集成電路-現(xiàn)代計(jì)算機(jī)

1、集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克基爾比（基于硅的集成電路）和羅伯特諾伊思（基于鍺的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。定義集成電路（Integrated Circuit,簡稱IC）是20世紀(jì)60年代初期發(fā)展

2、起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。 編輯本段特點(diǎn)集成電路或稱微電路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。 前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）

3、混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備和被動元件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。 本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。 集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點(diǎn)少，壽命長，可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可大大提高。 編輯本段分類按功能結(jié)構(gòu)分類集成電路，又稱為IC，按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分

4、為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/?；旌霞呻娐啡?HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$a54e55fbcea00225034f56ab o 查看圖片 t _blank 集成電路類。 模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號、錄放機(jī)的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關(guān)系。而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如3G手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。 按制作工藝分類集成電路按制作工藝可

5、分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。 膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。 按集成度高低分類集成電路按集成度高低的不同可分為： SSI 小規(guī)模集成電路(Small Scale Integrated circuits) MSI 中規(guī)模集成電路(Medium Scale Integrated circuits) LSI 大規(guī)模集成電路(Large Scale Integrated circuits) VLSI 超大規(guī)模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits) ULSI 特大規(guī)模集成電路(Ultra Large Scale Integrated cir

6、cuits) GSI 巨大規(guī)模集成電路也被稱作極大規(guī)模集成電路或超特大規(guī)模集成電路(Giga Scale Integration)。 按導(dǎo)電類型不同分類集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路，他們都是數(shù)字集成電路。 雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規(guī)模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。 按用途分類集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電 HYPERLINK /albums/1355

7、/1355/0/0.html l 0$a583631ec755a7b51bd576b4 o 查看圖片 t _blank 集成電路路、電腦（微機(jī)）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報(bào)警器用集成電路及各種專用集成電路。 1.電視機(jī)用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉(zhuǎn)換集成電路、開關(guān)電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。 2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成

8、電路、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關(guān)集成電路等。 3.影碟機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數(shù)字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機(jī)驅(qū)動集成電路等。 4.錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。 按應(yīng)用領(lǐng)域分集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成電路。 按外形分集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩(wěn)定性好

9、，體積?。┖碗p列直插型。 編輯本段簡史世界集成電路發(fā)展歷史1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖特萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個里程碑； HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$7ab514d105965b92572c84b6 o 查看圖片 t _blank 集成電路1950年：結(jié)型晶體管誕生 1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝 1951年：場效應(yīng)晶體管發(fā)明 1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝 1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史； 1960年：H

10、 H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝 1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應(yīng)晶體管 1963年：和首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝 1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測晶體管集成度將會每18個月增加1倍 1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門） 1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司 1971年：Intel推出1kb動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn) 1971年：全球第一個微處理器4004由Intel

11、公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發(fā)明 1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世 1978年：64kb動態(tài)隨機(jī)存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時代的來臨 1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC 1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世 1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM 1985年：80386微處理器問世，20MHz 1988年：16M D

12、RAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段 1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場 1989年：486微處理器推出，25MHz，1m工藝，后來50MHz芯片采用 0.8m工藝 1992年：64M位隨機(jī)存儲器問世 1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6m工藝 1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35m工藝； HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$0b07ec1f3959c222f624e4b7 o 查看圖片 t _blank 集成電路1997年：300M

13、Hz奔騰問世，采用0.25m工藝 1999年：奔騰問世，450MHz，采用0.25m工藝，后采用0.18m工藝 2000年：1Gb RAM投放市場 2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18m工藝 2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13m工藝。 2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。 2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。 2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。 我國集成電路發(fā)展歷史我

14、國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段： 1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件 1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化 1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。 編輯本段檢測常識1、檢測前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理 檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成

15、電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件，那么分析和檢查會容易許多。 2、測試不要造成引腳間短路 電壓測量或用示波器探頭測試波形時，表筆或探頭不要由于滑動而造成集成電路引腳間短路，最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進(jìn)行測量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時更要加倍小心。 3、嚴(yán)禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備 嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器，當(dāng)接觸到較

16、特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時，首先要弄清該機(jī)底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。 4、要注意電烙鐵的絕緣性能 不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認(rèn)烙鐵不帶電，最好把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應(yīng)小心，能采用68V的低壓電烙鐵就更安全。 5、要保證焊接質(zhì)量 焊接時確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看，最好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認(rèn)無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。 6、不要輕易斷定集成電路的損壞 不要輕易地判

17、斷集成電路已損壞。因?yàn)榧呻娐方^大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫鹬绷麟妷旱淖兓?7、測試儀表內(nèi)阻要大 測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20K/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。 8、要注意功率集成電路的散熱 功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。 9、引線要合理 如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合

18、，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。1 編輯本段型號命名我國集成電路的型號 根據(jù)國際，我國集成電路的命名由五部分組成。 第0部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 各部分的含義如下 第0部分：用字母表示符合國家標(biāo)準(zhǔn)，C表示中國國際產(chǎn)品。 第一部分：用字母表示器件類型。 第二部分：用數(shù)字表示器件的系列代號。 第三部分：用字母表示器件的工作溫度。 第四部分：用字母表示器件的封裝。 國標(biāo)GB/T34301989半導(dǎo)體集成電路命名方法規(guī)定集成電路型號各部分的符合及意義如表所以。 集成電路型號各部分的意義第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分符號意義符合意義意義符號意義符

19、合意義CC表示 中國制造TTTL電路用數(shù)字表 示器件的 系列代號C070F多層陶瓷扁平HHTL電路G2570B塑料扁平EECL電路L2485H黑瓷扁平CCMOS電路E4085D多層陶瓷雙列直插M存儲器R5585J黑瓷雙列直插微型機(jī)電路M55125P塑料雙列直插F線性放大器S塑料單列直插W穩(wěn)定器K金屬菱形B非線性電路T金屬圓形J接口電路C陶瓷芯片載體ADA/D轉(zhuǎn)換器E塑料芯片載體DAD/A轉(zhuǎn)換器G網(wǎng)絡(luò)針柵陳列D音響、電視電路SC通信專用電路SS敏感電路SW鐘表電路例如： 肖特基4輸入與非門 CT54S20MD C符合國家標(biāo)準(zhǔn) TTTL電路 54S20肖特基雙4輸入與非門 M55125 D多層陶瓷

20、雙列直插封裝 編輯本段封裝1、BGA(ball grid array) 球形觸點(diǎn)陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以代替引 HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$4d4970067fc4a33a020881b0 o 查看圖片 t _blank 集成電路腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陣列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見

21、方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm 見方。而且BGA 不 用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有 可 能在個人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA 的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GP

22、AC(見OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。 4、C(ceramic) 表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。 5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cer

23、dip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在日本，此封裝表示為DIPG(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的 HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$8367d1fc5d4523c3b901a0b1 o 查看圖片 t _blank 集成電路Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP

24、高35 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。 帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJG(見QFJ)。 8、COB(chip on board) 板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但

25、它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。 9、DFP(dual flat package) 雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。 12、DIP(dual in-line package) 雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器

26、LSI，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分， 只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。 14、DICP(dual tape carrier package) 雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并

27、從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是 HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$c8ab0bcead807c78b600c8b2 o 查看圖片 t _blank 集成電路TAB(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機(jī) 械工 業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP 命名為DTP。 15、DIP(dual tape carrier package) 同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP 的命名(見DTCP)。 16、FP(flat pac

28、kage) 扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。 17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。 18、FQFP(fine pitch quad flat package) 小引腳中心距QFP。

29、通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。 19、CPAC(globe top pad array carrier) 美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。 20、CQFP(quad fiat package with guard ring) 帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。 21、H-(with

30、heat sink) 表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。 22、pin grid array(surface mount type) 表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列 HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$91ae68c669bb675a9d163db3 o 查看圖片 t _blank 集成電路狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本

31、體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250528)，是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。 23、JLCC(J-leaded chip carrier) J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。 24、LCC(Leadless chip carrier) 無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFNC(見QFN)。 25、LGA(land gri

32、d array) 觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計(jì) 今后對其需求會有所增加。 26、LOC(lead on chip) 芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的 中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行

33、電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。 27、LQFP(low profile quad flat package) 薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。 28、LQUAD陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高78 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm

34、 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。 29、MCM(multi-chip module) 多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCML，MCMC 和MCMD 三大類。 MCML 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCMC 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCML。 MCMD 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密

35、謀在三種組件中是最高的，但成本也高。 30、MFP(mini flat package) 小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 31、MQFP(metric quad flat package) 按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標(biāo)準(zhǔn)對QFP 進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見QFP)。 32、MQUAD(metal quad) 美國Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W2.8W 的功率。日本新光電氣

36、工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。 33、MSP(mini square package) QFI 的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。 34、OPMAC(over molded pad array carrier) 模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。 35、P(plastic) 表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。 36、PAC(pad array carrier) 凸點(diǎn)陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。 37、PCLP(printed circuit b

37、oard leadless package) 印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引 腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開發(fā)階段。 38、PFPF(plastic flat package) 塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。 39、PGA(pin grid array) 陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶 HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$f765756087662e05ebf

38、8f8bc o 查看圖片 t _blank 集成電路瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。 40、piggy back馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN 相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè) 備時用于評價程序確認(rèn)操作。例如，將EPROM 插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封

39、裝基本上都是 定制 品，市場上不怎么流通。 41、PLCC(plastic leaded chip carrier) 帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料

40、制作的無引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P LCC 等)，已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會于1988 年決定，把從四側(cè)引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。 42、PLCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier) 有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分 LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用PLCC 表示無引線封裝，以示區(qū)別。 43、QFH(quad flat high package)

41、四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 44、QFI(quad flat I-leaded packgac) 四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 于68。 45、QFJ(quad flat J-lead

42、ed package) 四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。 材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機(jī)、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。 陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。 46、QFN(quad flat non-leaded package) 四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為LC

43、C。QFN 是日本電子機(jī)械工業(yè) 會規(guī)定的 HYPERLINK /albums/1355/1355/0/0.html l 0$7787b9ef014d3457fdfa3cbd o 查看圖片 t _blank 集成電路名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點(diǎn) 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC 標(biāo)記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。 塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸

44、點(diǎn)中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、PLCC 等。 47、QFP(quad flat package) 四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型?；挠?陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時， 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm

45、 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。 日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會對QFP 的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。 另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm 時，引腳容

46、易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護(hù) 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設(shè)置測試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進(jìn)行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。 48、QFP(FP)(QFP fine pitch) 小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.

47、4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。 49、QIC(quad in-line ceramic package) 陶瓷QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。 50、QIP(quad in-line plastic package) 塑料QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP)。 51、QTCP(quad tape carrier package) 四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。 52、QTP(quad tape carrie

48、r package) 四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見TCP)。 53、QUIL(quad in-line) QUIP 的別稱(見QUIP)。 54、QUIP(quad in-line package) 四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是 比標(biāo)準(zhǔn)DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。 55、SDIP(shrink dual in-line package) 收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)， 因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SHDIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。 56、SHDIP(shrink dual in-line package) 同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 57、SIL(single