半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)課件

1、 第二章： 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)21 半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu) 2. 2 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)*半導(dǎo)體簡(jiǎn)介固體材料可分成：超導(dǎo)體、導(dǎo)體、 半導(dǎo)體、絕緣體從導(dǎo)電性（電阻）：電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間，并且具有負(fù)的電阻溫度系數(shù)半導(dǎo)體21 半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)電阻率 導(dǎo)體： 10-3cm 例如：Cu10-6cm 半導(dǎo)體：10-2cm109cm Ge=0.2cm 絕緣體：109cmTR半導(dǎo)體金屬絕緣體電阻溫度系數(shù)半導(dǎo)體材料的分類按功能和應(yīng)用分微電子半導(dǎo)體光電半導(dǎo)體熱電半導(dǎo)體微波半導(dǎo)體氣敏半導(dǎo)體按組成分：無(wú)機(jī)半導(dǎo)體：元素、化合物有機(jī)半導(dǎo)體按結(jié)構(gòu)分:晶體：?jiǎn)尉w、多晶體非晶、無(wú)定形 *無(wú)機(jī)半導(dǎo)體晶體材料無(wú)機(jī)半導(dǎo)體晶體材料元素半導(dǎo)體化

2、合物半導(dǎo)體固溶體半導(dǎo)體GeSeSiCBTePSbAs元素半導(dǎo)體SISn熔點(diǎn)太高、不易制成單晶不穩(wěn)定、易揮發(fā)低溫某種固相稀少(1)元素半導(dǎo)體晶體化合物半導(dǎo)體-族-族金屬氧化物-族-族-族InP、GaP、GaAs、InSb、InAsCdS、CdTe、CdSe、ZnSSiCGeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTeAsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3CuO2、ZnO、SnO2*化合物半導(dǎo)體及固溶體半導(dǎo)體 過(guò)渡金屬氧化物半導(dǎo)體：有ZnO、SnO2、V2O5、Cr2O3、Mn2O3、FeO、CoO、NiO等。尖晶石型化合物（磁性半導(dǎo)體）：主要有CdCr2S4、CdCr2Se4、HgCr2S4等。

3、稀土氧、硫、硒、碲化合物：有EuO、EuS、EuSe、EuTe 等。 (1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素半 導(dǎo)體 (2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、 Se2As3、As2SeTe非晶半導(dǎo)體*.非晶態(tài)半導(dǎo)體有機(jī)半導(dǎo)體 酞菁類及一些多環(huán)、稠環(huán)化合物，聚乙炔和環(huán)化脫聚丙烯腈等導(dǎo)電高分子，他們都具有大鍵結(jié)構(gòu)。 *有機(jī)半導(dǎo)體高分子聚合物有機(jī)分子晶體有機(jī)分子絡(luò)合物晶體結(jié)構(gòu)：原子規(guī)則排列，主要體現(xiàn)是原子排列具有周期性，或者稱長(zhǎng)程有序。有此排列結(jié)構(gòu)的材料為晶體。晶體中原子、分子規(guī)則排列的結(jié)果使晶體具有規(guī)則的幾何外形，X射線衍射已證實(shí)這一結(jié)論。 晶體結(jié)構(gòu)固體的結(jié)構(gòu)分為： 非晶體結(jié)構(gòu)

4、多晶體結(jié)構(gòu)2.1.1 空間點(diǎn)陣2.1.2 密勒指數(shù)2.1.3 倒格子非晶體結(jié)構(gòu)：不具有長(zhǎng)程有序。有此排列結(jié)構(gòu)的材料為非晶體。了解固體結(jié)構(gòu)的意義： 固體中原子排列形式是研究固體材料宏觀性質(zhì)和各種微觀過(guò)程的基礎(chǔ)。晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)概括為是由一些相同點(diǎn)子在空間有規(guī)則作周期性無(wú)限分布，這些點(diǎn)子的總體稱為點(diǎn)陣。2.1.1 空 間 點(diǎn) 陣一、布喇菲的空間點(diǎn)陣學(xué)說(shuō)（該學(xué)說(shuō)正確地反映了晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)長(zhǎng)程有序特征，后來(lái)被空間群理論充實(shí)發(fā)展為空間點(diǎn)陣學(xué)說(shuō)，形成近代關(guān)于晶體幾何結(jié)構(gòu)的完備理論。）關(guān)于結(jié)點(diǎn)的說(shuō)明： 當(dāng)晶體是由完全相同的一種原子組成，結(jié)點(diǎn)可以是原子本身位置。 當(dāng)晶體中含有數(shù)種原子，這數(shù)種原子構(gòu)成基本結(jié)構(gòu)單元（基

5、元），結(jié)點(diǎn)可以代表基元重心，原因是所有基元的重心都是結(jié)構(gòu)中相同位置，也可以代表基元中任意點(diǎn)子 結(jié)點(diǎn)示例圖1 . 點(diǎn)子空間點(diǎn)陣學(xué)說(shuō)中所稱的點(diǎn)子，代表著結(jié)構(gòu)中相同的位置，也為結(jié)點(diǎn)，也可以代表原子周圍相應(yīng)點(diǎn)的位置。晶體由基元沿空間三個(gè)不同方向，各按一定的距離周期性地平移而構(gòu)成，基元每一平移距離稱為周期。在一定方向有著一定周期，不同方向上周期一 般不相同?；揭平Y(jié)果：點(diǎn)陣中每個(gè)結(jié)點(diǎn)周圍情況都一樣。2 . 點(diǎn)陣學(xué)說(shuō)概括了晶體結(jié)構(gòu)的周期性3 . 晶格的形成通過(guò)點(diǎn)陣中的結(jié)點(diǎn)，可以作許多平行的直線族和平行的晶面族，點(diǎn)陣成為一些網(wǎng)格-晶格。 平行六面體原胞概念的引出： 由于晶格周期性，可取一個(gè)以結(jié)點(diǎn)為頂點(diǎn)，邊

6、長(zhǎng)等于該方向上的周期的平行六面體作為重復(fù)單元，來(lái)概括晶格的特征。即每個(gè)方向不能是一個(gè)結(jié)點(diǎn)（或原子）本身，而是一個(gè)結(jié)點(diǎn)（或原子）加上周期長(zhǎng)度為a的區(qū)域，其中a叫做基矢 。這樣的重復(fù)單元稱為原胞。 原胞（重復(fù)單元）的選取規(guī)則 反映周期性特征：只需概括空間三個(gè)方向上的周期大小，原胞可以取最小重復(fù)單元（物理學(xué)原胞），結(jié)點(diǎn)只在頂角上。反映對(duì)稱性特征：晶體都具有自己特殊對(duì)稱性。結(jié)晶學(xué)上所取原胞體積不一定最小，結(jié)點(diǎn)不一定只在頂角上，可以在體心或面心上（晶體學(xué)原胞）；原胞邊長(zhǎng)總是一個(gè)周期，并各沿三個(gè)晶軸方向；原胞體積為物理學(xué)原胞體積的整數(shù)倍數(shù)。 布喇菲點(diǎn)陣的特點(diǎn)： 每點(diǎn)周圍情況都一樣。是由一個(gè)結(jié)點(diǎn)沿三維空間周

7、期性平移形成，為了直觀，可以取一些特殊的重復(fù)單元（結(jié)晶學(xué)原胞）。 完全由相同的一種原子組成，則這種原子組成的網(wǎng)格為布喇菲格子，和結(jié)點(diǎn)所組成的網(wǎng)格相同。 晶體的基元中包含兩種或兩種以上原子，每個(gè)基元中，相應(yīng)的同種原子各構(gòu)成和結(jié)點(diǎn)相同網(wǎng)格-子晶格（或亞晶格）。 復(fù)式格子（或晶體格子）是由所有相同結(jié)構(gòu)子晶格相互位移套構(gòu)形成。4 .結(jié)點(diǎn)的總結(jié)-布喇菲點(diǎn)陣或布喇菲格子晶體格子（簡(jiǎn)稱晶格）：晶體中原子排列的具體形式。原子規(guī)則堆積的意義：把晶格設(shè)想成為原子規(guī)則堆積，有助于理解晶格組成，晶體結(jié)構(gòu)及與其有關(guān)的性能等。二 、 晶 格 的 實(shí) 例1. 簡(jiǎn)單立方晶格2. 體心立方晶格3. 原子球最緊密排列的兩種方式特

8、點(diǎn)：層內(nèi)為正方排列，是原子球規(guī)則排列的最簡(jiǎn)單形式；原子層疊起來(lái)，各層球完全對(duì)應(yīng)，形成簡(jiǎn)單立方晶格；這種晶格在實(shí)際晶體中不存在，但是一些更復(fù)雜的晶格可以在簡(jiǎn)單立方晶格基礎(chǔ)上加以分析。 原子球的正方排列簡(jiǎn)單立方晶格典型單元1. 簡(jiǎn)單立方晶格簡(jiǎn)單立方晶格的原子球心形成一個(gè)三維立方格子結(jié)構(gòu)，整個(gè)晶格可以看作是這樣一個(gè)典型單元沿著三個(gè)方向重復(fù)排列構(gòu)成的結(jié)果。 簡(jiǎn)單立方晶格單元沿著三個(gè)方向重復(fù)排列構(gòu)成的圖形2. 體心立方晶格 體心立方晶格的典型單元排列規(guī)則：層與層堆積方式是上面一層原子球心對(duì)準(zhǔn)下面一層球隙，下層球心的排列位置用A標(biāo)記，上面一層球心的排列位置用B標(biāo)記，體心立方晶格中正方排列原子層之間的堆積方

9、式可以表示為 ： AB AB AB AB體心立方晶格的堆積方式3.原子球最緊密排列的兩種方式密排面：原子球在該平面內(nèi)以最緊密方式排列。堆積方式：在堆積時(shí)把一層的球心對(duì)準(zhǔn)另一層球隙，獲得最緊密堆積，可以形成兩種不同最緊密晶格排列。前一種為六角密排晶格，（如Be、Mg、Zn、Cd），后一種晶格為立方密排晶格，或面心立方晶格（如Cu、Ag、Au、Al） 面心立方晶格 （立方密排晶格） 面心（111）以立方密堆方式排列 面心立方晶體（立方密排晶格）六方密堆晶格的原胞、布喇菲格子與復(fù)式格子把基元只有一個(gè)原子的晶格，叫做布喇菲格子；把基元包含兩個(gè)或兩個(gè)以上原子的，叫做復(fù)式格子。注：如果晶體由一種原子構(gòu)成，

10、但在晶體中原子周圍的情況并不相同（例如用X射線方法，鑒別出原子周圍電子云的分布不一樣），則這樣的晶格雖由一種原子組成，但不是布喇菲格子，而是復(fù)式格子。1 . 氯化鈉結(jié)構(gòu) 表示鈉 表示氯鈉離子與氯離子分別構(gòu)成面心立方格子，氯化鈉結(jié)構(gòu)是由這兩種格子相互平移一定距離套購(gòu)而成。2 . 氯化銫結(jié)構(gòu) 表示Cs 。 表示Cl3 . 鈣鈦礦型 結(jié)構(gòu) 表示Ba 表示O 表示Ti結(jié)晶學(xué)原胞基元中任意點(diǎn)子或結(jié)點(diǎn)作周期性重復(fù)的晶體結(jié)構(gòu)復(fù)式原胞重復(fù)的晶體結(jié)構(gòu)四、2.1.2 密 勒 指 數(shù)一、晶列 1. 晶列通過(guò)任意兩個(gè)格點(diǎn)連一直線，則這一直線包含無(wú)限個(gè)相同格點(diǎn)，這樣的直線稱為晶列，也是晶體外表上所見的晶棱。其上的格點(diǎn)分

11、布具有一定的周期-任意兩相鄰格點(diǎn)的間距。 1. 晶列的特點(diǎn) （1）一族平行晶列把所有點(diǎn) 包括無(wú)遺。 （2）在一平面中，同族的相鄰晶列之間的距離相等。 （3）通過(guò)一格點(diǎn)可以有無(wú)限 多個(gè)晶列，其中每一晶列都有一族平行的晶列與之對(duì)應(yīng)。 （4 ）有無(wú)限多族平行晶列。 - 。 。 。 。 。 。 。 。 。 晶面的特點(diǎn)：（1）通過(guò)任一格點(diǎn)，可以作全同的晶面與一晶面平行，構(gòu)成一族平行晶面.（2）所有的格點(diǎn)都在一族平行的晶面上而無(wú)遺漏；（3）一族晶面平行且等距，各晶面上格點(diǎn)分布情況相同；（4）晶格中有無(wú)限多族的平行晶面。二、晶面三、晶向 一族晶列的特點(diǎn)是晶列的取向，該取向?yàn)榫颍?同樣一族晶面的特點(diǎn)也由取向

12、決定，因此無(wú)論對(duì)于晶列或晶面，只需標(biāo)志其取向。 任一格點(diǎn) A的位矢Rl為 Rl =l1a1+l2a2+l3a3式中l(wèi)1、l2、l3是整數(shù)。若互質(zhì)，直接用他們來(lái)表征晶列OA的方向（晶向），這三個(gè)互質(zhì)整數(shù)為晶列的指數(shù)，記以 l1，l2，l31 . 晶列指數(shù) （晶列方向的表示方法）ORlAa1a2a3立方單包的三條邊的指數(shù)分別為100，010，001表示晶面的方法，即方位： 在一個(gè)坐標(biāo)系中用該平面的法線方向的余弦；或表示出這平面在座標(biāo)軸上的截距。a1a2a3設(shè)這一族晶面的面間距為d，它的法線方向的單位矢量為n，則這族晶面中，離開原點(diǎn)的距離等于d的晶面的方程式為： R n=d為整數(shù)；R是晶面上的任意點(diǎn)

13、的位矢。R2. 密勒指數(shù)（ 晶面方向的表示方法）設(shè)此晶面與三個(gè)座標(biāo)軸的交點(diǎn)的位矢分別為ra1 、sa2、ta3,代入上式，則有 ra1cos(a1,n)=d sa2cos(a2,n)=d ta3cos(a3,n)=da1 、 a2、a3取單位長(zhǎng)度，則得cos(a1,n)： cos(a2,n) ：cos(a3,n)=1r：1s：1t結(jié)論：晶面的法線方向n與三個(gè)坐標(biāo)軸（基矢）的夾角的余弦之比等于晶面在三個(gè)軸上的截距的倒數(shù)之比。 已知一族晶面必包含所有的格點(diǎn) ，因此在三個(gè)基矢末端的格點(diǎn)必分別落在該族的不同的晶面上。設(shè)a1 、 a2、a3的末端上的格點(diǎn)分別在離原點(diǎn)的距離為h1d、h2d、h3d的晶面上

14、，其中h1、h2、h3都是整數(shù)，三個(gè)晶面分別有 a1n=h1d , a2n=h2d , a3n=h3dn是這一族晶面公共法線的單位矢量，于是 a1cos(a1,n)=h1d a2cos(a2,n)=h2d a3cos(a3,n)=h3d證明截距的倒數(shù)之比為整數(shù)之比cos(a1,n)： cos(a2,n) ：cos(a3,n)=h1：h2：h3結(jié)論： 晶面族的法線與三個(gè)基矢的夾角的余弦之比等于三個(gè)整數(shù)之比。可以證明 ：h1、h2、h3三個(gè)數(shù)互質(zhì)，稱它們?yōu)樵摼孀宓拿嬷笖?shù)，記以（ h1h2h3）。即把晶面在座標(biāo)軸上的截距的倒數(shù)的比簡(jiǎn)約為互質(zhì)的整數(shù)比，所得的互質(zhì)整數(shù)就是面指數(shù)。幾何意義：在基矢的兩端

15、各有一個(gè)晶面通過(guò)，且這兩個(gè)晶面為同族晶面，在二者之間存在hn個(gè)晶面，所以最靠近原點(diǎn)的晶面（=1）在坐標(biāo)軸上的截距為a1/h1、a2/h2、a3/h3,同族的其他晶面的截距為這組截距的整數(shù)倍。實(shí)際工作中，常以結(jié)晶學(xué)原胞的基矢a、b、c為坐標(biāo)軸來(lái)表示面指數(shù)。在這樣的坐標(biāo)系中，標(biāo)征晶面取向的互質(zhì)整數(shù)稱為晶面族的密勒指數(shù)，用(hkl)表示。例如：有一ABC面，截距為4a、b、c, 截距的倒數(shù)為1/4、1、1，它的密勒指數(shù)為（1，4，4）。另有一晶面，截距為2a、4b、c, 截距的倒數(shù)為1/2、1/4、0，它的密勒指數(shù)為（2、1、0）。簡(jiǎn)單晶面指數(shù)的特點(diǎn)： 晶軸本身的晶列指數(shù)特別簡(jiǎn)單，為100、010、

16、001； 晶體中重要的帶軸的指數(shù)都是簡(jiǎn)單的； 晶面指數(shù)簡(jiǎn)單的晶面如（110）、（111）是重要的晶面； 晶面指數(shù)越簡(jiǎn)單的晶面，面間距d就越大，格點(diǎn)的面密度大，易于解理； 格點(diǎn)的面密度大，表面能小，在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中易于顯露在外表；對(duì)X射線的散射強(qiáng)，在X射線衍射中，往往為照片中的濃黑斑點(diǎn)所對(duì)應(yīng)。設(shè)一晶格的基矢為 a1 、 a2、a3，有如下的關(guān)系： b1= 2(a2a3) 說(shuō)明b1垂直于a2和a3所確定的面； b2= 2(a3a1) 說(shuō)明b2垂直于a3和a1所確定的面 b3= 2(a1a2 說(shuō)明b3垂直于a1和a2所確定的面 式中： = a1 ( a2a3)為晶格原胞的體積。1. 倒格子的數(shù)學(xué)定義

17、2.1.3 倒 格 子倒格子：以b1、b2、b3為基矢的格子是以a1、a2、a3為基矢的格子的倒格子。（1） 正格子基矢和倒格子基矢的關(guān)系2. 正格子與倒格子的幾何關(guān)系 =2 (i=j) aibj=2i j =0 (ij)證明如下： a1b1=2 a1 ( a2 a3 ) / a1 ( a2 a3 ) = 2 因?yàn)榈垢褡踊概c不同下腳標(biāo)的正格子基矢垂直，有： a2b1=0 a3b1=0 （2）除（2）3因子外，正格子原胞體積和倒格子原胞體積*互為倒數(shù)。 *=b1 ( b2b3) = (2）3/ 表示正格點(diǎn) 表示倒格點(diǎn)ABC為一族晶面（h1h2h3）中的最靠近原點(diǎn)的晶面，與 k h垂直a1a2a

18、3BCAk ha1/h1a3/h3a2/h2（3）正格子中一族晶面（h1h2h3）和倒格矢 k h=h1b1+h2b2+h3b3 正交，即晶面的彌勒指數(shù)是垂直于該晶面的最短倒格矢坐標(biāo).由（3）、（4）可知，一個(gè)倒格矢代表正格子中的一族平行晶面 。 晶面族（h1h2h3）中離原點(diǎn)的距離為 d h1h2h3的晶面的方程式可寫成： R l kh/|kh|= d h1h2h3 (=0,1,2,)得出正格矢和倒格矢的關(guān)系： R l kh= 2 結(jié)論：如果兩矢量的關(guān)系：R l kh= 2，則其中一個(gè)為正格子，另一個(gè)必為倒格子；即正格矢和倒格矢恒滿足正格矢和倒格矢的關(guān)系。（4）倒格矢的長(zhǎng)度正比于晶面族（h1

19、h2h3）的面間距的倒數(shù)。dh1h2h3=a1/h1kh/|kh|=a1(h1b1+h2b2+h3b3)/h1|kh|=2/|kh|結(jié)論： 倒格矢Kh垂直某一晶面（ h1h2h3 ），也即該晶面的法線方向與此倒格矢方向一致。 倒格矢Kh的大小與和其垂直的晶面間距成正比。 一個(gè)倒格矢對(duì)應(yīng)一族晶面，但一族晶面可以對(duì)應(yīng)無(wú)數(shù)個(gè)倒格矢，這些倒格矢的方向一致，大小為最小倒格矢的整數(shù)倍。 滿足X射線衍射的一族晶面產(chǎn)生一個(gè)斑點(diǎn)，該斑點(diǎn)代表一個(gè)倒格點(diǎn)，即該倒格點(diǎn)對(duì)應(yīng)一族晶面指數(shù)。利用倒易點(diǎn)陣（倒格子）與正格子間的關(guān)系導(dǎo)出晶面間距和晶面夾角。 晶面間距dh1h2h3 ：dh1h2h3=2/ |kh1h2h3| 兩

20、邊開平方， 將kh1h2h3 =h1b1+h2b2+h3b3及正倒格子的基矢關(guān)系代入，經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)運(yùn)算，得到面間距公式。晶面夾角 ： k1 k2 = k1 k2 COS 100200300001002003101201301103202203(100)(001)(102)O倒格子與正格子間的相互轉(zhuǎn)化1020b1b2 一維格子倒格子原胞：作由原點(diǎn)出發(fā)的諸倒格矢的垂直平分面，這些平面完全封閉形成的最小的多面體（體積最?。?第一布里淵區(qū)。b1b20二維格子3 . 倒格子原胞和布里淵區(qū)ab構(gòu)成第一布里淵區(qū)（簡(jiǎn)約布里淵區(qū)）的垂直平分線的方程式如下： x=/a 及 y=/a 第二布里淵區(qū)的各個(gè)部分分別平移一個(gè)

21、倒格矢，可以同第一區(qū)重合。第三布里淵區(qū)的各個(gè)部分分別平移適當(dāng)?shù)牡垢袷敢材芡谝粎^(qū)重合。 (2/a) i-(2/a) i(2/a) j-(2/a) j4 . X射線衍射與倒格子、布里淵區(qū)的關(guān)系（1） X射線衍射與倒格子的關(guān)系根據(jù)公式： kk0 =n Kh , 建立反射球或衍射球入射線的波矢k0 反射線的波矢k倒格矢KhOCA晶面反射球R l kh/|kh|= d h1h2h3Rl .( kk0 ）= 2 dh1h2h3=2/ |kh1h2h3|（h1h2h3）（h1 h2 h3 ）建立反射球的意義 通過(guò)所建立的反射球，把晶格的衍射條件和衍射照片上的斑點(diǎn)直接聯(lián)系起來(lái)。 利用反射球求出某一晶面族發(fā)生

22、衍射的方向 （若反射球上的A點(diǎn)是一個(gè)倒格點(diǎn)，則CA就是以O(shè)A為倒格矢的一族晶面h1h2h3的衍射方向S）。OC倒格矢球面與反射球相交于一圓同一晶面由于晶體的旋轉(zhuǎn)引起該晶面倒格矢的旋轉(zhuǎn)從而形成倒格矢球面。 二維正方晶格的布里淵區(qū)結(jié)論：所有落在此球上的倒格點(diǎn)都滿足關(guān)系式: kk0 =n Kh即滿足衍射加強(qiáng)條件。衍射線束的方向是C點(diǎn)至A點(diǎn)的聯(lián)線方向。2. 2 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1.電子共有化(1)孤立原子(單價(jià))電子所在處的電勢(shì)為U，電子的電勢(shì)能為V。電勢(shì)能是一個(gè)旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的勢(shì)阱。 (2)兩個(gè)原子情形(3)大量原子規(guī)則排列情形 晶體中大量原子(分子、離子)的規(guī)則排列成點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，晶體中形成周期性勢(shì)場(chǎng) 1.

23、電子共有化 由于晶體中原子的周期性排列，價(jià)電子不再為單個(gè)原子所有的現(xiàn)象。共有化的電子可以在不同原子中的相似軌道上轉(zhuǎn)移，可以在整個(gè)固體中運(yùn)動(dòng)。 原子的外層電子(高能級(jí))，勢(shì)壘穿透概率較大，屬于共有化的電子。原子的內(nèi)層電子與原子的結(jié)合較緊，一般不是共有化電子。2.能帶的形式量子力學(xué)證明，由于晶體中各原子間的相互影響，原來(lái)各原子中能量相近的能級(jí)將分裂成一系列和原能級(jí)接近的新能級(jí)。這些新能級(jí)基本上連成一片，形成能帶 兩個(gè)氫原子靠近結(jié)合成分子時(shí)，1S能級(jí)分裂為兩條。當(dāng)N個(gè)原子靠近形成晶體時(shí)，由于各原子間的相互作用，對(duì)應(yīng)于原來(lái)孤立原子的一個(gè)能級(jí)，就分裂成N條靠得很近的能級(jí)。使原來(lái)處于相同能級(jí)上的電子，不再有相同的能量，而處于N個(gè)很接近的新能級(jí)上。 （1）越是外層電子，能帶越寬，E 越大。內(nèi)層電子相應(yīng)的能帶很窄 （2）點(diǎn)陣間距越小，能帶越寬，E 越大。 （3）兩個(gè)能帶有可能重疊。一般規(guī)律：能帶的形式3. 滿帶、導(dǎo)帶和禁帶 固體中的一個(gè)電子只能處在某個(gè)能帶中的某一能級(jí)上。 電子的填充原則： （）服從泡利不