LF制程簡介解析課件

1、導(dǎo)線架(Lead Frame) 製程簡介1第1頁，共26頁。晶片封裝組立圖概論L/F 區(qū)域圖概論L/F 製程簡介 內(nèi)容大綱2第2頁，共26頁。 晶片封裝概論3第3頁，共26頁。 L/F 區(qū)域概論4第4頁，共26頁。Leadframe Process Flow Pre-Treatment前處理Laminate壓膜Exposure曝光Develop顯影Etching蝕刻Stripping剝膜AG Plating電鍍T/D/S貼膠成型Inspection最終檢驗(yàn)OQC Gage品管檢驗(yàn)Package包裝Artwork光罩Material下料Etching Sorting蝕刻外觀檢驗(yàn)IPQC Gate

2、品管檢驗(yàn)IPQC Gate品管檢驗(yàn)IPQC Gate品管檢驗(yàn)5第5頁，共26頁。下料 Material銅材依產(chǎn)品封裝型式板厚有所區(qū)分 如：QFP -6 mil LQFP、TQFP -5 mil PLCC、SOJ、SOP - 8 mil6第6頁，共26頁。7第7頁，共26頁。 將銅材上之抗氧化油層以鹼洗清除並以酸作微蝕以確保光阻與銅面壓合時(shí)更緊密，不會產(chǎn)生剝離情形。銅材依產(chǎn)品封裝型式板厚有所區(qū)分如： QFP -6 mil LQFP、TQFP -5 mil PLCC、SOJ、SOP - 8 mil前處理 Pre-Treatment8第8頁，共26頁。9第9頁，共26頁。10第10頁，共26頁。壓膜

3、 Laminating將光阻劑利用壓合方式,壓在銅板兩面。圖示光阻劑銅板11第11頁，共26頁。覆蓋光罩及利用UV光學(xué)反應(yīng),將所須之影像曝光轉(zhuǎn)移至光阻劑上曝光 Exposure12第12頁，共26頁。13第13頁，共26頁。顯影 Developing利用顯影液將未曝光部份之光阻劑洗去,使之顯像成型。圖示:14第14頁，共26頁。利用CuCl2將已覆蓋顯影成型之光阻劑的銅材蝕刻成Dimension 之 Bare L/F蝕刻 Etching15第15頁，共26頁。剝膜 Stripping利用剝膜劑將覆蓋在Bare L/F 上剝離乾淨(jìng)16第16頁，共26頁。17第17頁，共26頁。18第18頁，共2

4、6頁。電鍍 Plating圖示:前處理Pre-Treatment鍍銅Copper Strike銅面之氧化物及油脂等物質(zhì)去除將Bare L/F鍍上一層銅19第19頁，共26頁。鍍銀Ag Plating電鍍 Plating將Bare L/F 先預(yù)鍍銅後,並利用Mask將銀鍍在所需工作區(qū)上。圖示:20第20頁，共26頁。21第21頁，共26頁。貼膠成型- Taping Down Set 將將鍍銀後之L/F貼膠(切腳)/成型,完成品即為封裝廠所用導(dǎo)線架Taping圖示:a.Window Tape b.4-Segment Tape. c.2-Segment Tape22第22頁，共26頁。TRIMMING(切腳)作業(yè):利用模具將內(nèi)腳連結(jié)部份 予切除。圖示:貼膠成型 -Trimming23第23頁，共26頁。貼膠成型- Down SetDownset(成型)作業(yè),利用模具將連結(jié)Pad上 之 Tie Bar壓延及沖壓成一凹型, 以利晶粒