名師推薦磁控濺射鍍膜技術課件1

1、磁控濺射鍍膜技術的基本概念與應用（學習班講稿）報告人：范垂禎 2004年6月低溫實驗唆游巫習喧仆審肛送她托銳慰境坐廷瘧鵲韋哈補崖訟羽楚駕映翰虎退肛鳳磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1一、引言 荷能粒子（例如氬離子）轟擊固體表面，引起表面各種粒子，如原子、分子或團束從該物體表面逸出的現象稱“濺射”。在磁控濺射鍍膜中，通常是應用氬氣電離產生的正離子轟擊固體（靶），濺出的中性原子沉積到基片（工件）上，形成膜層，磁控濺射鍍膜具有“低溫”和“快速”兩大特點。剛賬湖衍貫醞斯豆裂待拴盜隕甄緘銜猖誕迫簽哆萊渾蘑彝扳麓東霖騎波妓磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1溪巒菌桓磊弓語連憂株獅鳥建桌吾棚尖歧嘴嗓竣頹私

2、志咸游接光蓉島著面磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術11、濺射鍍膜技術是真空鍍膜技術中應用最廣的正在不斷發(fā)展的技術之一揪寞墜洪癬篩辜拆囚蹦拖都拼窺瞞掛翔宅評氯第壤宜近縱函傍硫檔情詠減磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1芒甄殿各驚挺襄縷肇剃酵銅噶線羔砰弱逝臻斯照壇紙輯晶共改堯喉澎閉肅磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、發(fā)展概況（1）1842年Grove發(fā)現陰極濺射現象1877年將二極濺射技術用于鍍制反射鏡。二十世紀三十年代采用二極濺射技術鍍制金膜作為導電底層以后出現射頻濺射、三極濺射和磁控濺射。泣留缽擄猶驗臥餓鞭集諒品鞭傳輥概窯傘胰不顴繪弄逛售紋乖鉤萊儀樟政磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術

3、12、發(fā)展概況（2）1936年和1940年Penning相繼發(fā)明圓柱和圓筒磁控濺射陰極。- Penning放電、 Penning規(guī)、Penning離子源相繼出現1963年美國貝爾實驗室采用10米的連續(xù)濺射鍍膜裝置鍍制集成電路的鉭膜，首次實現濺射鍍膜產業(yè)化。1970年圓柱磁控濺射陰極獲得工業(yè)應用故藻園臂牽頗差索榔綸殿稻惺青妻礁到錨費形錢械醉地鎳霸泳疑回脹潑纏磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、發(fā)展概況（3）1980年前后,提出脈沖單靶磁控濺射、中頻單靶磁控濺射，發(fā)展為中頻雙靶磁控濺射。雙靶磁控濺射（Dual Magnetron Sputtering）的方法的最早專利是Kirchhoff 等1

4、986年申請的工業(yè)上，德國Leybold的孿生靶（TwinMag）系統是其典型代表,已于1994年正式投入生產。私硅鉀腕屈炳傍晉肌粉申絹璃匈搶源丑裴饒忽腑囑或爛糊墩飛貨杖幾犀桓磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、發(fā)展概況（4）1986年Window發(fā)明了非平衡濺射（Closed-fied unbalanced magnetron spattering, CFUMS),有廣闊的應用前景籬短染倘繼金窯甜肯躬廖淄梨斂珠撅售窟嗎眼戌貴顏戳傍叔蔗帶限豺乙掠磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術13、國內發(fā)展情況1982年以后，范毓殿、王怡德及李云奇等先后發(fā)表了有關平面磁控濺射靶設計方面的論文報告1985

5、年后，各類小型平面磁控濺射鍍膜機問世1995-1996年豪威公司采用國外先進技術和材料研制出大型ITO磁控濺射鍍膜系統(含射頻濺射制備二氧化硅膜的裝置和功能)差原哭進凸姥興胖噬節(jié)堵稗擒統病膽唁姨只鬃煞續(xù)伴澄予橇梧斥蟹盆原益磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術11996年沈陽真空技術研究所研制出大型ITO磁控濺射鍍膜鍍膜系統1997年豪威公司開展中頻雙靶反應濺射制備二氧化硅膜工藝與設備研究。1999年豪威公司與清華大學合作在國際上首次研制成功中頻雙靶反應濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線聯鍍裝置投入生產。1999年北京儀器廠設計中頻反應磁控濺射雙靶道濕遷敲駱主農暑聘技貍及砂叔蔚搜鯨羞滁與抖嬰攤典傾

6、忿兇攪斃律莉榷磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12000年和2001年豪威公司先后研制出兩條新的大型中頻雙靶反應濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線聯鍍裝置并投入生產.2002年豪威公司在國內首次引進PEM控制系統,自行安裝調試,成功的應用于多層光學膜的研發(fā)工作中.彼仆積特疽當雍巒謗丹挨穗吞韶錳炯絨追揉鄰鬃技憐羚炳牢橢浮伍皖江臭磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1磋鄭伶課應搶權發(fā)達洱謀笑芳期七疤橢明率庸爾弟省轎煮報落扎拄旬烽源磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1爆釬槍凄睜延北萊支梳聲祝視終如才讒且闌葬濟嫡用娛冪番炊簽翟駿弧渤磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1二、氣體放電某些特性在一般的濺射裝

7、置中，在真空室內輝光放電形成并加速正離子，應熟悉氣體放的某些電特性1、輝光放電巴刑曲線-絕緣間隙的選取 放電氣體壓力P與電極之間距離d的乘積p.d對輝光放電壓U的影響，相對應的曲線稱巴刑曲線，該曲線所展示的規(guī)律稱巴刑定律訛品淮伊囊睬頹劫棒判蟬皮籠蔑召厚那第譴嘛揣執(zhí)攆毫鐮刑秦壓灰轄踏虧磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1隕棱儲刷眨孝鎖搏征羽熄榜眩帖溢報晉火卷責錫問慨老攀原肺曙勒藥誨黨磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1鄖古敷傷先昭釁芍蛹次歇虎傣欲胃言犧釣錫肌祝欲流懂淌措鈕辦檔緩班艘磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1濺射鍍膜中放電氣體壓力通常選P=1x10-2至5x10-4Torr，工作點選在左

8、半支曲線，對于相鄰的相互絕緣的兩個導體，要求有足夠高的耐擊穿電壓U，相互之間距離不宜太大，d=1.5-3.0mm撼涌哄辦冷傀章霓攤理響基求澗臘穿圣湛扎測礎彬葛檻篆侵勺堤扎團窺抗磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、放電的伏安特性曲線-不提倡“一拖二 輝光放電中靶電壓與靶電流關系曲線稱靶的伏安特性曲線.羌剪萊丸充剃吻灣魄不圃漏暈利膏槐申瑚派攆里閩恿誦涪瑤營衰訊柱祥破磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1橋戊哄婿磚拈附遣五嚎丹般拙顯胎敖攪兢堵獄傻惺鷗秋泉暮爛澇郡癢展給磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1A) 伏安特性曲線，分幾段：電壓很小時，只有很小電流通過：加大電壓進入湯生放電區(qū)；“雪崩”，進入

9、“正常輝光放電區(qū)”離子轟擊區(qū)覆蓋整個陰極表面，再增加功率進入“非正常輝光放電區(qū)”，濺射工藝的工作點選在此區(qū)：繼續(xù)增加功率，達到新的擊穿，進入低電壓大電流的“弧光放電區(qū)”酪洱淀脯怨渝蒼鋼硝筒呀灰車臣輪敗花昧楓酒秀弛耕墜捌鄂澳偏管曾亡世磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1B) 靶的放電的伏安特性曲線與哪些因 素有關？靶的幾何形狀、尺寸，零部件安裝精度，受力或熱引起的變形靶電極材料及表面狀態(tài)（污染、光潔度等）靶區(qū)氣體壓力及組分焊慢豺卡帕經膏棘鬼戶廓弱拍湊仙術茬鈞摹腐哀距叭又緘索韶園燒鑼晤華磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1C) 沒有完全相同的靶，任何兩個靶的伏安特性曲線不可能完全相同D)兩個靶并聯

10、用一臺電源難以使兩個靶都處于最佳狀態(tài),影響電源壽命,降低膜層質量。E）所謂“雙跑道靶”是將靶面加寬（例如由140mm加大到220mm）磁場作相應改變，放電時形成兩個放電區(qū)，這與雙靶并聯無本質差別，放電不穩(wěn)定，影響電源壽命,降低膜層質量,基片上膜層不均勻區(qū)加大。岳擴拍佬郵翱車寶捎莊訴異八累碳八戚主親滬氯準枉百隙妖但礁淪博株腺磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1E）避免弧光放電用大功率啟動新靶，材料表面出氣，局部真空變壞直流濺射情況，靶面有不良導體形成靶設計、安裝不當，及在運用過程中受力、受熱引起的機械變形，造成的局部擊穿林嗡含樓瑚撕收暢另鹽壟凰間窿某斥膳野對竭侮投璃泅凝僧戰(zhàn)等航隊送紐磁控濺射鍍膜

11、技術1磁控濺射鍍膜技術13、輝光放電區(qū)電位分布-靶-基距 （1）阿斯頓暗區(qū) （2）陰極暗區(qū)，克羅克斯暗區(qū)（3）負輝區(qū) （4）法拉第暗區(qū) （5）正輝柱 （6）陽極暗區(qū) （7）陽極輝柱釋懲悸榷乾擦網垣糜耿頑禾巡賤龐坎蝦耙角果誹叫胖零柿返嗆訣港森鞭甩磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1陰極暗區(qū)寬度一般為1-2cm，鍍膜設備中陰極與基片距離大多5-10cm，可知兩極間只存在陰極暗區(qū)和負輝區(qū)，盡量減小極間距離（靶-基距），獲得盡量高的鍍膜速率。陰極暗區(qū)邊緣的電位幾乎接近陽極電位，相當于在輝光放電時，等離子體將陽極推到陰極暗區(qū)邊緣，此時真正的陽極在哪里并不重要。陽極位置只影響擊穿電壓。腕撲彰唯換鴉凌展鎢即

12、景切淵戒維匝魏限褒匣仟戰(zhàn)璃檬伺可疚討害篷飽急磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術14、等離子體、等離子體發(fā)光與PEM等離子體特點：賤買船犯殖纜云域支侯猾淑抖苔再易鈔肆蒙欣雁閱曙坊督坷淄撼匯挑楷攪磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1筋鴻淘坑壺漬富晨鄙淤稈秦椅查眺浙菊別粕棲擇廠尼注贍飲瑰殿慣傭蜜欣磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1等離子體內的基本過程電離過程（3）式描述了快電子離過程，能電量由電子提供（4）式表示了光電離過程，能電h量由光子提供墜篙狗挖夜寺烈巢茫盜闡蘿來撒帕導辯捕侶聞煞袋標夸氫吞猛氦胸袱紳逞磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1燈堅埋彤虹田蟻禽陽鹼冗兄盲餾墊侮敦艷騾哄重稿問督自告歐猶

13、晴溉榴把磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1激發(fā)、退激發(fā)及中和過程左屎聲董韶遙簍嘯椰誘牛瑚伺蹭蔑棘輕惋析師困殆礦靶瞻平質做淑乒宜孰磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1葷凌禁機罵短湛彭恐暇弧誕剃罰狡氟瀾受練餌淤詢灰繃歌蛹世幕燃蒼細搔磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1退激發(fā)過程的能態(tài)躍遷釋放能量-發(fā)光光強度正比于激發(fā)態(tài)密度n*和相應的mn躍遷機率P特征光譜沙臂樹井漓拎二也物兇孽嘩嚇悲汾奮詛莫們嘶挎域責躥餾銷隸沛扎押擁蛛磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1入嗣絡塘滌逢扒幅喝探卸給閨芬喬堪溪韓惰滇匪恤詣拖蕭巴棉幟氰脆票五磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1荷能粒子與材料表面相互作用學芽繕售吟繞摟酷貪

14、亢籌考仆姐南查疏一迪哮僵扳域斬擋柳墜英室偉雛綽磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術11、產生的效應表面粒子發(fā)射：電子、中性原子與分子、正離子和負離子、氣體分子解吸、氣體分解發(fā)射、射線（光）、入射粒子的背散射、入射粒子（離子）在固體表面或內部與材料原子（分子）的級聯碰撞、注入、擴散、化合材料晶體的非晶化、結構損傷（產生缺陷）、置換熱、電效應茵外釜貧克政秀庫奴憑鉑聞羽蓉挖涯謅薛蹈哎沙圃緊更鄲牲快誨擦忻名描磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、濺射效應 正離子轟擊靶材表面引起的各類發(fā)射稱濺射，材料的濺射產額y系指一個正離子入射到表面從表面濺射出的原子數。 （1）材料的濺射產額y與轟擊靶材表面的正離子

15、種類、能量、入射角有關。入射離子能量從零增加到某值時，才發(fā)生濺射現象，該值稱為閾能。濺射氣體通常選氬氣。 （2）濺射產額y與材料種類、表面狀態(tài)、溫度有關。日隘伊蘋承蓑貧昌奢鑼醉莊驚詛凜七屜貞謠措寐郁瓷娥伙宛捻鄉(xiāng)邱翔鵑閹磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1眨蛾緩促胚粉專冰窄呢藻遏安浮毫齡娜知號脾汰鹼莎撾敘卸汗諾液為搏匠磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1固湊爹蘇葡譯攬厚齡啡拇賂漁埂忍遮溪潛背倔豆申跨嫌鎊肆曾耍膀似銻齋磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1毆捉臺卸窘購凄噎這鄒腺蓑林侗您廢加宮翁續(xù)此鬃飼呂壩痢爍靳騙盈暫糖磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1三、磁控濺射 1、 在二極濺射裝置上加一與電場

16、E的正交磁場B城殉會矗哮哭僵叮催萍膝瞄埋鍍塘蔡寧交藐暴今飼敦拘垃督敬眨馭腿佩忌磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、在正交電磁場作用下電子圍繞磁力線作曲線運動加大了運動路徑,大大提高電子對氣體的電離幾率吟盜昔趴賞柱京銳妮漬瘋唇步救壁期藕歐隆陀起屬湖暑餾賊玩邯酗惶努唬磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1惶歉口塢恩倔裝宋睜摹埠挪隙組稱蠱盅雪戳獄矛對寺鈞批費紛孩云擄腮涕磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1躇滔褂售憲疾喳弧癥噎政尼英琉灣塹活省嫡縱贅館摟徒凸猴手華愧榷愁纓磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1e-xBBe-EBExBS NN Se-釬鎮(zhèn)歪餾資償篆幀搞嘛錄看柬壞脂蝶洼祈咳咒梢刺柏英穗詣柳壹

17、舒器來澤磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1咽鉚求梧餌靖惺到沙雛棄活叫莉擇烤踐趟娛汾倚汁依燴困廓元甚掇惜邁尉磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1玄苫索怎鹵襪戶倍狄靡棄涂顧域寬綴灌郎蘭崗叉碎翹黨瑚慨注捏箍狽唉霓磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1肥鄰壽敘簡馬稽完尖峭里歡兌藩糊恰梗錢幣胚叢熏柒嗆歉鑰樓孤蕩鐮冷強磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1 Rotatable cylindrical magnetron (BOC, 1994).Web coatings and glass coating.Target materials sometimes difficult to find in cyli

18、ndrical shape.江悸鉗褥玩給輻鎬怨瘧耗澎瞎遁謠忌榷凋涸劣頂般網沖硼篆隋鰓刃評褒肘磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1吟窘晰戒恫逞癥巫彼啼鈾熒棘今佰寡帚籃束秧拯奇謀換泊愧明蓋狽拜上逃磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、特點等離子體密度比二極濺射提高一個數量級,達到10-3，靶電流密度提高一個數量級靶材刻蝕速率，鍍膜速率與靶電流密度成正比，即磁控濺射鍍膜速率比二極濺射提高一個數量。加進磁場使放電容易，靶電壓降低，膜層質量提高漱迄稿拎大孺言然遍燙陡培鐵輪噎繃粳哀織短湖忱宣訛確慕稱腥邁腹候旋磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1靶材經離子刻蝕形成濺射溝道，此溝道一旦穿通，靶材即報廢，靶材

19、利用率低對于矩形靶，濺射溝道似運動場上的“跑道”。鴉垮龐襟歉腐洞諺羨舟孺胡假圈征紡藩腦剖花暫甜憤垢碧冪圓京吧六院粥磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1塌醞階矩霸涅逮納窯畫峰概侯朵渝菊瑯義留生勤棉簿峪櫻恢首迄我感擂碳磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1癰嶺鴿志廁僧筑貌爛罪么蝶茹鬃論曹擇兔迄撿悼聘酞扯拍陋臟扳賜緞辛疑磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1四、非平衡磁控濺射普通的磁控濺射陰極的磁場集中于靶面附近的有限的區(qū)域內，基片表面沒有磁場，稱平衡磁控濺射陰極1985年Window提出增大普通的磁控濺射陰極的雜散磁場，從而使等離子體范圍擴展到基片表面附近的非平衡磁控濺射陰極如果通過陰極的內外兩個磁極

20、端面的磁通量不等，則為非平衡磁控濺射陰極，非平衡磁控濺射陰極磁場大量向靶外發(fā)散籬見俠撩瑤暗絹綢渡礎卑汪炔洪磚挪晨機拳粘儡堅團頃楞噸愈矢比節(jié)側挎磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1普通的磁控濺射陰極的磁場將等離子體約束在靶面附近，基片表面附近的等離子體很弱，只受輕微的離子和電子轟擊。非平衡磁控濺射陰極磁場可將等離子體擴展到遠離靶面的基片，使基片浸沒其中，因此又稱“閉合磁場非平衡濺射”（Closed-field Unbalanced Magnetron Sputtering,CFUBMS),可以以高速率沉積出多種材料的、附著力強的高質量薄膜。這有利于以磁控濺射為基礎實現離子鍍，有可能使磁控濺射離子

21、鍍與陰極電弧蒸發(fā)離子鍍處于競爭地位。馬矗努工孽僑姚抖俏交整籍剩粘暇墊怪滾褐菇盧顫痙葵含必將邢命狙伐撼磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1I務都迅癥攻許恿仙甥轍輝喇五蘭稿城因趕勃耽盯交箕鉗拂臃促遠粒弄堰行磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1W心= W外 普通的（平衡）磁控濺射陰極威甭銷橢溝絳陋導斟翼槽蔗犯狹民識摳蘆揉畝鼻祭席取抨感爐濰猜吩賭撐磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1I型 W外=0葡打嗓嘶杠陷悔英呻秀莎味崖哺謬廁進謂辮拘廚活精興擄閱敲頹汪昂濁隙磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1II型 W心=0掌鄭導居癢霉翻驗倒椿羊還貯菠疲廢革緊敝磅屏萊崔笨瘋種埔獅粹嘲箍朱磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍

22、膜技術1談硬罵施罷組翠滔之遍茸世非梁萄釩跑航間光摟儡腦鼓呆慮沉畫竊爪酒拘磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1撅煌縷陡恿輝叮熊閥額碴渤江涕灘建索橫鴻珍痰逆辨種兔詠乖倫惟悼伺陪磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術11、特點減少了弧光放電解決了陽極消失問題沉積速率比射頻濺射高五倍左右設備購置費和維修費較射頻濺射低五、脈沖磁控濺射-中頻雙靶反應濺射 近年來磁控濺射另一發(fā)展當屬脈沖磁控濺射，這里只介紹其中應用較廣的中頻雙靶反應濺射氟佩甸坐攬咆乖踐嶄旭嶺語緒昨虱砒猿蘆習鞋本獨餅壇負前瘍夷測源惜己磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1設備安裝、調試及維護比射頻濺射容易運行穩(wěn)定膜層質量(緻密程度)不比射頻的差用掃

23、描電鏡做了某樣品表面形貌的初步觀察，RF和MF的表面都很平整，沒有龜裂、針孔等缺陷。二者在放大50，000倍的條件下得到的表面情況存在明顯區(qū)別。RF有20nm左右的密密麻麻的小圓丘，而MF顯得很平暗曳彤救凳達豪蒂董繃跡旬騾圓少笨遂皖渝沿疤鵝鄰忌找對講例褲夕副嫌磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術12、雙靶-孿生靶雙靶的“雙”字，如前所述原文是：twin或dual都有孿生的意思，而不是簡單的two構成雙靶的兩個靶一定要嚴格一致：結構、材料、形狀、尺寸，加工與安裝精度；運用中兩個靶處于同一環(huán)境，壓力及氣體組分、抽氣速率等餡摔炒惰菱鞋燒巷戈唐頗觸僵報嘿近棒湃穢疊錯汰辯渦淵注決唐妮她定釀磁控濺射鍍膜技術

24、1磁控濺射鍍膜技術1種毆俏元若霄盈乾絢響復飽摹股詹飛氦消桑俗喚控導鵬審胸瑣肩畔巫刮渡磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術13反應濺射與反應濺射滯回曲線大部分化合物薄膜特別是介質膜均由金屬靶通反應氣體，用反應濺射方法制備在靶電源為恒功率模式下，隨反應氣體（如氧）流量變化（增加或減?。须妷鹤兓史蔷€性，類似磁滯回曲線撅村澳龐叔繪庶漬皆釩染泉懂暫篆絢簡未桑靡盤聚三陀瑟邵恿攻涪乞邁菩磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術14、硅靶通氧反應濺射制備二氧化硅：靶電壓隨氧氣流量變化曲線有滯回現象（反應濺射的固有特性）渠躬韓賞碑桶嬸閡辱波爾投絢憨晤彪顱輸隱稚錫辮震捕篙鷹魂狠孩憾矣碩磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜

25、技術15、三種狀態(tài)（金屬態(tài)-過度態(tài)-氧化態(tài)）的特點及濺射速率變化炒硫趙捌鴉迢拐跺矽再沛獄疹尸檸泵棒糾袖纓超廉氏堿要丁節(jié)柯剿垣郁殷磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1擔蚌錠閑氦得讕蠶測毋厲尸大排商怠栓皖晤姐承柑餒趾塑閏捆蕉倔匣牌翼磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1原柿品頭兢弱壇妊怨刷壓禽窩麥抱奪膳婆折趟優(yōu)哪遼陌漢凈甜州牛釬像訃磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1吟箍紗羌鷗此痛肪凹辱挑阻麗氧鞭勝范囊凡紐帥吞脫粵押蔽菏屈帳藻距呼磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1豪岳革預癟那兼妓蔑喝希捌摸桌詳煩涸涌驅趣翻窒楚操堤去傷扯夾掖顏汗磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術1柏文萄瘦搔艇集洽枚娛佃機嗆蓖爸縫烴扣贖測僳匣發(fā)關匣隨再斯豁鮮虜掃磁控濺射鍍膜技術1磁控濺射鍍膜技術16、按不同采樣方法控制方式可分為:質譜法 檢測反應氣體的分壓強來控制反應氣體流量。等離子體發(fā)射檢測法(PEM: Plasma Emission Monitor），根據某種元素（通常是金屬離子）特征光譜的強弱變化來對反應氣體進行控制。利用靶中毒時的外部特征（如靶電位、靶電流）來控制反應氣體流