第四章 雙極型三極管（章節(jié)課程）

1、4.1 半導體三極管(BJT)4.2 共射極放大電路4.3 放大電路的分析方法4.4 放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題4.5 共集電極放大電路和共基極電路4.6 組合放大電路4.7 放大電路的頻率響應第四章 雙極結型三極管及放大電路基礎1陽山書屋c4.1 雙極型晶體管(BJT)4.1.1 晶體管的結構及類型BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型2陽山書屋cBECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高BJT的結構特點3陽山書屋cBECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結集電結4陽山書屋c4.1.2 放大狀態(tài)下BJT工作原理BECNN

2、+PVEERBVCC基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散形成IEP。IBN進入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流IBN ，多數(shù)擴散到集電結。發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IEN。1.BJT內部載流子的傳輸過程IENIE=IEN+IEP IENIEP從基區(qū)擴散來的電子作為集電結的少子，漂移進入集電結而被收集，形成ICN。ICN集電結反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOIB=IEP+IBN-ICBOIC=ICN+ICBOICN=IEN-IBNIB=IEP+IEN-ICN-ICBO =IE-IC前提條件：發(fā)射結正偏集電結反偏5陽山書屋cBECIBIEICNPN型三極管BECI

3、BIEICPNP型三極管6陽山書屋c 晶體管的三種基本接法(a)共發(fā)射極；(b)共集電極；(c)共基極 7陽山書屋c2.BJT的電流分配關系 為了反映擴散到集電區(qū)的電流ICN與射極注入電流IE的比例關系，定義共基極直流電流放大系數(shù)為稱為集電極與發(fā)射極間反向飽和電流 反映BJT在共發(fā)射極連接時集電極電流IC受基極電流IB控制的關系稱為共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)8陽山書屋c4.1.3 BJT的V-I特性曲線 測試線路iCmAAVVvCEvBERBiBVccVBBBJT的V-I特性曲線能直觀地描述各極間電壓和電流的關系1.共射極連接時的V-I輸入特性9陽山書屋c工作壓降： 硅管vBE0.60.7V,鍺

4、管vBE0.20.3V。 死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。vCE 1ViB(A)vBE(V)204060800.40.8vCE=0VvCE =0.5V vCE一定時iB與vBE的關系(1) 輸入特性iCmAAVVvCEvBERBiBVccVBB10陽山書屋c當vCE大于一定的數(shù)值時，iC只與iB有關，iC=iB。 iB一定時vCE 與iC的關系iC(mA )1234vCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足iC=iB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。(2) 輸出特性iCmAAVVvCEvBERBiBVccVBB11陽山書屋ciC(mA )1234vCE(V)36912I

5、B=020A40A60A80A100A此區(qū)域中vCEvBE,集電結正偏，iBiC，vCE0.3V稱為飽和區(qū)。此區(qū)域中 : vBEiC，vCE0.3V 截止區(qū)： vBE 死區(qū)電壓， iB=0 ， iC=ICEO 0 其它狀態(tài)13陽山書屋c例：測量三極管三個電極對地電位如圖 試判斷三極管的工作狀態(tài)。 放大截止飽和2VT8V3V3.7V( a )T12V3V( b )T3.3V3V3.7V( c )14陽山書屋c4.1.4 晶體管的主要參數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)1. 電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù)(1) 直流電流放大系數(shù)顯然， 1，一般約為0.970.99。15陽山書屋c工作于動態(tài)的三極管，真

6、正的信號是疊加在直流上的交流信號?；鶚O電流的變化量為iB，相應的集電極電流變化為iC，則共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)為：(2)交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù)16陽山書屋c例：VCE=6V時：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。在以后的計算中，一般作近似處理： =17陽山書屋c(1)集電極-基極反向飽和電流ICBOAICBOICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。2.極間反向電流18陽山書屋cBECNNPICBOICEO= ICBO+ICBO IBE IBEICBO進入N區(qū)，形成IBE。根

7、據(jù)放大關系，由于IBE的存在，必有電流IBE。集電結反偏有ICBO(2) 集電極-射極反向飽和電流ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應增加。三極管的溫度特性較差。+-+-穿透電流19陽山書屋c(1)集電極最大允許電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的值的下降，當值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。3.極限參數(shù)20陽山書屋c(2) 集電極最大允許耗散功耗PCM 集電極電流IC 流過三極管， 所發(fā)出的焦耳 熱為：PC =iCvCE 必定導致結溫 上升，所以PC 有限制。PCPCMiCvCEiCvCE=PCMICMV(BR)CEO安全工作區(qū)

8、21陽山書屋cV(BR)CEO指基極開路時，集電極發(fā)射極間的反向擊穿電壓(3) 反向擊穿電壓V(BR)EBO指集電極開路時，發(fā)射極基極間的反向擊穿電壓V(BR)CBO指發(fā)射極開路時，集電極基極間的反向擊穿電壓普通晶體管該電壓值比較小，只有幾伏當集-射極之間的電壓VCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿手冊上給出的數(shù)值是25C、基極開路時的擊穿電壓V(BR)CEO22陽山書屋c4.1.5 溫度對 BJT參數(shù)及特性的影響1.溫度對 BJT參數(shù)的影響(1).溫度對ICBO的影響(2).溫度對的影響(3).溫度對反向擊穿電壓V(BR)CBO、V(BR)CEO的影響對溫度非常敏感，溫度每升高10，ICB

9、O增加一倍溫度升高， 增加溫度升高， V(BR)CBO、V(BR)CEO增加23陽山書屋c(1)溫度對輸入特性的影響iBvBE25C50C2.溫度對 BJT特性曲線的影響(2)溫度對輸出特性的影響iCvCE溫度升高，vBE減小溫度升高，ICBO、ICEO、 增大輸出特性曲線上移24陽山書屋c半導體三極管的型號國家標準對半導體三極管的命名如下:3 D G 110 B 第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、 G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的

10、不同規(guī)格三極管25陽山書屋c雙極型三極管的參數(shù) 參 數(shù)型 號 PCM mW ICM mAVBR CBO VVBR CEO VVBR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126* 83BX31C 125 125 40 246* 83CG101C 100 30 450.1 1003DG123C 500 50 40 300.353DD101D 5W 5A 300 25042mA3DK100B 100 30 25 150.1 3003DG23250W 30A 400 325 826陽山書屋c 4.2 基本共射極放大電路放大的概念電子學中放大的目的是將微弱的變化

11、信號放大成較大的信號。這里所講的主要是電壓放大電路。電壓放大電路可以用有輸入口和輸出口的四端網(wǎng)絡表示，如圖：vivoAv放大的實質：在小信號的作用下，將直流能變?yōu)榻涣髂堋?7陽山書屋c放大電路的性能指標一、電壓放大倍數(shù)Avvi 和vo 分別是輸入和輸出電壓的有效值。二、輸入電阻Ri放大電路一定要有前級（信號源）為其提供信號，那么就要從信號源取電流。輸入電阻是衡量放大電路從其前級取電流大小的參數(shù)。輸入電阻越大，從其前級取得的電流越小，對前級的影響越小。AVitVtvt28陽山書屋c三、輸出電阻RoAvVS放大電路對其負載而言，相當于信號源，我們可以將它等效為戴維南等效電路，這個戴維南等效電路的內

12、阻就是輸出電阻。RoVS29陽山書屋c如何確定電路的輸出電阻Ro ？步驟：1. 所有的電源置零 (將獨立源置零，保留受控源)。2. 加壓求流法。vtit方法一：計算。AvVS30陽山書屋c方法二：測量。vo1. 測量開路電壓。RoVs2. 測量接入負載后的輸出電壓。RoVsRLvo步驟：3. 計算。31陽山書屋c四、通頻帶fAvAvm0.7AvmfL下限截止頻率fH上限截止頻率通頻帶：fbw=fHfL放大倍數(shù)隨頻率變化曲線32陽山書屋c符號規(guī)定VA大寫字母、大寫下標，表示直流量。vA小寫字母、大寫下標，表示全量。va小寫字母、小寫下標，表示交流分量。vAva全量vA交流分量vatVA直流分量

13、33陽山書屋c 4.2 基本共射極放大電路三極管放大電路有三種形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器為例講解工作原理34陽山書屋c 晶體管的三種基本接法(a)共發(fā)射極；(b)共集電極；(c)共基極 35陽山書屋c4.2.1 共射放大電路的基本組成？參考點Rb+VCCVBBRcC2Tvs+-+-+-vBEvCEiBiCiE圖4.2.1 基本共發(fā)射極放大電路36陽山書屋cVCCvivoRbVBRCCb1Cb2T+-+-共發(fā)射極放大電路放大元件iC= iB，工作在放大區(qū)，要保證集電結反偏，發(fā)射結正偏。隔離輸入、輸出與電路直流的聯(lián)系，同時能使信號順利輸入輸出?；鶚O電源與基極電阻使發(fā)射結正偏，并

14、提供適當?shù)撵o態(tài)工作點。集電極電源，為電路提供能量。并保證集電結反偏。耦合電容集電極電阻，將變化的電流轉變?yōu)樽兓碾妷?。注意耦合電容的極性！+37陽山書屋c可以省去電路改進：采用單電源供電Rb+VCCVBRCCb1Cb2T38陽山書屋c單電源供電電路+VccRcCb1Cb2TRb39陽山書屋c 直流通道和交流通道 放大電路中各點的電壓或電流都是在靜態(tài)直流上附加了小的交流信號。但是，電容對交、直流的作用不同。如果電容容量足夠大，可以認為它對交流不起作用，即對交流短路。而對直流可以看成開路，這樣，交直流所走的通道是不同的。交流通道：只考慮交流信號的分電路。直流通道：只考慮直流信號的分電路。信號的不同

15、分量可以分別在不同的通道分析。在放大器沒有輸入信號（vi=0)時電路各處的電壓、電流都是不變的直流，稱為直流工作狀態(tài)或者靜止狀態(tài)，簡稱靜態(tài)40陽山書屋crd=VT/IDIR=IL=器件I/V關系DC 模型AC模型電阻電容IC=sCV電感二極管ID=IS(eVD/VT-1)獨立電壓源VS=常數(shù)獨立電流源IS=常數(shù)直流分析與小信號分析時的元件轉換+-41陽山書屋c例：對直流信號（只有+Vcc）開路開路RB+VccRCC1C2T直流通道RB+VccRC42陽山書屋c對交流信號(輸入信號vi)短路短路置零RBRCRLvivo交流通路RB+VCCRCC1C2TRLvovi43陽山書屋c 4.3 放大電路

16、的分析方法放大電路分析靜態(tài)分析動態(tài)分析估算法圖解法微變等效電路法圖解法計算機仿真44陽山書屋cvi=0時由于電源的存在IBQ0IC0IBQICQIEQ=IBQ+ICQRB+VccRCC1C2T4.3.1 圖解分析法靜態(tài)工作點在靜態(tài)時，三極管各電極的直流電壓和直流電流的數(shù)值，在管子的特性曲線上所確定的一個點，稱靜態(tài)工作點，通常稱為Q點。45陽山書屋cIBQICQVBEQVCEQ( ICQ,VCEQ )(IBQ,VBEQ)RB+VccRCC1C2T46陽山書屋c靜態(tài)工作點的估算（1）根據(jù)直流通道估算IBQIBQVBERB稱為偏置電阻，IBQ稱為偏置電流。+Vcc直流通道RBRCiDVccvD-+4

17、7陽山書屋c（2）根據(jù)直流通道估算VCEQ、ICQICQVCEQ直流通道RBRC+VCCIBQ48陽山書屋c例：用估算法計算靜態(tài)工作點。已知：VCC=12V，RC=4k，RB=300k，=37.5。解：注意電路中IBQ 和ICQ 的數(shù)量級。注意單位！+VccRBRCIBQICQVCEQ49陽山書屋ciBvBE直流通道RB+VCCRCvBEiB滿足什么關系？1. 三極管的輸入特性。2.vBE=VCCiBRB 。1.靜態(tài)工作點的圖解分析VCCQ與輸入特性的交點就是Q點(1)輸入回路iBvBE4.3.2 靜態(tài)工作點的圖解分析IBQVBEQ(a) 輸入回路的圖解分析50陽山書屋ciCvCEvCEiC滿

18、足什么關系？1. 三極管的輸出特性。2.vCE=VCCiCRC 。iCvCEVccQ直流負載線與輸出特性的交點就是Q點IBQ直流通道RB+VccRC(2)輸出回路ICQVCEQ4.3.2 靜態(tài)工作點的圖解分析(b) 輸出回路的圖解分析51陽山書屋c(IBQ,VBEQ) 和( ICQ,VCEQ )分別對應于輸入輸出特性曲線上的一個點-靜態(tài)工作點(Q點）。iBvBEQIBQVBEQQVCEQICQiCvCE52陽山書屋c先估算 IBQ，然后在輸出特性曲線上作出直流負載線，與 IBQ 對應的輸出特性曲線與直流負載線的交點就是Q點。QVcciCvCE53陽山書屋c交流負載線ic其中：vceRBRCRL

19、vivo交流通路54陽山書屋ciC 和 vCE是全量，與交流量ic和vce有如下關系所以：即：交流信號的變化沿著斜率為：的直線。這條直線通過Q點，稱為交流負載線。55陽山書屋c交流負載線的作法VCCQIBQ過Q點作一條直線，斜率為：交流負載線iCvCE56陽山書屋ciBvBEQvCE怎么變化？假設vBE有一微小的變化ibtibtictvit2.動態(tài)工作情況的圖解分析+VccRcCb1Cb2TRbvivovCEiBiCiCvCE57陽山書屋cvCE的變化沿一條直線vce相位如何？vce與vi反相！ictvcet+VccRcCb1Cb2TRbiCvCE58陽山書屋c各點波形vitiBtiCtvCE

20、tvotRB+VccRCC1C2viiCvCEvoiB圖4.3.4 共射極放大電路中的電壓、電流波形59陽山書屋c3.靜態(tài)工作點對波形失真的影響在放大電路中，輸出信號應該成比例地放大輸入信號（即線性放大）；如果兩者不成比例，則輸出信號不能反映輸入信號的情況，放大電路產生非線性失真。為了得到盡量大的輸出信號，要把Q設置在交流負載線的中間部分。如果Q設置不合適，信號進入截止區(qū)或飽和區(qū)，造成非線性失真。60陽山書屋cvo可輸出的最大不失真信號(1)選擇靜態(tài)工作點ib+VccRcCb1Cb2TRbiCvCE61陽山書屋ciCvCEvo(2) Q點過低，信號進入截止區(qū)放大電路產生截止失真輸出波形輸入波形

21、ib+VccRcCb1Cb2TRbib最小為0，VBE小于死區(qū)電壓iC最小為0vo最大為VCCiC62陽山書屋c(3) Q點過高，信號進入飽和區(qū)放大電路產生飽和失真ib輸入波形vo輸出波形+VccRcCb1Cb2TRbic最大為VCC/RC，vO=0iCvCE63陽山書屋c 由于受晶體管截止和飽和的限制，放大器的不失真輸出電壓有一個范圍，其最大值稱為放大器輸出動態(tài)范圍。而因飽和失真的限制，最大不失真輸出電壓的幅度則為因受截止失真限制，其最大不失真輸出電壓的幅度為(3)最大不失真輸出電壓64陽山書屋cVopp則為該幅度的兩倍，即 Vopp=2Vom為了充分利用晶體管的放大區(qū)，使輸出動態(tài)范圍最大，

22、直流工作點應選在交流負載線的中點處。 式中，VCES表示晶體管的臨界飽和壓降，一般取為1V。比較以上二式所確定的數(shù)值，其中較小的即為放大器最大不失真輸出電壓的幅度，而輸出動態(tài)范圍65陽山書屋c實現(xiàn)放大的條件1. 晶體管必須偏置在放大區(qū)。發(fā)射結正偏，集電結反偏。2. 正確設置靜態(tài)工作點，使整個波形處于放大區(qū)。3. 輸入回路將變化的電壓轉化成變化的基極電流。4. 輸出回路將變化的集電極電流轉化成變化的集電極電壓，經(jīng)電容只輸出交流信號。66陽山書屋c 根據(jù)上述交流圖解分析，可以畫出在輸入正弦電壓下，放大管各極電流和極間電壓的波形，如圖所示。觀察這些波形，可以得出以下幾點結論： (1)放大器輸入交變電

23、壓時，晶體管各極電流的方向和極間電壓的極性始終不變，只是圍繞各自的靜態(tài)值，按輸入信號規(guī)律近似呈線性變化。 (2)晶體管各極電流、電壓的瞬時波形中，只有交流分量才能反映輸入信號的變化，因此，需要放大器輸出的是交流量。 (3)將輸出與輸入的波形對照，可知兩者的變化規(guī)律正好相反，通常稱這種波形關系為反相或倒相。 67陽山書屋cVCCvCEQ直流負載線VCEQICQRLVCES圖解法總結IBQ交流負載線,斜率為iCvCE68陽山書屋c例： =50， VCC =12V， RB =70k， RC =6k 當VBB = -2V，2V，5V時，晶體管工作于哪個區(qū)？當VBB =-2V時：ICQVCEQIBQVC

24、CRBVBBCBERCVBEIBQ=0 ， ICQ=0IC最大飽和電流：Q位于截止區(qū) mA2612max=CCCCRVI69陽山書屋c例： =50， VCC =12V， RB =70k， RC =6k 當VBB = -2V，2V，5V時，晶體管工作于哪個區(qū)？IC Icmax(=2 mA)， Q位于飽和區(qū)。(實際上，此時IC和IB 已不是的關系）mA061070705.RVVIBBEBBBQ=-=-=71陽山書屋c三極管模型的建立h(hybrid)參數(shù)低頻4.3.2 小信號模型分析法 當放大電路的輸入信號電壓很小時，就可以把三極管小范圍內的特性曲線近似地用直線來代替，從而可以把三極管這個非線性器

25、件所組成的電路當作線性電路來處理。1.BJT的H參數(shù)的及小信號模型雙口有源器件i1i2vivo-+-+圖4.3.10 雙口網(wǎng)絡交流小信號72陽山書屋c用小信號交流分量表示vbe= hieib+ hrevceic= hfeib+ hoevce在小信號情況下，上兩式取全微分得對于BJT雙口網(wǎng)絡，我們已經(jīng)知道輸入輸出特性曲線如下：iC=f2(iB ,vCE)vBE=f1(iB , vCE)(1)BJT的H參數(shù)的引出i:輸入r:反向傳輸f:正向傳輸o:輸出vBEiBvCEcbeiC+-+-T圖4.3.11(a) BJT在共發(fā)射極連接時的雙口網(wǎng)絡73陽山書屋c輸出端交流短路(vce=0,vCE=VCEQ

26、)時的輸入電阻輸出端交流短路時的正向電流傳輸比輸入端交流開路(ib=0,iB=IBQ)的反向電壓傳輸比輸入端交流開路時的輸出電導其中：四個參數(shù)量綱各不相同，故稱為混合參數(shù)（H參數(shù)）。小信號下b-e間動態(tài)電阻，rbe電流放大系數(shù)r1/rce74陽山書屋chrevce+-(2)BJT的H參數(shù)參數(shù)小信號模型（微變等效電路）ibicvcevbe+-+-hiehfeib圖4.3.11(b) H參數(shù)小信號模型75陽山書屋crce很大，一般忽略。等效vbeibvceiccbe(3)小信號模型的簡化r vce+-ibicvcevbe+-+-rbe ibr很小，一般忽略。erbeibibbcic+-+-vbev

27、ce圖4.3.12 BJT的簡化小信號模型76陽山書屋c發(fā)射結電阻基區(qū)體電阻. 輸入回路iBvBE當信號很小時，將輸入特性在小范圍內近似線性。vBEiB對輸入的小交流信號而言，三極管相當于電阻rbe。rbe的量級從幾百歐到幾千歐。對于小功率三極管：0.1mAIEQ1/CE忽略RB影響CEC188陽山書屋c波特圖:確定fL1、fL2和fL3，分別做出三條曲線，然后相加。189陽山書屋c耦合電容和旁路電容的選擇1.耦合電容2.旁路電容190陽山書屋c鉭電容191陽山書屋c求放大倍數(shù)Av 、Ri和Ro 。 分別求C1 、C2、C3引起的電路下限頻率fl1、 fl2、 fl3 =?RB1C1RE1vi

28、T1RB2+VccC2C3RE2voT2RLRSVS192陽山書屋c4.7.3 單級放大電路的高頻響應一、 BJT的高頻小信號建模模型的引出互導ecbbrbe-發(fā)射結電阻re歸算到基極回路的電阻rbb -基區(qū)的體電阻，-集電結電阻-發(fā)射結電容 -集電結電容混合型高頻小信號模型rcerbe+bcebCbeVberbbCbcrbc+193陽山書屋c模型簡化一、 BJT的高頻小信號建模模型的引出rcerbe+bcebCbeVberbbCbcrbc+brbe+cebCbeVberbbCbc+194陽山書屋c又因為所以模型參數(shù)的獲得（與H參數(shù)的關系）低頻時，混合模型與H參數(shù)模型等效所以又 rbe= rb

29、 + (1+ ) re 從手冊中查出一、 BJT的高頻小信號建模+brbe+cebCbeVberbbCbc+rbe+bcebVberbb+圖3.7.5 BJT的高頻小信號模型BJT的低頻小信號模型195陽山書屋c的頻率響應由H參數(shù)可知即根據(jù)混合模型得低頻時所以當時，一、 BJT的高頻小信號建模+brbe+cebCbeVberbbCbc+196陽山書屋c共發(fā)射極截止頻率的幅頻響應令則特征頻率共基極截止頻率一、 BJT的高頻小信號建模的頻率響應當=1時對應的頻率稱為特征頻率fT，且有fT0f 當20lg下降3dB時,頻率f稱為共發(fā)射極接法的截止頻率197陽山書屋c2. 共射極放大電路的高頻響應型高

30、頻等效電路等效電路RsReRc-+-+bce+brbecebCbeVberbbCbcRc+Rs(a)(b)圖 3.7.8(a) 共射極放大電路的簡化交流通路(b) 高頻小信號等效電路198陽山書屋c對節(jié)點 c 列KCL得電路簡化忽略 的分流得稱為密勒電容等效后斷開了輸入輸出之間的聯(lián)系+brbecebCbeVberbbCbcRc+RsZM+brbecebCbeVberbbRc+RsCM199陽山書屋c電路簡化最后+brbecebCbeVberbbRc+RsCM200陽山書屋c高頻響應由電路得電壓增益頻響又其中低頻增益上限頻率+cebVbeRc+RC+201陽山書屋c增益-帶寬積BJT 一旦確定，

31、帶寬增益積基本為常數(shù)202陽山書屋c203陽山書屋c204陽山書屋c高頻響應列 e 點的KCL而所以電流增益為其中電壓增益為 其中 特征頻率忽略3. 共基極放大電路的高頻響應205陽山書屋c幾個上限頻率的比較的上限頻率特征頻率共基極上限頻率共發(fā)射極上限頻率共基極電路頻帶最寬，無密勒電容3. 共基極放大電路的高頻響應206陽山書屋c單級放大電路波特圖綜合：總電壓放大倍數(shù)的復數(shù)形式為207陽山書屋c多級放大電路的頻率特性二、 波特圖一、頻率特性關系式208陽山書屋c半導體三極管是由兩個PN結組成的三端有源器件。有NPN型和PNP型兩大類，兩者電壓、電流的實際方向相反，但具有相同的結構特點，即基區(qū)寬度薄且摻雜濃度低，發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結面積大，這一結構上的特點是三極管具有電流放大作用的內部條件。 三極管是一種電流控制器件，即用基極電