化學(xué)機(jī)械拋光工藝CMP

1、化學(xué)機(jī)械拋光液（CMP）氧化鋁拋光液具體添加劑摘要：本文首先定義并介紹CMP：藝的基本工作原理，然后，通過(guò)介紹CM陳統(tǒng)，從工藝設(shè)備角度定性分析了解CMP勺工作過(guò)程，通過(guò)介2S分析CMP：藝參數(shù)，對(duì)CMP乍定量了解。在文獻(xiàn)精度中，介紹了一個(gè)SiO2的CMP¥均磨除速率模型，其中考慮了磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型比較吻合。MRR模型可用于CM嗽擬，CMPi程參數(shù)最佳化以及下一代CM豉備的研發(fā)。最后，通過(guò)對(duì)VLSI制造技術(shù)的課程回顧，歸納了課程收獲，總結(jié)了課程感悟。關(guān)鍵詞：CMP、研磨液、平均磨除速率、設(shè)備Abstract:This

2、articlefirstdefinedandintroducesthebasicworkingprincipleoftheCMPprocess,andthen,byintroducingtheCMPsystem,fromtheperspectiveofprocessequipmentqualitativeanalysistounderstandtheworkingprocessoftheCMP,andbyintroducingtheCMPprocessparameters,makequantitativeunderstandingonCMP.Inliteratureprecision,intr

3、oduceaCMPmodelofSiO2,whichtakesintoaccounttheparticlesize,concentration,distributionofgrindingfluidvelocity,polishingpotentialterrain,materialperformance.Aftertest,theexperimentresultcomparedwiththemodel.MRRmodelcanbeusedintheCMPsimulation,CMPprocessparameteroptimizationaswellasthenextgenerationofCM

4、Pequipmentresearchanddevelopment.ThroughthereviewofVLSImanufacturingtechnologycourse,finallysumsupthecourse,summedupthecourse.Keyword:CMP、slumry、MRRs、device1 .前言隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達(dá)到納米級(jí)。傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)局部平坦化，但是當(dāng)最小特征尺寸達(dá)到0.25pm以下時(shí)，必須進(jìn)行全局平坦化。常見(jiàn)的傳統(tǒng)平面化技術(shù)很多。如熱流法，旋轉(zhuǎn)玻璃法，回蝕法，電子環(huán)繞共振法，選擇淀積，低壓CVD等離子增強(qiáng)

5、CVD,淀積-腐蝕-淀積法等。但它們都屬于局部平面化工藝，不能做到全局平面化。90年代興起的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP則從加工性能和速度上同時(shí)滿足硅片圖形加工的要求，具也是目前唯一可以實(shí)現(xiàn)全局平坦化的技術(shù)川。2 .基本原理2.1 CMP定義CMP就是用化學(xué)腐蝕和機(jī)械力對(duì)加工過(guò)程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平滑處理。2.2 CMP工作原理2如圖1,將硅片固定在拋光頭的最下面，將拋光墊放置在研磨盤上，拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，由亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成的研磨液在硅片表面和拋光墊之間流動(dòng)，然后研磨液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層

6、研磨液液體薄膜。研磨液中的化學(xué)成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，將不溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)，或者將硬度高的物質(zhì)進(jìn)行軟化，然后通過(guò)磨粒的微機(jī)械摩擦作用將這些化學(xué)反應(yīng)物從硅片表面去除，溶入流動(dòng)的液體中帶走，即在化學(xué)去膜和機(jī)械去膜的交替過(guò)程中實(shí)現(xiàn)平坦化的目的。其反應(yīng)分為兩個(gè)過(guò)程3:化學(xué)過(guò)程：研磨液中的化學(xué)品和硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成比較容易去除的物質(zhì)；物理過(guò)程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦，去除化學(xué)反應(yīng)生成的物質(zhì)。2.3 CMP主要參數(shù)4(1)平均磨除率(MRR在設(shè)定時(shí)間內(nèi)磨除材料的厚度是工業(yè)生產(chǎn)所需要的。(2)CMP平整度與均勻性平整度是硅片某處CM而后臺(tái)階高度之差占CMB前臺(tái)階高

7、度的百分比。選擇比在CMPt,對(duì)不同材料的拋光速率是影響硅片平整性和均勻性的一個(gè)重要因素。(4)表面缺陷CMP工藝造成的硅片表面缺陷一般包括擦傷或溝、凹陷、侵蝕、殘留物和顆粒污染。2.4 CMP系統(tǒng)CMP系統(tǒng)(圖1)包括：CMP設(shè)備、研磨液(拋光液)、拋光墊、拋光終點(diǎn)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、后CMPt洗設(shè)備、漿料分布系統(tǒng)、廢物處理和測(cè)量設(shè)備。其中研磨液和拋光墊為消耗品。Pressure1MembraneWaferU7ferHol6eRetainingF?ingPolishingPad圖1.CM毀備組成（1）拋光頭組件新型的拋光頭組件（圖2）具有用于吸附晶圓的真空吸附裝置，對(duì)晶圓施加壓力（2）研磨盤

8、研磨盤是CMFW磨的支撐平臺(tái)，其作用是承載拋光墊并帶動(dòng)其轉(zhuǎn)動(dòng)。它是控制拋光頭壓力大小、轉(zhuǎn)動(dòng)速度、開(kāi)關(guān)動(dòng)作、研磨盤動(dòng)作的電路和裝置。拋光墊拋光墊（圖3）通常使用聚亞胺脂（Polyurethane）材料制造，利用這種多孔性材料類似海綿的機(jī)械特性和多孔特性，表面有特殊之溝槽，提高拋光的均勻性，墊上有時(shí)開(kāi)有可視窗，便于線上檢測(cè)。通常拋光墊為需要定時(shí)整修和更換之耗材，一個(gè)拋光墊雖不與晶圓直接接觸，但使用售命約僅為45至75小時(shí)。圖3.拋光墊（左軟，右硬）硬墊（圖3,右）：較硬，拋光液固體顆粒大，拋光速度較快，平行度、平整度也較好，但表面較粗糙，損傷層較嚴(yán)重。軟墊（圖3,左）具有更好的硅片內(nèi)平均性，拋光液

9、中固體顆粒較小，因此可以增加光潔度，同時(shí)去除粗拋時(shí)留下的損傷層。故采用粗精拋相結(jié)合的辦法，既可保持晶片的平行度、平整度，又可達(dá)到去除損傷層及保持硅片表面高光潔度的目的。拋光墊上有很多小孔，這些小孔有利于輸送漿料和拋光，還可用于將漿料中的磨蝕粒子送入硅片表面并去除副產(chǎn)品。在使用中，拋光墊在對(duì)若干片晶片進(jìn)行拋光后被研磨得十分平整，同時(shí)孔內(nèi)填滿了磨料粒子和片子表面的磨屑聚集物，一旦產(chǎn)生釉化現(xiàn)象，就會(huì)使拋光墊失去部分保持研漿的能力，拋光速率也隨之下降，同時(shí)還會(huì)使硅片表面產(chǎn)生劃傷，對(duì)電路元件造成損傷。因此，拋光墊表面須定期地用一個(gè)金剛石調(diào)節(jié)器修整，這樣便可延長(zhǎng)拋光墊的使用壽命。（4）拋光墊修整器圖4.拋

10、光墊調(diào)整器DiamondGrits(20pm)Diabond圖5.拋光墊調(diào)整器表面DiamondFilm拋光墊調(diào)整器口（圖4）作用是掃過(guò)墊表面提高表面粗糙度，除去用過(guò)的漿料。包含一個(gè)不銹鋼盤以及一個(gè)鍍鍥（CV蹌剛石層）的金剛石磨粒（圖5）（5）研磨液系統(tǒng)1）研磨液網(wǎng)由磨粒、酸堿劑、純水及添加物構(gòu)成，其成分見(jiàn)表1被拋光材料磨粒研磨液添加物研磨液pH值介質(zhì)二氧化硅SiO2,CeQ,ZrO2AI2Q,Mn2QKOH,NH2OH1013金屬鴇Al2O,MnQKIO3,Fe(NO3)2,HQ26鋁SiO2:KIO3,Fe(NO3)2,HQ26銅AI2QKQ,Fe(NO3)2HQ26表1.研磨液成分2）研

11、磨液供給與輸送系統(tǒng) 研磨液供給與輸送系統(tǒng)與CMW藝之間的關(guān)系：研磨液中的化學(xué)品在配比混合輸送過(guò)程中可能有許多變化，這一點(diǎn)，使輸送給機(jī)臺(tái)的研磨液質(zhì)量與拋光工藝的成功形成了非常緊密的關(guān)系，具程度超過(guò)了與高純化學(xué)品的聯(lián)系。盡管CMP設(shè)備是控制并影響CMW藝結(jié)果的主要因素，但是研磨液在避免缺陷和影響CMP的平均拋光速率方面起著巨大的作用。 研磨液供給與輸送系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)：通過(guò)恰當(dāng)設(shè)計(jì)和管理研磨液供給與輸送系統(tǒng)來(lái)保證CMPC藝的一致性。研磨液的混合、過(guò)濾、滴定以及系統(tǒng)的清洗等程序會(huì)減輕很多與研磨液相關(guān)的問(wèn)題。那么就要設(shè)計(jì)一個(gè)合適的研磨液的供給與輸送系統(tǒng)，完成研磨液的管理，控制研磨液的混合、過(guò)濾、濃度、滴

12、定及系統(tǒng)的清洗，減少研磨液在供給、輸送過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題和缺陷，保證CMP勺平坦化效果。研磨液組分通常是分開(kāi)存儲(chǔ)（圖6）,使用時(shí)按比例混合使用。圖6,研磨液混合系統(tǒng)（LFC:流量控制裝置）研磨液混合和輸送設(shè)備的設(shè)計(jì)特點(diǎn)：攪動(dòng)：一般來(lái)講，研磨液中的固體顆粒經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)逐漸淀積，為了滿足特定的工藝要求，必須保持桶中和儲(chǔ)蓄罐中的液體均一，專業(yè)的研磨液系統(tǒng)制造商可以為每種研磨液設(shè)置特定的淀積率和分散率。拋光研磨液后處理：作為消耗品，研磨液一般是一次性使用。隨著CMPT場(chǎng)的擴(kuò)大，拋光研磨液的排放及后處理工作量也在增大（出于環(huán)保原因，即使研磨液不再重復(fù)利用，也必須先處理才可以排放）。而且，拋光研磨液

13、價(jià)格昂貴，如何對(duì)拋光研磨液進(jìn)行后處理，補(bǔ)充必要的化學(xué)添加劑，重復(fù)利用其中的有效成分，或降級(jí)使用，不僅可以減少環(huán)境污染，而且可以大大降低加工成本。拋光研磨液的后處理研究將是未來(lái)的新研究熱點(diǎn)。（6）終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備9終點(diǎn)檢測(cè)是檢測(cè)CMRT藝把材料磨除到一個(gè)正確的厚度的能力。檢測(cè)方法大致分為間接地對(duì)拋光晶片進(jìn)行物理測(cè)定（電流），直接檢測(cè)晶片（光學(xué)）兩種。1）檢測(cè)電流終點(diǎn)檢測(cè)。拋光頭轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)的電流會(huì)圖8.后CMP青洗刷子CMP接近終點(diǎn)時(shí)，拋光墊與硅片摩擦力開(kāi)始改變，改變來(lái)保證不變的旋轉(zhuǎn)速率，監(jiān)測(cè)馬達(dá)電流來(lái)測(cè)終點(diǎn)。2）光學(xué)干涉法終點(diǎn)檢測(cè)圖7,電介質(zhì)光干涉終點(diǎn)檢測(cè)電解質(zhì)光干涉法（圖7）,反射光相互干涉，薄膜厚

14、度的變化引起干涉狀態(tài)的周期變化，電解質(zhì)薄膜厚度的變化可以由反射光的變化來(lái)監(jiān)測(cè)。圖9,光學(xué)測(cè)金屬CM繇點(diǎn)反射率的改變可用來(lái)測(cè)金屬CM繇點(diǎn)，金屬表面有很高反射率（圖9左），金屬層被磨除（圖9右）時(shí)表面反射率大幅減少，通過(guò)這種方法可測(cè)終點(diǎn)。（7）CMRI清洗10三步法：清潔，沖洗，干燥。后清洗目的主要是去除顆粒和其他化學(xué)污染物，用到去離子水及刷子，去離子水量越大，刷子壓力越大清洗效率越高。刷子(圖8)通常是多孔聚合物材質(zhì)，允許化學(xué)物質(zhì)滲入并傳遞到晶圓表面2.5CMP設(shè)備的發(fā)展(1)單拋光頭旋轉(zhuǎn)式系統(tǒng)CMP轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)備是用以玻璃陶瓷或其他金屬的磨平拋光設(shè)備為基礎(chǔ)的，這種設(shè)備由單個(gè)研磨盤和單個(gè)拋光頭構(gòu)成。(

15、2)多拋光頭旋轉(zhuǎn)式CMP8統(tǒng)隨著生產(chǎn)力需求和缺陷標(biāo)準(zhǔn)提高，出現(xiàn)了多研磨頭的旋轉(zhuǎn)體系，這類設(shè)備有很多種。多研磨盤CMPS統(tǒng)由于Auriga公司和Symphon公司的設(shè)備缺乏靈活性，例如加工的硅片片數(shù)是22片而不是25片硅片，就不能發(fā)揮它們生產(chǎn)力高的優(yōu)點(diǎn)。(4)軌道式CM除統(tǒng)(圖10)由于對(duì)于工藝的靈活性和生產(chǎn)力的需求提高，IPEC公司開(kāi)發(fā)出了676軌道式CM朦統(tǒng)。ownForceWaferSuppedFbidBatingPolishCarrieFWnOrbiLalMoEiari,叫pf*KLjreSlLiryDispense1MembraneWafefC而eP±1HI°rao

16、Shiny；CondMoierWaferRetiiningiRing圖10.軌道式CM朦統(tǒng)(5)線性CM朦統(tǒng)(圖11)最后,CM朦統(tǒng)。BettandPolishing圖11.線性CMPS統(tǒng)有些公司開(kāi)發(fā)出能夠?qū)崿F(xiàn)高線速度的線性2.6影響CM晚果的主要參數(shù)設(shè)備參數(shù)研磨液參數(shù)拋光墊/背墊參數(shù)CMP寸象薄膜參數(shù)拋光時(shí)間磨粒大小硬度種類研磨盤轉(zhuǎn)速磨粒含量密度厚度拋光頭轉(zhuǎn)速磨粒的凝聚度空隙大小硬度拋光頭搖擺度酸堿度彈性化學(xué)性質(zhì)背壓氧化劑含量背墊彈性圖案密度下壓力修整粘滯系數(shù)表2.影響CM呦果的主要參數(shù)1.拋光頭壓力壓力越大，磨除速率越快。2.拋光頭與研磨盤問(wèn)的相對(duì)速度拋光速率隨著拋光頭與研磨盤問(wèn)的相對(duì)速度

17、的增大而增大。3.拋光墊拋光墊是在CMP中決定拋光速率和平坦化能力的一個(gè)重要部件。碎片后為防止缺陷而更換拋光墊。 優(yōu)化襯墊選擇以便取得好的硅片內(nèi)和硬膜內(nèi)的均勻性和平坦化（建議采用層登或兩層墊）。 運(yùn)用集成的閉環(huán)冷卻系統(tǒng)進(jìn)行研磨墊溫度控制。 孔型墊設(shè)計(jì)、表面紋理化、打孔和制成流動(dòng)渠道等有利于研磨液的傳送。CMPW對(duì)研磨墊進(jìn)行修正、造型或平整。有規(guī)律地對(duì)研磨墊用刷子或金剛石修整器做臨場(chǎng)和場(chǎng)外修整。4.研磨液研磨液是影響CMP速率和效果的重要因素，在半導(dǎo)體工藝中，針對(duì)SiO2、鴇栓、多晶硅和銅，需要用不同的研磨液來(lái)進(jìn)行研磨。1）磨粒 磨粒材料：對(duì)不同的薄膜CMPF口不同工藝的CMPS精心選擇磨粒材料

18、。即使是對(duì)同種薄膜材料進(jìn)行CMP其磨粒材料不同，拋光速率也不同。例如對(duì)于ILD氧化硅進(jìn)行CMP，采用二氧化鈾（CeO）作為磨粒的拋光速率比用氣相納米SiO2為磨粒的拋光速率竹與快印tRvPA W含量：心喻量*指則暴巾磨粒潤(rùn)量的百分?jǐn)?shù)。即（磨粒質(zhì)量/力磨液質(zhì)盒）x100%'又叫磨杖濃度。對(duì)于硅拋光，在低磨粒含量時(shí)，在一定范圍內(nèi)對(duì)硅的拋光速率隨著磨粒含量的增加而增加，平整度趨于更好。這主要是由于，隨著磨粒含量的提高，研磨液中參與機(jī)械研磨的有效粒子數(shù)增多，拋光液的質(zhì)量傳遞作用提高，使平坦化速率增加，可以減小塌邊情況的發(fā)生。但并不是磨粒含量越高越好，當(dāng)磨粒含量達(dá)到一定值之后，平坦化速率增加緩慢

19、，且流動(dòng)性也會(huì)受影響，成本也增加，不利于拋光。要通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)確定的拋光對(duì)象找出一個(gè)最優(yōu)的磨粒含量。磨粒大小及硬度：隨著微粒尺寸和硬度的增加，去除速率也隨之增加。但會(huì)產(chǎn)生更多的凹痕和劃傷。所以要很細(xì)心地選擇顆粒的大小和硬度，顆粒硬度要比去除材料的硬度小。要不能使平坦化的表面產(chǎn)生凹痕和擦傷等表面缺陷。2）研磨液的選擇性：對(duì)確定的研磨液，在同樣條件下對(duì)兩種不同的薄膜材料進(jìn)行拋光時(shí)其拋光速率的不同，這就是研磨液的選擇性。3）研磨液中添加物的濃度與pH值：與MRFW直接關(guān)系。5 .溫度對(duì)去除率的影響CMF&加工過(guò)程中無(wú)論是酸性液體還是堿性液體，在與去除材料的化學(xué)反應(yīng)中都是放熱的反應(yīng)，造成溫度的上升

20、，同時(shí)在加工過(guò)程中，由于拋光頭的壓力作用和拋光頭及研磨盤的旋轉(zhuǎn)具有做功的情況，所以有能量的釋放，造成溫度的上升。6 .薄膜特性CMPff磨薄膜材料的性質(zhì)（化學(xué)成分、硬度、密度、表面狀況等）也影響拋光速度和拋光效果。3 .文獻(xiàn)精讀3.1 半經(jīng)驗(yàn)SiOzCMPg除速率（MRR模型13為預(yù)測(cè)CMPH程的MRR建立了半經(jīng)驗(yàn)的模型公式。假定晶圓磨粒表面是塑性接觸，拋光墊與磨粒彈性接觸，磨粒尺寸分布，拋光墊粗糙度無(wú)序分布；模型考慮磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。3.2 模型推導(dǎo)根據(jù)品W模型14和接觸原理15,CMP中一個(gè)平滑晶圓和一個(gè)自由粗糙拋光墊在F作用力下真實(shí)接觸面積為：真實(shí)接

21、觸壓力為:(D)16,得到活躍顆早期研究證明，顆粒尺寸分布滿足一個(gè)密度方程(粒數(shù)量表達(dá)式：根據(jù)活性粒子數(shù)量和顆粒密度，得到平均MRR而MR的布模型17可表示為：Pr=Epw3.3 實(shí)驗(yàn)過(guò)程拋光墊七層用型號(hào)IC100限解那中甲髭用fSup版氈型帶A這種設(shè)計(jì)易用，性育斑豌。r用iPECVDfc200mm晶句秘積1.5#曲|飛通包CMPW洛伽D施防DA_WCCUpJEPWD拋光器(GnPPOLI500)。工作壓力是晶圓壓力27.5KPa；定位環(huán)壓力cr34.74KPa；研磨液流速是150ml/min；轉(zhuǎn)速40rpm；用到四種不同直徑研磨液(表4)；顆粒濃度為12.5Wt%;(9婷，/l調(diào)下洪2程用壓

22、4,5.88Kpa別機(jī)器轉(zhuǎn)速40rpm，、鄂轉(zhuǎn)迪RR0rpm;拋光石min比人川反川計(jì)(KfLcsT5030-SL)測(cè)胰：草；每張品蚪選41個(gè)點(diǎn)測(cè)MRRs邊繪去除3mW,"PPWMRR(x,y)=MRRavg"0n(X,y)V'x'y)：sw變量p名稱I1墊粗糙度標(biāo)準(zhǔn)誤差a-：-Tn.avg值<'30年單管JamR墊粗糙讀平均半徑25am8墊材料楊氏模里10MPaup墊材料泊松比率0.2-ESiO2顆粒楊氏模量94GPaUaSiO2顆粒泊松比率0.26-PaSiO2顆粒密度2270Kg/m3Ps研磨液密度1040Kg/m3EwSiO2楊氏模里6

23、6GPaUwSiO2泊松比率0.3-HWSiO2硬度18GPa表3.模型參量數(shù)值3.4 實(shí)驗(yàn)過(guò)程拋光墊上層用型號(hào)IC1000聚氨酯，基層用SubaIV氈型墊，這種設(shè)計(jì)易用，性能連續(xù)。用PECV而200mmi圓淀積1.5Nm厚SiO2層。CM所備用的是旋轉(zhuǎn)拋光器（GnPPOLI500）。工作壓力是晶圓壓力27.5KPa；定位環(huán)壓力34.74KPa；研磨液流速是150ml/min；轉(zhuǎn)速40rpm；用到四種不同直徑研磨液（表4）；顆粒濃度為12.5wt%;CMPK調(diào)節(jié)進(jìn)程用壓力5.88KPa,調(diào)機(jī)器轉(zhuǎn)速40rpm,盤轉(zhuǎn)速60rpm；拋光1min后，用反射計(jì)（K-MacST5030-SL）測(cè)膜厚；每張

24、晶圓選41個(gè)點(diǎn)測(cè)MRRs邊緣去除3mm研磨液平均直往（nm標(biāo)準(zhǔn)誤差（nnj）D1313.33.7D2222.44.4D6160.912.5D118117.726.4表4.CMP實(shí)驗(yàn)研磨液3.5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析測(cè)得顆粒尺寸分布為離散分布，離散密度公式用來(lái)計(jì)算顆?？倲?shù)圖12.研磨液顆粒尺寸分布QQ2=-E=UJS皂mHAQEa-E-JSEE圖13.平均顆粒尺寸與平均MRR或系圖14.顆粒質(zhì)量百分比與平均MRR或系以平均顆粒尺寸為變量測(cè)平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖13,并與公式模型所得曲線比較，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從D13到D61,磨除速率上升，到D118稍有下降，說(shuō)明有一個(gè)最適尺寸。

25、以顆粒質(zhì)量百分比為變量測(cè)平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖14,并與公式模型所得曲線比較，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從5wt哪M7.5wt%,MRR-直增加，說(shuō)明活性顆粒數(shù)量與磨除速率成正比。-u-EfEU)H-ra-JCJJIEzC_E_UJSg正-EAcUJaJ一-<22兩震Distancefromwafereenler(mmDistancefromwafercenter(mm圖15.不同顆粒直徑下試驗(yàn)與模型MR曲布圖16.不同顆粒密度下實(shí)驗(yàn)與模型MR的布圖15和圖16表明，試驗(yàn)結(jié)果符合模型假設(shè)，驗(yàn)證了模型的正確性。3.6 結(jié)論基于接觸力學(xué)，本文提供了一個(gè)SiO2的CMP真型，其

26、中考慮了磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型比較吻合。MR做型可用于CMP好H,CMPi程參數(shù)最佳化以及下一代CMP設(shè)備的研發(fā)。4 .學(xué)習(xí)體會(huì)在本學(xué)期的VLSI制造技術(shù)的課程學(xué)習(xí)中，我收獲很多。首先，因?yàn)樯险n人數(shù)少，獲得了兩次講報(bào)告的機(jī)會(huì)，使我閱讀文獻(xiàn)的能力得到很大提升，也鍛煉了作報(bào)告能力，同時(shí)學(xué)到很多新知識(shí)，其次，在聽(tīng)其他同學(xué)報(bào)告時(shí)，也了解了很多各方面知識(shí)，最后，通過(guò)金老師對(duì)第一次報(bào)告的點(diǎn)評(píng)，我在第二次報(bào)告中改正了很多第一次中的不足，報(bào)告能力再次得到提升，同時(shí)，金老師淵博的專業(yè)知識(shí)以及對(duì)每次上臺(tái)作報(bào)告同學(xué)的點(diǎn)評(píng)，都使我獲益匪淺。參考文獻(xiàn)：1劉

27、玉嶺，檀柏梅，張楷亮.超大規(guī)模集成電路襯底材料性能及加工測(cè)試工程M.北京：冶金工業(yè)出版社,2002.2 LeeHS,JeongHD.Chemicalandmechanicalbalanceinpolishingofelectronicmaterialsfordefect-freesurfaces.CIRPAnnals-ManufacturingTechnology2009;58:485久0.3 ZantyePB,KumarA,SikderAK.Chemicalmechanicalplanarizationformicroelectronicsapplications.MaterialsScie

28、nceandEngineeringR2004;45:89220.4 SteigerwaldJM,ShyamP,GutmannM,GutmannRJ.Chemicalmechanicalplanarizationofmicroelectronicmaterials.NewYork:Wiley;1997.5 LeeH,JooS,JeongH.Mechanicaleffectofcolloidalsilicaincopperchemicalmechanicalplanarization.JournalofMaterialsProcessingTechnology2009;209:61346 Larsen-BasseJ,LiangH.Probableroleofabrasioninchemo-mechanicalpolishingoftungsten.Wear1999;233-235:64754.7 CookLM.Chemicalprocessinglasspolishing.JournalofNon-CrystallineSolids1990;120:15271.8 TomozawaM.OxideCMPmechanisms.SolidStateTechnology1997