shù)，增大電阻rbe復(fù)合管也稱為達(dá)林頓管第84頁/共110頁2022-4-2886復(fù)合管的組成原則q 在正確的外加電壓下每只管子的各極電流均有合適的通路，且均工作在放大區(qū)。q 為實(shí)現(xiàn)電流放大，將第一只管的集電極或發(fā)射極電流作為第二只管子的基極電流。第85頁/共110頁2022-4-2887結(jié) 論1. 兩個同類型的三極管組成復(fù)合管，其類型與原來相同。復(fù)合管的 1 2，復(fù)合管的 r

22、be = rbe1+（1+ 1） rbe2 。2. 兩個不同類型的三極管組成復(fù)合管，其類型與前級三極管相同。復(fù)合管的 1 2，復(fù)合管的 rbe = rbe1 。第86頁/共110頁2022-4-28883.6.2 共基極電路1. 靜態(tài)工作點(diǎn) 直流通路與射極偏置電路相同CCb2b1b2BVRRRV eBEBECRVVII )(ecCCCeEcCCCCERRIVRIRIVV CBII 第87頁/共110頁2022-4-28892. 動態(tài)指標(biāo)電壓增益電壓增益輸出回路：輸入回路：bebirIV 電壓增益：beLbebLbioVrRrIRIVVA LbLcoRIRIV LcL/ RRR 第88頁/共11

23、0頁2022-4-2890 輸入電阻輸入電阻 輸出電阻輸出電阻 1)(1bebbebeiebirIrIIVrR 11/bebeeebeiiirrRrRIVRcoRR 第89頁/共110頁2022-4-28913. 三種組態(tài)的比較電壓增益：beLc)/(rRR 輸入電阻：beb/rR輸出電阻：cR)/)(1()/()1(LebeLeRRrRR )/)(1(/LebebRRrR 1)/(/bebserRRRbeLc)/(rRR 1/beerRcR第90頁/共110頁2022-4-28923.7 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 放大電路中，由于電抗元件及半導(dǎo)體三極管極間電容的存在，當(dāng)輸入信號的

24、頻率過高或過低時，放大倍數(shù)的數(shù)值會變小，而且會產(chǎn)生超前或滯后的相移。這說明放大倍數(shù)是信號頻率的函數(shù)，這種函數(shù)關(guān)系成為頻率響應(yīng)或頻率特性。低頻端 耦合電容、旁路電容高頻端 極間電容、連線電容第91頁/共110頁2022-4-28933.7.1 單時間常數(shù)RC電路的頻率響應(yīng)1. RC低通電路的頻率響應(yīng)RC電路的電壓增益（傳遞函數(shù)）：則11111ioH11/1/1)()()(CsRsCRsCsVsVsAV fs j2j 且令11H21CRf 又)/j(11HioHffVVAV 電壓增益的幅值（模）2HH)/(11ffAV （幅頻響應(yīng)）電壓增益的相角)/(arctgHHff （相頻響應(yīng)）增益頻率函數(shù)第

25、92頁/共110頁2022-4-2894頻率響應(yīng)曲線描述頻率響應(yīng)曲線描述幅頻響應(yīng)2HH)/(11ffAV 時時，當(dāng)當(dāng) Hff 1)/(112HH ffAVdB 01lg20lg20HH VVAA時時，當(dāng)當(dāng) Hff ffffAV/)/(11H2HH )/lg(20lg20HHffAV 0分貝水平線斜率為 -20dB/十倍頻程 的直線相頻響應(yīng)時時，當(dāng)當(dāng) Hff 時時，當(dāng)當(dāng) Hff )/(arctgHHff 0H 90H 時時，當(dāng)當(dāng) Hff 45H 時時，當(dāng)當(dāng) 100.1 HHfff 十十倍倍頻頻程程的的直直線線斜斜率率為為/45 VVAVVAioio 表示輸出與輸入的相位差高頻時，輸出滯后輸入因?yàn)?/p>

26、所以第93頁/共110頁2022-4-2895第94頁/共110頁2022-4-28962. RC高通電路的頻率響應(yīng)RC電路的電壓增益：22222ioH/1 /1)()()(CRsssCRRsVsVsAV 幅頻響應(yīng)2LL)/(11ffAV 相頻響應(yīng))/(arctgLHff fs j2j 且令22H21CRf 又則ffjVVALVL 11io第95頁/共110頁2022-4-2897頻率響應(yīng)曲線描述頻率響應(yīng)曲線描述幅頻響應(yīng)時時，當(dāng)當(dāng) Lff LLffffA 2VL)/(11LVLffAlg20lg20 時時，當(dāng)當(dāng) Lff 1)/(112L ffALV01lg20lg20L VA0分貝水平線時時，

27、當(dāng)當(dāng) Lff 22)/(112 ffALVLdB 322lg20lg20L VA2LL)/(11ffAV 相頻響應(yīng)時時，當(dāng)當(dāng) Lff 時時，當(dāng)當(dāng) Lff 90L 0L 時時，當(dāng)當(dāng) Lff 45L 時時，當(dāng)當(dāng) 100.1 LLfff 十倍頻程的直線十倍頻程的直線斜率為斜率為/45 VVAVVAioio 表示輸出與輸入的相位差輸出超前輸入因?yàn)樗?/(arctgLffL 第96頁/共110頁2022-4-2898第97頁/共110頁2022-4-28993.7.2 單極放大電路的高頻響應(yīng)1. BJT的高頻小信號建模模型的引出 rbe-發(fā)射結(jié)電阻re歸算到基極回路的電阻 -發(fā)射結(jié)電容Cbe-集電結(jié)電

28、阻rbc -集電結(jié)電容 Cbc rbb -基區(qū)的體電阻，b是假想的基區(qū)內(nèi)的一個點(diǎn)。互導(dǎo)CECEEBCEBCmVVvivig 第98頁/共110頁2022-4-28100模型簡化混合型高頻小信號模型 cecbrr和和忽忽略略 第99頁/共110頁2022-4-28101又因?yàn)樗阅Ｐ蛥?shù)的獲得模型參數(shù)的獲得（與H參數(shù)的關(guān)系）低頻時，混合模型與H參數(shù)模型等效ebbbbe rrrebbeb rIVbebmIVg 所以又 rbe= rb + (1+ ) re ETb)1(IVr ETeb)1(IVr ebbebb rrrTmeb2 fgC 從手冊中查出 TcbfC和和 TEebmVIrg TEebmV

29、Irg 第100頁/共110頁2022-4-28102 的的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)由H參數(shù)可知CEBCfeViih 即0bcce VII 根據(jù)混合模型得cbebebmc1/j CVVgI )/1/1/(cbebebbeb CjCjrIV 低頻時ebm0 rg 所以)(j1/jcbebebcbmbc CCrCgII 當(dāng)cbm Cg 時，ebcbeb0)(j1 rCC 第101頁/共110頁2022-4-28103共發(fā)射極截止頻率 的的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)ebcbeb0)(j1 rCC 的幅頻響應(yīng)令ebcbeb)(21 rCCf 則20)/(1 ff f特征頻率Tfebmcbebm0T2)(2 CgCCgf

30、f 可求得Cbe第102頁/共110頁2022-4-281042. 共射極放大電路的高頻響應(yīng)型高頻等效電路等效電路第103頁/共110頁2022-4-28105對節(jié)點(diǎn) c 列KCL得電路簡化 Rsbeb rCMRcc+- -+- -V0+- -gmVbeVbeVbeVbeVbesVeb Vbb reb eb Veb C0j )(cbebocoebm CVVRVVg cb C忽略 的分流得ebcmo VRgVcboebj )( cb CVVIC 又又因因?yàn)闉榉Q為密勒電容MCcbcmebMj )1(1cb CRgIVZC 則則表示表示若用若用個電容個電容之間存在一之間存在一和和相當(dāng)于相當(dāng)于 , , e b MC cbcmM)1( CRgC等效后斷開了輸入輸出之間的聯(lián)系第104頁/共110頁2022-4