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文檔簡介

1、工科平臺(tái)晶體位錯(cuò)1位錯(cuò)是晶體中局部滑移區(qū)域的邊界線，即是晶體中的一種線缺陷；它是決定金屬等晶體力學(xué)性質(zhì)的基本因素，也對(duì)晶體的其他許多性質(zhì)（包括晶體生長）有著嚴(yán)重的影響。2晶體位錯(cuò)刃位錯(cuò)(棱位錯(cuò))螺旋位錯(cuò)34刃位錯(cuò)的位移5螺旋位錯(cuò)的位移6半導(dǎo)體中位錯(cuò)可起一定的施主和受主作用位錯(cuò)可使能帶發(fā)生變化位錯(cuò)是散射載流子的中心位錯(cuò)起復(fù)合中心作用位錯(cuò)將促進(jìn)雜質(zhì)的沉積Not Good！7根據(jù)華北光電技術(shù)研究所的一個(gè)實(shí)驗(yàn)0 1/(2/Rh-1) (0為有效熱應(yīng)力，R為晶體半徑，h為熱交換系數(shù)) (有效熱應(yīng)力引起晶體位錯(cuò)) (隨著晶體半徑的加大 , 晶體內(nèi)熱應(yīng)力增大 , 晶體位錯(cuò)增多)8得出圖像當(dāng)由環(huán)境冷卻晶體變?yōu)?/p>

2、環(huán)境加熱晶體時(shí)，熱應(yīng)力遞減。環(huán)境溫度應(yīng)盡可能高于晶體溫度How9保溫罩！10實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，加上保溫罩后銻化銦晶體位錯(cuò)密度明顯降低！Success11與超導(dǎo)的聯(lián)系目前位錯(cuò)理論不僅僅局限于塑性變形等問題,在滯彈性、斷裂、相變、晶體的電磁性能、晶體的光學(xué)性質(zhì)以及超導(dǎo)體等領(lǐng)域位錯(cuò)理論也愈來愈重要。透射電子顯微鏡(TEM)觀察表明沿C方向的位錯(cuò)缺陷會(huì)影響超導(dǎo)性能。該研究結(jié)果可能從結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)提供FEP體系超導(dǎo)體的新解釋。報(bào)道在YBa2Cu3Ox單晶(100) / (010) 晶面上觀察到螺旋狀生長丘, 該晶面上螺旋位錯(cuò)密度達(dá)105個(gè)/cm2, 低于YBa2Cu3Ox（001）面上的位錯(cuò)密度(約109個(gè)/ cm2）,討論了與螺旋生長機(jī)

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