半導(dǎo)體分立器件

1、（三）（三）. . 半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體分立器件 1 .常用半導(dǎo)體分立器件及其分類 半導(dǎo)體二極管 (DIODE)雙極型晶體管 (TRANSISTOR)晶閘管 場效應(yīng)晶體管 (FET, FET, Field Effect Transistor )Field Effect Transistor ) 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。 普通二極管普通二極管穩(wěn)壓二極管(ZENER

2、DIODE)齊納二極管zener diodes整流二極管三極管T0-226 T0-3 T0-220T0-23場效應(yīng)管（MOSFET)MOSFET和三極管的主要區(qū)別和三極管的主要區(qū)別1：MOSFET是電壓控制器件，三極管是電流控制器件2MOSFET輸入阻抗很大，三極管輸入阻抗比MOSFET小3MOSFET輸出電阻比三極管小，所以驅(qū)動能力強4MOSFET截止頻率比三極管截止頻率高。 如果這個器件的輸出參數(shù)大小和輸入的電流參輸出參數(shù)大小和輸入的電流參數(shù)大小有關(guān)數(shù)大小有關(guān)，就叫該器件是電流控制器件，簡稱流控器件流控器件；電流控制器件輸入的是電流信號，是低阻抗輸入，需要較大的驅(qū)動功率。例如：雙極型晶體管

3、(BJT)是電流控制器件、TTL電路是電流控制器件 如果這個器件的輸出參數(shù)大小和輸入的電壓參數(shù)大小有關(guān)，就叫該器件是電壓控制器件，簡稱壓控器件；電壓控制器件輸入的是電壓信號，是高阻抗輸入，只需要較小的驅(qū)動功率；例如：場效應(yīng)晶體管(FET)是電壓控制器件、MOS電路是電壓控制器件晶閘管晶閘管半導(dǎo)體二極管分類 普通二極管：整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、恒流二極管、開關(guān)二極管等； 特殊二極管：微波二極管、變?nèi)荻O管、雪崩二極管、SBD、TD、PIN、TVP管等； 敏感二極管：光敏二極管、熱敏二極管、壓敏二極管、磁敏二極管； 發(fā)光二極管按照結(jié)構(gòu)工藝不同，可分為點接觸型和面接觸型。 按照制造材料不

4、同，可分為鍺管和硅管。點接觸型結(jié)電容小，適用于高頻電路。 面接觸型可通過較大的電流，多用于頻率較低的整流電路。 鍺管正向?qū)妷杭s為0.2V，反向漏電流大，溫度穩(wěn)定性較差。 硅管反向漏電流小，正向?qū)妷杭s為0.7V 雙極型三極管 分類：按照結(jié)構(gòu)工藝分類，有PNP和NPN型。 按照制造材料分類，有鍺管和硅管。 按照工作頻率分類，有低頻管（3MHz以下）和高頻管（幾百MHz 以上）。 按照集電極耗散的功率分類，有小功率管（1W以下）和大功率管（幾十W以上 ）。 場效應(yīng)晶體管 結(jié)型硅管：N溝道（外延平面型）、P溝道 （雙擴散型）、隱埋柵、V溝道（微波大功率）； 結(jié)型砷化鎵管：肖特基勢壘柵（微波低噪

5、聲、 微波大功率）； 硅MOS耗盡型：N溝道、P溝道； 硅MOS增強型：N溝道、P溝道。 場效應(yīng)管是電壓控制器件,在數(shù)字電路中起開關(guān)作用； 柵極的輸入電阻非常高，一般可達幾百M甚至幾千M； 場效應(yīng)管還具有噪聲低、動態(tài)范圍大等優(yōu)點。 場效應(yīng)晶體管 特點：晶閘管普通晶閘管：雙向晶閘管：特殊晶閘管：正反向阻斷管、逆導(dǎo)管等。 2 半導(dǎo)體分立器件的型號命名 國產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件的型號命名（表1、2、3） 表1第一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五部分 F 發(fā)光管 Z 整流器 L 整流堆 S 隧道管 N 阻尼管 A PNP 型鍺材料 X 低頻小功率管，fhfb3MHz，Pc1W B NPN 型鍺材料

6、 G 高頻小功率管，fhfb3MHz，Pc1W 3 三極管 C PNP 型硅材料 D 低頻大功率管，fhfb 3MHz，Pc1W 表2第 一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五部分 D NPN 型硅材料 A 高頻大功率管，fhfb 3MHz，Pc1W E 化合物材料 U 光電器件 K 開關(guān)管 I 可控整流器 T 體效應(yīng)器件 B 雪崩管 J 階躍恢復(fù)管 CS 場效應(yīng)器件 BT 半導(dǎo)體特殊器件 FH 復(fù)合管 PIN PIN 型管 3 三極管 JG 激光器件 表3注：場效應(yīng)管、半導(dǎo)體特殊器件等的型號命名只有三、四、五部分。 例如： 三極管 NPN型硅材料 高頻小功率管 產(chǎn)品序號 規(guī)格號 3DG

7、6C場效應(yīng)器件 產(chǎn)品序號 規(guī)格號 CS1B 日本半導(dǎo)體分立器件的型號命名。 共分五部分第一部分用數(shù)字表示器件的有效電極數(shù)目或類型 符號0123 n-1含義光電二極管或三極管或包括上述器件的組合管 二極管 三極管或具有三個電極的其他器件 具有四個有效電極的器件 具有 n個有效電極的器件 第二部分注冊標志 符號 S含義已經(jīng)在日本電子工業(yè)協(xié)會（JEIA）注冊登記的半導(dǎo)體器件 第三部分用字母表示器件的使用材料極性類別符號ABCDE G H JK M含義PNP高頻晶體管 PNP低頻晶體管 NPN高 頻晶 體管 NPN低 頻晶 體管 P控制極可控硅 N控制極可控硅 基極單結(jié)晶體管 P溝道場效應(yīng)管 N溝道場

8、效應(yīng)管 雙向可控硅 第四部分用數(shù)字表示登記號 此器件在日本電子工業(yè)協(xié)會的注冊登記號，不同廠家生產(chǎn)的性能相同的器件可以使用同一登記號 第五 部分用字母表示改進型標志 此器件是原型號產(chǎn)品的改進型 三極管 JEIA注冊產(chǎn)品 NPN高頻晶體管 2SC58日本半導(dǎo)體分立元件命名舉例： JEIA登記號 歐洲半導(dǎo)體分立器件的型號命名 第一部分用用字字母母表表示示材材料料 符號ABCDR意義鍺材料 ，禁帶0.61.0eV 硅材料 ，禁帶1.01.3eV 砷化鎵材料 ，禁帶1.3eV 銻化銦材料 ，禁帶15/W） 低頻大功率三極管（RTj15/W） 隧道二極管 高頻小功率三極管（RTj 15/W） 復(fù)合器件及其

9、他器件 第三部分用數(shù)字用數(shù)字或字母或字母加數(shù)字加數(shù)字表示登表示登記號記號 符號 3位數(shù)字 字母加2位數(shù)字 意義 通用半導(dǎo)體器件的登記序號 專用半導(dǎo)體器件的登記序號 第四部分用字母用字母對同一對同一型號分型號分檔檔 意義 同一型號的半導(dǎo)體器件按某個參數(shù)分檔 歐洲半導(dǎo)體分立器件命名舉例：穩(wěn)壓二極管 專用器件登記號 BZY88C允許誤差5% 硅材料 大功率開關(guān)管 BU208硅材料 器件登記號 美國半導(dǎo)體分立器件的型號命名美國半導(dǎo)體分立器件的型號命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分第五部分用符號表示器件的類別 數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)目 登記標志 登記號 器件分檔 JAN或J 軍用品 1二極管 N

10、已經(jīng)在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記 在美國電子工業(yè)協(xié)會的注冊登記號 同一型號的不同檔次 -非軍用品 2三極管 nn個PN結(jié)器件 美國半導(dǎo)體分立器件命名舉例：美國半導(dǎo)體分立器件命名舉例：EIA注冊產(chǎn)品 1N4007二極管 EIA登記號 3 .半導(dǎo)體分立器件的封裝及管腳 塑料封裝4 。選用半導(dǎo)體分立器件的注意事項 二極管 切勿使電壓、電流超過器件手冊中規(guī)定的極限值，并應(yīng)根據(jù)設(shè)計原則選取一定的裕量。 允許使用小功率電烙鐵進行焊接，焊接時間應(yīng)該小于35秒。 玻璃封裝的二極管引線的彎曲處距離管體不能太小，一般至少2mm。 安裝二極管的位置盡可能不要靠近電路中的發(fā)熱元件。 接入電路時要注意二極管的極性。 大功率管的散熱器與管殼的接觸面應(yīng)該平大功率管的散熱器與管殼的接觸面應(yīng)該平整光滑，中間應(yīng)該涂抹導(dǎo)熱硅脂以便減小熱整光滑，中間應(yīng)該涂抹導(dǎo)熱硅脂以便減小熱阻并減少腐蝕；要保證固定三極管的螺絲釘阻并減少腐蝕；要保證固定三極管的螺絲釘松緊一致。松